JP2012010581A - 半導体装置及び表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】直流変換回路と、マイクロプロセッサとを有し、直流変換回路は、変換回路と、制御回路とを有し、変換回路は、誘導素子と、トランジスタとを有し、制御回路は、比較回路と、論理回路とを有し、比較回路としてヒステリシスコンパレータを用い、制御回路では、比較回路が変換回路の出力信号と第1の基準電位又は第2の基準電位とを比較し、論理回路が比較回路の出力信号とマイクロプロセッサのクロック信号とを演算し、変換回路では、トランジスタが論理回路の出力信号に応じて誘導素子に流れる電流を制御し、誘導素子に流れる電流に応じて変換回路の出力信号を生成する。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、半導体装置の構造及び駆動方法の一例について説明する。
次に、比較回路109として用いるヒステリシスコンパレータの回路構成の一例について図3を用いて説明する。
次に、比較回路109として用いるヒステリシスコンパレータの動作の一例について説明する。
図5(A)〜(C)は、比較回路109として、本実施の形態に示すヒステリシスコンパレータを用いる代わりにコンパレータを用いた場合の回路構成及び動作の例である。図5(A)には、比較回路109としてコンパレータを用いた場合の回路構成を示す。コンパレータにはフィードバック信号VFBと基準電位Vrefとが入力される。コンパレータは、フィードバック信号VFBと基準電位Vrefとを比較し、出力信号Vcmpを出力する。
本実施の形態では、半導体装置の構造及び駆動方法の一例について説明する。
本実施の形態では、半導体装置の構造及び駆動方法の一例について説明する。
本実施の形態では、表示装置の構造及び駆動方法について説明する。
本実施の形態では、開示する発明の一態様である半導体装置が有するトランジスタの一例について説明する。具体的には、チャネル形成領域が酸化物半導体層により形成されたトランジスタ、すなわち酸化物半導体層を用いたトランジスタの一例について説明する。
103 マイクロプロセッサ
105 変換回路
107 制御回路
109 比較回路
111 論理回路
113 増幅回路
115 負荷
221 コンパレータ
222 コンパレータ
223 インバータ
224 インバータ
225 NORゲート
226 NORゲート
400 基板
401 導電層
402 絶縁層
403 酸化物半導体層
405 導電層
406 導電層
407 酸化物絶縁層
409 保護絶縁層
530 酸化物半導体膜
Claims (3)
- 直流変換回路と、マイクロプロセッサとを有し、
前記直流変換回路は、変換回路と、制御回路とを有し、
前記変換回路は、誘導素子と、トランジスタとを有し、
前記制御回路は、比較回路と、論理回路とを有し、
前記比較回路としてヒステリシスコンパレータを用い、
前記制御回路では、前記比較回路が前記変換回路の出力信号と第1の基準電位又は第2の基準電位とを比較し、前記論理回路が前記比較回路の出力信号と前記マイクロプロセッサのクロック信号とを演算し、
前記変換回路では、前記トランジスタが前記論理回路の出力信号に応じて前記誘導素子に流れる電流を制御し、前記誘導素子に流れる前記電流に応じて前記変換回路の出力信号を生成することを特徴とする半導体装置。 - 直流変換回路と、マイクロプロセッサと、画素が配置された表示部とを有し、
前記直流変換回路は、変換回路と、制御回路とを有し、
前記変換回路は、誘導素子と、トランジスタとを有し、
前記制御回路は、比較回路と、論理回路とを有し、
前記比較回路としてヒステリシスコンパレータを用い、
前記制御回路では、前記比較回路が前記変換回路の出力信号と第1の基準電位又は第2の基準電位とを比較し、前記論理回路が前記比較回路の出力信号と前記マイクロプロセッサのクロック信号とを演算し、
前記変換回路では、前記トランジスタが前記論理回路の出力信号に応じて前記誘導素子に流れる電流を制御し、前記誘導素子に流れる前記電流に応じて前記変換回路の出力信号を生成し、
前記表示部は、前記変換回路の出力信号に応じて、前記画素を駆動することを特徴とする表示装置。 - 直流変換回路と、マイクロプロセッサと、画素が配置された表示部とを有し、
前記直流変換回路は、変換回路と、制御回路とを有し、
前記変換回路は、誘導素子と、トランジスタとを有し、
前記制御回路は、比較回路と、増幅回路と、論理回路とを有し、
前記比較回路としてヒステリシスコンパレータを用い、
前記制御回路では、前記比較回路が前記変換回路の出力信号と第1の基準電位又は第2の基準電位とを比較し、前記論理回路が前記比較回路の出力信号と前記マイクロプロセッサのクロック信号とを演算する第1の動作、又は、前記増幅回路が前記変換回路の出力信号と第3の基準電位との差分を増幅し、前記比較回路が前記増幅回路の出力信号と三角波とを比較する第2の動作を行い、
前記変換回路では、前記トランジスタが前記第1の動作による前記論理回路の出力信号又は前記第2の動作による前記比較回路の出力信号に応じて前記誘導素子に流れる電流を制御し、前記誘導素子に流れる前記電流に応じて前記変換回路の出力信号を生成し、
前記表示部では、前記画素に1秒以上600秒以下の間隔でビデオ信号を書き込む第1の駆動、又は、前記画素に1/60秒以下の間隔で前記ビデオ信号を書き込む第2の駆動を行い、
前記表示部は、前記第1の駆動を行う場合、前記第1の動作による前記変換回路の出力信号に応じて前記画素を駆動し、前記第2の駆動を行う場合、前記第2の動作による前記変換回路の出力信号に応じて前記画素を駆動することを特徴とする表示装置。
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