JP2011191730A - 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本表示装置は、基板と、前記基板上に形成されるトランジスタと、前記トランジスタ上に形成される層間絶縁膜と、前記トランジスタの一つの電極上に設けられ、かつ、前記層間絶縁膜を貫通する導電ポストと、前記層間絶縁膜上に形成される画素電極と、前記導電ポストの上方に位置する第1の隔壁と、前記第1の隔壁と交差してまたは交差する直線上に位置し前記画素電極の幅値を所定値にする第2の隔壁と、を具備することを特徴とする。
【選択図】図25
Description
本発明の第一の実施の形態の表示装置の一例を図1、図2に示す。図1は表示装置1の一例を示す断面図であり、図2は有機発光層14、対向電極15を省略した表示装置1の一例を示す平面図である。なお、図1の断面図は、図2でのA−A'での断面を示している。
次に、本発明の第二の実施の形態について説明する。
次に、本発明の第三の実施の形態について説明する。
本発明の第四の実施の形態として、上記の第一の実施の形態、第二の実施の形態、第三の実施の形態における有機EL素子16や表示装置は、テレビ受信機(TV)、携帯電話機等の電子機器に実装されてもよい。
次に、本発明の第五の実施の形態について説明する。
次に、本発明の第六の実施の形態について説明する。
次に、本発明の第七の実施の形態について説明する。
次に、本発明の第八の実施の形態について説明する。
次に、本発明の第九の実施の形態について説明する。
次に、本発明の第十の実施の形態について説明する。
本発明の第十一の実施の形態の表示装置の一例を図25、図26に示す。図25は表示装置1の一例を示す断面図であり、図26は有機発光層14、対向電極15を省略した表示装置1の一例を示す平面図である。なお、図25の断面図は、図26でのA−A'での断面を示している。
第十一の実施の形態の変形例1では、図25及び図26に示す表示装置1と類似した構造の表示装置において、層間絶縁膜9として、常温硬化型ガラスを用いる例を示す。図29〜図31に従って以下に説明する。
第十一の実施の形態の変形例2では、図25及び図26に示す表示装置1の有する層間絶縁膜9として、高分子樹脂を用いる例を示す。第十一の実施の形態とは製造方法が異なるため、前述の図27〜図29に加えて図32を用いて以下に説明する。
次に、本発明の第十二の実施の形態について説明する。
次に、本発明の第十三の実施の形態について説明する。
次に、本発明の第十四の実施の形態について説明する。上記の第十一の実施の形態〜第十三の実施の形態では有機EL素子16を用いた表示装置1について説明したが、本発明の構造は高い開口率を有する画素電極13を実現できるので、有機発光層14、対向電極15の替わりに画素電極13上に表示機能層を有し、表示機能層上に対向電極15を有する表示装置1においても高い開口率となるため良好な画像を得ることができる。表示機能層としては電気泳動粒子、エレクトロクロミック層、液晶層等が採用できる。
2 基板
3 ゲート電極
4 ゲート絶縁膜
5 活性層
6 ソース電極
7 ドレイン電極
8 TFT
9 層間絶縁膜
10 第1の隔壁
11 第2の隔壁
12 開口
13 画素電極
14 有機発光層
15 対向電極
16 有機EL素子
17 導電ポスト
17x コンタクトホール
18 補助電極
19 撥液膜
20 配向膜
21 エレクトロクロミック層
Claims (15)
- 基板と、
前記基板上に形成されるトランジスタと、
前記トランジスタ上に形成される層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成される画素電極と、
前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールの上方に位置する第1の隔壁と、
前記第1の隔壁と交差してまたは交差する直線上に位置し前記画素電極の幅値を所定値にする第2の隔壁と、
を具備することを特徴とする表示装置。 - 前記コンタクトホールと前記第1の隔壁との間の位置にて前記コンタクトホールおよび
前記層間絶縁膜に亘って形成される補助電極を有し、前記補助電極の端部が画素電極の下
方に位置することを特徴とする請求項1記載の表示装置。 - 前記コンタクトホールは導電材料からなる導電ポストであることを特徴とする請求項1又は2記載の表示装置。
- 前記導電ポストは前記層間絶縁膜表面から突出していることを特徴とする請求項3記載の表示装置。
- 前記第1の隔壁は前記第2の隔壁の上に形成される隔壁であることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項記載の表示装置。
- 前記第1の隔壁と前記第2の隔壁の一方または双方は撥液性を有することを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項記載の表示装置。
- 前記第2の隔壁は、前記第1の隔壁と略直交して位置し前記画素電極の幅値を所定値にする隔壁であることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項記載の表示装置。
- 前記画素電極上に形成され前記第1の隔壁と隣接して位置する有機発光層および対向電極からなる有機EL素子をさらに具備することを特徴とする請求項1乃至7の何れか一項記載の表示装置。
- 前記画素電極上に表示機能層を有し、該表示機能層上に対向電極を有し、
前記表示機能層が電気泳動粒子、エレクトロクロミック層および液晶層の少なくとも1つであることを特徴とする請求項1乃至7の何れか一項記載の表示装置。 - ソース電極およびドレイン電極を有するトランジスタを形成する工程と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極のいずれか一方の上に位置するコンタクトホールを有する層間絶縁膜を前記トランジスタ上に被覆する工程と、
前記層間絶縁膜上に第1の隔壁を形成する工程と、
前記第1の隔壁間に位置し前記コンタクトホールを有する層間絶縁膜上に画素電極を形成する工程と、
前記第1の隔壁と交差してまたは交差する直線上に位置し、前記画素電極上に形成され前記コンタクトホールの上方に位置する第2の隔壁を形成する工程と、
を具備することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記コンタクトホールは、導電材料からなる導電ポストであり、
前記コンタクトホールを有する前記層間絶縁膜を前記トランジスタ上に被覆する工程は、
前記ソース電極および前記ドレイン電極のいずれか一方の上に前記導電ポストを形成する工程と、
前記層間絶縁膜を形成する液体材料を塗布して前記トランジスタを前記層間絶縁膜で被覆し、かつ、前記層間絶縁膜表面から前記導電ポストを突出させる工程と、
を含むことを特徴とする請求項10記載の表示装置の製造方法。 - 前記第2の隔壁を形成する工程は、前記第1の隔壁と略直交して位置し、前記画素電極上に形成され前記コンタクトホールの上方に位置する第2の隔壁を形成する工程であることを特徴とする請求項10又は11記載の製造方法。
- ソース電極およびドレイン電極を有するトランジスタを形成する工程と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極のいずれか一方の上に位置するコンタクトホールを有する層間絶縁膜を前記トランジスタ上に被覆する工程と、
前記層間絶縁膜上に第1の隔壁を形成する工程と、
前記第1の隔壁間に位置し前記コンタクトホールを有する層間絶縁膜上に補助電極を形成する工程と、
前記第1の隔壁と交差してまたは交差する直線上に位置し、前記補助電極上に形成され前記コンタクトホールの上方に位置する第2の隔壁を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に形成され前記第1の隔壁と隣接して位置しさらに前記補助電極と接続して位置する画素電極を形成する工程と、
を具備することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記コンタクトホールは、導電材料からなる導電ポストであり、
前記コンタクトホールを有する前記層間絶縁膜を前記トランジスタ上に被覆する工程は、
前記ソース電極および前記ドレイン電極のいずれか一方の上に前記導電ポストを形成する工程と、
前記層間絶縁膜を形成する液体材料を塗布して前記トランジスタを前記層間絶縁膜で被覆し、かつ、前記層間絶縁膜表面から前記導電ポストを突出させる工程と、
を含むことを特徴とする請求項13記載の表示装置の製造方法。 - 前記第2の隔壁を形成する工程は、前記第1の隔壁と略直交して位置し、前記補助電極上に形成され前記コンタクトホールの上方に位置する第2の隔壁を形成する工程であることを特徴とする請求項13又は14記載の表示装置の製造方法。
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