JP2011188148A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011188148A JP2011188148A JP2010049914A JP2010049914A JP2011188148A JP 2011188148 A JP2011188148 A JP 2011188148A JP 2010049914 A JP2010049914 A JP 2010049914A JP 2010049914 A JP2010049914 A JP 2010049914A JP 2011188148 A JP2011188148 A JP 2011188148A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- pixel
- signal
- sensitivity
- low
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 25
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 8
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 8
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 claims description 5
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 claims description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 46
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 9
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 7
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/58—Control of the dynamic range involving two or more exposures
- H04N25/581—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously
- H04N25/585—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously with pixels having different sensitivities within the sensor, e.g. fast or slow pixels or pixels having different sizes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体基板内に一定ピッチで2次元配置された複数の画素を有する固体撮像装置であって、各画素は、入射光を光電変換し蓄積するための第1のフォトダイオード31aと、入射光を光電変換し蓄積するための第1のフォトダイオード31aよりも飽和電荷量が大きい第2のフォトダイオード31bと、第1のフォトダイオード31aに光を集光するための第1のマイクロレンズ33aと、第2のフォトダイオード31bに光を集光するための第1のマイクロレンズ33aよりも開口の小さい第2のマイクロレンズ33bとを備えた。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係わるCMOSイメージセンサの単位画素の構成を示す断面図である。
図2は、本発明の第2の実施形態に係わるCMOSイメージセンサの概略構成を示すブロックである。
従来画素の光感度:SENS
従来画素の飽和レベル:VSAT
高感度画素の光感度:SENS1
高感度画素の飽和レベル:VSAT1
低感度画素の光感度:SENS2
低感度画素の飽和レベル:VSAT2
で表すと、
SENS = SENS1 + SENS2
VSAT = VSAT1 + VSAT2 …(1)
高感度画素が飽和して低感度モードに切り替わると、得られる信号電荷量が減少してS/Nが低下する。高感度画素が飽和する光量は、VSAT1/SENS1 で表される。この光量での低感度画素の信号出力は、VSAT1 × SENS2/SENS1 となる。従って、この光量での信号出力の低下率は、
(VSAT1×SENS2/SENS1)/(VSAT1×SENS/SENS1) = SENS2/SENS …(2)
となる。高感度/低感度モード切替時の信号低下は避けたいので、SENS2/SENS は、10%から50%の間に設定するのが妥当と考えられる。本実施形態では、SENS2/SENS=1/4=25%に設定している。
(VSAT2/VSAT)×(SENS/SENS2) …(3)
となる。この式(3)より明らかなように、VSAT2/VSAT は可能な限り大きくした方が良い。これは、高感度画素と低感度画素の飽和レベルは、低感度画素の方を大きくした方が良いということを意味している。数式で表すと、
VSAT1/SENS1 < VSAT2/SENS2 …(4)
を満たすと、ダイナミックレンジを拡大することができる。
図7は、本発明の第3の実施形態に係わるCMOSイメージセンサの単位画素の構成を示す断面図である。なお、図1と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態では、CMOSイメージセンサの例で説明したが、本発明はCMOSイメージセンサに限らずCCDイメージセンサに適用することも可能である。また、図2に示した回路構成は一例であり、本発明は高感度画素と低感度画素を備えた各種の固体撮像装置に適用することができる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
Claims (6)
- 半導体基板内に一定ピッチで2次元配置された複数の画素を有する固体撮像装置であって、前記各画素は、
入射光を光電変換し蓄積するための第1のフォトダイオードと、
入射光を光電変換し蓄積するための前記第1のフォトダイオードよりも飽和電荷量が大きい第2のフォトダイオードと、
前記第1のフォトダイオードに光を集光するための第1のマイクロレンズと、
前記第2のフォトダイオードに光を集光するための前記第1のマイクロレンズよりも開口の小さい第2のマイクロレンズと、
を具備したことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記第1のフォトダイオードに接続され、信号電荷を読み出す第1の読み出しトランジスタと、
前記第2のフォトダイオードに接続され、信号電荷を読み出す第2の読み出しトランジスタと、
前記第1及び第2の読み出しトランジスタに接続され信号電荷を蓄積するフローティングディフュージョンと、
前記フローティングディフュージョンの電位をリセットするリセットトランジスタと、
前記フローティングディフュージョンの電位を増幅する増幅トランジスタと、
を更に有することを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第1のフォトダイオードの信号電荷と前記第2のフォトダイオードの信号電荷とを前記フローティングディフュージョンで加算した電位を増幅して信号を出力する第1の動作モードと、
前記第2のフォトダイオードの信号電荷が前記第2の読出しトランジスタにより読み出された前記フローティングディフュージョンの電位を増幅して信号を出力する第2の動作モードと、
を有することを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。 - 前記第1のフォトダイオードの信号電荷と前記第2のフォトダイオードの信号電荷とを、別々に読み出して信号を出力する第1の動作モードと、
前記第2のフォトダイオードの信号電荷を読み出して信号を出力する第2の動作モードと、
を有することを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。 - 前記第1のフォトダイオードの光感度をSENS1、飽和レベルをVSAT1、前記第2のフォトダイオードの光感度をSENS2、飽和レベルをVSAT2で表すと、
VSAT1/SENS1 < VSAT2/SENS2
の関係式を満たすことを特徴とする請求項3又は4記載の固体撮像装置。 - 前記第1のマイクロレンズと前記第2のマイクロレンズは互いに市松模様状に配置されていることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010049914A JP5091964B2 (ja) | 2010-03-05 | 2010-03-05 | 固体撮像装置 |
TW100105639A TWI450388B (zh) | 2010-03-05 | 2011-02-21 | Solid-state imaging device |
CN201110051858.7A CN102194842B (zh) | 2010-03-05 | 2011-03-03 | 固体摄像器件 |
US13/040,968 US9029749B2 (en) | 2010-03-05 | 2011-03-04 | Solid-state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010049914A JP5091964B2 (ja) | 2010-03-05 | 2010-03-05 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011188148A true JP2011188148A (ja) | 2011-09-22 |
JP5091964B2 JP5091964B2 (ja) | 2012-12-05 |
Family
ID=44530482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010049914A Expired - Fee Related JP5091964B2 (ja) | 2010-03-05 | 2010-03-05 | 固体撮像装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9029749B2 (ja) |
JP (1) | JP5091964B2 (ja) |
CN (1) | CN102194842B (ja) |
TW (1) | TWI450388B (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012161304A1 (ja) | 2011-05-26 | 2012-11-29 | 東レ株式会社 | シンチレータパネルおよびシンチレータパネルの製造方法 |
WO2014069284A1 (ja) | 2012-11-01 | 2014-05-08 | 東レ株式会社 | 放射線検出装置およびその製造方法 |
WO2014080941A1 (ja) | 2012-11-26 | 2014-05-30 | 東レ株式会社 | シンチレータパネルおよびその製造方法 |
KR20160034848A (ko) | 2013-07-22 | 2016-03-30 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 소자 및 전자 기기 |
KR20170010352A (ko) | 2014-05-30 | 2017-01-31 | 도레이 카부시키가이샤 | 신틸레이터 패널, 방사선 화상 검출 장치 및 그 제조 방법 |
JP2017504966A (ja) * | 2014-01-21 | 2017-02-09 | ソニー株式会社 | 撮像素子、および電子装置 |
WO2017169241A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
WO2018105474A1 (ja) * | 2016-12-08 | 2018-06-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
JP2020096369A (ja) * | 2016-01-29 | 2020-06-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
WO2022149488A1 (ja) * | 2021-01-07 | 2022-07-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置および電子機器 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI504256B (zh) * | 2008-04-07 | 2015-10-11 | Sony Corp | 固態成像裝置,其訊號處理方法,及電子設備 |
JP5091964B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2012-12-05 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP5646421B2 (ja) * | 2011-09-22 | 2014-12-24 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置および固体撮像システム |
JP5755111B2 (ja) * | 2011-11-14 | 2015-07-29 | キヤノン株式会社 | 撮像装置の駆動方法 |
TWI623232B (zh) | 2013-07-05 | 2018-05-01 | Sony Corp | 固體攝像裝置及其驅動方法以及包含固體攝像裝置之電子機器 |
JP6338436B2 (ja) * | 2014-04-25 | 2018-06-06 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその制御方法 |
CN104135631A (zh) * | 2014-08-15 | 2014-11-05 | 北京思比科微电子技术股份有限公司 | 一种cmos图像传感器像素 |
US9911773B2 (en) * | 2015-06-18 | 2018-03-06 | Omnivision Technologies, Inc. | Virtual high dynamic range large-small pixel image sensor |
JP2017076899A (ja) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、および電子装置 |
JP6754157B2 (ja) * | 2015-10-26 | 2020-09-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
US10033947B2 (en) * | 2015-11-04 | 2018-07-24 | Semiconductor Components Industries, Llc | Multi-port image pixels |
US10182199B2 (en) * | 2016-02-22 | 2019-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging device and reproducing device |
JP2017163010A (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | ソニー株式会社 | 撮像装置、電子機器 |
JP7200103B2 (ja) * | 2017-07-07 | 2023-01-06 | ブリルニクス シンガポール プライベート リミテッド | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、および電子機器 |
US10529763B2 (en) | 2018-04-19 | 2020-01-07 | Semiconductor Components Industries, Llc | Imaging pixels with microlenses |
US11676980B2 (en) | 2018-10-31 | 2023-06-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Image sensor and method of making |
US11362121B2 (en) * | 2020-01-28 | 2022-06-14 | Omnivision Technologies, Inc. | Light attenuation layer fabrication method and structure for image sensor |
CN112103303B (zh) * | 2020-09-18 | 2024-07-09 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 像素单元阵列、传感器芯片以及电子设备 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08153865A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Nec Corp | 赤外線固体撮像素子 |
JP2005286104A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 広ダイナミックレンジカラー固体撮像装置及びこの固体撮像装置を搭載したデジタルカメラ |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06151797A (ja) * | 1992-11-11 | 1994-05-31 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
JP3031606B2 (ja) * | 1995-08-02 | 2000-04-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置と画像撮像装置 |
JPH1174499A (ja) * | 1997-07-04 | 1999-03-16 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法並びにその固体撮像装置を用いたシステム |
JP4018820B2 (ja) * | 1998-10-12 | 2007-12-05 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置および信号読出し方法 |
US20020140832A1 (en) * | 2001-03-29 | 2002-10-03 | Eastman Kodak Company | Optimization of CCD microlens size for color balancing |
JP2003163937A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-06-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像素子および撮像装置 |
JP4262446B2 (ja) * | 2002-06-21 | 2009-05-13 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
JP4264251B2 (ja) * | 2002-12-09 | 2009-05-13 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置とその動作方法 |
US6903391B2 (en) * | 2003-09-10 | 2005-06-07 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid state image pickup device |
JP2005093866A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
JP2006049611A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Iwate Toshiba Electronics Co Ltd | Cmosイメージセンサ |
JP4317117B2 (ja) | 2004-11-19 | 2009-08-19 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置および撮像方法 |
JP2006238410A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-09-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 撮像装置 |
US7189957B2 (en) * | 2005-02-25 | 2007-03-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods to improve photonic performances of photo-sensitive integrated circuits |
JP4224036B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2009-02-12 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | フォトダイオード領域を埋め込んだイメージセンサ及びその製造方法 |
US7636115B2 (en) * | 2005-08-11 | 2009-12-22 | Aptina Imaging Corporation | High dynamic range imaging device using multiple pixel cells |
JP4241840B2 (ja) * | 2006-02-23 | 2009-03-18 | 富士フイルム株式会社 | 撮像装置 |
US7648851B2 (en) * | 2006-03-06 | 2010-01-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of fabricating backside illuminated image sensor |
JP4813929B2 (ja) * | 2006-03-08 | 2011-11-09 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子 |
JP2007335751A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP2008017388A (ja) * | 2006-07-10 | 2008-01-24 | Olympus Corp | 固体撮像装置 |
JP2008099073A (ja) | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Sony Corp | 固体撮像装置および撮像装置 |
US20080237761A1 (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for enhancing light sensitivity for backside illumination image sensor |
US8072015B2 (en) * | 2007-06-04 | 2011-12-06 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and manufacturing method thereof |
US8097890B2 (en) * | 2008-02-11 | 2012-01-17 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with micro-lenses of varying focal lengths |
TWI504256B (zh) * | 2008-04-07 | 2015-10-11 | Sony Corp | 固態成像裝置,其訊號處理方法,及電子設備 |
US7990445B2 (en) * | 2008-05-30 | 2011-08-02 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor having differing wavelength filters |
JP5369505B2 (ja) * | 2008-06-09 | 2013-12-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、及び電子機器 |
EP2133918B1 (en) * | 2008-06-09 | 2015-01-28 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, drive method thereof and electronic apparatus |
JP4661912B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2011-03-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびカメラシステム |
TWI445166B (zh) * | 2008-11-07 | 2014-07-11 | Sony Corp | 固態成像裝置,製造固態成像裝置之方法、及電子設備 |
JP2010206134A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-16 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法 |
US8178422B2 (en) * | 2009-03-31 | 2012-05-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of measurement in semiconductor fabrication |
JP2011015219A (ja) | 2009-07-02 | 2011-01-20 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP5422362B2 (ja) * | 2009-12-15 | 2014-02-19 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP5454894B2 (ja) * | 2009-12-16 | 2014-03-26 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP5091964B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2012-12-05 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP5025746B2 (ja) * | 2010-03-19 | 2012-09-12 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
-
2010
- 2010-03-05 JP JP2010049914A patent/JP5091964B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-02-21 TW TW100105639A patent/TWI450388B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-03-03 CN CN201110051858.7A patent/CN102194842B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-04 US US13/040,968 patent/US9029749B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08153865A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Nec Corp | 赤外線固体撮像素子 |
JP2005286104A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 広ダイナミックレンジカラー固体撮像装置及びこの固体撮像装置を搭載したデジタルカメラ |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9177683B2 (en) | 2011-05-26 | 2015-11-03 | Toray Industries, Inc. | Scintillator panel and method for manufacturing scintillator panel |
WO2012161304A1 (ja) | 2011-05-26 | 2012-11-29 | 東レ株式会社 | シンチレータパネルおよびシンチレータパネルの製造方法 |
WO2014069284A1 (ja) | 2012-11-01 | 2014-05-08 | 東レ株式会社 | 放射線検出装置およびその製造方法 |
US9632185B2 (en) | 2012-11-26 | 2017-04-25 | Toray Industries, Inc. | Scintillator panel and method for manufacturing the same |
WO2014080941A1 (ja) | 2012-11-26 | 2014-05-30 | 東レ株式会社 | シンチレータパネルおよびその製造方法 |
KR20150090040A (ko) | 2012-11-26 | 2015-08-05 | 도레이 카부시키가이샤 | 신틸레이터 패널 및 그 제조 방법 |
KR20160034848A (ko) | 2013-07-22 | 2016-03-30 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 소자 및 전자 기기 |
US9871985B2 (en) | 2013-07-22 | 2018-01-16 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state image pickup device and electronic apparatus including a solid-state image pickup device having high and low sensitivity pixels |
JP2017504966A (ja) * | 2014-01-21 | 2017-02-09 | ソニー株式会社 | 撮像素子、および電子装置 |
US10453892B2 (en) | 2014-01-21 | 2019-10-22 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device and electronic apparatus |
KR20170010352A (ko) | 2014-05-30 | 2017-01-31 | 도레이 카부시키가이샤 | 신틸레이터 패널, 방사선 화상 검출 장치 및 그 제조 방법 |
US10042060B2 (en) | 2014-05-30 | 2018-08-07 | Toray Industries, Inc. | Scintillator panel, radiographic image detection device, and method for manufacturing same |
JP2020096369A (ja) * | 2016-01-29 | 2020-06-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
WO2017169241A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
WO2018105474A1 (ja) * | 2016-12-08 | 2018-06-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
JPWO2018105474A1 (ja) * | 2016-12-08 | 2019-10-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
JP7014734B2 (ja) | 2016-12-08 | 2022-02-01 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
WO2022149488A1 (ja) * | 2021-01-07 | 2022-07-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置および電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102194842B (zh) | 2014-11-19 |
US20110215223A1 (en) | 2011-09-08 |
TW201143069A (en) | 2011-12-01 |
TWI450388B (zh) | 2014-08-21 |
JP5091964B2 (ja) | 2012-12-05 |
US9029749B2 (en) | 2015-05-12 |
CN102194842A (zh) | 2011-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5091964B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP5025746B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2011015219A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP5422362B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP7496512B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP5454894B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
US10567691B2 (en) | Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device, and electronic apparatus | |
JP5584982B2 (ja) | 固体撮像素子およびカメラシステム | |
JP2010124418A (ja) | 固体撮像装置 | |
EP2285098B1 (en) | Solid-state image pickup device and driving method thereof, and electronic apparatus | |
JP5516960B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、および、電子機器 | |
TWI392351B (zh) | 具暈染抑制功能之高動態範圍感測器 | |
JP4691930B2 (ja) | 物理情報取得方法および物理情報取得装置、並びに物理量分布検知の半導体装置、プログラム、および撮像モジュール | |
US8928792B1 (en) | CMOS image sensor with global shutter, rolling shutter, and a variable conversion gain, having pixels employing several BCMD transistors coupled to a single photodiode and dual gate BCMD transistors for charge storage and sensing | |
JP2009506724A (ja) | Cmos撮像素子内での効率的な電荷転送 | |
JP6299544B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2010011224A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2008034974A (ja) | 光電変換装置及び撮像装置 | |
JP2010268529A (ja) | 固体撮像装置および電子機器 | |
KR20160034848A (ko) | 고체 촬상 소자 및 전자 기기 | |
JP3310176B2 (ja) | Mos型固体撮像装置 | |
JP2006196742A (ja) | 撮像装置および撮像装置の駆動方法 | |
JP2011199781A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2013187233A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法及び電子機器 | |
JP2011040482A (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120302 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120525 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120529 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120725 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120821 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120914 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150921 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150921 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |