JP2011509510A - 電界放射ディスプレイ - Google Patents
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Abstract
【選択図】図3
Description
本発明をその好ましい実施形態が示されている添付図面を参照してさらに十分に以下説明する。しかしながら、本発明は多くの異なる形態で実施されることができ、ここで説明されている実施形態に限定されると解釈されてはならず、むしろこれらの実施形態は完全性のために与えられており、十分に本発明の技術的範囲を当業者に伝えている。同じ参照符合は全体を通して同様の素子を示している。
Claims (12)
- 電界放射ディスプレイの製造方法において、
排気された室中に電子放射リセプタを配置し、
前記電子放射リセプタ付近に波長変換材料を配置し、
前記排気された室中に電子放射源を配置するステップを含んでおり、前記電子放射源は電子を前記電子放射リセプタ方向へ放射するように構成され、前記電子放射源は、
基板を提供し、
複数のZnOナノ構造を前記基板上に形成し、前記ZnOナノ構造はそれぞれ第1の端部と第2の端部を有し、前記第1の端部は前記基板に接続され、
前記ZnOナノ構造を相互に電気的に絶縁するために電気的絶縁を配置し、
導電部材を前記ZnOナノ構造の選択された前記第2の端部に接続し、
支持構造を前記導電部材上に形成し、
前記基板を除去して前記ZnOナノ構造の前記第1の端部を露出する製造方法。 - 前記複数のナノ構造を形成するステップは、前記基板上に複数の金属または金属酸化物の粒子を配置し、前記複数の金属または金属酸化物の粒子が前記ナノ構造を形成するために成長することを可能にするステップを含んでいる請求項1記載の方法。
- 前記電気的な接続部材を与えるステップは、それぞれ前記ナノ構造の異なる選択物に接続されている複数の電気的接続部材を提供するステップを含んでいる請求項1又は2記載の方法。
- 前記複数の電気的な接続部材は個別にアドレス可能である請求項3記載の方法。
- 前記基板は基本的に平坦である請求項1乃至4のいずれか1項記載の方法。
- 前記電気的絶縁体は絶縁体、半絶縁体、または貧弱な絶縁特性の絶縁体を具備するグループから選択される請求項1乃至5のいずれか1項記載の方法。
- 方法はさらに前記ナノ構造の前記露出された第1の端部をエッチングするステップを含んでいる請求項1乃至6のいずれか1項記載の方法。
- 電子放射リセプタと、
前記電子放射リセプタの近くに配置されている波長変換材料と、
前記電子放射源とを具備し、前記電子放射源は、
第1の端部と第2の端部とを有する複数のZnOナノ構造と、
前記ZnOナノ構造を相互に電気的に絶縁するように設けられた電気的絶縁構造と、
前記ZnOナノ構造の前記第2の端部に接続された導電部材と、
前記導電部材上へ形成された支持構造とを具備しており、前記ZnOナノ構造の前記第1の端部は前記ZnOナノ構造が良好に規定された表面から成長することを可能にされている端部であり、前記ZnOナノ構造の前記第1の端部は露出される電界放射ディスプレイ。 - それぞれ異なる選び抜きのナノ構造に接続されている複数の電気的な接続部材を具備している請求項8記載の電界放射ディスプレイ。
- 前記複数の電気的な接続部材は個々にアドレス可能である請求項9記載の電界放射ディスプレイ。
- さらに、電界放射電極の異なるセクションを制御するための制御論理装置を具備している請求項10記載の電界放射ディスプレイ。
- ナノ発生器のようなピエゾ電気構造に構成されている請求項8乃至11のいずれか1項記載の電子放射源。
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