JP2012054406A - 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 - Google Patents

液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 Download PDF

Info

Publication number
JP2012054406A
JP2012054406A JP2010195840A JP2010195840A JP2012054406A JP 2012054406 A JP2012054406 A JP 2012054406A JP 2010195840 A JP2010195840 A JP 2010195840A JP 2010195840 A JP2010195840 A JP 2010195840A JP 2012054406 A JP2012054406 A JP 2012054406A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
nozzle
region
processing region
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010195840A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5251941B2 (ja
Inventor
Norihiko Sasagawa
典彦 笹川
Hiroichi Inada
博一 稲田
Yasushi Takiguchi
靖史 滝口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2010195840A priority Critical patent/JP5251941B2/ja
Priority to TW100129259A priority patent/TWI423853B/zh
Priority to US13/222,049 priority patent/US9195138B2/en
Priority to KR1020110087686A priority patent/KR101774368B1/ko
Priority to CN201110264012.1A priority patent/CN102386066B/zh
Publication of JP2012054406A publication Critical patent/JP2012054406A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5251941B2 publication Critical patent/JP5251941B2/ja
Priority to US14/919,869 priority patent/US10168618B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/002Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
    • B05D1/005Spin coating
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • GPHYSICS
    • G16INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR SPECIFIC APPLICATION FIELDS
    • G16ZINFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR SPECIFIC APPLICATION FIELDS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G16Z99/00Subject matter not provided for in other main groups of this subclass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】液処理装置において、基板の処理中に使用していない処理ノズルをメンテナンスすることができ、スループットの向上を図ると共に省スペース化を図ること。
【解決手段】鉛直軸周りに回動自在な回動基体と、第1の処理領域及び第2の処理領域の外側にて待機した状態で前記回動基体に設けられ、前記第1の処理領域及び第2の処理領域に共用されると共に基板に夫々異なる処理液を供給するための複数の処理ノズルと、前記回動基体に設けられると共に進退自在なノズル保持部を備え、複数の処理ノズルから選択された処理ノズルを前記ノズル保持部により保持して、第1の処理領域及び第2の処理領域から選択された処理領域に搬送するノズル搬送機構と、を備えるように液処理装置を構成し、待機部で待機している処理ノズルについてメンテナンスを行う。
【選択図】図2

Description

本発明は、基板に処理液を供給して基板に対し液処理を行う液処理装置、液処理方法及び記憶媒体に関する。
半導体製造工程のフォトリソグラフィ工程においては、基板である半導体ウエハ(以下、ウエハという)の表面にレジストなどの様々な処理液が供給される。このフォトリソグラフィ工程を行う塗布、現像装置には、各処理液を供給する液処理装置が設けられている。
液処理装置の一例としてレジスト塗布装置がある。このレジスト塗布装置は、例えばレジストを塗布するための塗布処理部を備えており、この塗布処理部はウエハを保持する保持部や前記保持部に保持されたウエハの側周を囲み、レジストの飛散を防ぐカップなどを備えている。
スループットを高めるために、前記塗布処理部はレジスト塗布装置に複数設けられ、各塗布処理部で並行してウエハを処理できるように構成される。そして、コスト及びスペースを削減するために、レジストを供給するノズルを複数の塗布処理部で共有化する場合がある。この場合、アームに支持されたノズルが、横方向に配列されたカップ上を、当該カップの配列方向に移動し、カップ内の各ウエハにレジストを供給する。例えば特許文献1には、そのようなレジスト塗布装置について記載されている。
また、近年、半導体製品の多品種化に従い、様々な種類のレジストが用いられる。そのため、前記アームには夫々異なる種類のレジストを供給するノズルが取り付けられ、各ノズルが一括で移動されるように構成される場合がある。しかしこのような構成とすると、一つのノズルをメンテナンスする場合に、全てのノズルを塗布処理部の外部に設けられる待機領域に移動させ、処理を停止させることになる。しかし、そのように一つのノズルのメンテナンスを行う間、他のノズルではウエハの処理を行い、スループットを向上させたいという要請がある。
ところで、特許文献2には、複数のカップの配列方向に伸びるガイドと、ガイドの長さ方向に沿って移動する基部及び複数のノズルを備えたノズル待機部と、基部の移動方向と直交方向に進退するアームと、を備えた液処理装置について記載されている。この液処理装置では、基部及びノズル待機部が各カップの手前にガイドされて移動し、さらに前記アームの先端部がノズル待機部からノズルを受け取り、カップ上に移動させて処理を行う。しかし、ノズル待機部と基部とをカップの手前に移動させるためには、前記ガイドを各カップの手前に掛かるように設ける必要があるため、装置の設置スペースが大きくなってしまうという問題が有る。
また、前記特許文献1ではカップが3つ直線状に設けられている。ウエハを処理するにあたり一端から他端のカップへ真ん中のカップを跨いで移動することになるが、当該カップ上を処理ノズルが通過するときに、処理ノズルから前記ウエハに処理液が垂れてしまい、欠陥が発生するおそれがある。結果として歩留りが低下してしまうという懸念がある。
特開2010−045185 特開2010−34210(図1及び図8)
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、液処理装置において、基板の処理中に使用していない処理ノズルをメンテナンスすることができ、スループットの向上を図ると共に省スペース化を図ることができる技術を提供することである。
本発明の液処理装置は、互いに左右方向に設けられ、各々基板を水平に配置してノズルからの処理液により処理を行うための第1の処理領域及び第2の処理領域と、
これら第1の処理領域及び第2の処理領域の並びに対して後方側に設けられ、鉛直軸周りに回動自在な回動基体と
前記第1の処理領域及び第2の処理領域の外側にて待機した状態で前記回動基体に設けられ、前記第1の処理領域及び第2の処理領域に共用されると共に基板に夫々異なる処理液を供給するための複数の処理ノズルと、
前記回動基体に設けられると共に進退自在なノズル保持部を備え、複数の処理ノズルから選択された処理ノズルを前記ノズル保持部により保持して、前記第1の処理領域及び第2の処理領域から選択された処理領域に搬送するノズル搬送機構と、
前記回動基体に対してノズル保持部の進退方向における前方側に前記第1の処理領域及び第2の処理領域から選択された処理領域が対向するように回動基体を回動させる回動駆動部と、を備えたことを特徴とする。
本発明の液処理方法は、互いに左右方向に設けられ、ノズルからの処理液により処理を行うための第1の処理領域及び第2の処理領域に、各々基板を水平に配置する工程と、
これら第1の処理領域及び第2の処理領域の並びに対して後方側に設けられた回動基体を鉛直軸周りに回動させる工程と、
前記回動基体に設けられ、前記第1の処理領域及び第2の処理領域に共用される複数の処理ノズルを前記第1の処理領域及び第2の処理領域の外側にて待機させる工程と、
各処理ノズルから基板に夫々異なる処理液を供給する工程と、
前記回動基体に設けられると共に進退自在なノズル保持部を備え、複数の処理ノズルから選択された処理ノズルを前記ノズル保持部により保持する工程と、
ノズル保持部を、ノズル搬送機構により前記第1の処理領域及び第2の処理領域から選択された処理領域に搬送する工程と、
回動駆動部により、前記回動基体に対してノズル保持部の進退方向における前方側に前記第1の処理領域及び第2の処理領域から選択された処理領域が対向するように回動基体を回動させる工程と、
を備えたことを特徴とする。
本発明の記憶媒体は、基板に対して液処理を行う液処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上記の液処理方法を実施するためのものであることを特徴とする。
本発明によれば、第1の処理領域及び第2の処理領域の外側にて待機した状態で回動基体に設けられ、前記第1の処理領域及び第2の処理領域に共用される複数の処理ノズルと、前記回動基体に設けられると共に各処理領域へ進退自在なノズル保持部とを備え、選択された処理ノズルを各処理領域に搬送するので、基板処理中に使用していない処理ノズルをメンテナンスすることができる。従って、スループットの低下を抑えることができる。また、各処理領域に跨るようにノズル保持部をガイドするガイド部材を設ける必要がないため、装置の省スペース化を図れる。そして、例えば本装置を2つの塗布処理部を有するように構成し、このように構成した装置を、望むスループットに応じて複数配設することで、ノズル搬送部材が、塗布処理部を跨いで移動する必要がなくなる。従って、処理ノズルから基板に液垂れすることが抑えられ、歩留りの低下が抑えられる。
本発明の実施の形態に係るレジスト塗布装置の平面図である。 前記レジスト塗布装置の斜視図である。 前記レジスト塗布装置の塗布処理部の縦断側面図である。 前記レジスト塗布装置のレジスト供給部の側面図である。 前記レジスト供給部の正面図である。 図4のA−A矢視断面図である。 前記レジスト供給部を構成するアーム及びアーム保持部の斜視図である。 レジスト供給ノズル及び温調水供給部の縦断側面図である。 前記レジスト供給ノズルの斜視図である。 前記温調水供給部の横断平面図である。 前記レジスト塗布装置の動作を示す作用図である。 前記レジスト塗布装置の動作を示す作用図である。 前記レジスト塗布装置の動作を示す作用図である。 前記レジスト塗布装置の動作を示す作用図である。 前記レジスト塗布装置の動作を示す作用図である。 前記レジスト塗布装置の動作を示す作用図である。 レジスト供給ノズルが受け渡される様子を示す説明図である。 レジスト供給ノズルが受け渡される様子を示す説明図である。 レジスト供給ノズルが受け渡される様子を示す説明図である。 メンテナンスが行われる様子を示す説明図である。 メンテナンスが行われる様子を示す説明図である。 他の実施の形態に係るレジスト塗布装置の平面図である。 さらに他の実施の形態に係るレジスト塗布装置の平面図である。 さらに他の実施の形態に係るレジスト塗布装置の概略平面図である。 さらに他の実施の形態に係るレジスト塗布装置の概略平面図である。
本発明の液処理装置の実施形態であるレジスト塗布装置1について、平面図、斜視図である図1、図2を夫々参照しながら説明する。レジスト塗布装置1は、2つの塗布処理部11と、レジスト供給部3とを備えており、基板であるウエハWが前段の処理装置から前記塗布処理部11に搬送される。また、レジスト塗布装置1は、2つの塗布処理部11及びレジスト供給部3を囲む筐体21を備えており、筐体21の側壁には2つの搬送口19が設けられている。基板搬送機構20は、これらの搬送口19を介して筐体21内に進入し、塗布処理部11との間でウエハWを受け渡すことができる。
塗布処理部11A、11Bは互いに横方向に配列され、同様に構成されている。説明の便宜上、レジスト供給部3から見て、左右の塗布処理部を11A、11Bとする。塗布処理部11Aの縦断側面を示した図3を参照しながら説明する。塗布処理部11は、スピンチャック12及び回転駆動機構13を備えている。スピンチャック12は、ウエハWの裏面中央部を吸着して水平に保持する基板保持部をなす。回転駆動機構13は、回転軸14を介してスピンチャック12に接続されており、回転駆動機構13によりスピンチャック12は、ウエハWを保持した状態で鉛直軸回りに回転する。
スピンチャック12の周囲には、当該スピンチャック12上のウエハWの側周を囲むカップ15が設けられている。カップ15内はウエハWの処理領域を形成する。カップ15の上方側には開口部10が形成され、カップ15の底部側には例えば凹部状をなす液受け部16が設けられている。この液受け部16には排液口17が設けられている。また、液受け部16には起立した排気管18が設けられ、カップ15内の処理雰囲気を排気できるようになっている。
図中23は昇降自在に構成された昇降ピンであり、カップ15内に3本設けられている(図3では便宜上2本のみ表示している)。レジスト塗布装置1にウエハWを搬送する基板搬送機構20の動作に応じて、昇降機構24が昇降ピン23を昇降させ、前記基板搬送機構20とスピンチャック12との間でウエハWが受け渡される。
続いて、レジスト供給部3について、図4の側面図及び図5の正面図も参照しながら説明する。レジスト供給部3は、塗布処理部11A、11B間から筐体21の奥側に向かった位置に設けられている。扁平な円形の回動基体31を備えており、回動基体31上には角板状の基台32が設けられている。回動基体31の内部には従動プーリ33が設けられており、この従動プーリ33は、回動基体31に固定されている。回動基体31の近傍には主動プーリ34が設けられ、主動プーリ34には回動駆動部をなすモータ35の出力軸が連結されている。主動プーリ34及び従動プーリ33には、ベルト36が巻き掛けられており、モータ35が主動プーリ34を回転駆動することでベルト36が回動し、それによって従動プーリ33が回動する。従動プーリ33の回動に連動して回動基体31が、基台32と共に鉛直軸回りに回動する。回動基体31の回動中心と塗布処理部11Aのスピンチャック12の回動中心との距離と、回動基体31の回動中心と塗布処理部11Bのスピンチャック12の回動中心との距離とは互いに等しい。
塗布処理部11に向かう側を前方側とすると、基台32の後方側には横方向に伸びたガイド部材41が設けられており、ガイド部材41には水平移動部42が設けられている。基台32の後端には、ガイド部材41の伸長方向に主動プーリ43、従動プーリ44が設けられており、主動プーリ43にはモータ45の出力軸が連結されている。主動プーリ43及び従動プーリ44には、ベルト46が巻き掛けられており、ベルト46には前記水平移動部42が接続されている。モータ45が主動プーリ43を回転駆動することで、ベルト46が回動する。そして、ベルト45の動きに合わせて、水平移動部42がガイド部材41にガイドされて水平方向に移動する。
図6は図4のA−A矢視断面図である。これらの図4及び図6に示すように、水平移動部42から前方に向けて支持台47が張り出しており、支持台47上には主動プーリ48及び当該主動プーリ48を駆動するモータ49が設けられている。また、水平移動部42には上方向に伸びる支柱51が設けられ、この支柱51には支持部材52が設けられている。支持部材52には従動プーリ53が設けられ、主動プーリ48と従動プーリ53とにベルト54が巻き掛けられている。従動プーリ53は鉛直軸方向に伸びるボールネジ55に接続されており、ボールネジ55は、支持部材52上に位置する支持部材56に螺合している。
支持部材56は後述のアーム保持部61に接続されており、アーム保持部61は、図4に示した支柱51に上下方向に伸びるように設けられたガイド57に接続されている。モータ49により主動プーリ48が回転駆動すると、従動プーリ53と共にボールネジ55が軸回りに回動し、アーム保持部61がガイド57に沿って昇降する。
次にアーム保持部61について説明する。アーム保持部61は上側と前方側とが開口した角型のケース状に形成されており、前後に長尺な形状に構成されている。図7は、アーム保持部61の縦断側面を示しており、この図7に示すようにアーム保持部61の内側側面の前後には主動プーリ62、従動プーリ63が夫々設けられている。主動プーリ62はアーム保持部61の側方に設けられたモータ64の出力軸に連結されている。主動プーリ62と従動プーリ63とにベルト65が巻き掛けられている。また、アーム保持部61の底部にはガイド部材66が設けられている。
アーム保持部61内にはノズル搬送機構をなし、前後方向に長尺なアーム60が設けられている。アーム60の側方には、前記ベルト65に接続される接続部60aが設けられている。図中60bは、ガイド部材66に係合する係合部である。モータ64により主動プーリ62が回転駆動し、ベルト65が回動すると、アーム60がガイド部材66にガイドされて、水平移動部42の移動方向と直交するように前後移動する。
アーム60の裏面の先端側には角型ブロック状の流路形成部材67が設けられており、流路形成部材67の下方には円柱形のノズル保持部68が設けられている。ノズル保持部68は太い矢印の先に示している。アーム60の先端には、前処理用ノズル保持部81が設けられており、前処理用ノズル保持部81の下方には、水平移動部42の移動方向に純水供給ノズル82及びシンナー供給ノズル83が設けられている。これらのノズル82、83は下方に向けて開口している。
図8には、前記流路形成部材67及びノズル保持部68の縦断側面図を示している。流路形成部材67にはエア流路69が形成されており、エア流路69の上流側には配管71が接続されている。配管71の上流側は分岐し、バルブV1,V2を介してエア供給源72、排気手段73に接続されている。この配管71については、図8以外の図では図示の便宜上省略している。
ノズル保持部68は中空に形成され、その内部空間74は前記エア流路69の下流に接続されている。ノズル保持部68の側周には孔部75が設けられている。孔部75には突片76が設けられ、この突片76は、内部空間74の圧力に応じてノズル保持部68の側周に突没する。
図3及び図4に戻って説明を続ける。回動基体31の前方側には、角型ブロック状のノズル待機部91及び温調水供給ポート92が上からこの順に積層されて設けられている。ノズル待機部91は、上方側に開口した11個の孔部を備えており、孔部は、前記水平移動部42の移動方向に配列されている。これらの孔部は、後述のレジスト供給ノズル101の待機領域93として構成されている。図4に示すように待機領域93には流路94が接続されている。この流路94の上流側には配管95を介して前記シンナーの供給源87に接続されている。配管95にはバルブV5が介在している。
待機領域93の下側には、起立した筒部96が設けられており、筒部96内は廃液路97に接続されている。流路94に供給されたシンナーは、筒部96の外壁に衝突し、筒部96上に乗り上げて、待機領域93で待機するレジスト供給ノズル101に供給される。これによって前記レジスト供給ノズル101のノズル本体部103が洗浄される。また、後述のダミーディスペンス時にレジスト供給ノズル101から供給されたレジストは筒部96内に供給され、廃液される。
レジスト供給ノズル101について、図8を参照しながら説明する。レジスト供給ノズル101は例えば11基設けられ、夫々異なる種類のレジストを供給する。レジスト供給ノズル101は、角型の支持部102と、ノズル本体部103とを備えている。ノズル本体部103は支持部102の下方に設けられ、下方側に開口部104を備えている。
支持部102には前記開口部104に接続されるレジスト流路105が設けられている。このレジスト流路105を囲むように温調水供給路106が形成されている。温調水供給路106はレジスト流路105の上流側から下流側に向けて形成され、当該下流側にて折り返されており、折り返された流路は、温調水供給路106の外側を当該供給路106の上流側に向かって形成されている。この折り返された流路を温調水排出路107とする。
各レジスト供給ノズル101のレジスト流路105には、可撓性を有するレジスト供給管108の一端が接続されている。図3に示すようにレジスト供給管108の他端は、各々異なるレジストが貯留されたレジスト供給源109に接続されている。図中111は、レジスト供給系であり、各レジスト供給管108に介設されたエアオペレイトバルブ112を含む。後述の制御部151から、このレジスト供給系111に信号が送信され、各エアオペレイトバルブ112が独立して開閉する。これによって各レジスト供給ノズル101へのレジストの給断が制御される。
図8に戻って、支持部102の上方側は、上側に開口した凹部121が形成されており、凹部121の側周面には、横方向に凹部122が形成されている。凹部121には、前記ノズル保持部68が進入し、凹部121には当該ノズル保持部68から突出した突片76が係合する。これによって、図9に示すようにレジスト供給ノズル101は、ノズル保持部68を介してアーム60に保持される。
続いて、温調水供給ポート92について、この温調水供給ポート92の縦断側面を示した図8及び横断平面を示した図10を参照しながら説明する。温調水供給ポート92には、温調水が供給される供給空間131、温調水が排出される排出空間132が前後に並んで設けられ、各空間131、132は隔壁134により区画されている。前記レジスト供給管108は、これら供給空間131及び排出空間132を前後に貫通している。供給空間131、排出空間132には温調水流通管133の一端、他端が夫々接続され、温調水流通管133にはポンプ130と例えば熱交換器からなる温調部135が設けられている。
また、前記レジスト供給管108を囲む第1の外管136と、この第1の外管136を囲む第2の外管137とが設けられている。第1の外管136は、前記隔壁134からレジスト供給ノズル101の支持部102へ向かって伸び、第2の外管137は温調水供給ポート92の外壁から前記支持部102へ向かって伸びている。第1の外管及136及び第2の外管137は、可撓性を有するように構成されている。
レジスト供給管108と第1の外管136との隙間は、温調水供給路138として構成されている。この供給路138の温調水供給ポート92側は、供給空間131に接続されており、レジスト供給ノズル101側は、温調水供給路106に接続されている。第1の外管136と第2の外管137との隙間は温調水排出路139として構成されている。温調水排出路139の温調水供給ポート92側は、排出空間132に接続されており、温調水供給路138のレジスト供給ノズル101側は、温調水排出路107に接続されている。つまり、これら配管、供給路、排出路により温調水の循環路が形成されており、温調部135で温調された温調水は、ポンプ130により配管133→供給空間131→温調水供給路138→温調水供給路106→温調水排出路107→温調水排出路139→排出空間132の順に流通し、排出空間132から温調水流通管133に流れ込む。そして温調部135で再び温調される。これによって、レジスト供給管108を流通するレジストが所定の温度に調整される。
図10に示すように、温調水供給ポート92の温調水の流路は、各レジスト供給管108に対応して分岐したマニホールド構造になっている。供給空間131、排出空間132は各レジスト供給管108で共用化されており、供給空間131に供給された温調水は、各レジスト供給管108の周囲に形成された温調水供給路138に供給される。図10では矢印で温調水の流路を示している。
図示は省略するが、前記純水供給ノズル82及びシンナー供給ノズル83についても、レジスト供給ノズル101と同様に純水及びシンナーの流路の外側には温調水の供給路及び排出路が形成されている。また、図3に示すように純水供給源86と、純水供給ノズル82とを接続する配管84及びシンナー供給源87と、シンナー供給ノズル83とを接続する配管85が設けられている。これら配管84、85の外側にも、レジスト供給管108と同様に温調水の供給路が形成され、さらにその外側には前記供給路に接続された温調水の排出路が形成されている。図4中の84a、85aは、前記温調水排出路を形成し、配管84、85の外側に設けられた外管である。86aは、外管84a、85aの継手である。図中V3、V4は、前記配管84、85に介設されたバルブである。なお、図3以外の各図では、配管84、85の上流側の図示を省略している。
図1及び図4に示すように2つのカップ15,15間にはダミーディスペンス部141が設けられている。ダミーディスペンス部141は、上側が開口した受け皿状に構成され、その内部はダミーディスペンス領域142として構成されている。ダミーディスペンス部141は、レジスト塗布装置1がウエハWに処理を行わない待機状態であるときに、純水供給ノズル82及びシンナー供給ノズル83をこのダミーディスペンス部141の上方に位置させて、定期的にダミーディスペンスを行う場合に使用される。ダミーディスペンス領域142には排液管143が接続されており、ダミーディスペンス領域142で純水供給ノズル82及びシンナー供給ノズル83から吐出された各処理液は、排液管143を介して排液される。
このレジスト塗布装置1には、例えばコンピュータからなる制御部151が設けられている。制御部151はプログラム、メモリ、CPUからなるデータ処理部などを備えており、前記プログラムには制御部151からレジスト塗布装置1の各部に制御信号を送り、各モータの駆動、バルブの開閉動作及び昇降ピンの昇降などを制御し、後述の各処理工程を進行させるように命令(各ステップ)が組み込まれている。このプログラム(処理パラメータの入力操作や表示に関するプログラムも含む)は、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、MO(光磁気ディスク)メモリーカードなどの記憶媒体に格納されて制御部151にインストールされる。
前記メモリには、ウエハWのロットのIDと、レジストの濡れ性を向上させるための前処理(プリウエット)に使用するノズルと、使用するレジスト供給ノズル101とが互いに対応付けられて記憶される。また、メモリには、レジスト供給ノズル101毎にダミーディスペンスを行うまでの時間及び洗浄処理を行うまでの時間が記憶される。ダミーディスペンスは、レジスト供給ノズル101がノズル待機部91で待機しているときにレジストを吐出して、ノズル101内またはレジスト供給管108内の古いレジストを除去する動作である。前記洗浄処理は、レジスト供給ノズル101がノズル待機部91で待機しているときに待機領域93に、レジスト供給ノズル101を洗浄する動作である。
続いて、このレジスト塗布装置1によりウエハWにレジストを塗布する工程について、図11〜図16を参照しながら説明する。また、アーム60の側面を示した図17〜図19も適宜参照する。この例では、基板搬送機構20によりウエハWが塗布処理部11A,11Bの順で交互に搬送される。また、この例ではウエハWは、純水供給ノズル82によりプリウエットが行われるように設定されている。先ず、ロットの先頭のウエハWを処理する前に純水供給ノズル82は、ダミーディスペンス部141でダミーディスペンスを行う(図11(a))。然る後、ウエハWを処理するための動作が開始される。
アーム60が上昇、後退及び水平移動し、図17に示すようにノズル保持部68が、塗布処理部11Aに搬送されるウエハWを処理するレジスト供給ノズル101上に移動する(図11(b))。そして、アーム60が下降し、図18に示すようにノズル保持部68がレジスト供給ノズル101の凹部121に進入して、突片76が凹部121に設けられた凹部122に係合する。それによって、ノズル保持部68が当該レジスト供給ノズル101を保持する。
アーム60が前記レジスト供給ノズル101を保持したまま上昇し、その後回動基体31が回動して、アーム60の先端が塗布処理部11Aに向かう。なお、このアーム60の上昇中及び回動基体31の回動中は水平移動部42によるアーム60の横方向の移動は行われない。アーム60が塗布処理部11Aに向くと、図19に示すようにアーム60が前進し、その先端が塗布処理部11Aにおけるカップ15の開口部10の外縁上に位置するように停止する(図12(c))。このとき、図中に鎖線で示すようにスピンチャック12の中心Pと、プリウエットを行う純水供給ノズル82の軸がアーム60の進退方向にずれるようにアーム60が位置する。この位置を便宜上、アーム60の処理準備位置と呼ぶ。
基板搬送機構20によりウエハWが塗布処理部11Aに搬送され、当該基板搬送機構20と昇降ピン23との協働作業により、ウエハWがスピンチャック12上に、互いの中心が一致するように受け渡される。続いて、アーム60が前進し、純水供給ノズル82がウエハWの中心上に位置する(図12(d))。ウエハWが鉛直軸周りに回転すると共に純水供給ノズル82から純水がウエハWの中心部に供給される。供給された純水はウエハWの周縁部へと広がり、ウエハW表面のレジストの濡れ性が向上する。
純水の供給が停止すると、回動基体31が回動し、その後アーム60が前進して、アーム60に保持されたレジスト供給ノズル101がウエハWの中心上に位置する(図13(e))。そして、レジスト供給ノズル101からレジストがウエハWの中心部に供給される。供給されたレジストは、ウエハWの周縁部へと広がり、ウエハW表面全体にレジストが塗布される。
レジストの供給が停止すると、アーム60の先端がカップ15外へ出るように当該アーム60が後退する(図13(f))。続いて、アーム60の先端が塗布処理部11Bを向くように回動基体31が回動し、アームの先端が当該塗布処理部11Bのカップ15の開口部10の外縁における処理準備位置で停止する(図14(g))。このときも、塗布処理部11Aに処理を行うときと同様に、スピンチャック12の中心Pと、プリウエットを行う純水供給ノズル82の軸がアーム60の進退方向にずれるようにアーム60が位置する。
以降は、塗布処理部11Aで処理を行う場合と同様に、ウエハWが塗布処理部11Bに搬入されると、アーム60が前進し(図14(h))、ウエハWにプリウエット、レジスト塗布処理が順に行われる。塗布処理部11Bでのこれらプリウエット、レジスト塗布処理に並行して、塗布処理部11Aでは、ウエハWの回転の停止、基板搬送機構20及び昇降ピン23によるウエハWのカップ15外への搬出が順に行われる。
このように、塗布処理部11A、11Bで繰り返しウエハWに処理が行われる。ロットの最後のウエハWを処理すると、アーム60はカップ15の外縁上からさらに後退し、当該アーム60の先端のノズル保持部81がノズル待機部91上に位置すると、前記後退動作が停止する(図15(i))。然る後、アーム60が下降し、保持していたレジスト供給ノズル101がノズル待機部91に戻されると、ノズル保持部81によるレジスト供給ノズル101の保持が解除される。続いて、アーム60が上昇した後、横方向に移動し、前記ノズル保持部81が次のロットを処理するレジスト供給ノズル101上に位置すると、前記横方向への移動が停止する(図15(j))。その後、アーム60が下降して、既述のようにレジスト供給ノズル101を保持し、先のロットの処理時と同様に処理準備位置に移動し、引き続き処理を行う(図16(k))。
ウエハWの処理中、各レジスト供給ノズルについて設定された時間が経過する毎に、ノズル待機部91でレジスト供給ノズル101がレジストを吐出するダミーディスペンスが行われる。図20は、このダミーディスペンスが行われる様子を示している。また、洗浄処理についてもダミーディスペンスと同様に、所定の時間が経過する毎に行われる。図21には待機領域93にシンナーが供給され、レジスト供給ノズル101が洗浄される様子を示している。レジスト供給ノズル101がアーム60に保持されているときに、ダミーディスペンスを実行するタイミングまたは洗浄処理を行うタイミングに至る場合、例えば現在処理中のロットの処理が終わり、ノズル待機部91に戻されると、ダミーディスペンスまたは洗浄処理が実行される。
このレジスト塗布装置1によれば、アーム60によりレジスト供給ノズル101を保持し、ウエハWに処理を行う。このウエハWの処理に並行して、ノズル待機部91で待機しているレジスト供給ノズル101については、ダミーディスペンスや洗浄処理などのメンテナンスを行うことができる。従って、メンテナンスによるレジスト塗布装置1のスループットの低下を抑えることができる。また、ウエハWの処理と並行して、ノズル待機部91で待機しているレジスト供給ノズル101の上流側のレジスト供給源109に貯留されるレジストを他の種類のレジストに交換し、さらにレジスト供給ノズル101からレジストを吐出し続けて当該ノズル101及びレジスト供給管108に残留する古いレジストを除去することができる。このようにレジストを交換する際にもスループットの低下が抑えられる。
また、レジスト塗布装置1は回動基体31が回動して、アーム60が各塗布処理部11A、11Bに向かうと共に回動基体31に設けられたノズル待機部91が移動する。これによってアーム60がノズル保持部91からレジスト供給ノズル101を受け取り、さらに塗布処理部11A、11Bにおける処理位置に移動することができる。従って、アーム60及びノズル待機部91が各塗布処理部11A、11B上を移動出来るように、ガイドを塗布処理部11A、11B上に跨って設ける必要が無いので、レジスト塗布装置1の設置面積が大きくなることを抑えることが出来る。
また、このようにカップを2つ配列し、その間でレジスト供給ノズル101を移動させるため、例えばレジスト塗布後、乾燥などが行われているウエハW上をレジスト供給ノズル101が跨ぐことが無い。従って前記ウエハWにレジスト供給ノズル101、純水供給ノズル82及びシンナー供給ノズル83から処理液が処理中のウエハWに垂れてしまうことが抑えられるので、歩留りの低下を抑えることができる。
また、この例では、カップ15内にウエハWが搬送されるまで、アーム60の先端がカップ15の開口部10の外縁で停止し、純水供給ノズル82の純水の吐出位置がスピンチャック12の中心からアーム60の前進方向にずれている。ウエハWがカップ15内に搬送されると、アーム60が前進してプリウエットが行われる。従って速やかにウエハWへの処理を開始することができ、スループットの向上を図ることができる。プリウエットを行わない場合は、純水供給ノズル82の代わりにレジスト供給ノズル101を同様の位置で待機させることで、ウエハWに速やかに処理を行うことが出来る。さらに、上記の例ではアーム60が塗布処理部11A、11Bに対して進退する際にはアーム60のレジスト供給ノズル101の配列方向への移動が行われないので、アーム60に保持されたレジスト供給ノズル101に接続された外管137が、当該外管137の伸長方向に対して斜めに移動することを防ぐことができる。従って、アーム60に保持されたレジスト供給ノズル101に接続された外管137が、他の外管137や装置1の構造物と擦れて劣化したり、パーティクルが発生することが抑えられる。
また、上記の例では各レジスト供給ノズル101からは異なる化合物であるレジストが供給されるが、同じ化合物からなるレジストであり夫々温度が異なるレジストを供給するようにしてもよい。各処理ノズルから供給される「異なる処理液」は、液の種類が異なる場合、液の種類が同じであるが、温度が異なる場合なども含む意味である。
なお、上記の実施形態ではレジスト供給装置について説明しているが、本発明は、2つのカップに対して複数の処理液を夫々ノズルから供給して液処理を行う装置及び方法に適用することができる。具体的には、洗浄やエッチングなどの基板表面処理装置及び基板表面処理方法に適用することができる。
さらに、上記の例では、同じ筐体21内に2つの塗布処理部11A、11Bと1つのレジスト供給部3とが設けられているが、例えば図22のような構成としてもよい。この例では、塗布処理部11A、11Bと同様に構成された塗布処理部11C、11Dがさらに筐体21内に設けられており、筐体21内で塗布処理部11A〜11Dは直線上に配列されている。そして、レジスト供給部3は2基設けられ、一方のレジスト供給部3の回動基体3は塗布処理部11A、11Bから等距離に設けられており、他方のレジスト供給部3の回動基体3は塗布処理部11C、11Dから等距離に設けられている。例えば、各塗布処理部11A〜11D上を、塗布処理部11A〜11Dで共用化されたレジスト供給ノズル101が通過する構成に比べると、レジスト供給ノズル101が、ウエハWを処理中のカップを跨いで、他のカップに移動することが無いので、前記ウエハWにレジストが落下することによる歩留りの低下が起きることが抑えられる。
図23にはさらに他のレジスト塗布装置の例を示している。このレジスト塗布装置では、塗布処理部11Aの周囲の空間161と、塗布処理部11Bの周囲の空間162と、レジスト供給部3の周囲の空間163とが互いに隔壁164により仕切られている。空間161と空間163との間には開口部165が形成されており、空間162と空間163との間には開口部166が形成されている。各開口部165、166には、これらの開口部165、166を開閉自在なシャッタ167、168が夫々設けられている。塗布処理部11AでウエハWに処理を行うときに、開口部165のシャッタ167が開き、アーム60が空間162に進入する。また、塗布処理部11BでウエハWに処理を行うときに開口部166のシャッタ168が開き、アーム60が空間163に進入する。
このように塗布処理部11A、11B処理を行う場合を除いて、シャッタ167、168は夫々閉じている。これによって、塗布処理部11A、11Bのうち、一方の雰囲気が他方の雰囲気に流れ込むことが抑えられる。このような構成は、一方の塗布処理部のカップの雰囲気が、他方の塗布処理部のカップに流れ込むと他方の塗布処理部での処理が影響を受ける場合に有効である。例えば、塗布処理部11A、11Bで異なるレジストを用い、各レジストの成分が互いに化学反応を起こして変質する場合には、このような構成とすることで、より確実に歩留りを抑えることができる。
上記の実施形態では純水によりプリウエットを行っているが、シンナーを使う場合も純水を使用する場合と同様に、ウエハWの中心に当該シンナーを供給する。また、プリウエット用の処理液としては、シンナーと水との混合液を用いてもよく、その場合例えばプリウエット用の処理液の供給源86、87に、シンナーや水の代わりに前記混合液を貯留し、ノズル82、83からウエハWに供給することができる。また、シンナー及び水のいずれか一方を先にノズルから吐出し、続いてウエハWに他方を前記ノズルから吐出してもよい。さらに、シンナー及び水を同時にウエハWの中心に供給して、これらの混合液をウエハWに供給できるようにノズル82、83をノズル保持部81に取り付けてもよい。
アーム60は、図24に示すように多関節アームとして構成してもよい。ただし、上記の各例のようにアーム60が各ガイド部材によりガイドされ、レジスト供給ノズル101の配置方向に水平移動すると共に各カップ15に向かう位置から前進移動するように構成されることで、装置の製造コストを低下させることができるので有効である。
また、図25に示すようにアーム60の前進方向にレジスト供給ノズル101を配置してもよい。スピンチャック12の回転中心Pと回動基体の回転中心Qを結ぶ線上にレジスト供給ノズル101が配置されている。また、プリウエット用のノズル82もこの線上に位置している。この場合、アームは昇降動作、前進動作のみでレジスト供給ノズル101をウエハW上に搬送して処理を行うことができる。従って、アーム60の水平移動機構を設けなくてもよいので製造コストの低下を図ることができる。
1 レジスト塗布装置
11A,11B 塗布処理部
12 スピンチャック
15 カップ
20 基板搬送機構
21 筐体
31 回動台
32 基台
42 水平移動部
60 アーム
61 アーム保持部
76 ノズル保持部
82 純水供給ノズル
83 シンナー供給ノズル
91 ノズル待機部
151 制御部

Claims (10)

  1. 互いに左右方向に設けられ、各々基板を水平に配置してノズルからの処理液により処理を行うための第1の処理領域及び第2の処理領域と、
    これら第1の処理領域及び第2の処理領域の並びに対して後方側に設けられ、鉛直軸周りに回動自在な回動基体と
    前記第1の処理領域及び第2の処理領域の外側にて待機した状態で前記回動基体に設けられ、前記第1の処理領域及び第2の処理領域に共用されると共に基板に夫々異なる処理液を供給するための複数の処理ノズルと、
    前記回動基体に設けられると共に進退自在なノズル保持部を備え、複数の処理ノズルから選択された処理ノズルを前記ノズル保持部により保持して、前記第1の処理領域及び第2の処理領域から選択された処理領域に搬送するノズル搬送機構と、
    前記回動基体に対してノズル保持部の進退方向における前方側に前記第1の処理領域及び第2の処理領域から選択された処理領域が対向するように回動基体を回動させる回動駆動部と、を備えたことを特徴とする液処理装置。
  2. 前記第1の処理領域における基板保持領域の中心及び前記第2の処理領域における基板保持領域の中心の各々から回動基体の回転中心までの距離が等しいことを特徴とする請求項1記載の液処理装置。
  3. 前記回動基体は、前記処理ノズルを待機させる待機部を備えていることを特徴とする請求項1または2に記載の液処理装置。
  4. 前記ノズル保持部の動作を制御する制御部が設けられ、
    第1の処理領域及び第2の処理領域は上側が開口したカップ内に設けられ、
    前記制御部は、前記カップ内へ基板が搬送されるまでに、当該カップの開口部の外縁へ処理ノズルを保持したノズル保持部を移動させた後、当該外縁で停止させるステップと、
    カップ内に基板が搬送された後に、前記基板上へノズル保持部を移動させるステップと、を実施することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の液処理装置。
  5. 前記複数の処理ノズルは、ノズル保持部の進退方向と直交する方向に配列され、
    前記ノズル保持部は、選択された処理ノズルに対応する位置に移動できるように、複数の処理ノズルの配列方向に移動自在に構成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の液処理装置。
  6. 前記ノズル保持部及び回動基体の動作を制御する制御部が設けられ、
    前記制御部は、
    ノズル保持部を複数の処理ノズルの配列方向に移動させて、ノズル保持部に処理ノズルを受け渡すステップと、
    処理ノズルを保持したノズル保持部の進行方向に前記第1の処理領域または前記第2の処理領域が位置するように回動基体を回動させるステップと、
    前記ノズル保持部を第1の処理領域または前記第2の処理領域に前進させるステップと、を実行することを特徴とする請求項5記載の液処理装置。
  7. 互いに左右方向に設けられ、ノズルからの処理液により処理を行うための第1の処理領域及び第2の処理領域に、各々基板を水平に配置する工程と、
    これら第1の処理領域及び第2の処理領域の並びに対して後方側に設けられた回動基体を鉛直軸周りに回動させる工程と、
    前記回動基体に設けられ、前記第1の処理領域及び第2の処理領域に共用される複数の処理ノズルを前記第1の処理領域及び第2の処理領域の外側にて待機させる工程と、
    各処理ノズルから基板に夫々異なる処理液を供給する工程と、
    前記回動基体に設けられると共に進退自在なノズル保持部を備え、複数の処理ノズルから選択された処理ノズルを前記ノズル保持部により保持する工程と、
    ノズル保持部を、ノズル搬送機構により前記第1の処理領域及び第2の処理領域から選択された処理領域に搬送する工程と、
    回動駆動部により、前記回動基体に対してノズル保持部の進退方向における前方側に前記第1の処理領域及び第2の処理領域から選択された処理領域が対向するように回動基体を回動させる工程と、
    を備えたことを特徴とする液処理方法。
  8. 第1の処理領域及び第2の処理領域は上側が開口したカップ内に設けられ、
    前記カップ内へ基板が搬送されるまでに、当該カップの開口部の外縁へ処理ノズルを保持したノズル保持部を移動させる工程と、
    当該開口部の外縁でノズル保持部を停止させる工程と、
    カップ内に基板が搬送された後に、前記基板上へノズル保持部を移動させる工程と、を備えることを特徴とする請求項7記載の液処理方法。
  9. 複数の処理ノズルは、ノズル保持部の進退方向と直交する方向に配列され、
    ノズル保持部を複数の処理ノズルの配列方向に移動させる工程と、
    ノズル保持部が処理ノズルを受け取る工程と、
    ノズルを保持したノズル保持部の進行方向に前記第1の処理領域または前記第2の処理領域が位置するように回動基体を回動させる工程と、
    処理ノズルが受け渡されたノズル保持部を第1の処理領域または前記第2の処理領域に前進させる工程と、
    を備えたことを特徴とする請求項7または8記載の液処理方法。
  10. 基板に対して液処理を行う液処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
    前記コンピュータプログラムは、請求項7ないし9のいずれか一項に記載の液処理方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
JP2010195840A 2010-09-01 2010-09-01 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 Active JP5251941B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010195840A JP5251941B2 (ja) 2010-09-01 2010-09-01 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
TW100129259A TWI423853B (zh) 2010-09-01 2011-08-16 液體處理裝置、液體處理方法及記憶媒體
US13/222,049 US9195138B2 (en) 2010-09-01 2011-08-31 Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium
KR1020110087686A KR101774368B1 (ko) 2010-09-01 2011-08-31 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체
CN201110264012.1A CN102386066B (zh) 2010-09-01 2011-09-01 液处理装置、液处理方法和存储介质
US14/919,869 US10168618B2 (en) 2010-09-01 2015-10-22 Liquid processing method and storage medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010195840A JP5251941B2 (ja) 2010-09-01 2010-09-01 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012054406A true JP2012054406A (ja) 2012-03-15
JP5251941B2 JP5251941B2 (ja) 2013-07-31

Family

ID=45697612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010195840A Active JP5251941B2 (ja) 2010-09-01 2010-09-01 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9195138B2 (ja)
JP (1) JP5251941B2 (ja)
KR (1) KR101774368B1 (ja)
CN (1) CN102386066B (ja)
TW (1) TWI423853B (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014036198A (ja) * 2012-08-10 2014-02-24 Toshiba Corp 塗布装置および塗布方法
JP2016106401A (ja) * 2015-12-25 2016-06-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP2016111132A (ja) * 2014-12-04 2016-06-20 東京エレクトロン株式会社 処理液供給管、処理液供給装置及び液処理装置
JP2017069548A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2017224653A (ja) * 2016-06-13 2017-12-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
US9899244B2 (en) 2013-06-12 2018-02-20 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
US10014190B2 (en) 2013-07-26 2018-07-03 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus
JP2021106214A (ja) * 2019-12-26 2021-07-26 株式会社荏原製作所 洗浄装置、研磨装置
JP2022145740A (ja) * 2021-11-02 2022-10-04 東京エレクトロン株式会社 液処理方法
US11948811B2 (en) 2019-12-26 2024-04-02 Ebara Corporation Cleaning apparatus and polishing apparatus

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150064621A1 (en) * 2013-08-30 2015-03-05 Semes Co., Ltd. Substrate treatment device and method of applying treatment solution
US9855579B2 (en) * 2014-02-12 2018-01-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Spin dispenser module substrate surface protection system
JP6981092B2 (ja) * 2017-08-10 2021-12-15 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP7055061B2 (ja) * 2018-05-01 2022-04-15 東京エレクトロン株式会社 温調機構及び液処理装置
JP7117923B2 (ja) * 2018-07-13 2022-08-15 株式会社Screenホールディングス 塗布処理装置および塗布処理方法
JP7365220B2 (ja) 2019-12-12 2023-10-19 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び処理液の温度調整方法
KR102677969B1 (ko) * 2020-12-30 2024-06-26 세메스 주식회사 노즐 대기 포트와 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 노즐 세정 방법
JP2022124070A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、および、筒状ガードの加工方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0831732A (ja) * 1994-07-18 1996-02-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置
JP2010034210A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Sokudo Co Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5416047A (en) * 1990-09-07 1995-05-16 Tokyo Electron Limited Method for applying process solution to substrates
TW285779B (ja) * 1994-08-08 1996-09-11 Tokyo Electron Co Ltd
TW442336B (en) * 1997-08-19 2001-06-23 Tokyo Electron Ltd Film forming method
US6805769B2 (en) * 2000-10-13 2004-10-19 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US6616762B2 (en) 2000-10-13 2003-09-09 Tokyo Electron Limited Treatment solution supply apparatus and treatment solution supply method
US7396412B2 (en) * 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
TWI343840B (en) * 2005-07-06 2011-06-21 Applied Materials Inc Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
KR100940136B1 (ko) * 2006-08-29 2010-02-03 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리방법 및 기판처리장치
JP4900117B2 (ja) * 2007-07-30 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP5369538B2 (ja) 2008-08-12 2013-12-18 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法並びに記憶媒体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0831732A (ja) * 1994-07-18 1996-02-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置
JP2010034210A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Sokudo Co Ltd 基板処理装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014036198A (ja) * 2012-08-10 2014-02-24 Toshiba Corp 塗布装置および塗布方法
US9899244B2 (en) 2013-06-12 2018-02-20 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
US10014190B2 (en) 2013-07-26 2018-07-03 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus
US11031261B2 (en) 2013-07-26 2021-06-08 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus
JP2016111132A (ja) * 2014-12-04 2016-06-20 東京エレクトロン株式会社 処理液供給管、処理液供給装置及び液処理装置
JP2017069548A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2016106401A (ja) * 2015-12-25 2016-06-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP2017224653A (ja) * 2016-06-13 2017-12-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP2021106214A (ja) * 2019-12-26 2021-07-26 株式会社荏原製作所 洗浄装置、研磨装置
JP7450386B2 (ja) 2019-12-26 2024-03-15 株式会社荏原製作所 洗浄装置、研磨装置
US11948811B2 (en) 2019-12-26 2024-04-02 Ebara Corporation Cleaning apparatus and polishing apparatus
JP2022145740A (ja) * 2021-11-02 2022-10-04 東京エレクトロン株式会社 液処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10168618B2 (en) 2019-01-01
US20160054653A1 (en) 2016-02-25
TWI423853B (zh) 2014-01-21
US20120052190A1 (en) 2012-03-01
KR20120025413A (ko) 2012-03-15
TW201244830A (en) 2012-11-16
JP5251941B2 (ja) 2013-07-31
CN102386066A (zh) 2012-03-21
CN102386066B (zh) 2015-05-27
KR101774368B1 (ko) 2017-09-04
US9195138B2 (en) 2015-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5251941B2 (ja) 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
KR102502045B1 (ko) 기판 처리 장치
JP5454407B2 (ja) 液処理装置及び液処理方法
CN109037111B (zh) 基板处理装置
JP5867462B2 (ja) 液処理装置
JP4985998B2 (ja) 基板処理装置及び方法
KR20160047394A (ko) 기판 액처리 장치
TWI632634B (zh) 基板液體處理裝置
JP2018014470A (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
US9625821B2 (en) Developing apparatus
TWI764683B (zh) 基板處理裝置
US10916456B2 (en) Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method
TWI423854B (zh) Liquid treatment device
KR20100059437A (ko) 노즐 및 이를 갖는 기판 처리 장치
JP5323775B2 (ja) 基板処理装置
TWI635554B (zh) 基板處理方法
JP6123880B2 (ja) 液処理装置
JP2001274082A (ja) 現像処理方法及び現像処理装置
TWI819538B (zh) 基板處理設備及基板處理方法
WO2021112022A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20010107683A (ko) 처리액토출장치
JP2023039429A (ja) 液供給装置及び基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120824

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130115

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130122

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130215

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130319

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130401

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5251941

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160426

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250