JP2012054505A - 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この発明に係る炭化珪素半導体装置1aの製造方法は、炭化珪素エピタキシャル層6を有する炭化珪素基板2の炭化珪素エピタキシャル層6上に、リンをドープした多結晶珪素膜18を形成する工程と、多結晶珪素膜18を熱酸化してゲート絶縁膜12を形成する工程と、を備えた。
【選択図】 図1
Description
まず、この発明の実施の形態1における炭化珪素半導体装置1aの構成を説明する。図1は、この発明の実施の形態1における炭化珪素半導体装置1aを示す断面図である。ここでは、炭化珪素半導体装置1aの一例として、nチャネル炭化珪素MOSFETについて説明する。
図10は、この発明の実施の形態2における炭化珪素半導体装置1aの製造方法の一部を示す断面図である。図10において、図1と同じ符号を付けたものは、同一または対応する構成を示しており、その説明を省略する。この発明の実施の形態1とは、リンをドープした多結晶珪素膜18を形成する工程と、多結晶珪素膜18を熱酸化することにより二酸化珪素からなるゲート絶縁膜12を形成する工程とを行う代わりに、ゲート絶縁膜となるリンをドープした二酸化珪素膜19を形成する工程と、リンをドープした二酸化珪素膜19が形成された炭化珪素基板2を熱処理する工程とを行う点が相違している。
図11は、この発明の実施の形態3における炭化珪素半導体装置1bを示す断面図である。図11において、図1と同じ符号を付けたものは、同一または対応する構成を示しており、その説明を省略する。
2 炭化珪素基板
6 炭化珪素エピタキシャル層
7 ベース領域
8 ソース領域
11 ベースコンタクト用領域
12 ゲート絶縁膜
18 リンをドープした多結晶珪素膜
19 リンをドープした二酸化珪素膜
Claims (14)
- 炭化珪素層を有する基板の前記炭化珪素層上に、リンをドープした珪素膜を形成する工程と、
前記珪素膜を熱酸化してゲート絶縁膜を形成する工程と、
を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 珪素膜を形成する工程では、リンを1×1016〜1×1022cm−3の濃度でドープすることを特徴とする請求項1記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 珪素膜を形成する工程では、珪素膜中の深さ方向に対するリン濃度の分布が、リンがドープされた部位のうち深さが最も浅い部位から炭化珪素層との界面近傍までほぼ一定になるようにリンをドープすることを特徴とする請求項2記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 珪素膜を形成する工程では、珪素膜中のリンがドープされた部位のうち深さが最も浅い部位よりも炭化珪素層との界面近傍の方がリン濃度が高くなるようにリンをドープすることを特徴とする請求項2記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 珪素膜中のリンがドープされた部位のうち深さが最も浅い部位は、前記珪素膜の表面近傍であることを特徴とする請求項3または請求項4のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 炭化珪素層を有する基板の前記炭化珪素層上に、ゲート絶縁膜となるリンをドープした二酸化珪素膜を形成する工程と、
前記二酸化珪素膜が形成された前記基板を熱処理する工程と、
を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 二酸化珪素膜を形成する工程では、リンを1×1016〜1×1022cm−3の濃度でドープすることを特徴とする請求項6記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 二酸化珪素膜を形成する工程では、二酸化珪素膜中の深さ方向に対するリン濃度の分布が、リンがドープされた部位のうち深さが最も浅い部位から炭化珪素層との界面近傍までほぼ一定になるようにリンをドープすることを特徴とする請求項7記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 二酸化珪素膜を形成する工程では、二酸化珪素膜中のリンがドープされた部位のうち深さが最も浅い部位よりも炭化珪素層との界面近傍の方がリン濃度が高くなるようにリンをドープすることを特徴とする請求項7記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 二酸化珪素膜中のリンがドープされた部位のうち深さが最も浅い部位は、前記二酸化珪素膜の表面近傍であることを特徴とする請求項8または請求項9のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 炭化珪素層を有する基板と、
前記炭化珪素層上に形成され、リンがドープされた二酸化珪素で形成されたゲート絶縁膜と、を備えた炭化珪素半導体装置において、
前記ゲート絶縁膜中の深さ方向に対するリン濃度の分布は、前記炭化珪素層との界面近傍にピーク値を有し、
前記ピーク値は、前記ゲート絶縁膜のリンがドープされた部位のうち深さが最も浅い部位と前記界面との中間近傍のバルク中のリン濃度の2〜10倍であることを特徴とする炭化珪素半導体装置。 - ゲート絶縁膜のバルク中のリン濃度は、1×1016〜1×1022cm−3であることを特徴とする請求項11記載の炭化珪素半導体装置。
- ゲート絶縁膜中の深さ方向に対するリン濃度の分布は、前記ゲート絶縁膜中のリンがドープされた部位のうち深さが最も浅い部位からバルク中にかけてほぼ一定であることを特徴とする請求項12記載の炭化珪素半導体装置。
- ゲート絶縁膜中のリンがドープされた部位のうち深さが最も浅い部位は、前記ゲート絶縁膜の表面近傍であることを特徴とする請求項13記載の炭化珪素半導体装置。
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