JP2011228711A - 半導体集積回路チップを分離および搬送する方法 - Google Patents
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-
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Abstract
【解決手段】複数の半導体素子また半導体集積回路が形成されたウエハー100から当該半導体素子または当該半導体集積回路を分離する方法であって、当該ウエハー100の表面に、分離のために除去される線状の部分を露出させたマスク層を形成する工程と、当該露出部分をウエハーの厚みの3分の2以上の深さまでエッチングする工程とを含み、分離されたあとの個々の当該半導体素子または当該半導体集積回路の一つの群に他と識別できる形状を与えることを特徴とする方法が提供される。
【選択図】図1A
Description
さらに、形成する「欠け」の形状および位置によって、不良のモードを複数に分けて情報付与することも可能である。
(1)エッチングチャンバー内でウエハーを搭載するステージ又は下部電極上で、チップが完全に分離されるまで、ウエハーの厚みの全部にわたってエッチングを行なう場合;
・方法A
被加工ウエハーをステージ又は下部電極上に直接置くのでなく、ウエハーよりもひと回り大きい円形または6角形、方形のトレーを介してウエハーを置き、その状態でエッチングを行なう。チップが完全分離された後は、その状態でそのトレーを、搬送アームのような機械的搬送手段によって、チャンバーから取り出し、次工程のための装置のインタフェースまで運ぶ。
通常、エッチングでウエハーを分離する場合、ウェハーおよび搬送シートの下側までエッチングしてしまうと、チップがバラバラになりチップの搬送が困難となる。そこで搬送シートのシート上面の手前でエッチングを止めなければならないが、その為にはエッチングの終点を検出する必要が生ずる。しかし、シート上面の手前でエッチングを止めるための終点検出には、数μmレベルの精度が必要となり、困難である。そこでシートとウエハーの間に熱可塑性の樹脂を入れる(第1の例)。
上記の第1の例では、エッチングにより、ウエハー100、熱可塑性の樹脂102および搬送シート104まで切断し分割してしまったが、搬送シートとウェハーの間に熱可塑性の樹脂を入れる第2の例では、搬送シートの分離は行わない。
搬送シートとウェハーの間に熱可塑性の樹脂を入れるこの第2の例も、搬送シートの分離は行わない。第2の例では、樹脂202がエッチングされている途中に熱を加えて、搬送シート204の損傷を防止したが、この第3の例では、エッチングが搬送シートに達してしまっても搬送シートの損傷を回復できる例である。
被加工ウエハーをステージ又は下部電極上に直接置いてエッチングを行ない、チップを分離する。ステージまたは下部電極の近傍斜め下方に分離済みチップの回収容器(受け皿、トレー、ボックス状でも可)を用意し、ステージ又は下部電極をその回収容器の方向に傾斜させることによって、分離されたチップが回収容器に回収される。
被加工ウエハーをステージ又は下部電極上に直接置いてエッチングを行ない、チップを分離する。ステージまたは下部電極の近傍斜め下方に分離済みチップの回収容器(受け皿、トレー、ボックス状でも可)を用意し、その回収容器の反対側から分離済みのチップ群を通って回収容器に達する流体(気体または液体)の流れを発生させ、その流れによって、分離済みのチップを回収容器に回収する。この場合、回収容器の底部など一部は、流体のみの通過を許す大きさの多数の孔を設けるか、メッシュ状にしておく。流れを形成するための気体としては、窒素などの比較的安価で不活性なガスが好ましく、液体であれば、イソプロピルアルコール、フロン液などが適している。別の方法としては、真空掃除機の吸い口のような構成品で吸引回収することも可能である。また、粘着性のシートに付着させた状態で搬送することもできる。
上記方法(3)に開示した、流体による搬送方法において、チップ表面にフォトレジスト層や一時的な保護層が形成されている場合、それらの層を溶かす溶剤を搬送用の流体として用いれば、搬送しながら層の除去(ストリッピング)を行なうことができる。これにより、搬送中は保護層によって、チップ相互の接触による表面の損傷を防止しつつ、搬送の終了時点では、その保護層の除去が完了するというメリットが得られる。
方法A
適度な形状の環状剛性フレームの枠内に張られたポリイミドなどのフレキシブルシート上にウエハーを貼付し、その状態でステージ又は下部電極上において、チップが完全に分離される直前の深さまでエッチングを行なう。その状態でフレームごと次工程または次工程近傍まで搬送し、そのシートの平面性を壊す工程を行なって、わずかに残されてチップ間をつないでいるシリコン層を破壊してチップの分離を完成させることができる。
・裏面側から中央を機械的に持ち上げる、
・裏面側を陽圧にして、あるいは裏面に気体または液体を吹き付けて表面側が凸になるように持ち上げる、
などの方法がある。
適度な形状の環状剛性フレームの枠内に張られたポリイミドなどのフレキシブルシート上にウエハーを貼付し、その状態でステージ又は下部電極上において、チップが完全に分離される直前の深さまでエッチングを行なう。その状態でフレームごと次工程装置または次工程装置近傍まで搬送し、機械的・熱的衝撃を与えて、わずかに残されてチップ間をつないでいるシリコン層を破壊してチップの分離を完成させることができる。
機械的・熱的衝撃を与える手段としては;
・打撃、音波、超音波、急激な温度変化などの方法がある。
102 熱可塑性樹脂
104 搬送シート
106 チップ
200 ウエハー
202 熱可塑性樹脂
204 搬送シート
206 チップ
300 ウエハー
302 熱可塑性樹脂
304 搬送シート
306 チップ
400 シリコンインターポーザー
402、404、406、408、410 チップ
412 ボンディングワイヤ
414 CPU
416 チップ
418 シリコンインターポーザー
500 チップ
502 ボンディングパッド
504 ボンディングワイヤー
600、602、604、606、608、610、612、614 チップ
616〜619 チップ
Claims (20)
- 複数の半導体素子また半導体集積回路が形成されたウエハーから当該半導体素子または当該半導体集積回路を分離する方法であって、
当該ウエハーの表面に、分離のために除去される線状の部分を露出させたマスク層を形成する工程と、
当該露出部分をウエハーの厚みの3分の2以上の深さまでエッチングする工程とを含み、
分離されたあとの個々の当該半導体素子または当該半導体集積回路の一つの群に他と識別できる形状を与えることを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、
当該線状のパターンは、当該半導体素子または当該半導体集積回路を分離するための単純な格子線以外の部分を含むことによって、分離されたあとの個々の当該半導体素子または当該半導体集積回路に他と識別できる形状を与えることを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、
識別は電気的試験の結果の良品と不良品を識別するためのものであることを特徴とする方法。 - 請求項3に記載の方法において、
良品は単純な格子線で加工された形状を有し、不良品は単純な格子線以外のパターンで加工された部分を含むことを特徴とする方法。 - 複数の半導体素子また半導体集積回路が形成されたウエハーから当該半導体素子または当該半導体集積回路を分離する方法であって、
当該ウエハーの表面に、分離のために除去される線状の部分を露出させたマスク層を形成する工程と、
当該露出部分をウエハーの厚みの3分の2以上の深さまでエッチングする工程とを含み、
当該線状のパターンは、当該半導体素子または当該半導体集積回路の間隔部に形成されたテスト素子が、分離後の当該半導体素子または当該半導体集積回路に付随して残ることがないように形成された線状パターンであることを特徴とする方法。 - 請求項5に記載の方法であって、
当該線状のパターンは、当該テスト素子の周囲を囲む閉じた線を含むことを特徴とする方法。 - 複数の半導体素子また半導体集積回路が形成されたウエハーから当該半導体素子または当該半導体集積回路を分離する方法であって、
当該ウエハーの表面に、分離のために除去される線状の部分を露出させたマスク層を形成する工程と、
当該露出部分を当該半導体素子または当該半導体集積回路を分離できるまでエッチングする工程と、
互いに分離された複数の当該半導体素子または当該半導体集積回路を流体の流れに乗せて移送する工程を含むことを特徴とする方法。 - 複数の半導体素子また半導体集積回路が形成されたウエハーから当該半導体素子または当該半導体集積回路を分離する方法であって、
当該ウエハーの表面に、分離のために除去される線状の部分を露出させたマスク層を形成する工程と、
当該ウエハーをステージ上に置く工程と、
当該露出部分を当該半導体素子または当該半導体集積回路を分離できるまでエッチングする工程と、
当該ステージを傾斜させて、分離された当該半導体素子または当該半導体集積回路を当該ステージ近傍に用意した回収部に移す工程とを含むことを特徴とする方法。 - 適度な形状の環状剛性フレームの枠内に張られたフレキシブルシート上にウエハーを貼付し、その状態でステージにおいて、チップが完全に分離される直前の深さまでトレンチエッチングを行ない、その状態でフレームごと次工程または次工程近傍まで搬送し、そのフレキシブルシートの平面性を壊す工程を行なって、わずかに残されてチップ間をつないでいる基板層を破壊してチップの分離を完成させることを特徴とする半導体素子または半導体集積回路の分離方法。
- 適度な形状の環状剛性フレームの枠内に張られたフレキシブルシート上にウエハーを貼付し、その状態でステージにおいて、チップが完全に分離される直前の深さまでトレンチエッチングを行ない、その状態でフレームごと次工程または次工程近傍まで搬送し、機械的・熱的衝撃を与えて、わずかに残されてチップ間をつないでいるシリコン層を破壊してチップの分離を完成させることを特徴とする半導体素子または半導体集積回路の分離方法。
- チャンバー内のステージに固定されていないトレーあるいはプレートを介してウエハーをステージ上に置き、チップが完全に分離される深さまでトレンチエッチングを行ない、その状態で当該トレーまたはプレートごと次工程または次工程近傍まで搬送することを特徴とする半導体素子または半導体集積回路の分離搬送方法。
- 請求項11に記載の方法であって、
ウエハーがトレーまたはプレートに接着層で固定され、当該接着層は温度によって固層/液層が遷移する材料であることを特徴とする方法。 - 複数の半導体素子また半導体集積回路が形成されたウエハーから前記半導体素子または前記半導体集積回路を分離する方法であって、
前記ウエハーを熱可塑性の樹脂を介して搬送シートに接着させる工程と、
前記ウエハーの表面に、分離のために除去される線状の部分を露出させたマスク層を形成する工程と、
前記マスク層をマスクとして前記ウエハーと前記樹脂および前記搬送シートをエッチングし、前記半導体素子または前記半導体集積回路を分離する工程と、
前記樹脂を加熱し、前記樹脂を液状に溶かす工程と、
分離された複数の搬送シート同士をつなげるよう、前記樹脂を冷却し前記液状の樹脂を硬化させる工程を含むことを特徴とする方法。 - 請求項13に記載の方法であって、
前記ウエハー上に形成された複数の半導体素子また半導体集積回路は、同一形状であることを特徴とする方法。 - 請求項13に記載の方法であって、
前記分離された前記半導体素子または前記半導体集積回路におけるボンディングパッドの位置が、ボンディングワイヤーを介して接続される外部引き出し用端子の位置に近くなるよう、前記半導体素子または前記半導体集積回路の形状を調整する方法。 - 複数の半導体素子また半導体集積回路が形成されたウエハーから前記半導体素子または前記半導体集積回路を分離する方法であって、
前記ウエハーを熱可塑性の樹脂を介して搬送シートに接着させる工程と、
前記ウエハーの表面に、分離のために除去される線状の部分を露出させたマスク層を形成する工程と、
前記マスク層をマスクとして前記ウエハーまでエッチングする工程と、
前記樹脂に対するエッチングが進まなくなるよう、前記樹脂を加熱し、前記樹脂を液状に溶かす工程、
前記樹脂を冷却し前記液状の樹脂を硬化させる工程を含むことを特徴とする方法。 - 請求項16に記載の方法であって、
前記ウエハーまでエッチングする工程と、前記樹脂を液状に溶かす工程との間に、さらに前記樹脂に対するエッチングを行う工程を有することを特徴とする方法。 - 請求項16に記載の方法であって、
前記ウエハーまでエッチングする工程と、前記樹脂を液状に溶かす工程との間に、さらに前記樹脂および前記搬送シートの一部に対するエッチングを行う工程を有することを特徴とする方法。 - 請求項16に記載の方法であって、
前記ウエハー上に形成された複数の半導体素子また半導体集積回路は、同一形状であることを特徴とする方法。 - 請求項16に記載の方法であって、
前記分離された前記半導体素子または前記半導体集積回路におけるボンディングパッドの位置が、ボンディングワイヤーを介して接続される外部引き出し用端子の位置に近くなるよう、前記半導体素子または前記半導体集積回路の形状を調整する方法。
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