JP2012004539A - 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録した記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明では、基板の表面を処理液で液処理した後に処理液よりも低温のリンス液でリンス処理する基板液処理において、液処理とリンス処理との間に基板の表面の温度を処理液の液温未満かつリンス液の液温より高い温度にする中間処理を行うことにした。中間処理は、処理液の液温未満かつリンス液の液温より高い温度の中間処理液を基板に供給することにした。また、中間処理液を基板の裏面のみに供給することにした。また、処理液及びリンス液の供給を停止した状態で基板を回転させることにした。また、液処理時に処理液として反応熱の生成を伴う化学反応を行う複数種類の薬液の混合液を基板に供給するとともに、中間処理時にいずれかの薬液の供給を停止することにした。
【選択図】図11
Description
3 キャリア 4 基板搬入出台
5 基板搬送ユニット 6 基板処理ユニット
7 前壁 8 搬送装置
9 搬送室 10,11 基板受渡台
12 基板受渡室 13 受渡口
14,25 基板搬送室 15〜18,20〜23,26〜29,31〜34 基板処理室
36,38 基板搬送装置 37,39 基板搬入出口
40 基板保持手段 41 処理液供給手段
42 リンス液供給手段 43 回転軸
44 ターンテーブル 45 ウエハチャック
46,47,48 回収口 49 カップ
50 回転昇降機構 51 制御手段
52 支持軸 53 アーム
54 処理液供給ノズル 55 回転機構
56 硫酸供給源 57 ヒーター
58 流量調整弁 59 第1の開閉弁
60 混合器 61 過酸化水素水供給源
62 流量調整弁 63 第2の開閉弁
64 支持軸 65 アーム
66 表面側リンス液供給ノズル 67 回転機構
68 裏面側リンス液供給ノズル 69 純水供給源
70 ヒーター 71 分岐管
72 流量調整弁 73 開閉弁
74 流量調整弁 75 開閉弁
76 中間処理手段 77 記録媒体
78 第1の薬液供給管 79 第2の薬液供給管
80 洗浄液供給管 81,82 リンス液供給管
83 流路切換弁 84 純水供給源
Claims (21)
- 基板の表面を処理液で液処理した後にリンス液でリンス処理する基板液処理装置において、
前記基板を保持するための基板保持手段と、
前記基板の表面に前記処理液を供給して前記基板の液処理を行うための処理液供給手段と、
前記基板の表面に前記処理液よりも低温のリンス液を供給して前記基板のリンス処理を行うためのリンス液供給手段と、
前記基板の表面に対する液処理とリンス処理との間に、前記基板の表面の温度を前記処理液の液温未満かつ前記リンス液の液温より高い温度にする制御手段と、
を有することを特徴とする基板液処理装置。 - 前記制御手段は、前記基板の表面に対する液処理とリンス処理との間に、前記処理液の液温未満かつ前記リンス液の液温より高い温度の中間処理液を基板に供給することを特徴とする請求項1に記載の基板液処理装置。
- 前記制御手段は、前記基板の表面に対する液処理とリンス処理との間に、前記処理液の液温未満かつ前記リンス液の液温より高い温度の中間処理液を前記基板の裏面のみに供給することを特徴とする請求項1に記載の基板液処理装置。
- 前記処理液供給手段は、反応熱の生成を伴う化学反応を行う少なくとも第1の薬液と加熱された第2の薬液との混合液を前記処理液として前記基板に供給する構成とし、
前記制御手段は、前記基板の表面に対する液処理とリンス処理との間に、前記処理液供給手段を用いて前記第1の薬液の供給を停止し、前記第2の薬液を供給することにより前記基板の表面の温度を前記処理液の液温未満かつ前記リンス液の液温より高い温度にすることを特徴とする請求項1に記載の基板液処理装置。 - 前記制御手段は、前記基板の表面に対する液処理とリンス処理との間に、前記処理液供給手段及びリンス液供給手段から前記基板の表面への前記処理液及び前記リンス液の供給を停止した状態で前記基板保持手段で前記基板を回転させることを特徴とする請求項1に記載の基板液処理装置。
- 前記処理液供給手段は、反応熱の生成を伴う化学反応を行う少なくとも第1の薬液と加熱された第2の薬液との混合液を前記処理液として前記基板に供給する構成とし、
前記リンス液供給手段は、前記基板の表面に前記リンス液を供給し、前記基板の裏面に加熱されたリンス液を供給する構成とし、
前記制御手段は、前記基板の表面に対する液処理とリンス処理との間に、前記処理液供給手段を用いて前記第1の薬液の供給を停止し、前記第2の薬液を供給することにより前記基板の表面の温度を前記処理液の液温未満かつ前記リンス液の液温より高い温度にし、その後、前記リンス液供給手段を用いて第2の薬液の液温未満かつ前記基板の表面に供給するリンス液よりも高い温度に加熱されたリンス液を前記基板の裏面に供給することを特徴とする請求項1に記載の基板液処理装置。 - 前記第1の薬液は、過酸化水素水であり、
前記第2の薬液は、硫酸であり、
前記リンス液は、純水である
ことを特徴とする請求項4又は請求項6に記載の基板液処理装置。 - 基板を保持するための基板保持手段と、
前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給管と、
前記処理液供給管に第1の開閉弁を介して第1の薬液を供給する第1の薬液供給管と、
前記処理液供給管に第2の開閉弁を介して第2の薬液を供給する第2の薬液供給管と、
前記基板の表面にリンス液供給用開閉弁を介して前記処理液よりも低温のリンス液を供給するリンス液供給管と、
前記第1の開閉弁と前記第2の開閉弁と前記リンス液供給用開閉弁を制御するための制御手段と、
を有し、
前記制御手段は、前記第1の開閉弁及び前記第2の開閉弁を開き、前記第1の薬液と前記第2の薬液とを混合させた処理液を前記基板に供給し、その後、前記第1の開閉弁を閉じ、前記第2の開閉弁を開き、前記基板の表面の温度を前記処理液の液温未満かつリンス液の液温より高い温度にする前記第2の薬液を前記基板に供給し、その後、前記第1の開閉弁及び前記第2の開閉弁を閉じ、前記リンス液供給用開閉弁を開き、前記基板に前記処理液よりも低温のリンス液を供給するように制御することを特徴とする基板液処理装置。 - 基板の表面を処理液で液処理し、その後、前記基板の表面を前記処理液よりも低温のリンス液でリンス処理する基板液処理方法において、
前記液処理と前記リンス処理との間に、前記基板の表面の温度を前記処理液の液温未満かつ前記リンス液の液温より高い温度にする中間処理を行うことを特徴とする基板液処理方法。 - 前記中間処理は、前記処理液の液温未満かつ前記リンス液の液温より高い温度の中間処理液を前記基板に供給することを特徴とする請求項9に記載の基板液処理方法。
- 前記中間処理は、前記処理液の液温未満かつ前記リンス液の液温より高い温度の中間処理液を前記基板の裏面のみに供給することを特徴とする請求項9に記載の基板液処理方法。
- 前記中間処理は、前記処理液及び前記リンス液の供給を停止した状態で前記基板を回転させ、前記基板の表面の前記処理液を除去することを特徴とする請求項9に記載の基板液処理方法。
- 前記液処理は、反応熱の生成を伴う化学反応を行う少なくとも第1の薬液と加熱された第2の薬液との混合液を前記処理液として前記基板に供給し、
前記中間処理は、前記基板の表面に対する前記液処理と前記リンス処理との間に、前記第1の薬液の供給を停止し、前記第2の薬液を供給することにより前記基板の表面の温度を処理液の液温未満かつリンス液の液温より高い温度にすることを特徴とする請求項9に記載の基板液処理方法。 - 前記中間処理は、前記基板の表面に対する前記液処理と前記リンス処理との間に、前記処理液の液温未満かつ前記リンス液の液温より高い温度の第1の中間処理液を前記基板の表面に供給し、その後、前記第1の中間処理液の液温未満かつ前記リンス液の液温より高い温度の第2の中間処理液を前記基板の裏面に供給することを特徴とする請求項9に記載の基板液処理方法。
- 前記中間処理は、前記基板の表面に対する前記液処理と前記リンス処理との間に、前記処理液の液温未満かつ前記リンス液の液温より高い温度の第1の中間処理液を前記基板の表面に供給し、その後、前記第1の中間処理液の液温未満かつ前記リンス液の液温より高い温度の第2の中間処理液を前記基板の裏面に供給し、
前記リンス処理は、前記基板の表面に前記第2の中間処理液の液温と同じ温度のリンス液を供給した後に、前記第2の中間処理液の液温より低い温度のリンス液を供給することを特徴とする請求項9に記載の基板液処理方法。 - 前記処理液は、硫酸と過酸化水素水との混合液であり、
前記第1の中間処理液は、加熱された硫酸であり、
前記第2の中間処理液は、純水であり、
前記リンス液は、純水であることを特徴とする請求項14又は請求項15に記載の基板液処理方法。 - 基板の表面を処理液で液処理し、その後、前記基板の表面を前記処理液よりも低温のリンス液でリンス処理する基板液処理プログラムを記録した記録媒体において、
前記液処理と前記リンス処理との間に、前記基板の表面の温度を前記処理液の液温未満かつ前記リンス液の液温より高い温度にする中間処理を行うことを特徴とする基板液処理プログラムを記録した記録媒体。 - 前記中間処理は、前記処理液の液温未満かつ前記リンス液の液温より高い温度の中間処理液を前記基板に供給することを特徴とする請求項17に記載の基板液処理プログラムを記録した記録媒体。
- 前記中間処理は、前記処理液の液温未満かつ前記リンス液の液温より高い温度の中間処理液を前記基板の裏面のみに供給することを特徴とする請求項17に記載の基板液処理プログラムを記録した記録媒体。
- 前記中間処理は、前記処理液及び前記リンス液の供給を停止した状態で前記基板を回転させることを特徴とする請求項17に記載の基板液処理プログラムを記録した記録媒体。
- 前記中間処理は、前記処理液の液温未満かつ前記リンス液の液温より高い温度の第1の中間処理液を前記基板の表面に供給し、その後、前記第1の中間処理液の液温未満かつ前記リンス液の液温より高い温度の第2の中間処理液を前記基板の裏面に供給することを特徴とする請求項17に記載の基板液処理プログラムを記録した記録媒体。
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