JP4761774B2 - 温度/厚さ測定装置,温度/厚さ測定方法,温度/厚さ測定システム,制御システム,制御方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 60
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 792
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 324
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 119
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 103
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 42
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 33
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 6
- 238000004886 process control Methods 0.000 claims description 6
- 235000003392 Curcuma domestica Nutrition 0.000 claims 1
- 244000008991 Curcuma longa Species 0.000 claims 1
- 229960001716 benzalkonium Drugs 0.000 claims 1
- CYDRXTMLKJDRQH-UHFFFAOYSA-N benzododecinium Chemical compound CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 CYDRXTMLKJDRQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000003373 curcuma longa Nutrition 0.000 claims 1
- 235000013976 turmeric Nutrition 0.000 claims 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 216
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 120
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 114
- 230000008859 change Effects 0.000 description 48
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 30
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 5
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 4
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Description
前記参照光反射手段を一方向へ走査することによって前記参照光反射手段から反射する参照光の光路長を変化させながら,前記各測定対象物から反射する各測定光と,前記参照光反射手段から反射する参照光との光の干渉を測定する工程と,前記干渉測定の結果に基づいて前記各測定対象物の温度又は厚さを測定する工程と,測定した前記各測定対象物の温度又は厚さに基づいて,前記基板処理装置における前記被処理基板の温度制御とプロセス制御のうち少なくとも一方の制御を行う工程とを有することを特徴とする制御方法が提供される。
本発明の第1実施形態にかかる温度測定装置について図面を参照しながら説明する。図1は,本発明の第1実施形態にかかる温度測定装置の概略構成を示すブロック図である。本実施形態にかかる温度測定装置100は,上述した図19に示すような原理を基本としつつ,簡単な構成で,例えば図1に示すような対向して配置された複数の測定対象物T1〜Tnを参照光反射手段(例えば参照ミラー)の一度の走査で温度測定することができるようにしたものである。このような温度測定装置100の具体的な構成は以下の通りである。
このような構成の温度測定装置100においては,図1に示すように,光源110からの光は,例えば光ファイバaを介してスプリッタ120の入力端子(入力ポート)の一方に入射され,スプリッタ120により2つの出力端子(出力ポート)へ2分波される。このうち,一方の出力端子(出力ポート)からの光は測定光として,測定光伝送手段例えば光ファイバbの先端にコリメータを取付けたコリメータ付光ファイバFを介して測定対象物T1〜Tnに照射され,各測定対象物T1〜Tnの各層の表面,境界面や裏面によって反射される。
ここで,温度測定装置100により得られる測定光と参照光との光の干渉の具体例を図3に示す。図3は,測定対象物T1及びT2で反射した第1及び第2測定光と,参照光反射手段140で反射した参照光との干渉波形を示したものである。図3(a)は温度変化前の干渉波形を示したものであり,図3(b)は温度変化後の干渉波形を示したものである。図3において縦軸は干渉強度,横軸は参照ミラーの移動距離をとっている。
次に,測定光と参照光との光の干渉に基づいて温度を測定する方法について説明する。測定光と参照光の干渉波に基づく温度測定方法としては,例えば温度変化に基づく光路長変化を用いる温度換算方法がある。ここでは,上記干渉波形の位置ズレを利用した温度換算方法について説明する。
=L1・(α1+β1)・ΔT1 …(1−5)
=L2・(α2+β2)・ΔT2 …(1−6)
"Temperature dependence of the near-infrared refractive index of
silicon,gallium arsenide,and indium phosphide"Phy.Rev.B49,7408,1994)などにも記載されている。
次に,第2実施形態にかかる基板処理装置の温度測定システムについて図面を参照しながら説明する。第2実施形態にかかる基板処理装置の温度測定システムは,第1実施形態にかかる温度測定装置を基板処理装置に適用した場合の具体例である。図5は,第2実施形態にかかる温度測定システムの概略構成を示す図である。ここでは,例えばプラズマエッチング装置などの基板処理装置において対向して配置される2つの温度対象物T1(例えば上部電極の電極板Tu)及びT2(例えばウエハTw)の温度測定に適用する場合を例に挙げて説明する。
次に,第3実施形態にかかる基板処理装置の温度測定システムについて図面を参照しながら説明する。第3実施形態にかかる温度測定システムは,第2実施形態にかかる温度測定システムを改良し,参照ミラーの移動距離をより短くできるように構成したものである。
次に,第3実施形態にかかる温度測定システムの変形例について図面を参照しながら説明する。図10は,第3実施形態にかかる温度測定システムの変形例についての概略構成を示すブロック図である。図10に示す温度測定システムは,図7に示すものとほぼ同様であるが,図7に示すものは1つの光ファイバカプラ230により,迂回光路を構成する光ファイバeを測定光の光路に並列に接続してループを形成するのに対して,図10に示すものは迂回光路接続用スプリッタとして2つのスプリッタ(例えば1×2の光ファイバカプラ232と2×1の光ファイバカプラ234)により,測定光の光路を構成する光ファイバe1と迂回光路を構成する光ファイバe2とを並列に接続してループを形成する。これにより,図10に示す温度測定システムについても,図7に示すものと同様に測定光伝送手段を構成する測定光の光路の途中に並列して接続した迂回光路を設けることができる。
次に,第4実施形態にかかる基板処理装置の温度測定システムについて図面を参照しながら説明する。第4実施形態にかかる温度測定システムは,第2実施形態にかかる温度測定システムを改良し,さらに各測定対象物の平行度の精度によらずに,各測定対象物に対する測定光の光軸を容易に調整できるように構成したものである。
次に,第5実施形態にかかる基板処理装置の温度測定システムについて図面を参照しながら説明する。第5実施形態にかかる温度測定システムは,第2実施形態にかかる温度測定システムを改良し,参照ミラーの移動距離をより短くできるように構成したものである。上述した第3及び第4実施形態では測定光の光路長を調整するのに対して,第5実施形態では参照光の光路長を調整するものである。
次に,第5実施形態にかかる温度測定システムの変形例について図面を参照しながら説明する。図15は,第5実施形態にかかる温度測定システムの変形例についての概略構成を示すブロック図である。図15に示す温度測定システムは,図13に示すものとほぼ同様であるが,図13に示すものは参照ミラーの反射面をずらすことにより,第1,第2参照光の光路長を調整するのに対して,図15に示すものは例えばSLD210から光源側スプリッタ例えば2×2の光ファイバカプラ220によりスプリットされた参照光を,参照光用スプリッタ例えば1×2の光ファイバカプラ222によって第1参照光と第2参照光に2分波し,第1,第2参照光を参照ミラー240に照射させてその反射光を受光するように構成して,第1,第2参照光の光路長を調整する。
(第5実施形態にかかる温度測定システムの他の変形例)
なお,上述した第3〜第5実施形態に示す温度測定システムは,測定光伝送手段及び参照光伝送手段として光ファイバを利用し,温度測定で使用する測定光や参照光などの光を光ファイバにより伝送するものについて説明したが,必ずしもこれに限定されるものではなく,温度測定で使用する測定光や参照光などの光を光ファイバやコリメートファイバを用いずに,図18に示すような原理に基づいて空中を伝送させるようにしてもよい。
また,上述した第3〜第5実施形態に示す温度測定システムは,各種コントローラ470として例えば上部電極350の電極板TuやウエハTwの温度を制御するコントローラを設けることにより,上部電極350の電極板TuやウエハTwについて,温度測定装置200により温度測定を行いながら,その測定結果に応じて各種コントローラ470により温度を制御する基板処理装置の制御システムとして構成することもできる。
chuck:静電チャック)系コントローラ,FR(フォーカスリング)系コントローラを備えるようにしてもよい。ESC系コントローラは,下部電極340にウエハを静電吸着させるための図示しない静電チャック(ESC)へ印加する電圧,静電チャックを介してウエハTwへ供給されるバックサイドガスのガス流量やガス圧力,下部電極340内に形成される冷媒流路に循環させる冷媒の温度などを制御するものである。また,FR系コントローラは,ウエハの周囲を囲むように設けられた図示しない周辺リング例えばフォーカスリングへ印加する電圧,フォーカスリングを介してウエハTwへ供給されるバックサイドガスのガス流量やガス圧力などを制御するものである。
また,上記第1〜第5実施形態では,測定対象物の温度の測定を行う場合について説明したが,必ずしもこれに限定されるものではなく,測定対象物の厚さの測定を行う場合について適用してもよい。すなわち,上記第1〜第5実施形態では,例えば測定対象物の表面と裏面で反射した測定光と参照光との干渉波形のピーク間幅がその測定対象物の光路長に相当することを利用して,干渉波形のピーク間幅を参照光反射手段(例えば参照ミラー)の移動距離として測定して測定対象物の光路長を求め,この光路長を測定対象物の温度に換算する場合について説明した。
また,上記実施形態により説明したように本発明では,対向して配置された複数の測定対象物へ測定光を照射したときに,測定対象物を透過する光を次の測定対象物の測定光として利用する。従って,このような測定光の光強度は,各測定対象物T1〜Tnの内部や各測定対象物T1〜Tn間の空間を透過することにより減少するため,そのような測定光と参照光の干渉強度も低下し,ノイズに対する光強度(S/N比)も減少する。しかも,測定光が透過する測定対象物の数nが多いほど,また測定光照射位置から離れた測定対象物ほど測定光の光強度が減少する傾向にある。例えば対向して配置された最初の測定対象物のうち最初の測定対象物から反射する測定光の光強度が最も大きく,2番目以降の測定対象物から反射する測定光の光強度は徐々に低下していく。
102 温度測定装置
110 光源
120 スプリッタ
132 光通信用マルチプレクサ
140 参照光反射手段
142 駆動手段
150 受光手段
200 温度測定装置
210 SLD
220 光ファイバカプラ(スプリッタ)
222 光ファイバカプラ(参照光用スプリッタ)
230 光ファイバカプラ(迂回光路接続用スプリッタ)
232 光ファイバカプラ(迂回光路接続用スプリッタ)
234 光ファイバカプラ(迂回光路接続用スプリッタ)
236 光ファイバカプラ(測定光用スプリッタ)
240 参照ミラー
242 モータ
244 第1参照ミラー
246 第2参照ミラー
250 PD
300 基板処理装置
310 処理室
320 高周波電源
330 高周波電源
340 下部電極
350 上部電極
351 電極支持体
352 外側冷媒流路
354 内側冷媒流路
356 低熱伝達層
358 貫通孔
359 貫通孔
400 制御装置
410 CPU
420 モータドライバ
430 モータコントローラ
440 メモリ
470 各種コントローラ
500 温度測定装置
510 スプリッタ
Claims (20)
- 対向して配置された複数の測定対象物の温度又は厚さを光の干渉に基づいて測定する温度/厚さ測定装置であって,
前記各測定対象物を透過し反射する波長を有する光を照射する光源と,
前記光源からの光を測定光と参照光とにスプリットするためのスプリッタと,
前記スプリッタからの参照光を反射するための参照光反射手段と,
前記参照光反射手段を移動させることによって,前記参照光反射手段から反射する参照光の光路長を変化させるための光路長変化手段と,
前記スプリッタからの参照光を前記参照光反射手段へ向けて照射する参照光照射位置まで伝送する参照光伝送手段と,
前記スプリッタからの測定光を前記複数の測定対象物へ向けて前記各測定対象物を透過するように照射する測定光照射位置まで伝送する測定光伝送手段と,
前記光路長変化手段によって前記参照光反射手段を一方向へ移動したときに生じる,前記各測定対象物から反射する各測定光と前記参照光反射手段から反射する参照光との光の干渉波形を測定するための受光手段と,を備え,
前記測定光伝送手段は,前記測定光の光路の途中にこの測定光の光路に並列接続した迂回光路を設けることによって,前記測定光が前記測定対象物へ向けて照射される往路と前記測定対象物から反射して戻ってくる復路の組合せを増やし,
前記測定光の迂回光路の光路長を,前記往路と前記復路の組合せに応じて発生する前記各測定対象物についての複数の前記干渉波形がこれらのピーク間幅の全部又は一部が重なって測定されるように調整して,その範囲だけ前記参照光反射手段を移動させることによって前記受光手段にて測定された前記各測定対象物についての前記干渉波形のピーク間幅に基づいて前記各測定対象物の温度又は厚さを測定するように構成したことを特徴とする温度/厚さ測定装置。 - 前記スプリッタからの測定光をさらに複数の測定光にスプリットするための測定光用スプリッタを設け,この測定光用スプリッタからの各測定光を前記複数の測定対象物へ向けて前記各測定対象物を透過するように照射することを特徴とする請求項1に記載の温度/厚さ測定装置。
- 対向して配置された複数の測定対象物の温度又は厚さを光の干渉に基づいて測定する温度/厚さ測定装置であって,
前記各測定対象物を透過し反射する波長を有する光を照射する光源と,
前記光源からの光を測定光と参照光とにスプリットするためのスプリッタと,
前記スプリッタからの参照光を反射するための参照光反射手段と,
前記参照光反射手段を移動させることによって,前記参照光反射手段から反射する参照光の光路長を変化させるための光路長変化手段と,
前記スプリッタからの参照光を前記参照光反射手段へ向けて照射する参照光照射位置まで伝送する参照光伝送手段と,
前記スプリッタからの測定光を前記複数の測定対象物へ向けて前記各測定対象物を透過するように照射する測定光照射位置まで伝送する測定光伝送手段と,
前記光路長変化手段によって前記参照光反射手段を一方向へ移動したときに生じる,前記各測定対象物から反射する各測定光と前記参照光反射手段から反射する参照光との光の干渉波形を測定するための受光手段と,を備え,
前記参照光伝送手段は,前記参照光の光路の途中にこの参照光の光路に並列接続した迂回光路を設けることによって,前記参照光が前記参照光反射手段へ向けて照射される往路と前記参照光反射手段から反射して戻ってくる復路の組合せを増やし,
前記参照光の迂回光路の光路長を,前記往路と前記復路の組合せに応じて発生する前記各測定対象物についての複数の前記干渉波形がこれらのピーク間幅の全部又は一部が重なって測定されるように調整して,その範囲だけ前記参照光反射手段を移動させることによって前記受光手段にて測定された前記各測定対象物についての前記干渉波形のピーク間幅に基づいて前記各測定対象物の温度又は厚さを測定するように構成したことを特徴とする温度/厚さ測定装置。 - 前記各測定対象物は,シリコン又はシリコン酸化膜により形成され,
前記光源は,1.0〜2.5μmの波長を有する光を照射可能なものであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の温度/厚さ測定装置。 - 前記測定対象物は,基板処理装置内で処理される被処理基板及びこの被処理基板に対向して配設される電極板であることを特徴とする請求項4に記載の温度/厚さ測定装置。
- 前記測定対象物は,基板処理装置内で処理される被処理基板の周囲に配設される周辺リング及びこの周辺リングに対向して配設される電極板であることを特徴とする請求項4に記載の温度/厚さ測定装置。
- 対向して配置された複数の測定対象物の温度又は厚さを光の干渉に基づいて測定する温度/厚さ測定装置における温度/厚さ測定方法であって,
前記温度/厚さ測定装置は,
前記各測定対象物を透過し反射する波長を有する光を照射する光源と,
前記光源からの光を測定光と参照光とにスプリットするためのスプリッタと,
前記スプリッタからの参照光を反射するための参照光反射手段と,
前記参照光反射手段を移動させることによって,前記参照光反射手段から反射する参照光の光路長を変化させるための光路長変化手段と,
前記スプリッタからの参照光を前記参照光反射手段へ向けて照射する参照光照射位置まで伝送する参照光伝送手段と,
前記スプリッタからの測定光を前記複数の測定対象物へ向けて前記各測定対象物を透過するように照射する測定光照射位置まで伝送する測定光伝送手段と,
前記光路長変化手段によって前記参照光反射手段を一方向へ移動したときに生じる,前記各測定対象物から反射する各測定光と前記参照光反射手段から反射する参照光との干渉波形を測定するための受光手段と,を備え,
前記測定光伝送手段は,前記測定光の光路の途中にこの測定光の光路に並列接続した迂回光路を設けることによって,前記測定光が前記測定対象物へ向けて照射される往路と前記測定対象物から反射して戻ってくる復路の組合せを増やし,
前記測定光の迂回光路の光路長を,前記往路と前記復路の組合せに応じて発生する前記各測定対象物についての複数の前記干渉波形がこれらのピーク間幅の全部又は一部が重なって測定されるように調整して,その範囲だけ前記参照光反射手段を移動させることによって,前記測定光を前記複数の測定対象物へ向けて照射するとともに前記参照光を前記参照光反射手段へ向けて照射したときに前記受光手段にて測定された前記各測定対象物についての前記干渉波形のピーク間幅に基づいて前記各測定対象物の温度又は厚さを測定することを特徴とする温度/厚さ測定方法。 - 前記光源からスプリットされた測定光をさらに複数の測定光にスプリットするための測定光用スプリッタを設け,
前記干渉波形を測定する際は,前記測定光用スプリッタからの複数の測定光が前記各測定対象物から反射する各測定光と,前記参照光反射手段から反射する参照光との光の干渉波形を測定することを特徴とする請求項7に記載の温度/厚さ測定方法。 - 対向して配置された複数の測定対象物の温度又は厚さを光の干渉に基づいて測定する温度/厚さ測定装置における温度/厚さ測定方法であって,
前記温度/厚さ測定装置は,
前記各測定対象物を透過し反射する波長を有する光を照射する光源と,
前記光源からの光を測定光と参照光とにスプリットするためのスプリッタと,
前記スプリッタからの参照光を反射するための参照光反射手段と,
前記参照光反射手段を移動させることによって,前記参照光反射手段から反射する参照光の光路長を変化させるための光路長変化手段と,
前記スプリッタからの参照光を前記参照光反射手段へ向けて照射する参照光照射位置まで伝送する参照光伝送手段と,
前記スプリッタからの測定光を前記複数の測定対象物へ向けて前記各測定対象物を透過するように照射する測定光照射位置まで伝送する測定光伝送手段と,
前記光路長変化手段によって前記参照光反射手段を一方向へ移動したときに生じる,前記各測定対象物から反射する各測定光と前記参照光反射手段から反射する参照光との光の干渉波形を測定するための受光手段と,を備え,
前記参照光伝送手段は,前記参照光の光路の途中にこの参照光の光路に並列接続した迂回光路を設けることによって,前記参照光が前記参照光反射手段へ向けて照射される往路と前記参照光反射手段から反射して戻ってくる復路の組合せを増やし,
前記参照光の迂回光路の光路長を,前記往路と前記復路の組合せに応じて発生する前記各測定対象物についての複数の前記干渉波形がこれらのピーク間幅の全部又は一部が重なって測定されるように調整して,その範囲だけ前記参照光反射手段を移動させることによって,前記測定光を前記複数の測定対象物へ向けて照射するとともに前記参照光を前記参照光反射手段へ向けて照射したときに前記受光手段にて測定された前記各測定対象物についての前記干渉波形のピーク間幅に基づいて前記各測定対象物の温度又は厚さを測定することを特徴とする温度/厚さ測定方法。 - 前記各測定対象物は,シリコン又はシリコン酸化膜により形成され,
前記光源は,1.0〜2.5μmの波長を有する光を照射可能なものであることを特徴とする請求項7〜9のいずれかに記載の温度/厚さ測定方法。 - 前記各測定対象物は,基板処理装置内で処理される被処理基板及びこの被処理基板に対向して配設される電極板であることを特徴とする請求項10に記載の温度/厚さ測定方法。
- 前記測定対象物は,基板処理装置内で処理される被処理基板の周囲に配設される周辺リング及びこの周辺リングに対向して配設される電極板であることを特徴とする請求項10に記載の温度/厚さ測定方法。
- 前記測定光と前記参照光との光の干渉の測定中に前記光源の光強度を変えることを特徴とする請求項7〜12のいずれかに記載の温度/厚さ測定方法。
- 前記参照光反射手段を前記測定光照射位置から離れる方向に移動させたときに生じる前記干渉波形を測定する際に,前記参照光反射手段の移動距離に応じて前記光源の光強度を徐々に大きくすることを特徴とする請求項13に記載の温度/厚さ測定方法。
- 前記各測定対象物ごとに前記光源の光強度を変えることを特徴とする請求項13に記載の温度/厚さ測定方法。
- 前記測定光の前記各測定対象物からの反射強度に応じて前記光源の光強度を変えることを特徴とする請求項15に記載の温度/厚さ測定方法。
- 前記測定光の照射位置から離れた測定対象物ほど前記光源の光強度を大きくすることを特徴とする請求項15に記載の温度/厚さ測定方法。
- 処理室内に配置された電極板に高周波電力を印加することによって,この電極板に対向して配置される被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置と,この基板処理装置に取付けられる温度/厚さ測定装置と,前記温度/厚さ測定装置を制御する制御装置とを備える温度/厚さ測定システムであって,
前記温度/厚さ測定装置は,少なくとも前記電極板と前記被処理基板又はこの被処理基板の周囲に配設される周辺リングを含む各測定対象物を透過し反射する波長を有する光を照射する光源と,前記光源からの光を測定光と参照光とにスプリットするためのスプリッタと,前記スプリッタからの参照光を反射するための参照光反射手段と,前記参照光反射手段を移動させることによって,前記参照光反射手段から反射する参照光の光路長を変化させるための光路長変化手段と,前記スプリッタからの参照光を前記参照光反射手段へ向けて照射する参照光照射位置まで伝送する参照光伝送手段と,前記スプリッタからの測定光を前記各測定対象物へ向けて前記各測定対象物を透過するように照射する測定光照射位置まで伝送する測定光伝送手段と,前記光路長変化手段によって前記参照光反射手段を一方向へ移動したときに生じる,前記各測定対象物から反射する各測定光と前記参照光反射手段から反射する参照光との光の干渉波形を測定するための受光手段と,を備え,
前記測定光伝送手段は,前記測定光の光路の途中にこの測定光の光路に並列接続した迂回光路を設けることによって,前記測定光が前記測定対象物へ向けて照射される往路と前記測定対象物から反射して戻ってくる復路の組合せを増やし,
前記測定光の迂回光路の光路長を,前記往路と前記復路の組合せに応じて発生する前記各測定対象物についての複数の前記干渉波形がこれらのピーク間幅の全部又は一部が重なって測定されるように調整して,前記制御装置によりその範囲だけ前記参照光反射手段を移動させることによって前記受光手段にて測定された前記各測定対象物についての前記干渉波形のピーク間幅に基づいて前記各測定対象物の温度又は厚さを測定することを特徴とする温度/厚さ測定システム。 - 処理室内に配置された電極板に高周波電力を印加することによって,この電極板に対向して配置される被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置と,この基板処理装置に設置される温度/厚さ測定装置と,前記温度/厚さ測定装置及び前記基板処理装置を制御する制御装置とを備える制御システムであって,
前記温度/厚さ測定装置は,少なくとも前記電極板と前記被処理基板又はこの被処理基板の周囲に配設される周辺リングを含む各測定対象物を透過し反射する波長を有する光を照射する光源と,前記光源からの光を測定光と参照光とにスプリットするためのスプリッタと,前記スプリッタからの参照光を反射するための参照光反射手段と,前記参照光反射手段を移動させることによって,前記参照光反射手段から反射する参照光の光路長を変化させるための光路長変化手段と,前記スプリッタからの参照光を前記参照光反射手段へ向けて照射する参照光照射位置まで伝送する参照光伝送手段と,前記スプリッタからの測定光を前記各測定対象物へ向けて前記各測定対象物を透過するように照射する測定光照射位置まで伝送する測定光伝送手段と,前記光路長変化手段によって前記参照光反射手段を一方向へ移動したときに生じる,前記各測定対象物から反射する各測定光と前記参照光反射手段から反射する参照光との光の干渉波形を測定するための受光手段と,を備え,
前記測定光伝送手段は,前記測定光の光路の途中にこの測定光の光路に並列接続した迂回光路を設けることによって,前記測定光が前記測定対象物へ向けて照射される往路と前記測定対象物から反射して戻ってくる復路の組合せを増やし,
前記測定光の迂回光路の光路長を,前記往路と前記復路の組合せに応じて発生する前記各測定対象物についての複数の前記干渉波形がこれらのピーク間幅の全部又は一部が重なって測定されるように調整して,前記制御装置によりその範囲だけ前記参照光反射手段を移動させることによって前記受光手段にて測定された前記各測定対象物についての前記干渉波形のピーク間幅に基づいて前記各測定対象物の温度又は厚さを測定し,その測定結果に基づいて,前記基板処理装置の処理室内にある前記被処理基板の温度制御とプロセス制御のうち少なくとも一方の制御を行うことを特徴とする制御システム。 - 処理室内に配置された電極板に高周波電力を印加することによって,この電極板に対向して配置される被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置と,この基板処理装置に設置される温度/厚さ測定装置を備える制御システムについての制御方法であって,
前記温度/厚さ測定装置は,少なくとも前記電極板と前記被処理基板又はこの被処理基板の周囲に配設される周辺リングを含む各測定対象物を透過し反射する波長を有する光を照射する光源と,前記光源からの光を測定光と参照光とにスプリットするためのスプリッタと,前記スプリッタからの参照光を反射するための参照光反射手段と,前記参照光反射手段を移動させることによって,前記参照光反射手段から反射する参照光の光路長を変化させるための光路長変化手段と,前記スプリッタからの参照光を前記参照光反射手段へ向けて照射する参照光照射位置まで伝送する参照光伝送手段と,前記スプリッタからの測定光を前記各測定対象物へ向けて前記各測定対象物を透過するように照射する測定光照射位置まで伝送する測定光伝送手段と,前記光路長変化手段によって前記参照光反射手段を一方向へ移動したときに生じる,前記各測定対象物から反射する各測定光と前記参照光反射手段から反射する参照光との光の干渉波形を測定するための受光手段と,を備え,
前記測定光伝送手段は,前記測定光の光路の途中にこの測定光の光路に並列接続した迂回光路を設けることによって,前記測定光が前記測定対象物へ向けて照射される往路と前記測定対象物から反射して戻ってくる復路の組合せを増やし,
前記測定光の迂回光路の光路長を,前記往路と前記復路の組合せに応じて発生する前記各測定対象物についての複数の前記干渉波形がこれらのピーク間幅の全部又は一部が重なって測定されるように調整して,その範囲だけ前記参照光反射手段を移動させることによって,前記測定光を前記各測定対象物へ向けて照射するとともに前記参照光を前記参照光反射手段へ向けて照射したときに前記受光手段にて測定された前記各測定対象物についての前記干渉波形のピーク間幅に基づいて前記各測定対象物の温度又は厚さを測定し,その測定結果に基づいて,前記基板処理装置における前記被処理基板の温度制御とプロセス制御のうち少なくとも一方の制御を行うことを特徴とする制御方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005005309A JP4761774B2 (ja) | 2005-01-12 | 2005-01-12 | 温度/厚さ測定装置,温度/厚さ測定方法,温度/厚さ測定システム,制御システム,制御方法 |
US11/325,504 US7446881B2 (en) | 2005-01-12 | 2006-01-05 | System, apparatus, and method for determining temperature/thickness of an object using light interference measurements |
CN 200610001281 CN1804567B (zh) | 2005-01-12 | 2006-01-12 | 温度或厚度的测量装置、测量方法、测量***、控制***和控制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005005309A JP4761774B2 (ja) | 2005-01-12 | 2005-01-12 | 温度/厚さ測定装置,温度/厚さ測定方法,温度/厚さ測定システム,制御システム,制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006194679A JP2006194679A (ja) | 2006-07-27 |
JP4761774B2 true JP4761774B2 (ja) | 2011-08-31 |
Family
ID=36800884
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005005309A Expired - Fee Related JP4761774B2 (ja) | 2005-01-12 | 2005-01-12 | 温度/厚さ測定装置,温度/厚さ測定方法,温度/厚さ測定システム,制御システム,制御方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4761774B2 (ja) |
CN (1) | CN1804567B (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5274862B2 (ja) * | 2008-03-10 | 2013-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度測定装置及び温度測定方法 |
JP5397817B2 (ja) * | 2010-02-05 | 2014-01-22 | 国立大学法人名古屋大学 | 干渉測定装置および測定方法 |
JP2011210853A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Tokyo Electron Ltd | 消耗量測定方法 |
JP5575600B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2014-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度測定方法、記憶媒体、プログラム |
JP5657444B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2015-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度測定装置及び温度測定方法 |
ITPI20120009A1 (it) * | 2012-01-24 | 2013-07-25 | Visia Imaging S R L | "un metodo per ridurre il tempo della misura a scansione della lunghezza assiale oculare e dispositivo per attuare tale metodo" |
JP2013160699A (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-19 | Hitachi High-Technologies Corp | 光断層画像測定装置 |
JP5993207B2 (ja) * | 2012-05-22 | 2016-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 光干渉システム及び基板処理装置 |
JP5241977B1 (ja) * | 2012-12-13 | 2013-07-17 | 東洋ガラス株式会社 | 光ファイバ部品の研磨量測定方法及び装置 |
CN104035853B (zh) * | 2013-03-07 | 2017-09-05 | 华为技术有限公司 | 温度监控***及温度监控方法 |
US9500471B2 (en) * | 2013-06-17 | 2016-11-22 | Precitec Optronik Gmbh | Optical measuring device and method for acquiring in situ a stage height between a support and an edge region of an object |
JP6180924B2 (ja) * | 2013-12-26 | 2017-08-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱流束測定方法、基板処理システム及び熱流束測定用部材 |
TWI729447B (zh) * | 2016-09-22 | 2021-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於寬範圍溫度控制的加熱器基座組件 |
JP6543670B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-07-10 | 本田技研工業株式会社 | 電解質膜の膜厚測定方法及びその装置 |
KR102421732B1 (ko) * | 2018-04-20 | 2022-07-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판 측정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치 |
JP2020106277A (ja) * | 2018-12-26 | 2020-07-09 | 株式会社ディスコ | 厚み計測装置、及び厚み計測装置を備えた加工装置 |
JP7400954B2 (ja) * | 2020-04-22 | 2023-12-19 | 日本電信電話株式会社 | 物体誘電率測定装置及び物体厚さ測定装置 |
WO2024107965A1 (en) * | 2022-11-17 | 2024-05-23 | Lam Research Corporation | Measurement of substrate temperature using optical transmission |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06241929A (ja) * | 1993-02-22 | 1994-09-02 | Yusaku Fujii | 光ファイバーセンサー |
JPH10267830A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Kowa Co | 光学測定装置 |
JPH1126340A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-01-29 | Matsushita Electron Corp | 半導体基板処理方法および処理装置 |
JP2000213931A (ja) * | 1999-01-21 | 2000-08-04 | Hamamatsu Photonics Kk | 測距モジュ―ル |
JP2001255115A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Nikon Corp | 低コヒーレンス干渉測定装置 |
JP2002148022A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-05-22 | Nikon Corp | 分布の中心値算出方法およびその装置,間隔測定方法,投影対物レンズの製造方法 |
JP2002164323A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | フォーカスリング、基板処理装置および基板処理方法 |
JP2003028712A (ja) * | 2001-07-18 | 2003-01-29 | Olympus Optical Co Ltd | 光強度測定方法及び光強度測定装置 |
JP2003307458A (ja) * | 2002-04-15 | 2003-10-31 | Akifumi Ito | 基材の温度測定方法および温度測定装置 |
WO2003086180A2 (de) * | 2002-04-18 | 2003-10-23 | Haag-Streit Ag | Messung optischer eigenschaften |
-
2005
- 2005-01-12 JP JP2005005309A patent/JP4761774B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-01-12 CN CN 200610001281 patent/CN1804567B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1804567B (zh) | 2010-12-08 |
JP2006194679A (ja) | 2006-07-27 |
CN1804567A (zh) | 2006-07-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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