JP2012039283A - 電力増幅器 - Google Patents
電力増幅器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012039283A JP2012039283A JP2010176230A JP2010176230A JP2012039283A JP 2012039283 A JP2012039283 A JP 2012039283A JP 2010176230 A JP2010176230 A JP 2010176230A JP 2010176230 A JP2010176230 A JP 2010176230A JP 2012039283 A JP2012039283 A JP 2012039283A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- terminal
- collector
- transistor
- logic circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 50
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 13
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 101100484930 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) VPS41 gene Proteins 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3205—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in field-effect transistor amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/378—A variable capacitor being added in the output circuit, e.g. collector, drain, of an amplifier stage
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/408—Indexing scheme relating to amplifiers the output amplifying stage of an amplifier comprising three power stages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Transmitters (AREA)
Abstract
【解決手段】電力増幅器は、増幅用トランジスタRFTr1,RFTr2と、増幅用トランジスタRFTr1,RFTr2にバイアス電流を供給するバイアス回路10と、増幅用トランジスタRFTr1,RFTr2のコレクタに接続されたコレクタ電圧端子Vcとを備える。バイアス回路10は、増幅用トランジスタRFTr1,RFTr2に参照電圧に応じたバイアス電流を供給するトランジスタTr1と、トランジスタTr1のコレクタと接地点との間に接続された可変容量18と、可変容量18の容量値を制御するロジック回路20とを有する。ロジック回路20は、コレクタ電圧端子Vcに印加されたコレクタ電圧が所定電圧より高い場合に、コレクタ電圧が所定電圧以下の場合よりも可変容量18の容量値を大きくする。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る電力増幅器を示す図である。増幅用トランジスタRFTr1,RFTr2は、電力増幅用のヘテロ接合バイポーラトランジスタであり、それぞれ初段、終段トランジスタである。バイアス回路10は、増幅用トランジスタRFTr1,RFTr2にバイアス電流を供給する。増幅用トランジスタRFTr1,RFTr2のコレクタは、それぞれインダクタL1,L2を介してコレクタ電圧端子Vcに接続されている。
本発明の実施の形態2に係る電力増幅器は、実施の形態1とはバイアス回路の構成が異なる。図5は、本発明の実施の形態2に係るバイアス回路を示す図である。実施の形態2のバイアス回路では、実施の形態1の可変容量18及び抵抗R2の代わりに、電源端子VcbとトランジスタTr1のコレクタとの間に可変抵抗22が接続されている。可変抵抗22は、並列接続された抵抗R9,R10と、抵抗R10に直列接続されたトランジスタFET1とを有する。また、実施の形態2のロジック回路20には、実施の形態1のトランジスタTr3及び抵抗R8が無い。
図6は、本発明の実施の形態3に係る電力増幅器を示す図である。実施の形態1の段間整合回路14の代わりに増幅用トランジスタRFTr1と増幅用トランジスタRFTr2との間に可変容量24が設けられ、この可変容量24の容量値を制御するロジック回路20が設けられている。
図8は、本発明の実施の形態4に係る電力増幅器を示す図である。実施の形態1の出力整合回路16の代わりに増幅用トランジスタRFTr2と出力端子OUTとの間に可変容量24が設けられ、この可変容量24の容量値を制御するロジック回路20が設けられている。
18,24 可変容量
20 ロジック回路
22 可変抵抗
D1 ダイオード
RFTr1,RFTr2 増幅用トランジスタ
Tr1 トランジスタ
Vc コレクタ電圧端子
Vcb 電源端子
Vref 参照電圧端子
Claims (4)
- 増幅用トランジスタと、
前記増幅用トランジスタにバイアス電流を供給するバイアス回路と、
前記増幅用トランジスタのコレクタに接続されたコレクタ電圧端子とを備え、
前記バイアス回路は、
参照電圧が入力される参照電圧端子と、
電源に接続される電源端子と、
前記参照電圧端子に接続された制御端子と、前記電源端子に接続された第1端子と、接地された第2端子とを持ち、前記増幅用トランジスタに前記参照電圧に応じたバイアス電流を供給するトランジスタと、
前記トランジスタの前記第1端子と接地点との間に接続された可変容量と、
前記可変容量の容量値を制御するロジック回路とを有し、
前記ロジック回路は、前記コレクタ電圧端子に印加されたコレクタ電圧が所定電圧より高い場合に、前記コレクタ電圧が所定電圧以下の場合よりも前記可変容量の容量値を大きくすることを特徴とする電力増幅器。 - 前記ロジック回路は、前記コレクタ電圧端子に印加されたコレクタ電圧が所定電圧より高い場合にHigh電圧を出力し、前記コレクタ電圧が所定電圧以下の場合にLow電圧を出力し、
前記可変容量は、接地されたアノードと、前記ロジック回路の出力及び前記トランジスタの前記第1端子に接続されたカソードとを持つダイオードを有することを特徴とする請求項1に記載の電力増幅器。 - 増幅用トランジスタと、
前記増幅用トランジスタにバイアス電流を供給するバイアス回路と、
前記増幅用トランジスタのコレクタに接続されたコレクタ電圧端子とを備え、
前記バイアス回路は、
参照電圧が入力される参照電圧端子と、
電源に接続される電源端子と、
前記参照電圧端子に接続された制御端子と、前記電源端子に接続された第1端子と、接地された第2端子とを持ち、前記増幅用トランジスタに前記参照電圧に応じたバイアス電流を供給するトランジスタと、
前記電源端子と前記トランジスタの前記第1端子との間に接続された可変抵抗と、
前記可変抵抗の抵抗値を制御するロジック回路とを有し、
前記ロジック回路は、前記コレクタ電圧端子に印加されたコレクタ電圧が所定電圧より高い場合に、前記コレクタ電圧が所定電圧以下の場合よりも前記可変抵抗の抵抗値を高くすることを特徴とする電力増幅器。 - 増幅用トランジスタと、
前記増幅用トランジスタにバイアス電流を供給するバイアス回路と、
前記増幅用トランジスタのコレクタに接続されたコレクタ電圧端子と、
前記増幅用トランジスタの出力と接地点との間に接続された可変容量と、
前記可変容量の容量値を制御するロジック回路とを有し、
前記ロジック回路は、前記コレクタ電圧端子に印加されたコレクタ電圧が所定電圧より高い場合に、前記コレクタ電圧が所定電圧以下の場合よりも前記可変容量の容量値を小さくすることを特徴とする電力増幅器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010176230A JP5488319B2 (ja) | 2010-08-05 | 2010-08-05 | 電力増幅器 |
US13/082,431 US8237508B2 (en) | 2010-08-05 | 2011-04-08 | Power amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010176230A JP5488319B2 (ja) | 2010-08-05 | 2010-08-05 | 電力増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012039283A true JP2012039283A (ja) | 2012-02-23 |
JP5488319B2 JP5488319B2 (ja) | 2014-05-14 |
Family
ID=45555716
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010176230A Active JP5488319B2 (ja) | 2010-08-05 | 2010-08-05 | 電力増幅器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8237508B2 (ja) |
JP (1) | JP5488319B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6355330B2 (ja) * | 2013-12-24 | 2018-07-11 | キヤノン株式会社 | ネットワークデバイス、ネットワークデバイスの制御方法およびそのプログラム |
US11196391B2 (en) * | 2019-07-31 | 2021-12-07 | Nxp Usa, Inc. | Temperature compensation circuit and temperature compensated amplifier circuit |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004274433A (ja) | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波集積回路装置 |
JP4330549B2 (ja) | 2005-04-19 | 2009-09-16 | パナソニック株式会社 | 高周波電力増幅装置 |
JP4770344B2 (ja) | 2005-09-12 | 2011-09-14 | 三菱電機株式会社 | 電力増幅器 |
KR100930200B1 (ko) * | 2007-03-29 | 2009-12-07 | 삼성전기주식회사 | 선형화기를 구비한 전력 증폭기 |
-
2010
- 2010-08-05 JP JP2010176230A patent/JP5488319B2/ja active Active
-
2011
- 2011-04-08 US US13/082,431 patent/US8237508B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8237508B2 (en) | 2012-08-07 |
JP5488319B2 (ja) | 2014-05-14 |
US20120032744A1 (en) | 2012-02-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101043202B (zh) | 高频功率放大器 | |
US6753734B2 (en) | Multi-mode amplifier bias circuit | |
JP5165050B2 (ja) | 高周波増幅器 | |
JP4330549B2 (ja) | 高周波電力増幅装置 | |
US7486133B2 (en) | Transmitting output stage with adjustable output power and process for amplifying a signal in a transmitting output stage | |
JP2010124433A (ja) | 高周波電力増幅器 | |
JP6680235B2 (ja) | 電力増幅回路および高周波モジュール | |
JP2007116694A (ja) | 高効率混合モード電力増幅器 | |
JP2017225104A (ja) | 電力増幅回路 | |
KR101300324B1 (ko) | 전력 증폭기 | |
US8686795B2 (en) | Power amplifier | |
JP2020072468A (ja) | 電力増幅モジュール | |
US8704600B2 (en) | Power amplifier | |
JP5673361B2 (ja) | 電力増幅器 | |
JP2010516214A (ja) | 再構成可能なパワーアンプおよび移動電話通信の多標準増幅段での使用 | |
JP2010206545A (ja) | 高効率増幅器および増幅方法 | |
JPH11220338A (ja) | 高周波電力増幅器 | |
JP5488319B2 (ja) | 電力増幅器 | |
KR102221543B1 (ko) | 전력 증폭 회로 | |
CN110518883B (zh) | 功率放大电路 | |
EP1573901A1 (en) | Amplifier circuit having an extended wilson current-mirror self-bias boosting circuit | |
US7400201B2 (en) | Apparatus and method for reducing drain modulation of high power transistor | |
JP2012138677A (ja) | 高周波電力増幅器 | |
KR20130061614A (ko) | 전력 증폭기 | |
KR20030089950A (ko) | 역방향 다이오드를 이용한 전치 왜곡형 선형 전력 증폭기 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130612 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131210 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5488319 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |