JP2011521797A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサを備えるデバイスにおいて、前記センサは、
   可動要素の第１の端部と第２の端部との間で変位した回転軸に対して相対移動することによって、前記回転軸と前記第１の端部との間の第１のセクションおよび前記回転軸と前記第２の端部との間の第２のセクションを形成する可動要素において、前記第１のセクションは、前記回転軸と前記第２の端部との間の第２の長さより長い前記回転軸と前記第１の端部との間の第１の長さを有し、前記第１のセクションは、前記可動要素を貫通して延在する溝を有している、可動要素と、
   前記可動要素の前記第１のセクションに対向している第１の電極要素、および、前記可動要素の前記第２のセクションに対向している第２の電極要素を備えるとともに、前記可動要素から離間している静的導電層とを備える、デバイス。
2. 前記溝はそれぞれ、第１の寸法および第２の寸法を示し、前記第１の寸法は、前記第２の寸法より長く、前記第１の寸法は、前記第１の長さに合わせている、請求項１に記載のデバイス。
3. 前記可動要素は、前記回転軸に直交する対称軸を示し、前記溝は、前記対称軸の両側に均等に分配される請求項１に記載のデバイス。
4. 前記第１のセクションは、前記第１のセクション内で前記溝を形成する前に、第１の質量を有し、前記第１のセクションは、前記第１のセクション内で前記溝を形成した後に、前記第１の質量より２〜５パーセント小さい範囲にある第２の質量を有する、請求項１に記載のデバイス。
5. 基板を設ける工程と、
   第１の電極要素および第２の電極要素を含む静的導電性層を、前記基板上に形成する工程と、
   前記静的導電性層上に犠牲層を形成する工程と、
   可動要素の第１の端部と第２の端部との間で変位した回転軸に対して相対移動することによって、前記回転軸と前記第１の端部との間の第１のセクションおよび前記回転軸と前記第２の端部との間の第２のセクションを形成する可動要素を前記犠牲層上に形成する、可動要素形成工程であって、前記第１のセクションは、前記回転軸と前記第１の端部との間に延伸するとともに前記回転軸と前記第２の端部との間の第２の長さより長い第１の長さを有し、前記可動要素形成工程は、前記可動要素を貫通して延在する溝を前記第１のセクション内に形成することを含む、可動要素形成工程と、
   前記第１の電極要素が前記可動要素の前記第１のセクションに対向し、および、前記第２の電極要素が前記可動要素の前記第２のセクションに対向すべく形成されている導電性層を、前記可動要素から離間させるために、前記犠牲層を選択的に除去する工程とを備える、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサを作製するための方法。