JP2012028437A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】短冊状のボンディング端子104を備えた配線基板101と、ボンディング端子104に対応した位置に突起電極203を備えた半導体素子201と、ボンディング端子104の表面に形成され、ボンディング端子と突起電極203とを接続するはんだ層108とを有し、ボンディング端子104が、幅広部104bと幅狭部104aとを備え、該幅狭部104aにおいて突起電極203と接続された半導体装置。
【選択図】図7
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置に使用される配線基板101の全体平面図である。
おける線III−IIIに沿った断面をそれぞれ示している。
図8(b)、図9(b)、図10(b)は図3の線III−IIIに沿う断面図に相当する。
この時、当該配線基板101は、ボンディングステージに内蔵されたヒータ(図示せず)により加熱され、前記はんだ層108の融点未満の温度である40℃〜170℃(第1の温度t1)に加熱(予備加熱)されている。
突起電極203の柱状部203bの頂部は必要に応じて平坦化処理がなされる。
そして、当該ボンディングヘッド301により、一つの突起電極あたり0.5〜20gの荷重を印可する。
当該第2の温度t2までへの昇温には、例えば0.5秒〜5秒間が必要とされる。
続いて、所定の時間、当該融点以上の温度(第3の温度t3)を維持することにより、ボンディング端子104の表面に被着されていたはんだ層108は突起電極203方向に流動し、かつ当該突起電極203の外周面に沿って濡れ上がり、前記はんだフィレット108Fは成長する。(図9参照)
なお、図9においてはんだ層108の表面に沿う矢印は、はんだが流動する方向を示している。
このとき、突起電極203とボンディング端子104との接触位置関係が維持されていることによって、降温に伴う半導体素子201および配線基板101の熱変形(反り)によってはんだ中にクラックを生じてしまうことが防止される。
当該ボンディングヘッド301における加熱の終了後、例えば2秒〜15秒後に当該ボンディングヘッド301を上昇させることとなる。
当該接着剤501は、半導体素子201と配線基板101との間隙における毛細管現象により、更には大気を用いた加圧などにより、半導体素子201と配線基板101との間に充填される。
当該接着剤501により配線基板101と半導体素子201の電子回路面との間隙は封止され、また当該半導体素子201の外周部分も封止されて、当該半導体素子201は配線基板101上に固着される。
第1実施形態では、図4および図5を参照して説明したように、ボンディング端子204の上にめっき法によりはんだ層108を形成した。
断面図に相当し、図19(b)、図20(b)は図3の線III−IIIに沿う断面図に相当する
。
その粘着性化合物は特に限定されないが、ナフトトリアゾール系誘導体のように金属と作用して粘着性を発現する化合物が使用される。ナフトトリアゾール系誘導体はソルダーレジスト層105の表面では粘着性が発現しないので、水洗の後には金属よりなるボンディング端子104の上のみに選択的に粘着層111が形成されることになる。
はんだ粉112の材料は特に限定されないが、本実施形態では無鉛はんだを使用する。
このとき、第1実施形態でも説明したように、溶融したはんだは、表面張力が作用することにより、幅狭部104aから幅広部104bに向かって流動する傾向があるので、流動後の幅狭部104aにおけるはんだ層108の厚さは幅広部104bにおけるよりも薄くなる。本実施形態では、はんだ層108の厚さは幅狭部104aにおいて5μm〜10μm程度となり、幅広部104bにおいて8μm〜10μm程度となる。
このとき、突起電極203が当接する部位は、第1実施形態と同様にボンディング端子104の幅狭部幅狭部104aである。また、突起電極203の温度は、ボンディングツールからの伝熱によって、室温よりも高くかつはんだ層108の融点よりも低い温度t2に維持される。
そして、はんだ層108を冷却することで、固化したはんだ層108によって突起電極203とボンディング端子104とが電気的かつ機械的に接続される。
前記ボンディング端子に対応した位置に突起電極を備えた半導体素子と、
前記ボンディング端子の表面に形成され、前記ボンディング端子と前記突起電極とを接続するはんだ層とを有し、
前記ボンディング端子が、幅広部と幅狭部とを備え、該幅狭部において前記突起電極と接続されたことを特徴とする半導体装置。
半導体素子の突起電極を前記はんだ層に当接させる工程と、
前記はんだ層に前記突起電極が当接した状態で該はんだ層を加熱して溶融し、該はんだ層により前記ボンディング端子と前記突起電極とを接続する工程とを有し、
前記ボンディング端子が幅広部と幅狭部とを備えた短冊状であり、前記突起電極を前記はんだ層に当接させる工程において、前記幅狭部上の前記はんだ層に前記突起電極を当接させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Claims (5)
- 短冊状のボンディング端子を備えた配線基板と、
前記ボンディング端子に対応した位置に突起電極を備えた半導体素子と、
前記ボンディング端子の表面に形成され、前記ボンディング端子と前記突起電極とを接続するはんだ層とを有し、
前記ボンディング端子が、幅広部と幅狭部とを備え、該幅狭部において前記突起電極と接続されたことを特徴とする半導体装置。 - 前記突起電極の側面に、前記はんだ層のフィレット部が形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ボンディング端子が所定の配列ピッチで前記配線基板に複数設けられたと共に、前記幅広部が複数の前記ボンディング端子において千鳥状に設けられたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。
- 配線基板のボンディング端子上にはんだ層を形成する工程と、
半導体素子の突起電極を前記はんだ層に当接させる工程と、
前記はんだ層に前記突起電極が当接した状態で該はんだ層を加熱して溶融し、該はんだ層により前記ボンディング端子と前記突起電極とを接続する工程とを有し、
前記ボンディング端子が幅広部と幅狭部とを備えた短冊状であり、前記突起電極を前記はんだ層に当接させる工程において、前記幅狭部上の前記はんだ層に前記突起電極を当接させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記はんだ層を形成する工程において、めっき法により該はんだ層を形成することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
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