CN112151666B - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本文公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括：衬底基板和设置于衬底基板上的散热结构层和像素单元，散热结构层包括导流通道和储液槽以及冷却液，显示基板包括显示区域和位于显示区域***的周边区域，像素单元位于显示区域，导流通道环绕像素单元，储液槽位于周边区域并与导流通道连通，冷却液填充于导流通道和储液槽内。本文通过设置散热结构层，散热结构层的导流通道环绕像素单元，导流通道内的冷却液能够冷却像素单元，相比于导热片的散热方式，该方式具有更高的导热效率，可以降低显示区域的温度，进而提升了像素单元的使用寿命。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域，更具体地，涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
光致量子点(Quantum Dot，QD)发光材料加Micro LED的组合是一种非常理想的量子点显示结构，这种结构能够带来极好的亮度和色域。目前，由于Micro LED在使用过程中会产生大量的热量，如果这些热量不能及时扩散，就会导致QD发光材料温度升高，降低QD发光材料的使用寿命，严重的造成失效。虽然通过金属条等导热结构能够部分缓解上述问题，但是由于导热位置固定，导热效果较差。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，可以有效降低显示基板显示区域的温度。
本公开示例性实施例提供了一种显示基板，包括：衬底基板和设置于衬底基板上的散热结构层和像素单元，散热结构层包括导流通道和储液槽以及冷却液，显示基板包括显示区域和位于显示区域***的周边区域，像素单元位于显示区域，导流通道环绕像素单元，储液槽位于周边区域并与导流通道连通，冷却液填充于导流通道和储液槽内。
在一些示例性实施例中，散热结构层包括沿第一方向延伸并沿第二方向排列的多个散热区，至少一个散热区包括沿第一方向排列的多个散热单元和沿第一方向延伸的第一导流壁，散热单元位于显示区域，散热单元包括第一围壁和第二围壁，第一围壁围成像素开口，第二围壁围设于第一围壁的外侧并且端部间隔形成过流口，第一导流壁与过流口相对设置，导流通道包括第一围壁与第二围壁之间形成的第一导流通道和多个散热单元与显示区域的第一导流壁之间形成的第二导流通道，第一导流通道和第二导流通道通过过流口连通，第二导流通道与储液槽连通，像素单元设置于像素开口内，其中，第一方向与第二方向相交。
在一些示例性实施例中，散热单元还包括设置于第一围壁内的第一驱动电极和设置于第二围壁内的第二驱动电极，第一驱动电极和第二驱动电极设置为在被施加相反电压后带动第一围壁和/或第二围壁挤压第一导流通道。
在一些示例性实施例中，第一驱动电极包括沿着第一围壁周向设置的多条子驱动电极，多条子驱动电极设置为沿着顺时针或者逆时针方向被依次施加电压。
在一些示例性实施例中，第一围壁包括沿第一方向延伸并沿第二方向间隔设置的第一子围壁和第二子围壁以及沿第二方向延伸并沿第一方向间隔设置第三子围壁和第四子围壁，第一子围壁、第二子围壁、第三子围壁和第四子围壁围成像素开口，第二围壁围设于第二子围壁、第三子围和第四子围壁的外侧，第一子围壁与第一导流壁相邻，多条子驱动电极包括设置于第三子围壁内的第一子驱动电极、设置于第二子围壁内的第二子驱动电极和设置于第四子围壁内的第三子驱动电极，同一散热区的多个散热单元的第一子驱动电极通过引线引出到周边区域的第一连接端，多个散热单元的的第二子驱动电极通过引线引出到周边区域的第二连接端，多个散热单元的第三子驱动电极通过引线引出到周边区域的第三连接端。
在一些示例性实施例中，第一围壁朝向第二围壁一侧和/或第二围壁朝向第一围壁的一侧间隔设置有多个挤压凸起。
在一些示例性实施例中，第一围壁邻近第一导流壁的一侧的内部设置有第三驱动电极，第一导流壁内设置有沿第一方向延伸的第四驱动电极，第四驱动电极和第三驱动电极设置为被施加相反电压后带动第一导流壁和/或第一围壁挤压第二导流通道，使得第二导流通道内的冷却液流向储液槽。
在一些示例性实施例中，第四驱动电极包括沿着第一方向间隔设置的多个第四子驱动电极，第四子驱动电极与第三驱动电极一一对应，显示基板还包括与第四子驱动电极一一对应的薄膜晶体管和驱动扫描连接线以及为多个第四子驱动电极供电的驱动电源线，薄膜晶体管包括控制极、第一极和第二极，控制极与对应驱动扫描连接线连接，第二极与对应的第四子驱动电极连接，同一散热区内的薄膜薄膜晶体管的第一极与驱动电源线连接。
在一些示例性实施例中，第一导流壁朝向第一围壁一侧设置有多个增压凸起，多个增压凸起沿第一方向间隔设置，并与第四子驱动电极一一对应。
在一些示例性实施例中，散热区还包括第二导流壁，第二导流位于周边区域并设置于与储液槽相邻的第二围壁上，第二导流壁和周边区域的第一导流壁之间形成连通第二导流通道和储液槽的连接通道，第一导流壁设置有第一封闭结构，第二导流壁上设置有第二封闭结构，第一封闭结构和第二封闭结构设置为在相反电压的驱动下相互贴合以封闭连接通道。
在一些示例性实施例中，周边区域包括沿第一方向设置的第一周边区和第二周边区，第一周边区位于显示区域的第一侧，第二周边区位于显示区域与第一侧相对的第二侧，储液槽包括位于第一周边区的第一储液槽和位于第二周边区的第二储液槽，连接通道包括与第一储液槽连通的第一连接通道和与第二储液槽连通的第二连接通道，第一连接通道和第二连接通道内均设置有第一封闭结构和第二封闭结构。
在一些示例性实施例中，显示基板还包括设置于衬底基板上并位于周边区的金属散热层，金属散热层在衬底基板上的正投影覆盖储液槽在衬底基板上的正投影。
在一些示例性实施例中，显示基板还包括盖板和设置于盖板朝向散热结构层一侧的防漏塞，散热结构层朝向盖板一侧设置有暴露导流通道和储液槽的开口，防漏塞密封开口。
本公开实施例提供的显示装置，包括本公开实施例提供的显示基板。
本公开实施例提供的显示基板的制备方法，包括：
在衬底基板上形成散热结构层和像素单元；
其中，散热结构层包括导流通道和储液槽以及冷却液，显示基板包括显示区域和位于显示区域***的周边区域，像素单元位于显示区域，导流通道环绕像素单元，储液槽位于周边区域并与导流通道连通，冷却液填充于导流通道和储液槽。
本公开实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，通过设置散热结构层，散热结构层的导流通道环绕像素单元，导流通道内的冷却液能够冷却像素单元，相比于导热片的散热方式，该方式具有更高的导热效率，可以降低显示区域的温度，进而提升了像素单元的使用寿命。
本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本公开而了解。本公开的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。
图1a为本公开示例性实施例显示基板的平面图；
图1b为图1a中A-A位置的一种剖面图；
图1c为本公开示例性实施例像素单元驱动电路等效电路图；
图1d为图1a中B-B位置的散热结构层的一种剖面图；
图1e为图1a中A-A位置的另一种剖面图；
图1f为图1a中B-B位置的散热结构层的另一种剖面图；
图2为本公开示例性实施例显示基板平行于衬底基板方向的局部剖面图；
图3为本公开示例性实施例散热单元工作原理图；
图4为本公开示例性实施例第二导流通道被挤压工作原理图；
图5为本公开示例性实施例第四子驱动电极工作原理等效电路图；
图6为图1a中A位置放大图；
图7为本公开示例性实施例第一封闭结构和第二封闭结构工作原理图；
图8a为本公开示例性实施例另一显示基板平面示意图；
图8b为本公开示例性实施例金属散热层剖面图；
图8c为本公开示例性实施例衬底基板上通孔布设图；
图9为本公开示例性实施例形成金属散热层后的结构图；
图10为本公开示例性实施例形成发光二极管后的结构图；
图11为本公开示例性实施例形成第一保护层后的结构图；
图12为本公开示例性实施例形成驱动电极后的结构图；
图13为本公开示例性实施例形成像素定义层后结构图；
图14为本公开示例性实施例形成量子点层后结构图；
图15为本公开示例性实施例形成第二保护层后结构图；
图16为本公开示例性实施例填充冷却液后结构图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
本公开实施例提供了一种显示基板，包括衬底基板和设置于衬底基板上的散热结构层和像素单元，散热结构层包括导流通道和储液槽以及冷却液，显示基板包括显示区域和位于显示区域***的周边区域，像素单元位于显示区域，导流通道环绕像素单元，储液槽位于周边区域并与导流通道连通，冷却液填充于导流通道和储液槽内。
本公开实施例提供了一种显示基板，通过设置散热结构层，散热结构层的导流通道环绕像素单元，导流通道内的冷却液通过与储液槽内的冷却液进行热交换，冷却像素单元，相比于导热片的散热方式，该方式具有更高的导热效率，可以降低显示区域的温度，进而提升了像素单元的使用寿命。
下面结合附图示例性说明本公开示例性实施例显示基板的技术方案。
图1a为本公开示例性实施例显示基板的平面图，图1b为图1a中A-A位置的一种剖面图。在一些示例性实施例中，如图1a和图1b所示，显示基板1包括显示区域11和位于显示区域11的周边区域12，周边区域12可以位于显示区域11一侧，也可以位于显示区域11的第一侧和与第一侧相对的第二侧，或者环绕显示区域11。显示基板1包括衬底基板100和设置于衬底基板100上的散热结构层200和像素单元300。像素单元300设置于显示区域11。像素单元300包括光电二极管301和设置于光电二极管301背离衬底基板100一侧的量子点(QD)层302。光电二极管301可以采用Micro LED和μLED。光电二极管301可以为蓝光二级管，量子点层302用于将蓝光转化为红光或绿光。散热结构层200包括导流通道201和储液槽202以及冷却液203，储液槽202设置于周边区域12，导流通道201环绕像素单元300，并与储液槽202连通，冷却液203填充于储液槽202和导流通道201内，并设置为能够在导流通道201和储液槽202内流动以冷却像素单元300。在一些实施例中，冷却液可以采用甘油和乙二醇等。
在本示例中，显示基板1上通过设置散热结构层200，散热结构层200的导流通道201环绕像素单元300，导流通道201内的冷却液203通过与储液槽202内的冷却液进行热交换，冷却像素单元300，相比于导热片的散热方式，该方式具有更高的导热效率，可以降低显示区域11的温度，进而提升了像素单元300使用寿命。
图1c为本公开示例性实施例像素单元驱动电路等效电路图。如图1b和1c所示，在一些示例性实施例中，衬底基板100主体结构包括基板100a和依次设置于基板100a上阵列结构层，显示区域11的阵列结构层包括依次设置的有源层101、第一绝缘层102、第一金属层、第二绝缘层104、第二金属层、第三绝缘层106、第三金属层、第一平坦层108、第四金属层、第二平坦层110、第四绝缘层111、第五金属层和第五绝缘层113以及第三平坦层114。第一金属层包括栅极1031和第一电容电极1032。第二金属层包括第二电容电极1051。第一电容电极1032在基板100a上的正投影和第二电容电极1051在基板上的正投影有交叠。第三金属层包括源电极1071、漏电极1072、数据线1073、第一电源连接线1074以及第二电容电极连接线1075，第三绝缘层106上设置有暴露有源层101的第一过孔、暴露第一电容电极1032的第二过孔和暴露第二电容电极1051的第三过孔，源电极1071和漏电极1072通过第一过孔与有源层101连接，第一电源连接线1074通过第二过孔与第一电容电极1032连接，第二电容电极连接线1075通过第三过孔与第二电容电极1051连接，数据线1073与源电极1071、第二电容电极连接线1075连接。第四金属层包括第一电源线1091、第二电源线1092以及漏连接电极1093。第一平坦层108包括暴露漏电极1072的第四过孔和暴露第一电源连接线1074的第五过孔，漏连接电极1093通过第四过孔与漏电极1072连接，第一电源线1091通过第五过孔与第一电源连接线1074连接。第五金属层包括第一焊盘1121和第二焊盘1122以及补偿电极1123，第四绝缘层111包括暴露漏连接电极1093的第六过孔和暴露第二电源线1092的第七过孔以及暴露第一电源线的第八过孔，第一焊盘1121通过第六过孔与漏连接电极1093连接，第二焊盘1122通过第七过孔与第二电源线1092连接，补偿电极1123通过第八过孔与第一电源线1091连接。第五绝缘层113覆盖补偿电极1123。第三平坦层114上设置有暴露第一焊盘1121和第二焊盘1122的第九过孔。第一焊盘1121和第二焊盘1122上还包括镀金层115，发光二级管301的正极焊接在第一焊盘1121上，发光二级管301的负极焊接在第二焊盘1122上。栅极1031、有源层101、源电极1071和漏电极1072构成驱动晶体管(DTFT)116，第一电容电极1032和第二电容电极1051构成第一存储电容117。第一电源线1091与第一电源端VDD连接，第一电源端VDD持续提供高电平信号，用于在驱动扫描端Gate_L和驱动数据端Data_L的控制下，向发光二极管301提供驱动电流。第二电源线1092与第二电源端VSS连接，第二电源端VSS持续提供低电平信号。在一些实施例中，第一绝缘层102、第二绝缘层104、第三绝缘层106和第四绝缘层111以及第五绝缘层113的材料可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层和第五金属层可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构。有源层101可以采用六噻吩、聚噻吩、多晶硅等各种材料。也就是说，衬底基板可以为低温多晶硅(LowTemperature Poly-Silicon，LTPS)结构或可以为氧化物薄膜晶体管(Oxide)结构。第一平坦层108和第二平坦层110的材料可以采用聚酰亚胺和聚甲基丙烯酸甲酯等。第三平坦层114可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种。
在一些示例性实施例中，显示基板还包括设置于发光二极管301和量子点层302之间的第一保护层303和设置于量子点层302远离发光二极管301一侧的第二保护层304。第一保护层303可以防止发光二极管301损伤。第二保护层304可以防止量子点层304被水氧腐蚀失效。第一保护层303和第二保护层304的材料可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种。
图2为本公开示例性实施例显示基板平行于衬底基板方向的局部剖面图。在一些示例性实施例中，如图2所示，散热结构层201包括沿第一方向延伸并沿第二方向排列的多个散热区13，其中第一方向为图2中的X方向，第二方向为图2中的Y方向，第一方向与第二方向相交，例如，第一方向与第二方向垂直，此处的垂直可以为大致垂直，例如第一方向和第二方向的夹角为87°、90°或93°。下文中，以X方向代表第一方向，Y方向代表第二方向，进行技术方案阐述。
在一些示例性实施例，如图2所示，至少一个散热区13包括沿X方向排列的多个散热单元204和沿X方向延伸的第一导流壁205，散热单元204位于显示区域11，散热单元204包括第一围壁206和第二围壁207，第一围壁206围成像素开口，第二围壁207围设于第一围壁206的外侧并且端部相间隔形成过流口208，第一导流壁205与过流口208相对设置，导流通道201包括第一围壁206与第二围壁207之间形成的第一导流通道2011和多个散热单元204与第一导流壁205之间形成的第二导流通道2012，第一导流通道2011和第二导流通道2012通过过流口208连通，第二导流通道2012与储液槽202连通，像素单元300设置于像素开口内。
在一些示例性实施例中，如图2所示，散热单元204还包括设置于第一围壁206内的第一驱动电极209和设置于第二围壁207内的第二驱动电极210，其中，设置于第一围壁206内的第一驱动电极209和设置于第二围壁207内的第二驱动电极210可以理解为如图1b所示，第一驱动电极209和第二驱动电极210可以直接与第三平坦层114接触，第一围壁206覆盖第一驱动电极209，第二围壁207覆盖第二驱动电极210，或可以理解为如图1e所示，第一围壁206包裹第一驱动电极209，第二围壁207包裹第二驱动电极210。第一驱动电极209和第二驱动电极210设置为被施加相反电压后带动第一围壁206挤压第一导流通道2011。也就说是，第一围壁206能够在外力作用下发生形变，而这个外力由第一驱动电极209和第二驱动电极210被施加相反电压后产生。对第一驱动电极209可以施加正电压，对第二驱动电极210可以施加负电压，例如，对第一驱动电极209施加+5V的电压，对第二驱动电极210施加-5V的电压，第一驱动电极209和第二驱动电极210在正负电压的作用下相互吸引，带动第一围壁206靠近第二围壁207以挤压第一导流通道2011，使得第一导流通道2011内的冷却液203排出到第二导流通道2012内。撤销对第一驱动电极209和第二驱动电极210施加的电压，第一围壁206在自身回弹力作用下复原，或第一驱动电极209和第二驱动电极210被施加同性电压，第一围壁206在第一驱动电极209和第二驱动电极210斥力作用下复原，第一导流通道2011从挤压状态恢复到起始状态时产生吸力，冷却液203在吸力作用下又回流到第一导流通道2011内，或者冷却液203自流回第一导流通道2011内，进而第一导流通道2011内冷却液203与第二导流通道2012内的冷却液交换，实现更新。其中，第一驱动电极209可以通过引线引出到周边区域12的第一驱动端，第二驱动电极210可以通过引线引出到周边区域12的第二驱动端，第一驱动端和第二驱动端与驱动电路连接，驱动电路通过引线对第一驱动电极209和第二驱动电极210施加电压。在一示例中，在同一散热区13内，多个散热单元204的第一驱动电极209引出到同一第一驱动端上，多个散热单元204的第二驱动电极210可以通过引线引出到同一第二驱动端上。在另一示例性实施例中，第一驱动电极209和第二驱动电极210被施加相反电压后，第二围壁207发生形变挤压第一导流通道2011，或者第一围壁206和第二围壁207均发生形变，挤压第一导流通道2011。
在一些示例性实施例中，在平行于衬底基板100的平面内，第一驱动电极209和第二驱动电极210的宽度为2微米到10微米，其中，第一驱动电极209和第二驱动电极210的宽度是指垂直于第一驱动电极209延伸方向上的长度，第二驱动电极210的宽度是指垂直于第二驱动电极2109延伸方向上的长度。第一围壁和第二围壁的材料可以采用聚酰亚胺、聚氨酯或聚甲基丙烯酸酯等具有弹性的材料。
在一些示例性实施例，如图2所示，第一驱动电极209包括沿着第一围壁206周向设置的多条子驱动电极2091。多条子驱动电极2091与第二驱动电极10位置对应，并设置为沿着顺时针方向依次施加电压，可以实现第一导流通道2011沿顺时针方向被挤压，使得冷却液203沿着顺时针方向从第一导流通道2011流入到第二导流通道2012，然后可以通过顺时针的方向撤销电压，第二导流通道2012内的冷却液203流回到第一导流通道2011。或多条子驱动电极2091与第二驱动电极10位置对应，并设置为沿着逆时针方向依次施加电压，可以实现第一导流通道2011沿逆时针方向被挤压，使得冷却液203沿着逆时针方向从第一导流通道2011流入到第二导流通道2012，然后可以通过逆时针的方向撤销电压，第二导流通道2012内的冷却液203流回到第一导流通道2011。
图3为本公开示例性实施例散热单元工作原理图。在一些示例性实施例中，如图2所示，第一围壁206包括沿X方向延伸并沿Y方向间隔设置的第一子围壁2061和第二子围壁2062以及沿Y方向延伸并沿X方向间隔设置的第三子围壁2063和第四子围壁2064，第一子围壁2061、第二子围壁2062、第三子围壁2063和第四子围壁2064围成像素开口，第二围壁207围设于第二子围壁2062、第三子围壁2063和第四子围壁2064的外侧，第一子围壁2061与第一导流壁205相邻，第二围壁207的端部与第一子围壁2061靠近第一导流壁205的一侧平齐，多条子驱动电极2091包括设置于第三子围壁2063内的第一子驱动电极2092、设置于第二子围壁2062内的第二子驱动电极2093和设置于第四子围壁2064内的第三子驱动电极2094。如图3所示，第二驱动电极210施加正电压，例如+5V，第一子驱动电极2092、第二子驱动电极2093和第三子驱动电极2094被依次施加负电压，例如-5V，第三子围壁2063、第二子围壁2062和第四子围壁2064依次挤压第一导流通道2011，冷却液203从第三子围壁2063位置、第二子围壁2062位置和第四子围壁2064位置被挤压到第二导流通道2012内，冷却液203沿着逆时针方向流出第一导流通道2011。然后沿着逆时针方向，依次撤销施加在第一子驱动电极2092、第二子驱动电极2093和第三子驱动电极2094上的电压，第三子围壁2063、第二子围壁2062和第四子围壁2064依次复原，第一导流通道2011沿着逆时针方向逐渐从挤压状态恢复到起始状态，冷却液203又从第二导流通道2012流入到第一导流通道2011内，实现第一导流通道2011内的冷却液203的更新，也就是第一导流通道2011内冷却液203与第二导流通道2012内得冷却液203交换，进而实现热量转移。在一示例中，同一散热区的多个散热单元204的第一子驱动电极2092可以通过引线引出到周边区域12的第一子驱动端，第二子驱动电极2093可以通过引线引出到周边区域12的第二子驱动端，第三子驱动电极2094可以通过引线引出到周边区域12的第三子驱动端，也就是说，第一驱动端包括第一子驱动端、第二子驱动端和第三子驱动端。第一子驱动端、第二子驱动端和第三子驱动端可以与驱动电路连接。通过驱动电路可以实现对多个散热单元204同时控制，也就是多个散热单元204的第一子驱动电极2092被同时施加电压或撤销电压，第二子驱动电极2093被同时施加电压或撤销电压，第三子驱动电极2094被同时施加电压或撤销电压。
在一些示例性实施例中，如图2所示，第一围壁206朝向第二围壁207一侧间隔设置有多个挤压凸起211。挤压凸起211可以压缩第一导流通道2011空间，在第一围壁206和第二围壁207挤压第一导流通道2011时，加强冷却液203的流动。在另一示例中，第二围壁207朝向第一围壁206的一侧间隔设置有多个挤压凸起211，或第二围壁207朝向第一围壁206的一侧和第一围壁206朝向第二围壁207一侧均间隔设置有多个挤压凸起211。在垂直于衬底基板的平面内，挤压凸起的为梯形，挤压凸起远离第一围壁的一侧比朝向第一围壁的一侧的窄。
在一些示例性实施例中，如图2所示，在同一散热区内，第二围壁207包括共用壁2071，共用壁2071被相邻的散热单元204共用。在本示例中，在共用壁2071内的第二驱动电极210被施加电压后，共用壁2071内的第二驱动电极210受到两侧的第一驱动电极209的吸引，受力平衡，因此共用臂2071不发生形变。也就说是，在第一驱动电极209和第二驱动电极210被施加相反电压后，形变主要发生在第一围壁206上，第一围壁206向靠近第二围壁207方向运动，以挤压第一导流通道2011。
图1d为图1a中B-B位置的散热结构层的一种剖面图；图1f为图1a中B-B位置的散热结构层的另一种剖面图。在一些示例性实施例中，如图2所示，第一围壁206邻近第一导流壁205一侧的内部设置有第三驱动电极212，也就是说，第一子围壁2061内设置第三驱动电极212，第一导流壁205内设置有沿X方向延伸的第四驱动电极213。第一围壁206邻近第一导流壁205一侧的内部设置有第三驱动电极212和第一导流壁205内设置有第四驱动电极213，可以理解为如图1d所示，第一围壁206覆盖第三驱动电极212，第一导流壁205覆盖第四驱动电极213，第三驱动电极212和第四驱动电极213直接与第三平坦层114接触，或可以理解为如图1f所示，第一围壁206包裹第三驱动电极212，第一导流壁包裹第四驱动电极213。第四驱动电极213和第三驱动电极212被施加相反电压后，例如第三驱动电极212可以被施加-5V的电压，第四驱动电极213可以被施加+5v的电压，第四驱动电极213和第三驱动电极212相互吸引，并带动第一导流壁205挤压第二导流通道2012，使得第二导流通道2012内的冷却液203流向储液槽202，与储液槽202内的冷却液203混合降温，在第四驱动电极213和第三驱动电极212被撤销电压或施加同性电压后，第一导流壁205复位，第二导流通道2012由被挤压状态恢复到起始状态，温度较低的冷却液203从储液槽202又流回到第二导流通道2012内，实现第二导流通道2012内的冷却液203更换和热量转移。在本示例中，在平行于衬底基板的平面内，第四驱动电极213和第三驱动电极212的宽度为2微米到10微米，其中，第四驱动电极的宽度指代沿Y方向第四驱动电极的长度，第三驱动电极的宽度指代沿Y方向第三驱动电极的长度。在另一些实施例中，第四驱动电极213和第三驱动电极212被施加相反电压后，在第四驱动电极213和第三驱动电极212带动下，第一围壁206挤压第二导流通道2012，或第一围壁206和第一导流壁205均挤压第二导流通道2012。
图4为本公开示例性实施例第二导流通道被挤压工作原理图，图5为本公开示例性实施例第四子驱动电极工作原理等效电路图。在一些示例性实施例中，如图4所示，在同一散热区13内，第四驱动电极213包括沿着X方向间隔设置的多个第四子驱动电极2131，第四子驱动电极2131与第三驱动电极212一一对应。第四子驱动电极2131沿X方向依次被施加正电压时，与第三驱动电极212上的负电压作用，使第二导流通道2012沿X方向依次被挤压。在一示例中，如图5所示，显示基板还包括与第四子驱动电极2131一一对应的薄膜晶体管214和驱动扫描连接线215以及驱动电源线216，薄膜晶体管214包括控制极2141、第一极2142和第二极2143，控制极2141与对应的驱动扫描连接线215连接，第二极2143与对应第四子驱动电极2131连接，同一散热区13的薄膜晶体管214的第一极2142与驱动电源线216连接。驱动扫描连接线215可以与周边区域12的驱动芯片连接。如图4和图5所示，通过驱动芯片沿依次扫描扫描连接线215，薄膜晶体管214被依次打开，驱动电源线216对沿X方向间隔设置的多个第四子驱动电极2131依次施加正电压，例如施加+5V电压，第三驱动电极212维持在负电压，例如-5v电压，第四子驱动电极2131沿着X方向依次与第三驱动电极212吸引，以带动第一导流壁205沿着X方向依次挤压第二导流通道2012，进而将冷却液203从第二导流通道2012的一侧挤压到另一侧，并进入储液槽202，与储液槽202内的冷却液203混合降温，之后，驱动芯片按照预定时序依次关闭薄膜晶体管214，驱动电源线216施加于第四子驱动电极2131的正电压沿X方向依次被撤销，沿X方向逐渐失去与第三驱动电极212引力作用，第二导流通道2012沿X方向依次从挤压状态恢复到起始状态，冷却液203从储液槽202被抽出，进而实现第二导流通道2012内冷却液203更换和热量转移。控制级2041可以为薄膜晶体管204的栅极，第一极2042可以为薄膜晶体管214的源极，第二极2043可以为薄膜晶体管214的漏极。薄膜晶体管214可以设置于显示区域11，也可以设置于周边区域12。在本示例中，第四子驱动电极2131由于逐个被施加电压，施加于第四子驱动电极2131的电位，可以称为扫描电位，第三驱动电极212电位保持不变，可以称为固定电位。
在一些示例性实施例中，如图1d所示，第一导流壁205朝向第一围壁206一侧设置有多个增压凸起2051，多个增压凸起2051沿着X方向间隔设置并与第四子驱动电极位置对应。增压凸起2051可以压缩第二导流通道2012的空间，在挤压第二导流通道2012时，加强冷却液203的流动。在一示例中，在垂直于衬底基板的和X方向的平面内，增压凸起为梯形，增压凸起远离第一导流壁的一侧比朝向第一导流壁的一侧的窄。在另一些示例性实施例中，第一围壁朝向第一导流壁的一侧设置有多个增压凸起，或者第一围壁朝向第一导流壁的一侧和第一导流壁205朝向第一围壁206一侧均设置有多个增压凸起。
图6为图1a中A位置放大图，图7为本公开示例性实施例第一封闭结构和第二封闭结构工作原理图。在一些示例性实施例中，如图6和图7所示，散热区13还包括第二导流壁217，第二导流壁217位于周边区域12并设置于与储液槽202相邻的第二围壁207上，第二导流壁217和第一导流壁205之间形成连通第二导流通道2012和储液槽202的连接通道2013，第一导流壁205设置有第一封闭结构218，第二导流壁217上设置有第二封闭结构219，第一封闭结构218和第二封闭结构219设置为被施加相反电压时相互贴合以封闭连接通道2013。其中，第一封闭结构218包括第一闭合部2181和设置于第一闭合部2181内的第一开关电极2182，第二封闭结构219包括第二闭合部2191和设置于第二闭合部2191内的第二开关电极2192，第一闭合部2181包括第一贴合面2183，第二闭合部2191包括第二贴合面2193，第一闭合部2181和第二闭合部2191设置为在第一开关电极2182和第二开关电极2192被施加相反电压后相互靠近，以使第一贴合面2183和第二贴合面2193贴合关闭连接通道2013。其中，设置于第一闭合部2181内的第一开关电极2182和设置于第二闭合部2191内的第二开关电极2192可以理解为第一闭合部2181覆盖第一开关电极2182，第二闭合部2191覆盖第二开光电极2192，第一开关电极2182与第二开关电极2192与第三平坦层114接触，或可以理解为第一闭合部2181包裹第一开关电极2182，第二闭合部2191包裹第二开关电极2192。在一示例中，第一闭合部2181和第二闭合部2191可以均为三棱柱结构，三棱柱包括上底面、下底面和三个侧面，上底面和下底面沿着垂直于衬底基板的方向设置，第一闭合部2181的一个侧面与第一导流壁205连接，第二闭合部2191的一个侧面与第二导流壁217连接，第一贴合面2183设置为第一闭合部2181邻近第二闭合部2191一侧的侧面，第二贴合面2193设置为第二闭合部2191邻近第一闭合部2181一侧的侧面。在另一示例中，第一闭合部2181包括开口朝向第二闭合部2191的凹槽，第二闭合部2191包括朝向第一闭合部2181的凸起，第一贴合面2183设置凹槽的内壁面，第二贴合面2193设置为凸起的外表面。第一闭合部2181和第二闭合部2191为可以采用聚氨酯、聚酰亚胺和硅胶中的一种，第一闭合部2181和第二闭合部2191为绝缘体。
在一些示例性实施例中，如图1a所示，周边区域12包括沿X方向设置的第一周边区14和第二周边区15，第一周边区14位于显示区域11的第一侧，第二周边区15位于显示区域11与第一侧相对的第二侧，储液槽202包括位于第一周边区14的第一储液槽2021和位于第二周边区15的第二储液槽2022，连接通道2013包括与第一储液槽2021连通的第一连接通道和与第二储液槽2022连通的第二连接通道，第一连接通道和第二连接通道内均设置有第一封闭结构218和第二封闭结构219。以一个散热区13说明，其它散热区13的工作过程相同，具体工作时，如图1a和图7所示，第一连接通道内第一开关电极2182和第二开关电极2192被施加相反电压，第一连接通道内第一闭合结构2181和第二闭合结构2191在第一开关电极2182和第二开关电极2192带动下相互靠近，以使第一贴合面2183和第二贴合面2193贴合关闭第一连接通道，然后多个第四子驱动电极2131沿着X方向依次被施加电压时，第四子驱动电极2131与第三驱动电极212在相反电压作用带动第一导流壁205和第一围壁206挤压第二导流通道2012，第二导流通道2012沿着X方向逐渐收窄，第二导流通道2012的冷却液203沿着X方向经过第二连接通道被挤压到第二储液槽2022后，第二导流通道2012内的冷却液203与第二储液槽2022内的冷却液203混合，并在第二储液槽2022位置冷却降温。第二连接通道内第一开关电极2182和第二开关电极2192被施加相反电压，第二连接通道内的第一闭合结构2181和第二闭合结构2191在第一开关电极2182和第二开关电极2192带动下相互靠近，第一贴合面2183和第二贴合面2193贴合关闭第二连接通道。撤销施加于第一连接通道内的第一开关电极2182和第二开关电极2193上的相反电压，第一贴合面2183和第二贴合面2193分离，第一连接通道被打开，然后，沿X方向依次撤销多个第四子驱动电极2131电压，第二导流通道2012逐渐被恢复到起始状态，第一储液槽2021已被冷却的冷却液203流入到第二导流通道2012内，然后通过控制第一驱动电极209和第二驱动电极210，使得第一导流通道2011的冷却液203与第二导流通道2012内的冷却液203混合后又回流到第一导流通道2011内，实现对第一导流通道2011内冷却液203更新和热量转移。在本示例中，通过交替的关闭或打开第一连接通道和第二连接通道内的第一封闭结构218和第二封闭结构219，可以实现第二导流通道2012内的冷却液203冷却和补给分开，也就是说，第二导流通道2012内的冷却液203可以在第一储液槽2021内冷却，然后补给已被冷却的第二储液槽2022内的冷却液203，或第二导流通道2012内的冷却液203可以在第二储液槽2022内冷却，然后补给已被冷却的第一储液槽2021内的冷却液203，进而保证第二导流通道2012内更换的冷却液203始终保持在较低温度，从而更加有效的冷却像素单元300，提升像素单元300的寿命。
在一些示例性实施例，第一储液槽2021和第二储液槽2022均为多个，并与散热区13一一对应。每个散热区13对应一组第一储液槽202和第二储液槽202。在另一示例中，一组第一储液槽202和第二储液槽202可以对应多个散热区13。也就是说，一组第一储液槽202和第二储液槽202至少对应一个散热区13。
图8a为本公开示例性实施例另一显示基板平面示意图，图8b为本公开示例性实施例金属散热层剖面图，图8c为本公开示例性实施例衬底基板上通孔布设图。在一些示例性实施例中，如图8a-8c所示，显示基板还包括设置于衬底基板100上并位于周边区域12的金属散热层400，金属散热层400在衬底基板100上的正投影覆盖储液槽202在衬底基板100上的正投影，金属散热层400用于冷却储液槽202内的冷却液203。在一示例中，金属散热层400包括第一金属散热层401和第二金属散热层402，第一金属散层401设置于衬底基板100远离散热结构层一侧，第二金属散热层402设置于衬底基板100朝向散热结构层一侧，衬底基板100上均布有多个通孔，多个通孔位于周边区域12，通孔内的填充有导热材料403，第一金属散热层401和第二金属散热层402均覆盖多个通孔。金属散热层400可以设置于第一周边区14和第二周边区15，并对应第一储液槽2021和第二储液槽2022。第一金属散热层401、第二金属散热层402和导热材料403可以采用银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)等。
在一些示例性实施例中，如图1b所示，显示基板还包括盖板500，盖板500设置于散热结构层200远离衬底基板100一侧。盖板500为透明盖板，可以为玻璃。在一示例中，散热结构层200朝向盖板500一侧设置有暴露导流通道201和储液槽202的开口，盖板500朝向散热结构层201一侧设置有密封开口的防漏塞501。
下面通过本公开显示基板的制备过程示例性说明本公开显示基板的技术方案。本示例中，以一个散热区为例，其它散热区与本示例散热区的结构可以相同。本公开所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用选自喷涂和旋涂中的任意一种或多种，刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开中所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次构图工艺同时形成。“A的正投影包含B的正投影”是指，B的正投影落入A的正投影范围内，或者A的正投影覆盖B的正投影。
(1)形成衬底基板。形成衬底基板包括在基板上形成阵列结构层。显示区域的阵列结构层包括驱动晶体管和与驱动晶体管的漏电极连接的第一焊盘和与第二电源线连接的第一焊盘以及第一存储电容，驱动晶体管的源电极与第一电源连接线连接，第一存储电容的第二电容电极与第一电源连接线连接，第一存储电容的第一电容电极与数据线连接，数据线还连接驱动晶体管的栅极。
(2)形成金属散热层。形成金属散热层包括：在衬底基板开设多个通孔，如图8b和图9所示，在通孔内填充导热材料403，在基板远离阵列结构层一侧，通过掩膜工艺沉积第一金属薄膜，形成第一金属散热层401，在阵列结构层远离基板的一侧，通过掩膜工艺沉积第二金属薄膜，形成第二金属散热层402。第一金散热层401和第二金属散热层402形成在第一周边区14和第二周边区15，第一金属散热层401和第二金属散热层402覆盖多个通孔。在一示例中，第一金属散热层401、第二金属散热层402和导热材料403可以采用银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)等金属。图9为本公开示例性实施例形成金属散热层后的结构图。
(3)转印发光二极管。转印发光二极管包括：通过微转印技术将发光二极管301转印到对应的第一焊盘和第二焊盘上。发光二极管301可以为Micro LED，也可以为μLED。图10为本公开示例性实施例形成发光二极管后的结构图。
(4)形成第一保护层。形成第一保护层包括：在前述结构的基底上，沉积第一保护薄膜，通过构图工艺对第一保护薄膜进行构图，如图11所示，形成第一保护层303。第一保护层303覆盖发光二极管，第一保护层303在衬底基板100的正投影覆盖发光二极管在衬底基板100的上的正投影。在另一示例中，可以采用掩膜工艺，通过掩膜板在发光二极管上沉积第一保护薄膜，形成第一保护层。第一保护层303可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种。图11为本公开示例性实施例形成第一保护层后的结构图。
(3)形成驱动电极图案。形成驱动电极图案包括：在形成前述结构的基底上，沉积导电薄膜，通过构图工艺对导电薄膜进行构图，如图12所示，形成第一驱动电极209、第二驱动电极210、第三驱动电极212、第四驱动电极213和第一开关电极2182以及第二开关电极2192图案。显示区域11包括第一驱动电极209、第二驱动电极210、第三驱动电极212和第四驱动电极213形成在，第一周边区14和第二周边区15包括第一开关电极2182和第二开关电极2192，第一驱动电极209、第二驱动电极210、第三驱动电极210和第四驱动电极213通过对应的引线引出周边区域12。第四驱动电极213沿X方向延伸并沿Y方向间隔设置，第一驱动电极209、第二驱动电极210和第三驱动电极212设置于相邻的第四驱动电极213之间。以一个发光二极管周边结构为例，第一驱动电极209包括第一子驱动电极2092、第二子驱动电极2093和第三子驱动电极2094，第一子驱动电极2092和第三子驱动电极2094沿Y方向延伸，第二子驱动电极2093和第三驱动电极212沿X方向延伸，第一子驱动电极2092、第二子驱动电极2093、第三子驱动电极2094和第三驱动电极212围成矩形区域，发光二极管301位于矩形区域内。第二驱动电极210围设于第一子驱动电极2092、第二子驱动电极2093和第三子驱动电极2094外侧，第四驱动电极213包括沿X方向间隔设置的多个第四子驱动电极2131，第四子驱动电极2131与第三驱动电极212相邻并一一对应。在示例性实施例中，导电薄膜可以采用金属，金属包括银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)等，或可以采用非金属材料，例如掺铟氧化锡(ITO)或掺铝氧化锌(AZO)等。图12为本公开示例性实施例形成驱动电极后的结构图。
(4)形成像素界定层图案。形成像素定义层图案包括：在形成前述结构的基底上涂布像素定义薄膜，通过掩膜、曝光和显影后，如图13所示，形成像素定义层图案。像素定义层形成沿X方向延伸并沿Y方向排列的多个散热区。在每个散热区，像素定义层包括第一导流壁205、第一围壁206、第二围壁207、第二导流壁217和储液槽以及第一闭合部2181和第二闭合部2191，第一导流壁205沿X方向延伸，第一导流壁205覆盖多个第四子驱动电极2131，第一导流壁205朝向第一围壁206一侧间隔设置多个增压凸起2051，增压凸起2051与第四子驱动电极2131位置对应，第一围壁206环绕发光二极管并覆盖第一驱动电极209和第三驱动电极212，第一围壁206形成像素开口。第二围壁207覆盖第二驱动电极210，第一围壁206和第二围壁207之间形成第一导流通道2011，第一围壁206、第二围壁207、第一驱动电极209和第二驱动电极210构成散热单元，第一导流壁205与散热单元204之间形成第二导流通道2012。第一围壁206朝向第二围壁207一侧设置多个挤压凸起211。第一周边区14和第二周边区15包括第二导流壁217和第一闭合部2181和第二闭合部2191，储液槽包括位于第一周边区14的第一储液槽2021和位于第二周边区15的第二储液槽2022，第一周边区14的第一闭合部2181覆盖第一开关电极2182并与第一周边区14的第一导流壁205连接，第一周边区14的第二闭合部2191覆盖第二开关电极2192并与第一周边区14的第二导流壁217连接，第一周边区14的第二导流壁217与邻近的第二围壁207连接，并与第一周边区14的第一导流壁205形成第一连接通道，第一连接通道与第一储液槽2021连通，第二周边区15的第一闭合部2181覆盖第一开关电极2182并与第二周边区15的第一导流壁205连接，第二周边区15的第二闭合部2191覆盖第二开关电极2192并与第二周边区15的第二导流壁217连接，第二周边区15的第二导流壁217与邻近的第二围壁207连接，并与第二周边区15的第一导流壁205形成第二连接通道，第二连接通道与第二储液槽2021连通。在一些示例性实施例中，像素定义层的材料可以采用聚酰亚胺。在一些实施例中，为了形成如图1b和图1d所示的挤压凸起和增压凸起结构，可以在形成驱动电极后和形成像素定义层前，在挤压凸起和增压凸起的位置形成牺牲层，在像素定义层形成后，将牺牲层刻蚀掉。图13为本公开示例性实施例形成像素定义层后结构图。
(5)形成量子点层302。形成量子点层302包括：在前述结构的基底上，通过喷墨打印的方式，如图14所示，在像素开口内形成量子点层302。量子点层302覆盖第一保护层303。图14为本公开示例性实施例形成量子点层后结构图。
(6)形成第二保护层304。形成第二保护层304包括：在前述图案的基底上沉积第二保护薄膜，通过构图工艺对第二保护薄膜进行构图，如图15所示，形成第二保护层304。第二保护层304设置在像素开口内并覆盖量子点层302，第二保护层304远离衬底基板的一侧与像素定义层远离衬底基板的一侧平齐。第二保护层304的材料可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种。图15为本公开示例性实施例形成第二保护层后结构图。
(7)填充冷却液203。填充冷却液203包括：如图16所示，通过打印或灌注的方式在第一导流通道2011、第二导流通道2012和储液槽202内填充冷却液203。图16为本公开示例性实施例填充冷却液后结构图。
(8)封装。封装包括：采用具有防漏塞的盖板覆盖前述结构，防漏塞朝向像素定义层，防漏塞密封第一导流通道2011、第二导流通道2012和储液槽202。
通过上述过程，即完成如图1b所示的显示基板的制备。
在另一示例性实施例中，在形成驱动电极图案前，还包括形成第四平坦层，形成第四平坦层包括：涂覆第四平坦薄膜，固化成膜后，形成第四平坦层。第四平坦层与像素定义层的材料相同。
通过上述过程，即完成如图1e所示的显示基板的制备。
通过上述制备过程可知，第一围壁206围设发光二级管301外侧，第一围壁206和第二围壁207之间形成第一导流通道2011，第一围壁206内设置有第一驱动电极209，第二围壁207内设置有第二驱动电极210，第一驱动电极209和第二驱动电极210在相反电压作用下吸引驱动第一围壁206挤压第一导流通道2011，第一导流通道2011内的冷却液203被挤压到第一导流壁205和多个散热单元之间形成的第二导流通道2012内。第一驱动电极209和第二驱动电极210被撤销电压后，第一围壁206复原，第二导流通道2012内的冷却液203能够被吸入或自流入第一导流通道2011内，实现第一导流通道2011内的冷却液更换，进而降低了第一导流通道2011内的冷却液203温度。第一导流壁205内设置有第四驱动电极213，第一围壁206还设置有第三驱动电极212，第三驱动电极212和第四驱动电极213在相反电压的作用下驱动第一导流壁205挤压第二导流通道2012，在选择性的打开和关闭第一连接通道和第二连接通道内的第一封闭结构218和第二封闭结构219，可以通过沿X方向或X方向的反方向依次给第四子驱动电极2131施压，使第二导流通道2012内的冷却液203与一侧的储液槽202内冷却液混合降温，另一侧的储液槽202内已冷却的冷却液补充到第二导流通道2012内，实现第二导流通道2012内的冷却液203更换。此外，通过在储液槽202位置设置金属散热层400，可以加快储液槽202内的冷却液203冷却。
本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：
在衬底基板上形成散热结构层和像素单元；
其中，散热结构层包括导流通道和储液槽以及冷却液，显示基板包括显示区域和位于显示区域***的周边区域，像素单元位于显示区域，导流通道环绕像素单元，储液槽位于周边区域并与导流通道连通，冷却液设置为能够在导流通道和储液槽。
本公开实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例的显示基板。
在一些示例性实施例中，显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定为准。

Claims (14)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板和设置于所述衬底基板上的散热结构层和像素单元，所述散热结构层包括导流通道和储液槽以及冷却液，所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域***的周边区域，所述像素单元位于所述显示区域，所述导流通道环绕所述像素单元，所述储液槽位于所述周边区域并与所述导流通道连通，所述冷却液填充于所述导流通道和所述储液槽内；所述散热结构层包括沿第一方向延伸并沿第二方向排列的多个散热区，至少一个所述散热区包括沿所述第一方向排列的多个散热单元和沿所述第一方向延伸的第一导流壁，所述散热单元位于所述显示区域，所述散热单元包括第一围壁和第二围壁，所述第一围壁围成像素开口，所述第二围壁围设于所述第一围壁的外侧并且端部间隔形成过流口，所述第一导流壁与所述过流口相对设置，所述导流通道包括所述第一围壁与所述第二围壁之间形成的第一导流通道和多个所述散热单元与所述第一导流壁之间形成的第二导流通道，所述第一导流通道和所述第二导流通道通过所述过流口连通，所述第二导流通道与所述储液槽连通，所述像素单元设置于所述像素开口内，其中，所述第一方向与所述第二方向相交。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于：所述散热单元还包括设置于所述第一围壁内的第一驱动电极和设置于所述第二围壁内的第二驱动电极，所述第一驱动电极和所述第二驱动电极设置为在被施加相反电压后带动所述第一围壁和/或所述第二围壁挤压所述第一导流通道。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于：所述第一驱动电极包括沿着所述第一围壁周向设置的多条子驱动电极，所述多条子驱动电极与所述第二驱动电极位置对应。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于：所述第一围壁包括沿所述第一方向延伸并沿所述第二方向间隔设置的第一子围壁和第二子围壁以及沿所述第二方向延伸并沿所述第一方向间隔设置的第三子围壁和第四子围壁，所述第一子围壁、第二子围壁、第三子围壁和第四子围壁围成像素开口，所述第二围壁围设于所述第二子围壁、第三子围和第四子围壁的外侧，所述第一子围壁与所述第一导流壁相邻，所述多条子驱动电极包括设置于所述第三子围壁内的第一子驱动电极、设置于所述第二子围壁内的第二子驱动电极和设置于所述第四子围壁内的第三子驱动电极，同一所述散热区的多个所述散热单元的第一子驱动电极通过引线引出到所述周边区域的第一子驱动端，多个所述散热单元的的第二子驱动电极通过引线引出到周边区域的第二驱动端，多个所述散热单元的第三子驱动电极通过引线引出到周边区域的第三驱动端。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于：所述第一围壁朝向所述第二围壁一侧和/或所述第二围壁朝向所述第一围壁的一侧间隔设置有多个挤压凸起。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于：所述第一围壁邻近所述第一导流壁的一侧的内部设置有第三驱动电极，所述第一导流壁内设置有沿第一方向延伸的第四驱动电极，所述第四驱动电极和所述第三驱动电极设置为被施加相反电压后带动所述第一导流壁和/或所述第一围壁挤压所述第二导流通道，使得所述第二导流通道内的所述冷却液流向所述储液槽。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于：所述第四驱动电极包括沿着第一方向间隔设置的多个第四子驱动电极，所述第四子驱动电极与所述第三驱动电极一一对应，所述显示基板还包括与第四子驱动电极一一对应的薄膜晶体管和驱动扫描连接线以及为多个所述第四子驱动电极供电的驱动电源线，所述薄膜晶体管包括控制极、第一极和第二极，所述控制极与对应所述驱动扫描连接线连接，所述第二极与对应的所述第四子驱动电极连接，同一所述散热区内的薄膜薄膜晶体管的第一极与所述驱动电源线连接。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于：所述第一导流壁朝向所述第一围壁一侧设置有多个增压凸起，多个所述增压凸起沿所述第一方向间隔设置，并与所述第四子驱动电极一一对应。
9.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于：所述散热区还包括第二导流壁，所述第二导流位于所述周边区域并设置于与所述储液槽相邻的所述第二围壁上，所述第二导流壁和所述第一导流壁之间形成连通所述第二导流通道和所述储液槽的连接通道，所述第一导流壁设置有第一封闭结构，所述第二导流壁上设置有第二封闭结构，所述第一封闭结构和第二封闭结构设置为在相反电压的驱动下相互贴合以封闭所述连接通道。
10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于：所述周边区域包括沿第一方向设置的第一周边区和第二周边区，所述第一周边区位于所述显示区域的第一侧，所述第二周边区位于所述显示区域与第一侧相对的第二侧，所述储液槽包括位于所述第一周边区的第一储液槽和位于所述第二周边区的第二储液槽，所述连接通道包括与所述第一储液槽连通的第一连接通道和与所述第二储液槽连通的第二连接通道，所述第一连接通道和所述第二连接通道内均设置有所述第一封闭结构和所述第二封闭结构。
11.根据权利要求1-10任一项所述的显示基板，其特征在于：所述显示基板还包括设置于所述衬底基板上并位于所述周边区域的金属散热层，所述金属散热层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述储液槽在所述衬底基板上的正投影。
12.根据权利要求1-10任一项所述的显示基板，其特征在于：所述显示基板还包括盖板和设置于所述盖板朝向所述散热结构层一侧的防漏塞，所述散热结构层朝向所述盖板一侧设置有暴露所述导流通道和所述储液槽的开口，所述防漏塞密封所述开口。
13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-12任一项所述的显示基板。
14.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成散热结构层和像素单元；
其中，所述散热结构层包括导流通道和储液槽以及冷却液，所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域***的周边区域，所述像素单元位于显示区域，所述导流通道环绕所述像素单元，所述储液槽位于周边区域并与所述导流通道连通，所述冷却液填充于所述导流通道和所述储液槽；所述散热结构层包括沿第一方向延伸并沿第二方向排列的多个散热区，至少一个所述散热区包括沿所述第一方向排列的多个散热单元和沿所述第一方向延伸的第一导流壁，所述散热单元位于所述显示区域，所述散热单元包括第一围壁和第二围壁，所述第一围壁围成像素开口，所述第二围壁围设于所述第一围壁的外侧并且端部间隔形成过流口，所述第一导流壁与所述过流口相对设置，所述导流通道包括所述第一围壁与所述第二围壁之间形成的第一导流通道和多个所述散热单元与所述第一导流壁之间形成的第二导流通道，所述第一导流通道和所述第二导流通道通过所述过流口连通，所述第二导流通道与所述储液槽连通，所述像素单元设置于所述像素开口内，其中，所述第一方向与所述第二方向相交。
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