JP5104020B2 - モールドパッケージ - Google Patents

モールドパッケージ Download PDF

Info

Publication number
JP5104020B2
JP5104020B2 JP2007124299A JP2007124299A JP5104020B2 JP 5104020 B2 JP5104020 B2 JP 5104020B2 JP 2007124299 A JP2007124299 A JP 2007124299A JP 2007124299 A JP2007124299 A JP 2007124299A JP 5104020 B2 JP5104020 B2 JP 5104020B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
mold resin
mold
exposed portion
exposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007124299A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008282904A (ja
Inventor
祐紀 眞田
典久 今泉
嘉治 原田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2007124299A priority Critical patent/JP5104020B2/ja
Publication of JP2008282904A publication Critical patent/JP2008282904A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5104020B2 publication Critical patent/JP5104020B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

本発明は、モールド樹脂の上面からパッケージをみたとき、モールド樹脂の外周端部からリードが外側に突出していないモールドパッケージ、すなわち、QFN(クワッドフラットノンリードパッケージ)などのアウターリードレスタイプのモールドパッケージに関する。
従来より、この種のモールドパッケージとしては、電子部品および電子部品と電気的に接続されたリードを、モールド樹脂にて封止してなり、モールド樹脂の下面における周辺部にリードの下面が露出するアウターリードレスタイプのものが提案されている。このものは、モールド樹脂の上面からパッケージをみたとき、モールド樹脂の外周端部からリードが外側に突出していないものである。
そして、このものを配線基板などに実装するときには、モールド樹脂の下面を基板に対向させ、そこから露出するリードの下面にて、当該配線基板とはんだ付けを行うようにしている。
特許第3428591号公報
ところで、今後、電子部品の大電流対応化が進んだ場合、リードと外部との接続は、従来のはんだに代えて、溶接で行うことが好ましいと考えられる。
しかし、アウターリードレスタイプのモールドパッケージでは、リードにおけるモールド樹脂からの露出は、当該モールド樹脂の下面とその周囲の外周端部のみである。ここで、モールド樹脂の外周端部にて露出するリードの部分は、面積が小さいため、実質的に溶接可能な方向は、モールド樹脂の下面側に限られてしまう。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、アウターリードレスタイプのモールドパッケージにおいて、モールド樹脂の一面と他面の両面側から、溶接によるリード接続を可能とすることを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明は、モールド樹脂(40)の一面(42)における周辺部にリード(30)の一面(32)が露出するアウターリードレスタイプのモールドパッケージにおいて、モールド樹脂(40)の一面(42)とは反対側に位置するモールド樹脂(40)の他面(41)側において当該他面(41)の周辺部を切り欠かれた形状とし、この切り欠かれた部分を介して、リード(30)の一面(32)とは反対側に位置するリード(30)の他面(31)の一部を、モールド樹脂(40)の他面(41)側に露出する露出部(31a)として構成し
リード(30)の他面(31)における露出部(31a)と露出部(31a)以外の部位との間を区画するモールド樹脂(40)の端面(44)は、露出部(31a)の外方に向かって広がるように傾斜した傾斜面とされており、
モールド樹脂(40)の端面(44)、および、リード(30)の他面(31)における露出部(31a)は、モールド樹脂(40)が切削もしくは除去されることにより形成された面であることを特徴とする。
それによれば、アウターリードレスタイプのモールドパッケージにおいて、モールド樹脂(40)の一面(42)側、他面(41)側から、それぞれ、リード(30)の一面(32)、他面(31)が露出しているため、モールド樹脂(40)の一面(42)、他面(41)の両面側から溶接によるリード接続が可能となる。
また、本発明によれば、リード(30)の他面(31)における露出部(31a)と当該露出部(31a)以外の部位との間を区画するモールド樹脂(40)の端面(44)を、露出部(31a)の外方に向かって広がるように傾斜した傾斜面としているので(後述の図12参照)、溶接時のアライメントが容易になる。
また、請求項2に記載の発明のように、請求項1のパッケージにおいて、リード(30)の他面(31)における露出部(31a)は、リード(30)が切削されることにより形成された面であるものとしてもよい。さらに、この場合、請求項3に記載の発明のように、リード(30)の他面(31)における露出部(31a)を、露出部(31a)以外のリード(30)の他面(31)における部位に比べて、凹んだ状態で薄くなっているものとし、この薄くなっている露出部(31a)の表面が、リード(30)が切削されることにより形成された面とされていてもよい(後述の図20参照)。溶接性を確保する点を考慮すれば、このようにすることが好ましい。
また、複数本のリード(30)が配列されている場合、複数本のリード(30)のすべてのリードに渡ってモールド樹脂(40)の他面(41)の周辺部が連続して切り欠かれた形状とし、当該すべてのリード(30)の他面(31)において露出部(31a)が設けられていてもよい(後述の図3参照)。
また、複数本のリード(30)が配列されている場合、複数本のリード(30)のうちの一部のリードについてモールド樹脂(40)の他面(41)の周辺部が切り欠かれた形状とし、当該一部のリードの他面(31)において露出部(31a)が設けられていてもよい(後述の図16等参照)。
また、リード(30)の他面(31)における露出部(31a)は、リード(30)の他面(31)における中間部からモールド樹脂(40)の外周端寄りの端部までの連続した領域であるものにできる(後述の図1、図3等参照)。
また、リード(30)の他面(31)における露出部(31a)は、リード(30)の他面(31)における中間部の領域であり、リード(30)の他面(31)におけるモールド樹脂(40)の外周端寄りの端部は、露出部ではなくモールド樹脂(40)にて封止されているものにできる(後述の図14、図15参照)。
また、リード(30)の溶接性およびモールド樹脂(40)との剥離防止を考慮すれば、リード(30)の他面(31)における露出部(31a)の長さ(l)を、リード(30)の厚さ(t)以上であってリード(30)の長さ(L)の1/2以下であるものにすることが好ましい(後述の図19参照)。
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係るモールドパッケージ100の概略断面構成を示す図であり、図2において(a)、(b)は、それぞれ図1のモールドパッケージ100の上面図、下面図である。なお、以下、各構成要素における上面、下面とは、図1中の各構成要素において上側に位置する面、下側に位置する面を意味するものにすぎず、実際の上下関係まで限定するものではない。
本実施形態のモールドパッケージ100は、大きくは、ヒートシンク10の上面11上に回路基板20を搭載し、この回路基板20とリード30とを電気的に接続し、ヒートシンク10の上面11側にて回路基板20およびリード30を、モールド樹脂40によって封止してなる。
ヒートシンク10は、回路基板20の熱を放熱する板状のものであり、放熱性に優れた銅、モリブデン、アルミニウム、鉄などの材料よりなる。そして、ヒートシンク10の上面11とは反対側の下面12は、モールド樹脂40の下面42から露出しており、放熱面として構成されている。
回路基板20は、セラミック基板やプリント基板などよりなる。この回路基板20の上面21には、電子部品50、51が搭載されている。また、回路基板20の下面22とヒートシンク10の上面11との間には、接着剤60が介在し、回路基板20とヒートシンク10とは接着されている。この接着剤60としては、シリコーン系樹脂などよりなる一般的な接着剤が挙げられる。
また、電子部品50、51としては、ICチップ、コンデンサ、抵抗素子などの表面実装部品であればよい。図1に示される例では、回路基板20の上面21には、電子部品としてICチップ50、コンデンサ51が搭載されている。
これら電子部品50、51は、はんだや導電性接着剤などよりなるダイマウント材55を介して、回路基板20の上面21上に固定され、必要に応じてボンディングワイヤ70を介して回路基板20に電気的に接続されている。
また、リード30は、モールド樹脂40の内部にて回路基板20の周囲に配置されている。このリード30は、銅などのリードフレーム材料よりなるものであり、回路基板20の上面21とリード30の上面31とは、ボンディングワイヤ70により電気的に接続されている。
ここで、上記ボンディングワイヤ70は、一般的なAuやアルミニウムなどよりなるもので、通常のワイヤボンディングにより形成される。そして、本モールドパッケージ100においては、電子部品50、51とリード30とは、回路基板20およびボンディングワイヤ70を介して電気的に接続されている。
モールド樹脂40は、通常、この種のモールドパッケージに用いられるモールド材料、例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂などを採用できる。そして、このモールドパッケージ100は、図示しないケースなどの基材に搭載されて使用されるが、このとき、モールド樹脂40から露出するヒートシンク10の下面12を当該基材に接触させ、放熱を図るようにしている。
ここで、図1に示されるように、モールド樹脂40の外表面のうち、上面41は、回路基板20の上面21を被覆する面であり、下面42はヒートシンク10の下面12が露出する面である。そして、モールド樹脂40は、これら上下両面41、42を矩形状の主面とする矩形板状のものである(図2参照)。
また、モールド樹脂40の下面42は、上記基材等へモールドパッケージ100を搭載するときの当該基材と対向する実装面42である。そして、図1、図2(b)に示されるように、リード30の下面32はモールド樹脂40の下面42にて露出している。
ここで、リード30は、モールド樹脂40の下面42における周辺部にて露出している。具体的には、個々のリード30は、回路基板20側からモールド樹脂40の外周端部に向かってのびる平面短冊形状の板材であり、複数個のリード30が、矩形をなすモールド樹脂40の下面42の各辺に沿って配列されている。
そして、アウターリードレスタイプのモールドパッケージの特徴として、本実施形態においても、モールド樹脂40の上面41からパッケージ100をみたとき、モールド樹脂40の外周端43からリード30が外側に突出していない(図2参照)。
ここにおいて、本実施形態のモールドパッケージ100では、図1、図2(a)に示されるように、通常のこの種のモールドパッケージとは異なり、リード30の下面32だけでなく上面31も、モールド樹脂40から露出している。ここで、図3は、本モールドパッケージ100にてリード30の上面31における露出部31aを拡大して示す概略斜視図である。
図1、図2(a)、図3に示されるように、モールド樹脂40の下面42とは反対側に位置するモールド樹脂40の上面41側において当該上面41の周辺部が切り欠かれた形状となっている。
そして、この切り欠かれた部分を介して、リード30の下面32とは反対側に位置するリード30の上面31の一部が、モールド樹脂40の上面41側に露出し、この露出する部位が露出部31aとして構成されている。
つまり、本実施形態では、従来であればモールド樹脂40の上面41側にてリード30の端部寄りの部分を封止していたモールド樹脂40の部分を除去することにより、リード30の上面31における端部寄りの部位がモールド樹脂40の上面41側に露出している。
特に、ここでは、図2(a)および図3に示されるように、隣り合うリード30の間に位置する部位も含めて複数本のリード30のすべてのリードに渡ってモールド樹脂40の上面41の周辺部を、連続して切り欠かれた形状としている。それにより、複数本のリード30のすべてのリード30の上面31において露出部31aが設けられた状態となっている。
ここでは、この切り欠かれた部位は、モールド樹脂40の上面41の周辺部において、矩形枠状に形成されている。それにより、図2に示されるように、モールド樹脂40の上面41は、これとは反対側の下面42よりも一回り小さな矩形面となっており、上面41の端部は、下面42の端部よりも引っ込んでいる。
このようにして、リード30は、モールド樹脂40の上面41側および下面42側の両方に露出した状態となっている。そして、モールド樹脂40から露出するリード30の上面31の露出部31aおよび下面32は、外部と溶接される面とされている。
図4は、本モールドパッケージ100と外部配線部材200とを溶接した例を示す概略断面図であり、(a)はモールド樹脂40の下面42側から溶接によるリード接続を行った例、(b)はモールド樹脂40の上面41側から溶接によるリード接続を行った例を示している。
ここで、外部配線部材200としては、リン青銅などよりなるバスバーなど、リード30と溶接できるものであればよい。また、溶接方法としては、一般的なレーザ溶接、抵抗溶接、プラズマ溶接などが挙げられる。
本実施形態のモールドパッケージ100によれば、アウターリードレスタイプのモールドパッケージにおいて、モールド樹脂40の下面42側、上面41側から、それぞれ、リード30の下面32、上面31が露出しているため、モールド樹脂40の上下両面41、42側から溶接によるリード接続が可能となる。そして、結果的に、モールドパッケージ100における溶接方向の制約が少なくなる。
図4(a)、(b)には溶接方向が矢印にて表してある。溶接方向とは、たとえばレーザ溶接におけるレーザの照射方向などであり、溶接エネルギーの印加方向である。なお、図4では、外部配線部材200に比べて薄いリード30側を溶接方向としたが、図4(a)、(b)のそれぞれにおいて、図中の矢印とは反対に、外部配線部材200側を溶接方向としてもよい。
また、上述したが、この場合、図2(a)および図3に示されるように、各リード30の間にはモールド樹脂40が存在しており、モールド樹脂40の上面41からパッケージ100を見たとき、モールド樹脂40の外周端43は、リード30におけるモールド樹脂40の外周端43寄りの端部(すなわち先端面)と実質的に同一面にあり、リード30はモールド樹脂40の外周端43の外側に突出していない。そのため、本パッケージ100もアウターリードレスタイプの特徴を有している。
また、図1〜図3に示されるように、本実施形態では、リード30の露出部31aは、リード30の上面31における中間部からモールド樹脂40の外周端43寄りの端部までの連続した領域である。
次に、本実施形態のモールドパッケージ100の製造方法について述べる。本製造方法は、MAP成型技術に基づくものである。全体の流れを述べると、まず、ヒートシンク10の上面11に、接着剤60を介して、電子部品50、51が搭載された回路基板20を固定する。
一方で、複数個のリード30がその端部にて連結されたリードフレーム300、いわゆる多連のリードフレーム300を用意する(後述の図5参照)。そして、各リード30に対して、ヒートシンク10を配置し、ヒートシンク10上の回路基板20と各リード30とをワイヤボンディングすることにより、電子部品50、51とリード30との電気的接続を行う。
その後、このものを成形金型に投入し、モールド樹脂40による封止工程を行う。図5は、この封止工程およびその後の切断工程を示す工程図であり、各工程におけるワークを断面的に示している。
封止工程では、モールド樹脂40の下面42からリード30の下面32が露出するように、リードフレーム300および図示しない電子部品、回路基板、ヒートシンク、ボンディングワイヤを、モールド樹脂40により封止する。
次に、切断工程では、モールド樹脂40およびリードフレーム300を、ブレード401、402を用いてリード30の連結部にて切断し、個々のパッケージの単位に個片化する。
図5(a)に示されるように、ダイシングラインDLでは、異なるパッケージ単位のリード30同士が連結されている。ここで、図示しないが、リードフレーム300における下側には、ダイシングテープが貼り付けられ、リードフレーム300を含むワークを支持している。切断工程では、このリード30の連結部を切断するとともに、当該連結部に位置するモールド樹脂40を切断する。
ここにおいて、本実施形態の切断工程では、まず、図5(b)に示されるように、第1のブレード401を用いて、モールド樹脂40の上面41の周辺部すなわち上記連結部に位置するモールド樹脂40を、リード30の上面31に到達するまで切削して除去する。こうすることで、露出部31aが形成される。
次に、図5(c)に示されるように、第1のブレード401よりも刃幅の小さい第2のブレード402を用意し、モールド樹脂40が除去された部位にて、第2のブレード402によりリード30の切断を行う。それにより、個々のパッケージ単位に個片化されるとともに露出部31aを有するモールドパッケージ100ができあがる。
(第2実施形態)
図6(a)〜(c)は、本発明の第2実施形態に係るモールドパッケージの製造方法の要部を示す工程図であり、本実施形態の切断工程を示している。本実施形態は、上記第1実施形態に比べて、この切断工程を変形したところが相違する。
本実施形態の切断工程でも、ブレードとして第1のブレード401および第1のブレード401よりも刃幅の小さい第2のブレード402を用意するが、本実施形態では、上記第1実施形態とは、リード30の切断とモールド樹脂40の切削・除去との順序を反対にしている。
すなわち、本実施形態の切断工程では、図6(a)、(b)に示されるように、まず、刃幅の小さい第2のブレード402によって、モールド樹脂40およびリード30の連結部の切断を行い、予め、個々のパッケージ単位に個片化する。この時点では、上記ダイシングテープにより、ワークは一体化されている。
その後、このリード30の切断面よりも内側に位置するモールド樹脂40を、刃幅の大きい第1のブレード401によって除去する。この第1のブレード401による切削は、モールド樹脂40の上面41から行っていき、第1のブレード401がリード30の上面31に到達した時点で停止する。
こうすることにより、第1のブレード401によるモールド樹脂40の上面41の周辺部の切削・除去が行われ、リード30の上面31における露出部31aが形成される。こうして、本実施形態においても、上記第1実施形態に示したものと同様のモールドパッケージを製造することができる。
(第3実施形態)
図7は、本発明の第3実施形態に係るモールドパッケージの製造方法におけるブレード403を示す概略断面図であり、図8(a)、(b)は本実施形態の切断工程を示す工程図である。本実施形態も、上記第1実施形態に比べて、切断工程を変形したところが相違する。
本実施形態の切断工程では、図7に示されるように、ブレード403として段付き形状のものを用いる。このブレード403は、リード30の切断を行うための第1の刃部403aと、第1の刃部403aよりも切断方向において引っ込んだ位置に設けられ且つ第1の刃部403aよりも両側に突出して刃幅の大きい第2の刃部403bとを有するものである。
そして、本実施形態の切断工程では、図8(a)、(b)に示されるように、第1の刃部403aによってリード30の切断を行うとともに、第2の刃部403bによってモールド樹脂40の上面41の周辺部の切削・除去を行う。ここでは、第2の刃部403bがリード30の上面31に当たった時に、ダイシングを停止する。
これにより、個々のパッケージ単位への個片化および露出部31aの形成が一括して行える。そして、本実施形態の製造方法によっても、上記第1実施形態に示したものと同様のモールドパッケージを製造することができる。
(第4実施形態)
図9(a)、(b)は、本発明の第4実施形態に係るモールドパッケージの製造方法の要部を示す工程図であり、本実施形態の切断工程を示している。上記第1実施形態の製造方法との相違点を中心に述べる。
本実施形態では、まず、封止工程では、リード30の上面31における露出部31aとなる部位に、リード30よりもモールド樹脂40との密着性の小さい剥離材500を設けた状態で、モールド樹脂40による封止を行う。
この剥離材500としては、たとえば、シリコン系樹脂やAuメッキ、Niメッキなど、さらには、樹脂よりなるテープなどが挙げられる。その配置方法は、リード30の上面31における露出部31aとなる部位にのみ配置してもよいが、上記したテープの場合には、各リード30の間をつなぐように配置してもよい。
こうして、剥離材500を設けた状態で封止工程を行った後、切断工程では、まず、上記同様に、ブレードを用いて、モールド樹脂40およびリード30の連結部を切断し、個々のパッケージ単位に個片化する。
その後、図9(a)に示されるように、ダイシングブレードによってモールド樹脂40に対してリード30の上面31まで到達する切れ込みKを入れる。このときのブレードとしては、たとえば上記各実施形態に示したようなリード切断用の第2のブレード402を用いる。
その後、この切れ込みKを介して、剥離材500上のモールド樹脂40に力を加え、当該モールド樹脂40を剥離材500とともにリード30の上面31から剥離させる。それにより、図9(b)に示されるように、上記第1実施形態に示したものと同様のモールドパッケージを製造することができる。
そして、この場合、リード30に対してブレード402による傷を極力与えることなく、モールド樹脂40の除去を行うことができる。なお、上記切れ込みKを入れるタイミングは、リード30の切断による個片化を行う前であってもよい。また、上記切れ込みKを入れることは、ブレード402を用いる以外にも、たとえばレーザによる切削を用いて行ってもよい。
(第5実施形態)
図10(a)、(b)は、本発明の第5実施形態に係るモールドパッケージの製造方法の要部を示す工程図であり、本実施形態の切断工程を示している。上記第1実施形態の製造方法との相違点を中心に述べる。
本実施形態も、上記図5や上記図6などに示したように、第1のブレード401によりモールド樹脂40の上面41の周辺部の切削・除去を行うことにより、リード30の露出部31aを形成するものである。
ここで、本実施形態の製造方法では、図10(a)に示されるように、リード30の上面31における露出部31aとなる部位に、当該上面31から突出する凸部31bを、予め設けておく。そして、このものに対して、上記同様に封止工程を行い、モールド樹脂40による封止を行う。
続いて、切断工程では、上記図5または上記図6に示した方法と同様に、上記第1および第2のブレード401、402を用いて、リード30の切断および露出部31aの形成を行う。ここで、本実施形態では、図10(b)に示されるように、図示しない上記第1のブレードによってモールド樹脂40の上面41の周辺部を切削・除去することで、凸部31bを露出部31aとして露出させる。
それにより、本実施形態のモールドパッケージができあがる。なお、本実施形態のモールドパッケージは、図10に表されていない部分は、上記図1のものと同様である。本実施形態によれば、凸部31bを多少削ったとしても、露出部31a以外のリード30の部位を傷つけることがなく、リード30の厚さを確保する上で好ましい。
ここで、本実施形態における上記凸部31bの形状は、上記図10に示されるものに限定されるものではなく、次の図11(a)、(b)、(c)などに示される各種の形状が可能である。
図11(a)に示される例では、凸部31bを、リード30の上面31からその外方に向かって窄まる円錐形状としている。また、図11(b)に示される例のように、凸部31bはリード30における先端まで広がっていてもよい。また、図11(c)では、凸部31bは、テーパ状の側面を持つものとなっている。
ここで、図11(a)および(c)に示される凸部31bは、リード30の厚さ方向(図11中の上下方向)において幅が変化しているものである。具体的には、当該厚さ方向においてリード30の上面31から離れるに連れて、当該凸部31bの幅が小さくなっている。
この場合、凸部31bを切削・除去する量を変えることにより、露出部31aの露出面積を制御することができる。たとえば、図11(a)に示される凸部31bでは、凸部31bを切削・除去する量を大きくするに連れて、露出部31aの露出面積が大きくなっていく。
(第6実施形態)
図12は、本発明の第6実施形態に係るモールドパッケージ101の概略断面構成を示す図である。上記第1実施形態のモールドパッケージ100(上記図1等参照)との相違点を中心に述べる。
上記第1実施形態では、リード30の上面31における露出部31aと露出部31a以外の部位との間を区画するモールド樹脂40の端面44が、露出面31aに垂直な面であったが、本実施形態においては、図12に示されるように、当該モールド樹脂40の端面44を、露出部31aの外方に向かって広がるように傾斜面としている。
それによれば、レーザ溶接時に照射されるレーザの垂直アライメントの調整精度が低くてもよくなる。つまり、図12中の矢印Y1、Y2に示される方向から、溶接が可能となる。上記第1実施形態の場合、当該矢印Y2のように傾いた方向からは、レーザ照射が行えない。
また、図13は、本実施形態における切断工程を示す工程図であり、傾斜したモールド樹脂40の端面44を製造する方法を示すものである。この場合、上記図7に示したようなブレード403において、さらに、図13に示されるように、端面44に対応した傾斜を有するブレード403を用いればよい。
(第7実施形態)
図14は、本発明の第7実施形態に係るモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。上記各実施形態では、リード30の上面31における露出部31aは、リード30の上面31における中間部からモールド樹脂40の外周端寄りの端部までの連続した領域であった。
それに対して、本実施形態では、リード30の上面31における露出部31aは、リード30の上面31における中間部の領域のみである。この場合、リード30の上面31におけるモールド樹脂40の外周端寄りの端部は、露出部ではなく、モールド樹脂40にて封止されている。このような露出部31aは、モールド樹脂40に対してレーザなどによる穴あけ加工を行うことにより、形成可能である。
また、本実施形態の他の例を、図15(a)、(b)、(c)を示す。これら図15に示されるように、本実施形態においても、リード30の上面31における露出部31aと露出部31a以外の部位との間を区画するモールド樹脂40の端面44が、露出部31aの外方に向かって広がるように傾斜した傾斜面であってもよい。この場合も、上記図12のものと同様の効果が期待される。
(第8実施形態)
図16は、本発明の第8実施形態に係るモールドパッケージの要部を示す概略斜視図であり、同パッケージにてリード30の上面31における露出部31aを拡大して示すものである。
上記各実施形態では、上記図2(a)や図3に示したように、すべてのリード30に渡ってモールド樹脂40の上面41の周辺部を、連続して切り欠かれた形状とすることで、すべてのリード30の上面31において露出部31aを設けていた。
それに対して、図16に示されるように、複数本のリード30のうちの一部のリード30について、モールド樹脂40の上面41の周辺部を切り欠いた形状とすることで、当該一部のリード30の上面31において露出部31aを設けてもよい。
このような構成は、レーザやブレードなどによるモールド樹脂40の切削・除去により形成可能である。そして、この場合も、この露出部31aを介して、モールド樹脂40の上下両面41、42側から溶接によるリード接続が可能となる。なお、本実施形態は、上記の各実施形態に適用してもよい。
また、図17は本実施形態の他の例を示す概略斜視図である。このように、露出部31aは、1本のリード30の上面31について形成し、隣り合うリード30の間のモールド樹脂40を残すようにした場合について、さらに、具体的な構成について述べておく。図18(a)、(b)はそれぞれ、この場合における露出部31a近傍の部分的な概略断面図である。
つまり、この場合、図18(a)に示されるように、露出部31aを構成する1本のリード30に対して、当該リード30の上面31の両端部よりもさらに外側まで、モールド樹脂40が除去されていてもよいし、図18(b)に示されるように、当該リード30の上面31の両端部がモールド樹脂40で被覆されていてもよい。
(第9実施形態)
図19は、本発明の第9実施形態に係るモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。ここでは、リード30の上面31における露出部31aの寸法関係について述べることとする。なお、本実施形態の寸法関係は、上記した各実施形態に適用することが可能である。
図19には、リード30に関する各種の寸法l、t、Lが示されている。寸法lは、リード30の他面31における露出部31aの長さl、寸法tは、リード30の厚さt、寸法Lは、リード30の長さLである。
そして、本実施形態では、リード30の溶接性およびモールド樹脂40との剥離防止を考慮して、露出部31aの長さlを、リード30の厚さt以上であってリード30の長さLの1/2以下としている。つまり、これら寸法の間には、t≦l≦0.5L、という関係が成り立っている。
溶接は、リード30の厚さtの方向に行われ、この方向に溶かし込むものである。そのため、露出部31aの長さlが、リード30の厚さtよりも短いと、溶接強度の確保が困難になる。一方、露出部31aの長さlが、リード30の長さLの1/2よりも長いと、モールド樹脂40によるリード30の支持が不十分となって、モールド樹脂40とリード30とが剥離しやすくなる。そのため、上記寸法関係が好ましい。
(第10実施形態)
図20は、本発明の第10実施形態に係るモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。本実施形態は、上記各実施形態のうち、上記図10などに示した凸部31bを有するもの以外ならば、適用することが可能である。
図20に示されるように、本実施形態では、リード30の上面31における露出部31aは、当該露出部31a以外のリード30の他面31における部位に比べて、モールド樹脂40の上面41側から下面42側へ向かって凹んだ状態で薄くなっている。この薄くなっている部位の厚さdは、たとえば0.01mm〜0.5mmとする。
このような構成は、たとえば、上記ブレードによる切削を、過剰に行うことにより、容易に形成できる。この場合、露出部31aの部分を薄くできるので、この部分の溶接性の向上が期待できる。また、露出部31a以外のリード30の部分は、厚さを確保できるので、放熱性の確保も可能である。
(第11実施形態)
図21は、本発明の第11実施形態に係るモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。
図21に示されるように、リード30の他面31における露出部31aとしては、外部との溶接ができる程度に薄い層状のモールド樹脂40が露出部31aの上に付着した状態のものも含んでもよい。この場合、薄い層状のモールド樹脂40の厚さt’は、たとえば0.001mm〜0.3mm程度とする。
このように、モールド樹脂40を露出部31aの表面に薄く残すことにより、レーザ溶接を実施する際にモールド樹脂40が熱を吸収し、溶接性が向上したり、溶接時に相手部材に押し付けた時、リード30のゆがみやバタツキを防止できるなどの効果を得ることが可能となる。
(他の実施形態)
図22は、本発明の他の実施形態に係るモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。上述したように、リード30は、その上下両面31、32にてモールド樹脂40から露出する構成となっているがゆえ、モールド樹脂40によるリード30の支持強度が低下し、剥離が懸念される。
そこで、図22(a)〜(c)に示されるように、リード30のうちモールド樹脂40と密着する部位に、凹凸部33を設け、モールド樹脂40とリード30との密着性を高めることが望ましい。
図22において(a)に示される例では、リード30の下面32の一部に、切り欠き状の凹凸部33を設けており、(b)に示される例では、リード30の上面31に溝状の凹凸部33を設けており、(c)に示される例では、リード30を貫通する孔としての凹凸部33を設けている。
なお、モールドパッケージとしては、電子部品およびこれと電気的に接続されたリードを、モールド樹脂にて封止し、モールド樹脂の一面における周辺部にリードの一面が露出するアウターリードレスタイプのものであればよく、上記実施形態のものに限定されるものではない。
たとえば、上記したヒートシンクや回路基板は無いものであってもよく、電子部品とリードとの電気的接続についても、ワイヤボンディング以外の電気的接続方法、たとえばバンプなどによるものであってもよい。
本発明の第1実施形態に係るモールドパッケージの概略断面図である。 (a)は図1のモールドパッケージの上面図、(b)は図1のモールドパッケージの下面図である。 図1に示されるモールドパッケージにてリードの上面における露出部を拡大して示す概略斜視図である。 図1に示されるモールドパッケージと外部配線部材とを溶接した例を示す概略断面図であり、(a)はモールド樹脂の下面側からの例、(b)はモールド樹脂の上面側からの例を示す。 上記第1実施形態に係るモールドパッケージの製造方法における封止工程および切断工程を示す工程図である。 本発明の第2実施形態にかかるモールドパッケージの製造方法の要部を示す工程図である。 本発明の第3実施形態に係るモールドパッケージの製造方法におけるブレードを示す概略断面図である。 上記第3実施形態の切断工程を示す工程図である。 本発明の第4実施形態にかかるモールドパッケージの製造方法の要部を示す工程図である。 本発明の第5実施形態にかかるモールドパッケージの製造方法の要部を示す工程図である。 上記第5実施形態における凸部の他の形状を示す概略断面図である。 本発明の第6実施形態に係るモールドパッケージの概略断面図である。 上記第6実施形態における切断工程を示す工程図である。 本発明の第7実施形態に係るモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。 上記第7実施形態の他の例を示す概略断面図である。 本発明の第8実施形態に係るモールドパッケージの要部を示す概略斜視図である。 上記第8実施形態の他の例を示す概略斜視図である。 図17の構成を採用した場合における露出部近傍の部分的な概略断面図である。 本発明の第9実施形態に係るモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。 本発明の第10実施形態に係るモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。 本発明の第11実施形態に係るモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。 本発明の他の実施形態に係るモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。
符号の説明
30…リード、31…リードの他面としての上面、
31a…リードの上面における露出部、31b…凸部、
32…リードの一面としての下面、40…モールド樹脂、
41…モールド樹脂の他面としての上面、42…モールド樹脂の一面としての下面、
44…モールド樹脂の端面、50…電子部品としてのICチップ、
51…電子部品としてのコンデンサ、300…リードフレーム、
401…第1のブレード、402…第2のブレード、403…ブレード、
403a…第1の刃部、403b…第2の刃部、500…剥離材。

Claims (8)

  1. 電子部品(50、51)および前記電子部品(50、51)と電気的に接続されたリード(30)を、モールド樹脂(40)にて封止してなり、前記モールド樹脂(40)の一面(42)における周辺部に前記リード(30)の一面(32)が露出するアウターリードレスタイプのモールドパッケージにおいて、
    前記モールド樹脂(40)の前記一面(42)とは反対側に位置する前記モールド樹脂(40)の他面(41)側において当該他面(41)の周辺部が切り欠かれた形状となっており、
    この切り欠かれた部分を介して、前記リード(30)の前記一面(32)とは反対側に位置する前記リード(30)の他面(31)の一部が、前記モールド樹脂(40)の前記他面(41)側に露出する露出部(31a)として構成されており、
    前記リード(30)の前記他面(31)における前記露出部(31a)と前記露出部(31a)以外の部位との間を区画する前記モールド樹脂(40)の端面(44)は、前記露出部(31a)の外方に向かって広がるように傾斜した傾斜面とされており、
    前記モールド樹脂(40)の端面(44)、および、前記リード(30)の前記他面(31)における前記露出部(31a)は、前記モールド樹脂(40)が切削もしくは除去されることにより形成された面であることを特徴とするモールドパッケージ。
  2. 前記リード(30)の前記他面(31)における前記露出部(31a)は、前記リード(30)が切削されることにより形成された面であることを特徴とする請求項1に記載のモールドパッケージ。
  3. 前記リード(30)の前記他面(31)における前記露出部(31a)は、前記露出部(31a)以外の前記リード(30)の前記他面(31)における部位に比べて、凹んだ状態で薄くなっており、
    この薄くなっている前記露出部(31a)の表面が、前記リード(30)が切削されることにより形成された面とされていることを特徴とする請求項2に記載のモールドパッケージ。
  4. 複数本の前記リード(30)が配列されており、
    前記複数本の前記リード(30)のすべてのリードに渡って前記モールド樹脂(40)の前記他面(41)の周辺部が連続して切り欠かれた形状となっており、
    当該すべての前記リード(30)の前記他面(31)において前記露出部(31a)が設けられていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載のモールドパッケージ。
  5. 複数本の前記リード(30)が配列されており、
    前記複数本の前記リード(30)のうちの一部のリードについて前記モールド樹脂(40)の前記他面(41)の周辺部が切り欠かれた形状となっており、
    当該一部のリードの前記他面(31)において前記露出部(31a)が設けられていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載のモールドパッケージ。
  6. 前記リード(30)の前記他面(31)における前記露出部(31a)は、前記リード(30)の前記他面(31)における中間部から前記モールド樹脂(40)の外周端寄りの端部までの連続した領域であることを特徴とする請求項1ないしのいずれか1つに記載のモールドパッケージ。
  7. 前記リード(30)の前記他面(31)における前記露出部(31a)は、前記リード(30)の前記他面(31)における中間部の領域であり、
    前記リード(30)の前記他面(31)における前記モールド樹脂(40)の外周端寄りの端部は、前記露出部ではなく前記モールド樹脂(40)にて封止されていることを特徴とする請求項1ないしのいずれか1つに記載のモールドパッケージ。
  8. 前記リード(30)の前記他面(31)における前記露出部(31a)の長さ(l)は、前記リード(30)の厚さ(t)以上であって前記リード(30)の長さ(L)の1/2以下であることを特徴とする請求項1ないしのいずれか1つに記載のモールドパッケージ。
JP2007124299A 2007-05-09 2007-05-09 モールドパッケージ Expired - Fee Related JP5104020B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007124299A JP5104020B2 (ja) 2007-05-09 2007-05-09 モールドパッケージ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007124299A JP5104020B2 (ja) 2007-05-09 2007-05-09 モールドパッケージ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008282904A JP2008282904A (ja) 2008-11-20
JP5104020B2 true JP5104020B2 (ja) 2012-12-19

Family

ID=40143492

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007124299A Expired - Fee Related JP5104020B2 (ja) 2007-05-09 2007-05-09 モールドパッケージ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5104020B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5083348B2 (ja) * 2010-03-10 2012-11-28 サンケン電気株式会社 モールドパッケージの製造方法
JP7091972B2 (ja) * 2018-09-25 2022-06-28 株式会社デンソー 半導体装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000150725A (ja) * 1998-11-05 2000-05-30 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2001320007A (ja) * 2000-05-09 2001-11-16 Dainippon Printing Co Ltd 樹脂封止型半導体装置用フレーム

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008282904A (ja) 2008-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11145582B2 (en) Method of manufacturing semiconductor devices with a paddle and electrically conductive clip connected to a leadframe and corresponding semiconductor device
US7183630B1 (en) Lead frame with plated end leads
JP5959386B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP5802695B2 (ja) 半導体装置、半導体装置の製造方法
US20140179063A1 (en) Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same, and lead frame
US8133759B2 (en) Leadframe
JP6076675B2 (ja) 半導体装置
JP2005191240A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US9013030B2 (en) Leadframe, semiconductor package including a leadframe and method for producing a leadframe
JP2009124095A (ja) 半導体パッケージ及びその実装方法
JP2015060917A (ja) 半導体装置およびその製造方法
US6608369B2 (en) Lead frame, semiconductor device and manufacturing method thereof, circuit board and electronic equipment
JP4845090B2 (ja) 回路装置の製造方法
JP4307362B2 (ja) 半導体装置、リードフレーム及びリードフレームの製造方法
JP5104020B2 (ja) モールドパッケージ
US20140367838A1 (en) Leadframe with lead of varying thickness
JP4635471B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法、半導体装置の実装構造並びにリードフレーム
WO2009081494A1 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2019121698A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5011879B2 (ja) 半導体装置及びリードフレーム組立体の製法
JP2006147918A (ja) 半導体装置
JP2006332275A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP4695672B2 (ja) 半導体装置
JP6923299B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4881369B2 (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090709

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111117

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111129

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120119

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120904

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120917

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151012

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees