JP2011249368A - 半導体発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】半導体発光素子の輝度の低下を抑制しつつ放熱性の向上を図り、廉価で装置の信頼性を向上させることができる、半導体発光装置を提供する。
【解決手段】成形樹脂部６５の外壁面に、インナーリード１０ｂが伸びて成形樹脂部６５を貫通し、これに繋がるアウターリード１０ａ、およびインナーリード２０ｂが伸びて成形樹脂部６５を貫通し、これに繋がるアウターリード２０ａが配されており、アウターリード１０ａの面積は、アウターリード２０ａの面積より広い。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光ダイオードなどを用いた半導体発光装置に関するものである。
一般に、発光ダイオードチップを用いる発光装置は、使用用途に応じて、様々な形態のパッケージに発光ダイオードチップを実装して形成される。
また、半導体発光素子から発せられた熱の放熱作用を高め、半導体発光素子の輝度の劣化を抑制することができる半導体発光装置用パッケージを開示した先行文献として、特許文献１がある。
図６は、特許文献１の図１に対応する図である。図６の半導体発光装置用パッケージ１１０においては、半導体発光素子の収容部１４０の周縁部となるパッケージの主面において、第１リード部１３０が、カップ部の開口縁から連続して、樹脂部から露出している。このようにして、第１リード部１３０、第２リード部１２０の全体において、樹脂部の外側に露出面を形成している。この結果、リード部における熱の放熱性の向上を図って、温度上昇により半導体発光素子の輝度が劣化することを防止している。
特許文献１の発明と同様に、リード部がパッケージの外部に露出するものとして、特許文献２のフルカラー発光ダイオード発光装置では、３色のＬＥＤチップを発光させるために必要なフレーム端子は、パッケージの一つの側面から外部へ露出すると共に、この側面とパッケージ底面の一部とに沿って折り曲げられている。また、特許文献３では、第１及び第２のリード端子５１、５３が、外部電源に電気的に接続するために、それぞれパッケージ本体５５の側壁を貫通して外部に延長されている発光ダイオードパッケージが開示されている。
特開２００９−９９５６号公報（２００９年１月１５日公開） 特開２００６−２４７９４号公報（２００６年１月２６日公開） 特開２００８−５３７２６号公報（２００８年３月６日公開）
特許文献１に記載された半導体発光装置用パッケージ１１０においては、上述したように、第１リード部１３０、第２リード部１２０の全体において、樹脂部の外側に露出面を形成している。この結果、リード部における熱の放熱性の向上を図って、温度上昇による半導体発光素子の輝度劣化を抑制している。
しかしながら、第１リード部１３０及び第２リード部１２０の、樹脂部の外側におけるリード部の面積あるいは体積が小さいため、放熱性が十分ではないという問題がある。
さらに、第１リード部１３０が、収容部１４０の開口縁から連続しているという構成を有しているため、リード部の製造が複雑となり、半導体発光装置用パッケージの製造コストが上昇してしまうという問題も生じる。
本発明は、前記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、半導体発光素子の輝度の低下を抑制しつつ放熱性の向上を図り、廉価で装置の信頼性を向上させることができる、半導体発光装置を提供することにある。
本発明の半導体発光装置は、前記課題を解決するために、実装基板に実装されることにより外部に光を出射する半導体発光装置であり、半導体発光素子と、半導体素子と、前記半導体発光素子を搭載する搭載面を有する第１インナーリード、および、前記実装基板の対応する電極と接続される第１アウターリードを繋げて成る第１リードフレームと、前記半導体素子を搭載する搭載面を有する第２インナーリード、および、前記実装基板の対応する電極と接続される第２アウターリードを繋げて成る第２リードフレームと、前記第１リードフレームおよび前記第２リードフレームを固定するための保持固定部材とを備える半導体発光装置であって、前記保持固定部材の外壁面に、前記第１インナーリードが伸びて前記保持固定部材を貫通し、これに繋がる前記第１アウターリード、および前記第２インナーリードが伸びて前記保持固定部材を貫通し、これに繋がる前記第２アウターリードが配されており、前記第１アウターリードの面積は、前記第２アウターリードの面積より広いことを特徴とする。
前記発明によれば、前記半導体発光素子を搭載する搭載面を有する第１インナーリードに繋がる第１アウターリードの面積を、第２アウターリード等の他のアウターリードの面積より広い面積となるようにしている。
前記半導体発光素子を搭載するリードフレームの面積をできるだけ大きく取ることで、前記半導体発光素子が発光する時の発熱による温度上昇に対して、効率よく放熱させることができ（第１アウターリードから実装基板のハンダ等に熱を逃がすことができ）、前記半導体発光素子を搭載する半導体発光装置全体において、パッケージの熱による変色劣化などを防ぐことができる。
また、半導体発光装置の放熱性が向上するので、半導体発光装置の信頼性も向上させることが出来る。その際、放熱性向上のための特別な部品を必要としないので、廉価で信頼性を向上させることが出来る。
さらに、前記半導体発光素子の温度上昇を抑えることが出来るので、前記半導体発光素子の駆動電流を大きくすることができる。
第１アウターリードは、半導体発光素子が搭載されている領域（凹部）から最短距離に形成されている。このため、半導体発光素子が発光した際に生じる熱を、前記最短距離を通じて第１アウターリードから逃がすことができるので、前記半導体発光装置の温度上昇を抑えることができる。
前記半導体発光装置に複数の半導体発光素子が搭載される場合は、前記凹部内に搭載される半導体発光素子の少なくとも１つが、前記第１アウターリードに近くなるように、各半導体発光素子を搭載する。これにより、放熱性を向上させることが出来る。
前記半導体素子は、前記保持固定部材（キャビティ、例えば成形樹脂部）の内側の前記第２インナーリード上に搭載されると共に、前記凹部に搭載された半導体発光素子よりも上部側に搭載されている。
また、前記半導体発光素子は、前記凹部の内部に配置されているので、前記半導体発光素子から出射された光が、前記保持固定部材の外壁（側壁）により半導体発光装置の出射方向に反射されるため、前記第２インナーリード上に形成された前記半導体素子に光を届きにくくすることができる。これにより、前記半導体素子が光を吸収することを抑制し、半導体発光装置から出射される光の輝度が低下することを抑えることができる。
以上のように、本発明の半導体発光装置では、半導体発光素子の輝度の低下を抑制しつつ放熱性の向上を図り、廉価で装置の信頼性を向上させることができる。
本発明の半導体発光装置は、以上のように、保持固定部材の外壁面に、第１インナーリードが伸びて前記保持固定部材を貫通し、これに繋がる第１アウターリード、および第２インナーリードが伸びて前記保持固定部材を貫通し、これに繋がる第２アウターリードが配されており、前記第１アウターリードの面積は、前記第２アウターリードの面積より広いものである。
それゆえ、半導体発光素子の輝度の低下を抑制しつつ放熱性の向上を図り、廉価で装置の信頼性を向上させることができる、半導体発光装置を提供するという効果を奏する。
本発明の実施の形態１における半導体発光装置の概要を示す斜視図、正面図である。 本発明の実施の形態１における半導体発光装置の平面図、断面図である。 本発明の実施の形態２における半導体発光装置の平面図である。 本発明の実施の形態２の変形例における半導体発光装置の平面図である。 本発明の実施の形態３における半導体発光装置の平面図、正面図である。 従来の半導体発光装置の模式図である。
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１を、図１及び図２に基づいて説明する。実施の形態１は、発光素子としてＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）を用いた、表面実装型の半導体発光装置についての実施の形態である。図１（ａ）は、本実施の形態に係る半導体発光装置１００の斜視図である。図１（ｂ）は、半導体発光装置１００の正面外観図である。図２（ａ）は半導体発光装置１００の平面図であり、図２（ｂ）は半導体発光装置１００のＡ−Ａ断面図であり、図２（ｃ）は半導体発光装置１００のＢ−Ｂ断面図である。
ここで、半導体発光装置１００は、実装基板に実装されることにより外部に光を出射する半導体発光装置であり、第１リードフレーム１０は、アウターリード１０ａ（第１アウターリード）と、インナーリード１０ｂ（第１インナーリード）とを繋げて成る。また、第２リードフレーム２０は、アウターリード２０ａ（第２アウターリード）と、インナーリード２０ｂ（第２インナーリード）とを繋げて成る。
ここでは、半導体発光装置１００の外観寸法は、横幅５．０ｍｍ（長辺）、高さ２．０ｍｍ、幅２．３ｍｍ（短辺）とした。また、後述する成形樹脂部６５（保持固定部材）の外壁面に沿っている、第１リードフレーム１０のアウターリード１０ａは、横幅２．６５ｍｍ、高さ１．１ｍｍとし、凸部１５の幅は０．５ｍｍとした。
アウターリード１０ａ，２０ａを備えた第１リードフレーム１０及び第２リードフレーム２０は、公知の半導体素子の封止材料、たとえばポリフタルアミド（ＰＰＡ），ポリカーボネート樹脂，エポキシ樹脂等で製造された成形樹脂部６５内に、インサート成形されて保護されている。インナーリード１０ｂの凹部４０上には、１つのＬＥＤ３０（半導体発光素子、横幅０．７ｍｍ、幅０．２９ｍｍ）が搭載され、このＬＥＤ３０は、シリコン樹脂によりインナーリード１０ｂに固定されている。凹部４０は、横幅１．５ｍｍ、幅０．９ｍｍ、深さ０．２ｍｍとした。
さらに、インナーリード２０ｂ上には、ツェナーダイオード５０（半導体素子）が搭載され、このツェナーダイオード５０は、銀ペーストによりインナーリード２０ｂに電気的に固定されている。ツェナーダイオード５０は、成形樹脂部６５（キャビティ）の内側のインナーリード２０ｂ上に搭載されると共に、凹部４０に搭載されたＬＥＤ３０よりも上部側に搭載されている。
さらに、インナーリード１０ｂとインナーリード２０ｂとを絶縁するために、絶縁性樹脂により成型樹脂層６０（絶縁層）が形成されている。この成型樹脂層６０は、成形樹脂部６５（保持固定部材）と一体化されて形成されたものであってもよい。また、この成型樹脂層６０は、樹脂ではなく、セラミック等の絶縁性部材を埋め込んで形成したものであってもよい。
さらに、ツェナーダイオード５０をインナーリード２０ｂ上に搭載し易くするために、絶縁性樹脂で形成された成型樹脂層６０は、半導体発光装置１００の短辺に対して斜めに形成されている。インナーリード２０ｂの表面の広い方にツェナーダイオード５０を搭載することにより、搭載が容易となる。
また、第１リードフレーム１０と第２リードフレーム２０とを保持固定するために、白色の樹脂による成形樹脂部６５が形成されている。
凹部４０には、蛍光体含有透光性樹脂が充填されており、蛍光体含有透光性樹脂が充填された凹部４０の上に、透光性樹脂が形成されている。また、凹部４０に、蛍光体含有透光性樹脂が充填されており、蛍光体含有透光性樹脂が充填された凹部４０の上に、さらに蛍光体含有透光性樹脂が設けられていてもよい。
前記透光性樹脂は、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂である。
図１（ａ）より、ＬＥＤ３０が載置されたインナーリード１０ｂに繋がっているアウターリード１０ａの体積が、アウターリード２０ａの体積に比較して大きい（横幅が広い）ことが分かる。即ち、アウターリード１０ａの横幅に比較して、アウターリード２０ａの横幅は狭いことが分かる。
アウターリード１０ａの横幅がアウターリード２０ａの横幅よりも広いことは、成形樹脂部６５の外壁面に沿っている、第１リードフレーム１０のアウターリード１０ａは、横幅２．６５ｍｍ、高さ１．１ｍｍとし、第２リードフレーム２０のアウターリード２０ａは横幅０．７ｍｍ、高さ１．１ｍｍとしたことからも分かる。
上述した各部の寸法は、あくまで一例である。本実施の形態に係る半導体発光装置１００は、アウターリード１０ａの横幅がアウターリード２０ａの横幅よりも広いことを特徴としている。
＜Ａ−Ａ線矢視断面図＞
図２（ａ）におけるＡ−Ａ線矢視断面図である図２（ｂ）について、半導体発光装置１００は、インナーリード１０ｂ、インナーリード２０ｂを備え、インナーリード２０ｂ上にツェナーダイオード５０が搭載され、ワイヤ８０がインナーリード１０ｂの凹部４０以外にボンディングされている。インナーリード１０ｂは凹部４０を有し、その上にＬＥＤ３０を搭載している。
ＬＥＤ３０の一方の端子は、ワイヤ７０ａにより電気的にインナーリード１０ｂにボンディングされアウターリード１０ａに繋がっている。ＬＥＤ３０の他方の端子は、ワイヤ７０ｂによりインナーリード２０ｂにボンディングされアウターリード２０ａに繋がっている。
＜Ｂ−Ｂ線矢視断面図＞
図２（ａ）におけるＢ−Ｂ線矢視断面図である図２（ｃ）について、半導体発光装置１００は、インナーリード１０ｂ、インナーリード２０ｂを備え、インナーリード２０ｂ上にツェナーダイオード５０が搭載されている。インナーリード２０ｂは、アウターリード２０ａに繋がっている。成形樹脂部６５を貫通する、第１リードフレーム１０のアウターリード１０ａは、成形樹脂部６５の外壁に沿って折り曲げられている。成形樹脂部６５を貫通する、第２リードフレーム２０のアウターリード２０ａは、成形樹脂部６５の外壁に沿って折り曲げられている。
なお、説明の便宜上、図２（ｃ）ではワイヤの図示は省略している。また、図２（ｃ）には示さないが、インナーリード１０ｂも、アウターリード１０ａに繋がっている。
＜放熱＞
上述したように、図１（ａ）より、ＬＥＤ３０が載置されたインナーリード１０ｂに繋がっているアウターリード１０ａの体積が、アウターリード２０ａの体積よりも大きい（横幅が広い）ことが分かる。即ち、アウターリード１０ａの横幅に比較して、アウターリード２０ａの横幅は狭いことが分かる。
本実施の形態１では、ＬＥＤ３０を搭載するインナーリード１０ｂに繋がるアウターリード１０ａの面積を、ＬＥＤ３０が搭載されない他のアウターリードの面積より広くするようにしている。ＬＥＤ３０を搭載するリードフレーム１０の体積をできるだけ大きく取ることで、ＬＥＤ３０が発光する時の発熱による温度上昇に対して、効率よく放熱させることができ（アウターリード１０ａから実装基板のハンダ等に熱を逃がすことができ）、ＬＥＤ３０を搭載する半導体発光装置１００全体において、パッケージの熱による変色劣化などを防ぐことができる。
また、インナーリード１０ｂに凹部４０を設けることにより、インナーリード１０ｂの表面積を広くでき、放熱性がさらに向上する。このインナーリード１０ｂは、アウターリード１０ａと繋がっていることを特徴としている。
また、半導体発光装置１００の放熱性が向上するので、半導体発光装置１００の信頼性も向上させることが出来る。その際、放熱性向上のための特別な部品を必要としないので、廉価で信頼性を向上させることが出来る。
さらに、ＬＥＤ３０の温度上昇を抑えることが出来るので、ＬＥＤ３０の駆動電流を大きくすることができる。
アウターリード１０ａが、ＬＥＤ３０を搭載しないインナーリード２０ｂに繋がるアウターリード２０ａよりも体積あるいは面積を大きくしたアウターリードに相当する。
アウターリード１０ａは、ＬＥＤ３０が搭載されている領域（凹部４０）から最短距離に形成されている。このため、ＬＥＤ３０が発光した際に生じる熱を、前記最短距離を通じてアウターリード１０ａから逃がすことができるので、半導体発光装置１００の温度上昇を抑えることができる。
＜重心の安定性＞
アウターリード１０ａの横幅が、アウターリード２０ａの横幅よりも広いため、半導体発光装置１００を実装基板に搭載した場合でも、傾くなど、固定が不安定な状態とならずに実装することができる。そのため、導光板と本実施の形態の半導体発光装置１００との光軸合わせが容易となり、光軸のズレが少なく抑えられる。さらに、アウターリード１０ａと実装基板のハンダ等との接着性が安定し、傾くことなどなく、隙間などがなく接着されるため、さらに放熱性を向上させることができる。
＜ショート防止＞
半導体発光装置１００を実装基板に実装する際に、アウターリード１０ａ及びアウターリード２０ａは、それぞれ、実装基板の対応する端子と、例えばハンダ等で固定及び電気的接続がなされる。
凸部１５は、ハンダの盛り上がりにより、アウターリード１０ａとアウターリード２０ａとが短絡することを防止する。
＜ハンダの這い上がり防止＞
半導体発光装置１００では、インナーリード１０ｂの凹部４０にＬＥＤ３０を搭載している。このため、成形樹脂部６５の上部の高さ（チップであるＬＥＤ３０の搭載面を囲む部分の高さ）を下げることにより、光取り出し効率を改善する構成としているが、この構成によって、アウターリードを実装基板の電極ランドに固定する場合にハンダ等が這い上がる可能性がある。特にアウターリード１０ａは面積（横幅が広い）が大きいため、ハンダ量も増え、このため這い上がる可能性がさらに高まる。
しかし、本実施の形態１の半導体発光装置１００では、図２（ｂ）に示しているように、オーバーハング１７を形成しているので、ハンダ等の這い上がりを防止することができる。
以上のように、本実施の形態１の半導体発光装置１００は、前記構成にすることにより、第１リードフレーム１０は、インナーリード１０ｂの凹部４０によりＬＥＤ３０からの発光を制御する部分（即ち、成形樹脂部６５に光を届かなくして成形樹脂部６５の樹脂の劣化を抑える部分）と、アウターリード１０ａの横幅を広くする（体積を大きくする）ことにより熱放散を促進する部分とを有するとともに、実装の際の安定性確保という主たる効果を有している。
また、ＬＥＤ３０は、凹部４０の内部に配置されているので、ＬＥＤ３０から出射された光が、成形樹脂部６５の外壁（側壁）により半導体発光装置１００の出射方向に反射されるため、インナーリード２０ｂ上に形成されたツェナーダイオード５０に光を届きにくくすることができる。これにより、ツェナーダイオード５０が光を吸収することを抑制し、半導体発光装置１００から出射される光の輝度が低下することを抑えることができる。
＜セラミック＞
なお、成形樹脂部６５に封止樹脂を用いる替わりに、第１リードフレーム１０と第２リードフレーム２０とを保持固定する保持固定部材をセラミックで形成し、当該保持固定部材と各リードフレームとを一体に形成してもよい。セラミックを使用することにより、半導体発光素子（ＬＥＤ３０）の放熱性をさらに向上させることが可能となる。
また、各アウターリードは、本体よりも半田濡れ性の良い金属をメッキしたものとすることが有利であり、本体を銅（Ｃｕ）、メッキする金属を錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）または銀（Ａｇ）、あるいは錫ビスマス合金（ＳｎＢｉ）としてもよい。
さらに、配線パターンが形成された平坦なプリント基板に対して傾斜しないように実装するために、成形樹脂部６５の実装面とする外壁に配置された各端子の表面は、前記外壁に平行かつ同一平面になるような厚みに形成している。
（実施の形態２）
次に本発明の実施の形態２について、図３に基づいて説明する。なお、本実施形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態１と同じである。また、説明の便宜上、前記実施の形態１の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
図３に示す本実施の形態２の半導体発光装置２００では、２つのＬＥＤ３０ａ，３０ｂが、インナーリード１０ｂの凹部４０に、ＬＥＤ３０ａの長辺とＬＥＤ３０ｂの長辺とが平行になるように搭載され、かつ、ＬＥＤ３０ａ，３０ｂの長辺が、半導体発光装置２００の長辺に対してズレている（即ち平行ではない）ように搭載する。２つのＬＥＤ３０ａ，３０ｂ（少なくとも２つの前記半導体発光素子、横幅０．７ｍｍ、幅０．２９ｍｍ）は、電気的に並列に接続されている。ツェナーダイオード５０は、凹部４０に搭載されたＬＥＤ３０ａ，３０ｂよりも高い箇所に搭載されている。
ＬＥＤ３０ａの一方の端子は、ワイヤ７０ａにより電気的にインナーリード１０ｂにボンディングされアウターリード１０ａに繋がっている。ＬＥＤ３０ａの他方の端子は、ワイヤ７０ｂによりインナーリード２０ｂにボンディングされアウターリード２０ａに繋がっている。
ＬＥＤ３０ｂの一方の端子は、ワイヤ７０ｃにより電気的にインナーリード１０ｂにボンディングされアウターリード１０ａに繋がっている。ＬＥＤ３０ｂの他方の端子は、ワイヤ７０ｄによりインナーリード２０ｂにボンディングされアウターリード２０ａに繋がっている。
本実施の形態２に係る、ＬＥＤ３０ａ，３０ｂの搭載方法によれば、ＬＥＤ３０ａ，３０ｂは、凹部４０の内部に配置されているので、ＬＥＤ３０ａ，３０ｂから出射された光が、成形樹脂部６５の外壁（側壁）により半導体発光装置２００の出射方向に反射されるため、半導体発光装置２００から出射される光の輝度が低下することを抑えることができる。
また、アウターリード１０ａは、ＬＥＤ３０ａ，３０ｂが搭載されている領域（凹部４０）から最短距離に形成されている。このため、ＬＥＤ３０ａ，３０ｂが発光した際に生じる熱を、前記最短距離を通じてアウターリード１０ａから逃がすことができるので、半導体発光装置２００の温度上昇を抑えることができる。
半導体発光装置２００のように、複数のＬＥＤが搭載される場合は、凹部４０内に搭載される半導体発光素子の少なくとも１つが、第１アウターリード１０ａに近くなるように、各ＬＥＤを搭載する。これにより、放熱性を向上させることが出来る。
（実施の形態２の変形例）
次に、本発明の実施の形態２の変形例について、図４に基づいて説明する。図４に示す本変形例の半導体発光装置２５０では、２つのＬＥＤ３０ｃ，３０ｄが、インナーリード１０ｂの凹部４０に、ＬＥＤ３０ｃの長辺とＬＥＤ３０ｄの長辺とが平行になるように搭載される。
また、ＬＥＤ３０ｃは、ＬＥＤ３０ｃのＰ型電極が、ＬＥＤ３０ｃのＮ型電極よりもアウターリード１０ａに近くなるように搭載されている。同様に、ＬＥＤ３０ｄは、ＬＥＤ３０ｄのＰ型電極が、ＬＥＤ３０ｄのＮ型電極よりもアウターリード１０ａに近くなるように搭載されている。２つのＬＥＤ３０ｃ，３０ｄ（横幅０．７ｍｍ、幅０．２９ｍｍ）は、電気的に並列に接続されている。ツェナーダイオード５０は、凹部４０に搭載されたＬＥＤ３０ｃ，３０ｄよりも高い箇所に搭載されている。
ＬＥＤ３０ｃのＮ型電極は、ワイヤ７０ｅにより電気的にインナーリード１０ｂにボンディングされアウターリード１０ａに繋がっている。ＬＥＤ３０ｄのＮ型電極は、ワイヤ７０ｆによりＬＥＤ３０ｃのＮ型電極にボンディングされており、ＬＥＤ３０ｃのＮ型電極及びインナーリード１０ｂを介してアウターリード１０ａに繋がっている。
ＬＥＤ３０ｄのＰ型電極は、ワイヤ７０ｇによりインナーリード２０ｂにボンディングされアウターリード２０ａに繋がっている。ＬＥＤ３０ｃのＰ型電極は、ワイヤ７０ｈによりＬＥＤ３０ｄのＰ型電極にボンディングされており、ＬＥＤ３０ｄのＰ型電極及びインナーリード２０ｂを介してアウターリード２０ａに繋がっている。
本変形例に係る、ＬＥＤ３０ｃ，３０ｄの搭載方法によれば、ＬＥＤ３０ｃ，３０ｄは、凹部４０の内部に配置されているので、ＬＥＤ３０ｃ，３０ｄから出射された光が、成形樹脂部６５の外壁（側壁）により半導体発光装置２５０の出射方向に反射されるため、半導体発光装置２５０から出射される光の輝度が低下することを抑えることができる。
また、本変形例の半導体発光装置２５０では、ＬＥＤ３０ｃ，３０ｄのＰ型電極が、ＬＥＤ３０ｃ，３０ｄのＮ型電極よりもアウターリード１０ａに近くなるように、ＬＥＤ３０ｃ，３０ｄが搭載されている。これにより、ＬＥＤ３０ｃ，３０ｄの発光時に生じる熱を、効率よくアウターリード１０ａから逃れさせることができる（ＬＥＤ３０ｃ，３０ｄには発光層が存在するため、Ｐ層、発光層が存在する側をアウターリード１０ａに近づける）。
さらに、本変形例の半導体発光装置２５０では、アウターリード１０ａは、ＬＥＤ３０ｃ，３０ｄが搭載されている領域（凹部４０）から最短距離に形成されている。このため、ＬＥＤ３０ｃ，３０ｄが発光した際に生じる熱を、前記最短距離を通してアウターリード１０ａから逃がすことができるので、半導体発光装置２５０の温度上昇を抑えることができる。
なお、本変形例及び実施の形態２において、ＬＥＤは２つとしたが、３つ以上でもよいことはいうまでない。
（実施の形態３）
最後に本発明の実施の形態３について、図５（ａ），（ｂ）に基づいて説明する。なお、本実施形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態１，２と同じである。また、説明の便宜上、前記実施の形態１，２の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
図５（ａ），（ｂ）に示す本実施の形態３の半導体発光装置３００では、外形が正方形であるＬＥＤ３０ｅ，３０ｆが、インナーリード１０ｂの凹部４０に、ＬＥＤ３０ｅ，３０ｆの一辺が平行になるように搭載され、かつ、ＬＥＤ３０ｅ，３０ｆの一辺が、半導体発光装置３００の長辺方向に対してズレている（即ち平行ではない）ように搭載する。２つのＬＥＤ３０ｅ，３０ｆ（０．４５ｍｍ□）は、電気的に直列に接続されている。２つのＬＥＤ３０ｅ，３０ｆは、渡しワイヤ７１で電気的に接続されている。ツェナーダイオード５０は、凹部４０に搭載されたＬＥＤ３０ｅ，３０ｆよりも高い箇所に搭載されている。
ＬＥＤ３０ｅの一方の端子は、ワイヤ７０ｉにより電気的にインナーリード１０ｂにボンディングされアウターリード１０ａに繋がっている。ＬＥＤ３０ｅの他方の端子は、ＬＥＤ３０ｆの一方の端子と渡しワイヤ７１により電気的に接続されている。ＬＥＤ３０ｆの他方の端子は、ワイヤ７０ｊによりインナーリード２０ｂにボンディングされアウターリード２０ａに繋がっている。
本実施の形態３に係る、ＬＥＤ３０ｅ，３０ｆの搭載方法によれば、ＬＥＤ３０ｅ，３０ｆは、凹部４０の内部に配置されているので、ＬＥＤ３０ｅ，３０ｆから出射された光が、成形樹脂部６５の外壁（側壁）により半導体発光装置３００の出射方向に反射されるため、半導体発光装置３００から出射される光の輝度が低下することを抑えることができる。
また、アウターリード１０ａは、ＬＥＤ３０ｅ，３０ｆが搭載されている領域（凹部４０）から最短距離に形成されている。このため、ＬＥＤ３０ｅ，３０ｆが発光した際に生じる熱を、前記最短距離を通してアウターリード１０ａから逃がすことができるので、半導体発光装置３００の温度上昇を抑えることができる。
図５（ａ），（ｂ）の半導体発光装置３００では、ＬＥＤ３０ｅ，３０ｆが載置されたインナーリード１０ｂに繋がっており、成形樹脂部６５の外壁面に沿うアウターリード１０ａ’の体積を、アウターリード１０ａよりもさらに大きくした（即ち、アウターリード１０ａ’の横幅を、アウターリード１０ａよりもさらに広くし、かつ、アウターリード１０ａ’の高さを、アウターリード１０ａよりもさらに高くした）ことを特徴としている。また、図５（ａ），（ｂ）から、アウターリード１０ａ’の横幅に比較して、アウターリード２０ａの横幅は狭いことが分かる。
半導体発光装置３００の前記特徴は、図５（ｂ）において、成形樹脂部６５の外壁面に沿っている、第１リードフレーム１０のアウターリード１０ａ’では、横幅３．４５ｍｍ（突き出し部１０ａＷを含む）、高さ１．３ｍｍとし、第２リードフレーム２０のアウターリード２０ａでは、横幅０．７ｍｍ、高さ１．３ｍｍとしたことからも分かる。
ここで挙げた寸法はあくまで一例である。半導体発光装置３００では、アウターリード１０ａ’の横幅が、アウターリード１０ａ，２０ａの横幅よりも広いことを特徴としている。
第１リードフレーム１０のアウターリード１０ａ’は、成形樹脂部６５の外壁面より外側に形成されていてもよい（外側に突き出している）。アウターリード１０ａ’の、外側に突き出した部分の長さは、０．６ｍｍ以内であることが好ましい。半導体発光装置３００を実装基板に配置した際に、半導体発光装置３００に隣接する部材と、半導体発光装置３００との配置関係からすると、外側に突き出した部分の長さは、前記範囲内であることが好ましい。
前記隣接する部材は、半導体発光装置３００であってもよく、半導体発光装置３００とは別の半導体発光装置であってもよい。前記隣接する部材が半導体発光装置３００である場合は、２つの半導体発光装置３００が隣接した状態で実装基板に配置される。
本実施の形態３のアウターリード１０ａ’は、アウターリード１０ａよりも、幅及び高さを大きくしているので、放熱性がさらに向上している。また、アウターリード１０ａよりも幅及び高さを大きくしたアウターリード１０ａ’と、アウターリード２０ａとにより半導体発光装置の固定の安定性がさらに向上する。
今回開示された実施の形態はすべて例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は前記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特急請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
本発明の半導体発光装置では、半導体発光素子の輝度の低下を抑制しつつ放熱性の向上を図り、廉価で装置の信頼性を向上させることができるので、ＬＥＤなどの半導体発光素子を備える半導体発光装置に好適に用いることが出来る。
１０ 第１リードフレーム
２０ 第２リードフレーム
１０ａ アウターリード（第１アウターリード）
１０ｂ インナーリード（第１インナーリード）
１５ 凸部
２０ａ アウターリード（第２アウターリード）
２０ｂ インナーリード（第２インナーリード）
３０，３０ａ〜３０ｆ ＬＥＤ（半導体発光素子）
５０ ツェナーダイオード（半導体素子）
６５ 成形樹脂部（保持固定部材）

Claims (12)

  1. 実装基板に実装されることにより外部に光を出射する半導体発光装置であり、
    半導体発光素子と、
    半導体素子と、
    前記半導体発光素子を搭載する搭載面を有する第１インナーリード、および、前記実装基板の対応する電極と接続される第１アウターリードを繋げて成る第１リードフレームと、
    前記半導体素子を搭載する搭載面を有する第２インナーリード、および、前記実装基板の対応する電極と接続される第２アウターリードを繋げて成る第２リードフレームと、
    前記第１リードフレームおよび前記第２リードフレームを固定するための保持固定部材とを備える半導体発光装置であって、
    前記保持固定部材の外壁面に、前記第１インナーリードが伸びて前記保持固定部材を貫通し、これに繋がる前記第１アウターリード、および前記第２インナーリードが伸びて前記保持固定部材を貫通し、これに繋がる前記第２アウターリードが配されており、
    前記第１アウターリードの面積は、前記第２アウターリードの面積より広いことを特徴とする半導体発光装置。
  2. 前記保持固定部材は成形樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
  3. 前記保持固定部材はセラミックで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
  4. 前記第１インナーリードと前記第２インナーリードとの間に、半導体発光装置の短辺に対して斜めに形成された、絶縁層をさらに備え、
    前記絶縁層は、前記保持固定部材と同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
  5. 前記保持固定部材の外壁面において、前記第１アウターリードと前記第２アウターリードの間に、凸部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
  6. 前記第１インナーリードは凹部を備え、
    前記凹部に前記半導体発光素子が搭載されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
  7. 前記凹部において、少なくとも２つの前記半導体発光素子が、電気的に並列または電気的に直列に接続され、
    前記半導体素子は、前記少なくとも２つの前記半導体発光素子より高い箇所に搭載されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体発光装置。
  8. 前記凹部に、蛍光体含有透光性樹脂が充填されており、
    蛍光体含有透光性樹脂が充填された前記凹部の上に、透光性樹脂が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体発光装置。
  9. 前記凹部に、蛍光体含有透光性樹脂が充填されており、
    蛍光体含有透光性樹脂が充填された前記凹部の上に、さらに蛍光体含有透光性樹脂が設けられていることを特徴とする請求項６に記載の半導体発光装置。
  10. 前記透光性樹脂は、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂であることを特徴とする請求項８に記載の半導体発光装置。
  11. 前記第１アウターリードおよび前記第２アウターリードは、本体よりも半田濡れ性の良い金属をメッキしたものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
  12. 前記本体は銅であり、
    前記金属は、錫、金または銀であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体発光装置。
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