JP2012069563A - リードフレームとその製造方法及び製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】歩留まりを悪化させずにウィスカによるリード同士の短絡を防止することができるリードフレームとその製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】半導体チップ２０が配置された封止樹脂部１２と、封止樹脂部１２より側方に突出する複数のリード１１とを備えるリードフレーム１０において、リード１１は、リードの長手方向に対して直角方向に延びて隣接するリード同士を連結するタイバー１３をリードの長手方向に対して斜めに打ち抜き切断して、端部をテーパ状に形成したタイバーカット跡部１４ａ，１４ｂを有し、タイバーカット跡部１４ａ，１４ｂが、タイバーの幅をＷ、直線Ｌ１，Ｌ２間の距離をｄ、テーパ先端部１４ａｔからテーパ根元部１４ａｒまでのタイバー長手方向における距離をＤ、直線Ｌ３と直線Ｌ２との交点Ｐ１から、線分Ｓと直線Ｌ２との交点Ｐ２までの直線Ｌ２上における距離をｗとすると、Ｗ／Ｄ ＜ ｗ／ｄという関係を満たす。
【選択図】 図３

Description

本発明は、ＩＣ（半導体集積回路）やＬＳＩ（大規模集積回路）等の半導体装置に用いられるリードフレームとその製造方法及び製造装置に関する。より詳細には、ウィスカによるリード同士の短絡を防止することができるリードフレームとその製造方法及び製造装置に関するものである。

樹脂封止型の半導体装置のリードには、外部機器との接合の際に良好なはんだ付け性、良好な接続信頼性を得るために、外装めっきが形成される。そして、近年は、人体に悪影響を与える鉛を使用しないことが要求されるため、外装めっきに鉛フリーはんだが用いられることがある。また、半導体装置のリードを回路基板のランド上に接合するはんだには、鉛フリーはんだが用いられている。

そして、近年、高密度実装化に伴い、半導体装置には多数のリードが非常に狭い間隔で設けられている。このため、半導体装置のリードを回路基板のランド上にはんだ付け固定する際に、余分なはんだがリード間に入り込み、隣接するリードにはんだブリッジが発生するといった問題があった。特に、リード間の間隔が狭くなっているタイバーカット跡部で、はんだブリッジが発生しやすかった。

そこで、タイバーカット跡部でのはんだブリッジの発生を防止するために、複数のタイバーが、リード端子の幅方向に対して傾斜して設けられるとともに、タイバーの一端部のリード端子接続位置と他端部のリード端子接続位置とがリード端子の幅方向から見たときに重ならないように、タイバーの傾斜角度が設定されたリードフレームが提案されている（特許文献１参照）。これにより、タイバーカット跡部のリード端子間隔を従来のものより広くして、タイバーカット跡部でのはんだブリッジの発生を防止している。

特開２００５−１８３６９５号公報

しかしながら、上記したようにタイバーを斜めに設けると、歩留まりが悪化してしまうという問題があった。また、上記した技術を含め、リード端子を回路基板に対してはんだ付けを行う際に、濡れ性が良く、めっきのように薄く拡がるはんだを使用すると、ウィスカが発生するおそれがある。ウィスカは、はんだやめっきの薄い部位に応力が発生することにより、発生して成長する。ここで、リードのタイバーカット跡部は、カット及びクリンチ時に残留応力が発生するため、はんだがリードを濡れ上がって薄くつくとウィスカが発生しやすい。そして、タイバーカット跡部にウィスカが発生すると、隣接するリードのタイバーカット跡部に向かって成長していき、最終的にウィスカによって隣接するリードのタイバーカット跡部間が接続されて、リード同士の短絡が生じてしまうという問題があった。

そこで、本発明は上記した問題点を解決するためになされたものであり、歩留まりを悪化させずにウィスカによるリード同士の短絡を防止することができるリードフレームとその製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するためになされた本発明の一態様は、半導体素子が配置された封止樹脂部と、前記半導体素子と電気的に接続されて前記封止樹脂部より側方に突出する複数のリードとを備えるリードフレームにおいて、前記リードは、その長手方向に対して直角方向に延びて隣接するリード同士を連結するタイバーを前記リードの長手方向に対して斜めに打ち抜き切断（タイバーカット）して、端部をテーパ状に形成したタイバーカット跡部を有し、前記隣接するリード間に形成された各タイバーカット跡部が、リード表面上にて、前記タイバーの幅をＷ、前記タイバーカット跡部の各テーパ先端部を通る前記リードと平行な直線Ｌ１，Ｌ２間の距離をｄ、一方のテーパ先端部からテーパ根元部までのタイバー長手方向における距離をＤ、一方のテーパ先端部を通りテーパ部分に対して直交する直線Ｌ３と前記直線Ｌ２との交点から、一方のテーパ先端部から他方のテーパ根元部を結ぶ線分と前記直線Ｌ２との交点までの直線Ｌ２上における距離をｗとすると、Ｗ／Ｄ ＜ ｗ／ｄという関係を満たすことを特徴とする。

このリードフレームでは、リード表面上にて、言い換えるとリードの厚みを無視して平面的に見て、タイバー（タイバーカット跡部）の幅をＷ、直線Ｌ１，Ｌ２間の距離をｄ、一方のテーパ先端部からテーパ根元部までのタイバー長手方向における距離をＤ、直線Ｌ３と直線Ｌ２との交点から、一方のテーパ先端部から他方のテーパ根元部を結ぶ線分と直線Ｌ２との交点までの直線Ｌ２上における距離をｗとした場合に、Ｗ／Ｄ ＜ ｗ／ｄという関係を満たすように、タイバーがリードの長手方向に対して斜めにタイバーカットされて、隣接するリード間に残る各タイバーカット跡部の端部がテーパ状に形成されている。そのため、リード先端を回路基板にはんだ付けする際に、一方のタイバーカット跡部の端部からウィスカが発生して成長したとしても、他方のタイバーカット跡部に接触（到達）しなくなる。隣接リード間で短絡を生じさせるウィスカはほぼ垂直に成長するからである。これにより、ウィスカによって隣接するリードのタイバーカット跡部間が接続されなくなるので、ウィスカによるリード同士の短絡の発生を防止することができる。

また、このリードフレームでは、リードの長手方向に対して直角方向に延びて形成されたタイバーを打ち抜き切断している。そのため、タイバーを斜めに設けた場合のように歩留まりが悪化することがない。

上記したリードフレームにおいて、前記リードには、その先端から前記タイバーカット跡部までの間に、前記リード表面のめっきを除去しためっき除去部が形成されていることが望ましい。

このように、リードにめっき除去部が形成されていることにより、めっき除去部でははんだが濡れないため、めっき除去部ではんだの濡れ上がりを止めることができる。そして、めっき除去部は、リード先端からタイバーカット跡部までの間に設けられているため、はんだがタイバーカット跡部には届かなくなる。従って、タイバーカット跡部でのウィスカの発生を抑制することができる。これにより、ウィスカによるリード同士の短絡の発生をより確実に防止することができる。

また、上記したリードフレームにおいて、前記リードには、その先端から前記タイバーカット跡部までの間に、凹部が形成されていても良い。

このように、リード先端からタイバーカット跡部までの間に凹部が形成されていることにより、リードには厚膜のはんだ層が形成される。つまり、リードには薄膜のはんだ層が形成されない。これにより、ウィスカの発生を抑制することができる。従って、ウィスカによるリード同士の短絡の発生をより確実に防止することができる。
なお、凹部は単独で設けられても良いし、めっき除去部とともに設けられても良い。

そして、上記したリードフレームは以下の製造方法を実施することにより実現することができる。つまり、半導体素子が配置された封止樹脂部と、前記半導体素子と電気的に接続されて前記封止樹脂部より側方に突出する複数のリードとを備えるリードフレームの製造方法において、前記リードの長手方向に対して直角方向に延びて隣接するリード同士を連結するタイバーを前記リードの長手方向に対して斜めに打ち抜き切断（タイバーカット）して、前記隣接するリード間に残る各タイバーカット跡部の端部をテーパ状に形成する際に、前記リード表面上にて、前記タイバーの幅をＷ、隣接するリード間にタイバーカット後に残る各タイバーカット跡部の各テーパ先端部を通る前記リードと平行な直線Ｌ１，Ｌ２間の距離をｄ、一方のテーパ先端部からテーパ根元部までのタイバー長手方向における距離をＤ、一方のテーパ先端部を通りテーパ部分に対して直交する直線Ｌ３と前記直線Ｌ２との交点から、一方のテーパ先端部から他方のテーパ根元部を結ぶ線分と前記直線Ｌ２との交点までの直線Ｌ２上における距離をｗとして、Ｗ／Ｄ ＜ ｗ／ｄという関係を満たせば良い。

上記のリードフレームの製造方法においては、前記リードの先端から前記タイバーカット跡部までの間に、前記リード表面のめっきを除去しためっき除去部、又は凹部の少なくとも一方を形成するようにしても良い。

また、上記したリードフレームは以下の製造装置を用いることにより実現することができる。つまり、半導体素子が配置された封止樹脂部と、前記半導体素子と電気的に接続されて前記封止樹脂部より側方に突出する複数のリードとを備えるリードフレームの製造装置において、前記リードの長手方向に対して直角方向に延びて隣接するリード同士を連結するタイバーを前記リードの長手方向に対して斜めに打ち抜き切断（タイバーカット）して、前記隣接するリード間に残る各タイバーカット跡部の端部をテーパ状に形成するタイバーカット治具を有し、前記タイバーカット治具は、前記リード表面上にて、前記タイバーの幅をＷ、隣接するリード間に残る各タイバーカット跡部の各テーパ先端部を通る前記リードと平行な直線Ｌ１，Ｌ２間の距離をｄ、一方のテーパ先端部からテーパ根元部までのタイバー長手方向における距離をＤ、一方のテーパ先端部を通りテーパ部分に対して直交する直線Ｌ３と前記直線Ｌ２との交点から、一方のテーパ先端部から他方のテーパ根元部を結ぶ線分と前記直線Ｌ２との交点までの直線Ｌ２上における距離をｗとして、Ｗ／Ｄ ＜ ｗ／ｄという関係を満たすようにタイバーカットを行う断面形状が平行四辺形の切刃を備えていれば良い。

本発明に係るリードフレームとその製造方法及び製造装置によれば、上記した通り、歩留まりを悪化させずにウィスカによるリード同士の短絡を防止することができる。

第１の実施の形態に係るリードフレームの概略構成を示す図である。 封止樹脂部の断面図である。 隣接するリード間におけるタイバーカット跡部の拡大図である。 加工（タイバーカット）前のリードフレームを示す図である。 タイバーカットパンチの概略構成を示す図である。 タイバーカットパンチに備わる切刃の断面図である。 タイバーカットダイの概略構成を示す図である。 リード先端を回路基板にはんだ付けした状態を示す図である。 第２の実施の形態に係るリードフレームの概略構成を示す図である。 第３の実施の形態に係るリードフレームの概略構成を示す図である。

以下、本発明のリードフレームとその製造方法及び製造装置を具体化した実施の形態について、図面に基づき詳細に説明する。

［第１の実施の形態］
まず、第１の実施の形態について説明する。そこで、第１の実施の形態に係るリードフレームについて、図１〜図４を参照しながら説明する。図１は、第１の実施の形態に係るリードフレームの概略構成を示す図である。図２は、封止樹脂部の断面図である。図３は、隣接するリード間におけるタイバーカット跡部の拡大図である。図４は、加工（タイバーカット）前のリードフレームを示す図である。

図１に示すように、リードフレーム１０は、複数のリード１１を備えている。これらのリード１１は、封止樹脂部１２より側方に複数突出している。そして、リード１１は、隣接するリード同士を連結していたタイバー１３（図４参照）が打ち抜き切断されて残った部分であるタイバーカット跡１４とを備えている。タイバーカット跡部１４は、隣接するリード間に対向するように位置している。なお、本実施の形態では、リード１１の幅が０．５ｍｍ、リード間の間隔が０．７７ｍｍ、タイバーカット跡部１４（タイバー１３）の幅が０．１５ｍｍである。

封止樹脂部１２には、図２に示すように、半導体チップ２０が設けられている。この半導体チップ２０は、リードフレーム１０の一部であるダイパッド２１上に搭載されている。そして、半導体チップ２０に備わる電極が、リード１１に対して金属ワイヤ２２によりワイヤボンディングされている。このように金属ワイヤ２２を介して、半導体チップ２０とリード１１とが電気的に接続されている。

ここで、隣接するリード間におけるタイバーカット跡部１４について詳細に説明する。説明の便宜上、隣接するリード間におけるタイバーカット跡部１４のうち一方を符号１４ａで示し、他方を符号１４ｂで示す。図３に示すように、タイバーカット跡部１４ａと１４ｂの各端部は、それぞれテーパ形状となっている。本実施の形態において、タイバーカット跡部１４ａでは、テーパ先端部１４ａｔがリード先端側に位置し、テーパ根元部１４ａｒが封止樹脂部１２側に位置して、図３にてテーパ面（端面）が斜め上向きとなるテーパ形状となっている。一方、タイバーカット跡部１４ｂでは、テーパ先端部１４ｂｔが封止樹脂部１２側に位置し、テーパ根元部１４ｂｒがリード先端側に位置して、図３にてテーパ面（端面）が斜め下向きとなるテーパ形状となっている。

そして、これらタイバーカット跡部１４ａと１４ｂは、リード表面上にて、言い換えるとリードの厚みを無視して平面的に見て、タイバーカット跡部１４（タイバー１３）の幅をＷ、タイバーカット跡部１４ａ，１４ｂのテーパ先端部１４ａｔ，１４ｂｔを通るリード１１と平行な直線Ｌ１，Ｌ２間の距離をｄ、テーパ先端部１４ａｔからテーパ根元部１４ａｒまでのタイバー長手方向における距離をＤ、テーパ先端部１４ａｔを通りテーパ面に対して直交する直線Ｌ３と直線Ｌ２との交点Ｐ１から、テーパ先端部１４ａｔからテーパ根元部１４ｂｒを結ぶ線分Ｓと直線Ｌ２との交点Ｐ２までの直線Ｌ２上における距離をｗとすると、下記の式（１）を満足するように形成されている。
Ｗ／Ｄ ＜ ｗ／ｄ …（１）

このようなタイバーカット跡部１４を備えるリード１１は、図４に示すリードフレーム１５から形成される。リードフレーム１５では、複数のリード１１がタイバー１３によって連結されている。タイバー１３は、リード１１に対して略直角方向に延びて設けられているため、タイバーを斜めに設けた場合のように歩留まりが悪化することはない。そして、このタイバー１３を上記の式（１）の関係を満たすように、タイバーカット治具により打ち抜き切断（タイバーカット）することにより、図１に示すような形状のリード１１が得られる。なお、この加工方法の詳細については後述する。

そこで、タイバーカット治具について、図５〜図７を参照しながら説明する。図５は、タイバーカットパンチの概略構成を示す図である。図６は、タイバーカットパンチに備わる切刃の断面図である。図７は、タイバーカットダイの概略構成を示す図である。

タイバーカットパンチ３０は、図５に示すように、複数の切刃３１，３２を備えている。切刃３１は、パンチ３０の両端に設けられており、タイバー１３の両端部を打ち抜き切断するものである。切刃３２は、切刃３１の間に所定の間隔で設けられており、隣接するリード１１間に位置するタイバー１３を打ち抜き切断するものである。この切刃３２の断面形状は、図６に示すように平行四辺形をなしており、上記の式（１）の関係を満たすように隣接するリード１１間に位置するタイバー１３を打ち抜き切断して、タイバーカット跡部１４ａ，１４ｂを形成するようになっている。

一方、タイバーカットダイ３５は、タイバーカットを行う際に、加工前のリードフレーム１５が載置される金型である。タイバーカットダイ３５の略中央には、封止樹脂部１２を配置する封止樹脂部配置部３６が形成されている。そして、封止樹脂部配置部３６の周りに、タイバーカットパンチ３０の切刃３１，３２が入り込む溝３７，３８が形成されている。溝３８には、切刃３２の形状に対応する形状の屈曲部３８ａが形成されている。この屈曲部３８ａにパンチ３０の切刃３２が挿脱されることにより、上記の式（１）の関係を満たすように隣接するリード１１間に位置するタイバー１３が打ち抜き切断され、タイバーカット跡部１４ａ，１４ｂが形成される。
なお、上記したタイバーカットパンチ３０とタイバーカットダイ３５が、本発明における「タイバーカット治具」の一例である。

そして、このタイバーカット治具を用いて、図１に示すリードフレーム１０を製造する場合には、まず、タイバーカットダイ３５の所定の位置に、図４に示す加工前のリードフレーム１５を配置して固定する。その後、タイバーカットパンチ３０を下降させる。このとき、ダイ３５に設けられた溝３８の屈曲部３８ａにパンチ３０の切刃３２が入り込む。なお、パンチ３０の切刃３１は、ダイ３５の溝３７に入り込む。これにより、タイバー１３が打ち抜き切断される。具体的には、ダイ３５の屈曲部３８ａと切刃３２により、隣接するリード１１間に位置するタイバー１３が打ち抜き切断され、上記の式（１）の関係を満たすテーパ形状をなすタイバーカット跡部１４が形成される。また、ダイ３５の溝３７と切刃３１により、タイバー１３の両端が切断される。かくして、図１に示すリードフレーム１０が出来上がる。

このようにして製造されたリードフレーム１０は、その後、図８に示すように、リード１１が成形装置により曲げ加工され、その先端部分が回路基板４０に設けられたランド４１に対してはんだ４２によって固定される。このとき、はんだ４２がリード１１を濡れ上がりタイバーカット跡部１４に薄くついてしまう場合がある。そうすると、タイバーカット跡部１４の端部にウィスカが発生する。なお、図８は、リード先端を回路基板にはんだ付けした状態を示す図である。

ここで、リード１１に形成されているタイバーカット跡部１４の端部は、上記式（１）を満足するように、図３に示すような形状をなしている。そして、リード間で短絡を生じさせるウィスカはほぼ垂直に成長する。そのため、一方のタイバーカット跡部１４ａ（１４ｂ）の端部にウィスカが発生して成長したとしても、他方のタイバーカット跡部１４ｂ（１４ａ）に接触しなくなる。これにより、ウィスカによって隣接するリード１１のタイバーカット跡部１４ａ，１４ｂ間が接続されなくなるので、ウィスカによるリード同士の短絡の発生を防止することができる。

以上、詳細に説明したように第１の実施の形態に係るリードフレーム１０によれば、隣接するリード１１が、上記式（１）を満足するタイバーカット跡部１４ａ，１４ｂを備えている。これにより、一方のタイバーカット跡部１４ａ（１４ｂ）の端部にウィスカが発生して成長したとしても、他方のタイバーカット跡部１４ｂ（１４ａ）に接触しなくなるため、ウィスカによるリード同士の短絡の発生を防止することができる。

［第２の実施の形態］
次に、第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態は、第１の実施の形態と基本的な構成はほぼ同じであるが、リードにめっき除去部が設けられている点で異なっている。そのため、以下では、第１の実施の形態と同じ構成については図面に同じ符号を付してその説明を適宜省略し、第１の実施の形態との相違点について説明する。そこで、第２の実施の形態に係るリードフレームについて、図９を参照しながら説明する。図９は、第２の実施の形態に係るリードフレームの概略構成を示す図である。

図９に示すように、リードフレーム５０では、リード１１にリード表面のめっきを除去しためっき除去部５１が形成されている。このめっき除去部５１は、リード１１のうち先端からタイバーカット跡部１４までの間に設けられている。なお、めっき除去部５１は、リード１１が曲げ加工された際に０．５ｍｍ程度の高さ位置に形成されているのが好ましい。また、めっき除去部５１の形成は、タイバーカット時又はリードの曲げ加工時に行えば良い。本実施の形態では、めっき除去部５１を５０μｍ程度（リード長手方向）の大きさで形成している。

このリードフレーム５０では、リード１１を回路基板にはんだ付けしたときに、めっき除去部５１でははんだが濡れないため、めっき除去部５１によりはんだの濡れ上がりを止めることができる。これにより、はんだがタイバーカット跡部１４には届かなくなる。従って、タイバーカット跡部１４でのウィスカの発生を抑制することができる。

従って、第２の実施の形態に係るリードフレーム５０によれば、ウィスカによるリード同士の短絡の発生をより確実に防止することができる。

［第３の実施の形態］
最後に、第３の実施の形態について説明する。第３の実施の形態は、第１の実施の形態と基本的な構成はほぼ同じであるが、リードに凹部が設けられている点で異なっている。そのため、以下では、第１の実施の形態と同じ構成については図面に同じ符号を付してその説明を適宜省略し、第１の実施の形態との相違点について説明する。そこで、第３の実施の形態に係るリードフレームについて、図１０を参照しながら説明する。図１０は、第３の実施の形態に係るリードフレームの概略構成を示す図である。

図１０に示すように、リードフレーム６０では、リード１１の両側面に凹部６１が形成されている。この凹部６１は、リード１１のうち先端からタイバーカット跡部１４までの間に設けられている。なお、凹部６１は、リード１１が曲げ加工された際に０．５ｍｍ程度の高さ位置に形成されているのが好ましい。また、凹部６１の形成は、タイバーカット時又はリードの曲げ加工時に行えば良い。本実施の形態では、凹部６１を曲率が０．１５ｍｍで深さが０．０５ｍｍ程度の大きさで形成している。

このリードフレーム６０では、リード１１を回路基板にはんだ付けしたときに、凹部６１が形成されていることにより、リード１１に厚膜のはんだ層が形成される。つまり、リード１１には薄膜のはんだ層が形成されない。そのため、ウィスカの発生を抑制することができる。

従って、第３の実施の形態に係るリードフレーム６０によれば、ウィスカによるリード同士の短絡の発生をより確実に防止することができる。

なお、上記した実施の形態は単なる例示にすぎず、本発明を何ら限定するものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能であることはもちろんである。例えば、上記した実施の形態では、封止樹脂部から２方向へのみリードが設けられたリードフレームに本発明を適用した場合を例示したが、本発明は封止樹脂部から４方向へリードが設けられたリードフレームにも適用することができる。

また、上記した第３の実施の形態では、凹部６１をリード１１の図１０中左右方向の両端部に設けているが、リード１１の厚さが一定以上ある場合には、図１０中前後方向の両端部に設けることもできる。さらに、上記した第２、第３の実施の形態では、めっき除去部５１、凹部６１をそれぞれ設けているが、これら両方をリード１１に設けても良い。

１０ リードフレーム
１１ リード
１２ 封止樹脂部
１３ タイバー
１４ タイバーカット跡部
１４ａ，１４ｂ 隣接するダイバーカット跡部
１５ 加工前のリードフレーム
２０ 半導体チップ
２２ 金属ワイヤ
３０ タイバーカットパンチ
３１，３２ 切刃
３５ タイバーカットダイ
３７，３８ 溝
３８ａ 屈曲部

Claims (6)

1. 半導体素子が配置された封止樹脂部と、前記半導体素子と電気的に接続されて前記封止樹脂部より側方に突出する複数のリードとを備えるリードフレームにおいて、
   前記リードは、前記リードの長手方向に対して直角方向に延びて隣接するリード同士を連結するタイバーを前記リードの長手方向に対して斜めに打ち抜き切断（タイバーカット）して、端部をテーパ状に形成したタイバーカット跡部を有し、
   前記隣接するリード間に形成された各タイバーカット跡部が、リード表面上にて、前記タイバーの幅をＷ、前記タイバーカット跡部の各テーパ先端部を通る前記リードと平行な直線Ｌ１，Ｌ２間の距離をｄ、一方のテーパ先端部からテーパ根元部までのタイバー長手方向における距離をＤ、一方のテーパ先端部を通りテーパ部分に対して直交する直線Ｌ３と前記直線Ｌ２との交点から、一方のテーパ先端部から他方のテーパ根元部を結ぶ線分と前記直線Ｌ２との交点までの直線Ｌ２上における距離をｗとすると、Ｗ／Ｄ ＜ ｗ／ｄという関係を満たす
   ことを特徴とするリードフレーム。
2. 請求項１に記載するリードフレームにおいて、
   前記リードには、その先端から前記タイバーカット跡部までの間に、リード表面のめっきを除去しためっき除去部が形成されている
   ことを特徴とするリードフレーム。
3. 請求項１又は請求項２に記載する半導体装置のリードにおいて、
   前記リードには、その先端から前記タイバーカット跡部までの間に、凹部が形成されている
   ことを特徴とするリードフレーム。
4. 半導体素子が配置された封止樹脂部と、前記半導体素子と電気的に接続されて前記封止樹脂部より側方に突出する複数のリードとを備えるリードフレームの製造方法において、
   前記リードの長手方向に対して直角方向に延びて隣接するリード同士を連結するタイバーを前記リードの長手方向に対して斜めに打ち抜き切断（タイバーカット）して、前記隣接するリード間に残る各タイバーカット跡部の端部をテーパ状に形成する際に、前記リード表面上にて、前記タイバーの幅をＷ、隣接するリード間にタイバーカット後に残る各タイバーカット跡部の各テーパ先端部を通る前記リードと平行な直線Ｌ１，Ｌ２間の距離をｄ、一方のテーパ先端部からテーパ根元部までのタイバー長手方向における距離をＤ、一方のテーパ先端部を通りテーパ部分に対して直交する直線Ｌ３と前記直線Ｌ２との交点から、一方のテーパ先端部から他方のテーパ根元部を結ぶ線分と前記直線Ｌ２との交点までの直線Ｌ２上における距離をｗとして、Ｗ／Ｄ ＜ ｗ／ｄという関係を満たす
   ことを特徴とするリードフレームの製造方法。
5. 請求項４に記載するリードフレームの製造方法において、
   前記リードの先端から前記タイバーカット跡部までの間に、リード表面のめっきを除去しためっき除去部、又は凹部の少なくとも一方を形成する
   ことを特徴とするリードフレームの製造方法。
6. 半導体素子が配置された封止樹脂部と、前記半導体素子と電気的に接続されて前記封止樹脂部より側方に突出する複数のリードとを備えるリードフレームの製造装置において、
   前記リードの長手方向に対して直角方向に延びて隣接するリード同士を連結するタイバーを前記リードの長手方向に対して斜めに打ち抜き切断（タイバーカット）して、前記隣接するリード間に残る各タイバーカット跡部の端部をテーパ状に形成するタイバーカット治具を有し、
   前記タイバーカット治具は、前記リード表面上にて、前記タイバーの幅をＷ、隣接するリード間に残る各タイバーカット跡部の各テーパ先端部を通る前記リードと平行な直線Ｌ１，Ｌ２間の距離をｄ、一方のテーパ先端部からテーパ根元部までのタイバー長手方向における距離をＤ、一方のテーパ先端部を通りテーパ部分に対して直交する直線Ｌ３と前記直線Ｌ２との交点から、一方のテーパ先端部から他方のテーパ根元部を結ぶ線分と前記直線Ｌ２との交点までの直線Ｌ２上における距離をｗとして、Ｗ／Ｄ ＜ ｗ／ｄという関係を満たすようにタイバーカットを行う断面形状が平行四辺形の切刃を備える
   ことを特徴とするリードフレームの製造装置。

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