JP2012033864A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012033864A JP2012033864A JP2011054368A JP2011054368A JP2012033864A JP 2012033864 A JP2012033864 A JP 2012033864A JP 2011054368 A JP2011054368 A JP 2011054368A JP 2011054368 A JP2011054368 A JP 2011054368A JP 2012033864 A JP2012033864 A JP 2012033864A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- unit
- connection
- terminal
- semiconductor device
- resin mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
- H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
- H01L23/4012—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws for stacked arrangements of a plurality of semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/11—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/117—Stacked arrangements of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
- H01L2224/331—Disposition
- H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
- H01L2224/33181—On opposite sides of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】複数のユニット10を積層したときに、各ユニット10に備えたパワー端子15の接続部15bが隣接するユニット10のパワー端子15の接続部15bに電気的に接続されるようにする。各ユニット10に備えたパワー端子15の接続部15bに突起部15cおよび凹部15dを備えた構造とし、かつ、各ユニット10のパワー端子15を同じ位置に配置する。これにより、複数のユニット10を積層したときに、各ユニット10に備えたパワー端子15の接続部15bが隣接するユニット10のパワー端子15の接続部15bの凹部15dに嵌まり込み、電気的に接続されるようにできる。
【選択図】図1
Description
本発明の第1実施形態にかかる冷却機構を備えた半導体装置について説明する。この半導体装置は、例えば車両用の三相モータの駆動を行うためのインバータ等に適用される。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置1は、第1実施形態に対してパワー端子15の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なっている部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置1は、第1実施形態に対してパワー端子15の構成およびボルト43による固定構造を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なっている部分についてのみ説明する。
上記第3実施形態のようにボルト43が嵌め込まれるボルト穴をパワー端子15の接続部15bの中空部によって構成する場合に、ボルト43と終端接続部41cとの電気的な接続もしくはパワー端子15の接続部15bとの電気的な接続が十分に行えない可能性もある。この場合、図7に示す構造を採用することもできる。
本発明の第4実施形態について説明する。ここでは、本発明の一実施形態を2つの半導体パワー素子を樹脂モールドした2in1構造のユニット10を積層した半導体装置1に対して適用した場合について説明する。
本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置1は、第1実施形態に対してパワー端子15の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なっている部分についてのみ説明する。
本発明の第6実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置1も、第1実施形態に対してパワー端子15の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なっている部分についてのみ説明する。
(1)上記第1実施形態では、ボルト43によって複数のユニット10の積層体と蓋部40およびパイプ付蓋部41を固定する場合について説明したが、ボルト43によらない他の固定方法を適用しても良い。例えば、両端がフックとされた固定具を用い、両端のフックの間の間隔が蓋部40と複数個のユニット10およびパイプ付蓋部41を積層したときの幅よりも狭くなるようにしておくことで、両フックの弾性力によって固定することもできる。
10 ユニット
11、12 半導体チップ
13、14 ヒートスプレッダ
15 パワー端子
15a 引出部
15b 接続部
15c 突起部
15d 凹部
16 負極端子
17 制御端子
20 樹脂モールド部
20f 端子挿入口
30 水路
40 蓋部
41 パイプ付蓋部
43 ボルト
Claims (9)
- 一面およびその反対面を有し、半導体パワー素子が形成された半導体チップ(11、12)と、
前記半導体チップ(11、12)の一面側に接続される第1ヒートスプレッダ(13)と、
前記半導体チップ(11、12)の反対面側に接続される第2ヒートスプレッダ(14)と、
前記半導体パワー素子に電気的に接続される端子(15〜17)と、
前記半導体パワー素子に電気的に接続された前記端子(15〜17)の一部を露出させると共に、前記第1、第2ヒートスプレッダ(13、14)のうち前記半導体チップ(11、12)と反対側の面を露出させつつ、前記半導体チップ(11、12)、前記第1、第2ヒートスプレッダ(13、14)および前記端子(15〜17)を覆い、かつ、冷媒が流される冷媒通路(30)の一部を構成する板状の樹脂モールド部(20)と、を有し、
前記半導体チップ(11、12)、前記第1、第2ヒートスプレッダ(13、14)、前記端子(15〜17)を前記樹脂モールド部(20)にてモールド化したものを1つのユニット(10)として、該ユニット(10)を複数個積層した積層体の両端を蓋部(40、41)にて挟んだ状態で固定した半導体装置であって、
前記端子(15〜17)には、前記半導体パワー素子に対して電流を流すための端子(15)が含まれ、該電流を流すための端子(15)は、前記第1ヒートスプレッダ(13)に接続される引出部(15a)と、前記引出部(15a)に接続されると共に板状とされた前記樹脂モールド部(20)の表裏において電気的な接続を行うための接続部(15b)とを有した構成とされており、
前記ユニット(10)が複数個積層されることにより、隣り合う前記ユニット(10)に備えられた前記電流を流すための端子(15)の前記接続部(15b)同士が、前記樹脂モールド部(20)の表裏を貫通して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記接続部(15b)は、前記樹脂モールド(20)の表裏を貫通する部材で構成されており、一端が前記樹脂モールド部(20)から突き出した突起部(15c)とされていると共に、他端が前記突起部(15c)と対応する形状の凹部(15d)とされており、
前記接続部(15b)に備えられた前記突起部(15c)が隣り合う前記ユニット(10)の前記電流を流すための端子(15)に備えられた前記接続部(15b)の前記凹部(15d)内に嵌まり込むことで、隣り合う前記ユニット(10)に備えられた前記電流を流すための端子(15)の前記接続部(15b)同士が電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記電流を流すための端子(15)は平型端子にて構成されており、
前記接続部(15b)の先端が前記樹脂モールド(20)の一面側から突き出していると共に、前記樹脂モールド部(20)の反対面側における前記接続部(15b)と対応する位置に端子挿入口(20f)が形成されており、
前記接続部(15b)の先端が隣り合う前記ユニット(10)の前記電流を流すための端子(15)に備えられた前記端子挿入口(20f)内に嵌まり込むことで、隣り合う前記ユニット(10)に備えられた前記電流を流すための端子(15)の前記接続部(15b)同士が電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ユニット(10)の積層体における各ユニット(10)の間は、前記冷媒通路(30)を囲むシール部(42)によってシールされており、
前記接続部(15b)は、前記シール部(42)の外側に配置されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記接続部(15b)は、前記冷媒通路(30)内を通過するように配置され、該接続部(15b)のうち少なくとも前記樹脂モールド部(20)から露出している部分の外周面は絶縁部材(15e、15g)によって覆われており、前記接続部(15b)と前記冷媒通路(30)内の冷媒とが絶縁されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記接続部(15b)のうち前記樹脂モールド部(20)から露出している部分の外周面は前記絶縁部材を構成する絶縁筒(15g)によって囲まれており、該絶縁筒(15g)の両先端にシール部材(15f)が備えられることで、前記接続部(15b)のうち前記樹脂モールド部(20)に覆われていない部分を前記冷媒通路(30)から隔離し、前記接続部(15b)と前記冷媒通路(30)との間のシール性が前記絶縁筒(15g)および前記シール部材(15f)によって確保されていることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記シール部は、リング状のシール部材(42)であり、
前記ユニット(10)の積層体と前記蓋部(40、41)との固定は、前記ユニット(10)の積層体の両側から前記蓋部(40、41)にて挟み込む固定具(43)にて行われていることを特徴とする請求項4ないし6のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記ユニット(10)の積層体と前記蓋部(40、41)との固定は、前記ユニット(10)の積層体の両側から前記蓋部(40、41)にて挟み込むボルト(43)にて行われており、
前記接続部(15b)は、前記樹脂モールド(20)の表裏を貫通する中空部を有する筒状部材で構成され、
前記ボルト(43)が前記接続部(15b)の中空部内に嵌め込まれることで、前記ユニット(10)の積層体と前記蓋部(40、41)との固定が行われると共に、前記ボルト(43)と前記ユニット(10)それぞれの前記電流を流すための端子(15)に備えられた前記接続部(15b)との電気的接続が行われていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ボルト(43)の周囲を囲む筒状金属部材(43a)が配置されており、前記ボルト(43)を締めることによって前記筒状金属部材(43a)の径が拡大されることで、前記ユニット(10)それぞれの前記電流を流すための端子(15)に備えられた前記接続部(15b)の内面と前記ボルト(43)との電気的接続が行われていることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011054368A JP5115632B2 (ja) | 2010-06-30 | 2011-03-11 | 半導体装置 |
CN201110189350.3A CN102315184B (zh) | 2010-06-30 | 2011-06-30 | 半导体器件 |
US13/173,347 US8421235B2 (en) | 2010-06-30 | 2011-06-30 | Semiconductor device with heat spreaders |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010149671 | 2010-06-30 | ||
JP2010149671 | 2010-06-30 | ||
JP2011054368A JP5115632B2 (ja) | 2010-06-30 | 2011-03-11 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012033864A true JP2012033864A (ja) | 2012-02-16 |
JP5115632B2 JP5115632B2 (ja) | 2013-01-09 |
Family
ID=45399103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011054368A Expired - Fee Related JP5115632B2 (ja) | 2010-06-30 | 2011-03-11 | 半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8421235B2 (ja) |
JP (1) | JP5115632B2 (ja) |
CN (1) | CN102315184B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013222974A (ja) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | モジュール方式のパワー半導体モジュールおよび少なくとも1つのコンデンサ装置を有する液冷機器ならびにそのためのパワー半導体モジュール |
JP2015082869A (ja) * | 2013-10-21 | 2015-04-27 | トヨタ自動車株式会社 | 車載電子装置 |
JP2015188076A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-29 | ゼミクロン エレクトローニク ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー | パワー半導体装置 |
JP2015213143A (ja) * | 2014-04-15 | 2015-11-26 | トヨタ自動車株式会社 | 電力変換器とその製造方法 |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5115595B2 (ja) * | 2010-06-23 | 2013-01-09 | 株式会社デンソー | 半導体モジュールの製造方法 |
JP5382049B2 (ja) | 2010-06-30 | 2014-01-08 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
KR101409622B1 (ko) * | 2011-12-16 | 2014-06-19 | 삼성전기주식회사 | 반도체 패키지 |
CN103999213A (zh) * | 2011-12-20 | 2014-08-20 | 丰田自动车株式会社 | 半导体模块 |
JP5813137B2 (ja) * | 2011-12-26 | 2015-11-17 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置及びその製造方法 |
CN103367278B (zh) * | 2012-03-26 | 2016-12-14 | 南京皓赛米电力科技有限公司 | 带固定装置双面水冷的半导体器件三维堆叠封装结构 |
DE102012206264A1 (de) * | 2012-04-17 | 2013-10-17 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Anreihbares flüssigkeitsgekühltes Leistungshalbleitermodul und Anordnung hiermit |
JP5655846B2 (ja) * | 2012-12-04 | 2015-01-21 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
US9261924B2 (en) * | 2013-09-05 | 2016-02-16 | Dell Inc. | Heat pipe assemblies |
JP6044559B2 (ja) * | 2014-02-05 | 2016-12-14 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
US10123465B2 (en) * | 2015-04-15 | 2018-11-06 | Ford Global Technologies, Llc | Power-module assembly |
US9941234B2 (en) | 2015-05-28 | 2018-04-10 | Ut-Battelle, Llc | Integrated packaging of multiple double sided cooling planar bond power modules |
US10136557B2 (en) * | 2015-12-04 | 2018-11-20 | General Electric Company | Thermal management systems and methods for heat generating electronics |
US9818726B2 (en) * | 2015-12-28 | 2017-11-14 | International Business Machines Corporation | Chip stack cooling structure |
US10017073B2 (en) * | 2016-03-09 | 2018-07-10 | Ford Global Technologies, Llc | Coolant channels for power module assemblies |
US9961808B2 (en) | 2016-03-09 | 2018-05-01 | Ford Global Technologies, Llc | Power electronics system |
US9950628B2 (en) | 2016-03-09 | 2018-04-24 | Ford Global Technologies, Llc | Power-module assembly with dummy module |
WO2018001983A1 (en) | 2016-06-28 | 2018-01-04 | Abb Schweiz Ag | Cooled electronics package with stacked power electronics components |
JP6279054B1 (ja) * | 2016-11-04 | 2018-02-14 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
DE102018203231A1 (de) | 2017-03-06 | 2018-09-06 | Dana Canada Corporation | Wärmetauscher zum kühlen mehrerer schichten aus elektronischen modulen |
US10178800B2 (en) * | 2017-03-30 | 2019-01-08 | Honeywell International Inc. | Support structure for electronics having fluid passageway for convective heat transfer |
US10607919B2 (en) * | 2017-04-28 | 2020-03-31 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor package having junction cooling pipes embedded in substrates |
DE102017208925A1 (de) * | 2017-05-29 | 2018-11-29 | Zf Friedrichshafen Ag | Power Electronic Packaging |
KR102325110B1 (ko) * | 2017-05-31 | 2021-11-11 | 한온시스템 주식회사 | 전기소자 냉각용 열교환기 |
CN109216291B (zh) * | 2017-06-29 | 2022-06-21 | 比亚迪半导体股份有限公司 | 用于功率模块的散热器和具有其的车辆 |
WO2019037904A1 (de) * | 2017-08-21 | 2019-02-28 | Zf Friedrichshafen Ag | Leistungsmodul mit kühlplatten |
DE102017214486A1 (de) * | 2017-08-21 | 2019-02-21 | Zf Friedrichshafen Ag | Stapelbares Kühlkörpermodul |
US10515908B2 (en) * | 2017-10-31 | 2019-12-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Seal ring for bonded dies |
FR3074011B1 (fr) * | 2017-11-21 | 2019-12-20 | Safran Electronics & Defense | Module electrique de puissance |
US10314207B1 (en) * | 2018-01-15 | 2019-06-04 | Ford Global Technologies, Llc | Power module assembly for a vehicle power inverter |
JP2019134647A (ja) * | 2018-02-02 | 2019-08-08 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体装置 |
JP6457678B1 (ja) * | 2018-03-19 | 2019-01-23 | 株式会社ケーヒン | 電力変換装置 |
JP6973256B2 (ja) * | 2018-04-12 | 2021-11-24 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP7159620B2 (ja) * | 2018-05-30 | 2022-10-25 | 富士電機株式会社 | 半導体装置、冷却モジュール、電力変換装置及び電動車両 |
US11317546B2 (en) * | 2018-06-26 | 2022-04-26 | Ford Global Technologies, Llc | Vehicle power module assembly |
US10720372B2 (en) * | 2018-10-26 | 2020-07-21 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Conduction cooling for circuit boards |
US10763186B2 (en) | 2018-12-31 | 2020-09-01 | Micron Technology, Inc. | Package cooling by coil cavity |
JP7135930B2 (ja) * | 2019-02-20 | 2022-09-13 | 株式会社デンソー | 半導体モジュールとそれを用いた電力変換装置 |
CN110246835B (zh) * | 2019-05-22 | 2020-08-18 | 西安交通大学 | 一种三维集成高压碳化硅模块封装结构 |
CN110459511A (zh) * | 2019-07-08 | 2019-11-15 | 南通沃特光电科技有限公司 | 一种半导体器件叠置封装结构及其封装方法 |
EP3833171B1 (en) * | 2019-12-06 | 2023-12-27 | Delta Electronics, Inc. | Cooling system for power modules |
US11404351B2 (en) * | 2020-04-21 | 2022-08-02 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Chip-on-chip power card with embedded direct liquid cooling |
CN112151666B (zh) * | 2020-09-28 | 2021-11-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
CN117751447A (zh) * | 2021-07-29 | 2024-03-22 | 华为技术有限公司 | 半导体装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04121980A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-22 | Nec Corp | ソケット |
JPH07169909A (ja) * | 1993-12-06 | 1995-07-04 | Hitachi Ltd | 高集積回路 |
JPH1168024A (ja) * | 1997-08-13 | 1999-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路パッケージおよびシステム |
JP2006165534A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-22 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2007258458A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Toyota Motor Corp | 冷却器 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04225310A (ja) | 1990-12-27 | 1992-08-14 | Toomee:Kk | レーザ光切替装置 |
JP2642548B2 (ja) | 1991-09-26 | 1997-08-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3271494B2 (ja) * | 1995-10-24 | 2002-04-02 | 松下電器産業株式会社 | 積層密閉形アルカリ蓄電池 |
JP2792494B2 (ja) | 1996-01-17 | 1998-09-03 | 日本電気株式会社 | 集積回路の実装構造 |
JPH10107205A (ja) | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Hitachi Ltd | 積層半導体モジュール |
JPH10270634A (ja) | 1997-03-24 | 1998-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | メモリモジュール |
WO1998043301A1 (en) * | 1997-03-26 | 1998-10-01 | Hitachi, Ltd. | Flat semiconductor device and power converter employing the same |
EP2234154B1 (en) * | 2000-04-19 | 2016-03-30 | Denso Corporation | Coolant cooled type semiconductor device |
JP4628687B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2011-02-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP2006073683A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Sony Corp | 回路デバイス及び回路デバイスの製造方法 |
US8125781B2 (en) | 2004-11-11 | 2012-02-28 | Denso Corporation | Semiconductor device |
KR100696681B1 (ko) * | 2005-07-05 | 2007-03-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 스택 및 이를 포함하는 연료 전지 장치 |
JP4979909B2 (ja) * | 2005-08-19 | 2012-07-18 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置 |
JP2008227131A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US7965508B2 (en) * | 2007-03-27 | 2011-06-21 | Denso Corporation | Cooling device for electronic component and power converter equipped with the same |
-
2011
- 2011-03-11 JP JP2011054368A patent/JP5115632B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-30 CN CN201110189350.3A patent/CN102315184B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-30 US US13/173,347 patent/US8421235B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04121980A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-22 | Nec Corp | ソケット |
JPH07169909A (ja) * | 1993-12-06 | 1995-07-04 | Hitachi Ltd | 高集積回路 |
JPH1168024A (ja) * | 1997-08-13 | 1999-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路パッケージおよびシステム |
JP2006165534A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-22 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2007258458A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Toyota Motor Corp | 冷却器 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013222974A (ja) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | モジュール方式のパワー半導体モジュールおよび少なくとも1つのコンデンサ装置を有する液冷機器ならびにそのためのパワー半導体モジュール |
JP2015082869A (ja) * | 2013-10-21 | 2015-04-27 | トヨタ自動車株式会社 | 車載電子装置 |
US9728488B2 (en) | 2013-10-21 | 2017-08-08 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Onboard electronic device |
JP2015188076A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-29 | ゼミクロン エレクトローニク ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー | パワー半導体装置 |
JP2015213143A (ja) * | 2014-04-15 | 2015-11-26 | トヨタ自動車株式会社 | 電力変換器とその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102315184A (zh) | 2012-01-11 |
US20120001341A1 (en) | 2012-01-05 |
US8421235B2 (en) | 2013-04-16 |
CN102315184B (zh) | 2014-05-21 |
JP5115632B2 (ja) | 2013-01-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5115632B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6237912B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
US9693488B2 (en) | Electronic assembly with one or more heat sinks | |
US9860987B2 (en) | Electronic assembly with one or more heat sinks | |
US8441117B2 (en) | Semiconductor device | |
US7848104B2 (en) | Power module | |
US8946882B2 (en) | Semiconductor module and semiconductor device | |
CN103339724A (zh) | 功率半导体模块 | |
JP2012033872A (ja) | 半導体装置 | |
WO2010090326A1 (ja) | 半導体装置の冷却構造及びその冷却構造を備えた電力変換装置 | |
TW201533857A (zh) | 半導體裝置 | |
JP2012004543A (ja) | 半導体ユニットおよびそれを用いた半導体装置 | |
JP2019046899A (ja) | 電子装置 | |
JP2009071064A (ja) | 半導体装置 | |
JP2013507760A (ja) | 自動車のための電力モジュール | |
US11232994B2 (en) | Power semiconductor device having a distance regulation portion and power conversion apparatus including the same | |
JP4403166B2 (ja) | パワーモジュールおよび電力変換装置 | |
JP2012010540A (ja) | 電力変換装置 | |
KR101388779B1 (ko) | 반도체 패키지 모듈 | |
JP2012005191A (ja) | 電力変換装置 | |
JP7218677B2 (ja) | 基板構造体 | |
JP2017060292A (ja) | 電力変換装置 | |
JP7118204B1 (ja) | 半導体装置 | |
JP4952555B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3995618B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120907 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120918 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121001 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5115632 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151026 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |