JP2012023347A5 - 光電変換装置 - Google Patents

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  1. 導電層と、
    前記導電層上方の第１の半導体領域と、
    前記第１の半導体領域上方の第２の半導体領域と、
    前記第２の半導体領域上方の第３の半導体領域と、
    前記第３の半導体領域上方の第４の半導体領域と、
    を有し、
    前記第１の半導体領域は、第１の導電型を付与する不純物元素を有し、
    前記第４の半導体領域は、前記第１の導電型とは逆の第２の導電型を付与する不純物元素を有し、
    前記第１の導電型を付与する不純物元素は、前記第１の半導体領域から前記第２の半導体領域の方向に濃度勾配を有し、
    前記第１の半導体領域は、結晶性を有し、
    前記第２の半導体領域は、結晶性を有し、
    前記第４の半導体領域は、結晶性を有し、
    前記第２の半導体領域は、複数の突起を有する光電変換装置。
  2. 導電層と、
    前記導電層上方の第１の半導体領域と、
    前記第１の半導体領域上方の第２の半導体領域と、
    前記第２の半導体領域上方の第３の半導体領域と、
    前記第３の半導体領域上方の第４の半導体領域と、
    を有し、
    前記第１の半導体領域は、第１の導電型を付与する不純物元素を有し、
    前記第４の半導体領域は、前記第１の導電型とは逆の第２の導電型を付与する不純物元素を有し、
    前記第１の導電型を付与する不純物元素は、前記第１の半導体領域から前記第２の半導体領域の方向に濃度勾配を有し、
    前記第１の半導体領域は、結晶性を有し、
    前記第２の半導体領域は、結晶性を有し、
    前記第４の半導体領域は、結晶性を有し、
    前記第１の半導体領域は、複数の突起を有する光電変換装置。
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