JP2011187955A - リソグラフィ装置及びスキャン方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 リソグラフィ装置は、第1のパターニングデバイスを支持する第1の支持体と、第2のパターニングデバイスを支持する第2の支持体とを含み、第1及び第2のパターニングデバイスはそれぞれ、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成することができ、さらに、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターン付放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システムと、第1の支持体及び第2の支持体を駆動するコントローラとを備え、コントローラは、スキャン動作を実行するように第1の支持体を駆動し、第1の支持体のスキャン動作の少なくとも一部の間に加速するように第2の支持体を駆動し、第1の支持体のスキャン動作中に以前にスキャンしたダイに隣接するダイをスキャンするように、第1の支持体のスキャン動作が終了するとスキャン動作を実行するように第2の支持体を駆動するように設けられる。
【選択図】 図2B
Description
1.ステップモードにおいては、パターニングデバイス支持体(例えばマスクテーブル)MT又は「マスク支持体」及び基板テーブルWT又は「基板支持体」は、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWT又は「基板支持体」がX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードにおいては、パターニングデバイス支持体(例えばマスクテーブル)MT又は「マスク支持体」及び基板テーブルWT又は「基板支持体」は同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。パターニングデバイス支持体(例えばマスクテーブル)MT又は「マスク支持体」に対する基板テーブルWT又は「基板支持体」の速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。
3.別のモードでは、パターニングデバイス支持体(例えばマスクテーブル)MT又は「マスク支持体」はプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWT又は「基板支持体」を移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWT又は「基板支持体」を移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
Claims (15)
- 第1のパターニングデバイスを支持するように構築された第1の支持体と、
第2のパターニングデバイスを支持するように構築された第2の支持体と、
を備え、
前記第1のパターニングデバイスが、放射ビームの断面にパターンを付与して第1のパターン付放射ビームを形成することができ、
前記第2のパターニングデバイスが、放射ビームの断面にパターンを付与して第2のパターン付放射ビームを形成することができ、さらに、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
相互に隣接した前記第1及び第2のパターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
前記第1の支持体及び前記第2の支持体を駆動するように構成されたコントローラであって、
スキャン動作を実行するように前記第1の支持体を駆動し、
前記第1の支持体のスキャン動作の少なくとも一部の間に加速するように前記第2の支持体を駆動する
ように設けられたコントローラと、
を備えるリソグラフィ装置。 - 前記投影システムが、相互に隣接した前記第1及び第2のパターン付放射ビームを投影するように構成される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記コントローラが、前記第1の支持体の前記スキャン動作中に、以前にスキャンされたダイに隣接するダイをスキャンするように、前記第1の支持体の前記スキャン動作が終了するとスキャン動作を実行するために前記第2の支持体を駆動するようにさらに設けられる、請求項1又は2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記投影システムが、前記パターニングデバイス及び前記第2のパターニングデバイスの前記パターンを横列又は縦列の隣接するダイに交互に投影するように設けられる、前記請求項のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第1の支持体の前記スキャン動作中に、
前記第2の支持体を以前のスキャン動作から減速し、
前記第2の支持体を停止し、
前記第2の支持体を、前記第2の支持体の前記以前のスキャン動作と比較して逆方向で前記スキャン速度まで加速する
ことによって、前記第2の支持体がスキャン開始位置及び速度まで動作する、請求項1から4のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。 - 前記投影システムが、
前記第1の支持体によって保持された前記第1のパターニングデバイスによってパターン形成されたビームを投影するように構成された第1の投影システム部と、
前記第2の支持体によって保持された前記第2のパターニングデバイスによってパターン形成されたビームを投影するように構成された第2の投影システム部と、
前記第1及び/又は第2の投影システム部によって投影された前記パターン付放射ビームを前記基板に投影するように構成された第3の投影システム部と、
を備える前記請求項のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。 - 前記コントローラが、前記第1の支持体の前記スキャン動作中に前記第1の投影システム部を介して第1の光路を作動させ、前記第2の支持体の前記スキャン動作中に前記第2の投影システムを介して第2の光路を作動させるように設けられる、請求項6に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第1の支持体によって保持された前記パターニングデバイスを照明するように構成された第1のイルミネータと、前記第2の支持体によって保持された前記第2のパターニングデバイスを照明するように構成された第2のイルミネータとを備える照明システムを備える、前記請求項のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記パターン付放射ビームを前記投影システムの第1の投影システム部及び/又は第2の投影システム部内に結合するように設けられた光スイッチを備える、前記請求項のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記リソグラフィ装置が、基板のレベリング測定を実行するように構成された測定部と、露光部とを備えたデュアルステージリソグラフィ装置であって、前記リソグラフィ装置が、前記測定部にデュアルレベリングセンサを備える、前記請求項のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記デュアルレベリングセンサが、粗レベリングセンサと、微細レベリングセンサとを備える、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- 前記リソグラフィ装置が、基板のレベリング測定を実行するように構成された測定部と、露光部とを備えたデュアルステージリソグラフィ装置であって、前記リソグラフィ装置が、前記測定部にデュアルレベリングセンサと、前記露光部にレベリングセンサとを備える、前記請求項のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記請求項のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置と、基板のレベリング測定を実行するように構成されたレベリングセンサを備えるハンドラとの組合せ。
- 第1のパターニングデバイス及び第2のパターニングデバイスからのパターンを基板に投影するリソグラフィスキャン方法であって、
前記第1のパターニングデバイスを保持するように構成された第1の支持体によってスキャン動作を実行するステップと、
前記第1の支持体の前記スキャン動作の少なくとも一部の間に、前記第2のパターニングデバイスを保持するように構成された第2の支持体をスキャン開始位置及び速度まで加速するステップと、
前記第1の支持体による前記スキャン動作中に、以前にスキャンされたダイに隣接するダイをスキャンするように、前記第1の支持体の前記スキャン動作が終了すると前記第2の支持体によってスキャン動作を実行するステップと、
を含む方法。 - 使用時に、前記第1の支持体の前記スキャン動作の前記少なくとも一部の間に、前記第2の支持体がスキャン開始位置及び速度まで加速する、請求項14に記載の方法。
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---|---|---|---|---|
JP5642101B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2014-12-17 | 株式会社東芝 | ドーズ量の補正マップの作成方法、露光方法及び半導体装置の製造方法 |
US10514607B1 (en) * | 2018-08-28 | 2019-12-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Radiation source supply system for lithographic tools |
CN109470885B (zh) * | 2018-10-19 | 2020-11-24 | 浙江大学 | 一种单片集成光学加速度计 |
DE102022205273B3 (de) * | 2022-05-25 | 2023-01-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem, Projektionsbelichtungsanlage und Projektionsbelichtungsverfahren |
EP4312078A1 (en) * | 2022-07-29 | 2024-01-31 | ASML Netherlands B.V. | Contamination determination |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH097933A (ja) * | 1995-06-19 | 1997-01-10 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JPH10163098A (ja) * | 1996-11-28 | 1998-06-19 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP2000021748A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光方法および露光装置 |
JP2001168024A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-06-22 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007318069A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-12-06 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法、投影光学系 |
WO2009078434A1 (ja) * | 2007-12-17 | 2009-06-25 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5638211A (en) * | 1990-08-21 | 1997-06-10 | Nikon Corporation | Method and apparatus for increasing the resolution power of projection lithography exposure system |
JP3074843B2 (ja) | 1991-10-04 | 2000-08-07 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び露光方法並びに回路パターン形成方法 |
US5729331A (en) * | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
JP2692660B2 (ja) | 1995-10-20 | 1997-12-17 | 日本電気株式会社 | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JPH11168043A (ja) | 1997-12-03 | 1999-06-22 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP4144059B2 (ja) | 1998-01-27 | 2008-09-03 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置 |
JP2000021702A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光装置ならびにデバイス製造方法 |
US6285438B1 (en) * | 1999-05-19 | 2001-09-04 | Nikon Corporation | Scanning exposure method with reduced time between scans |
KR100518586B1 (ko) * | 2003-07-24 | 2005-10-04 | 삼성전자주식회사 | 회절 광학 소자와 이를 포함하는 조명계 및 이를 이용한반도체 소자 제조방법 |
JP4625673B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2011-02-02 | 株式会社東芝 | 露光方法及び露光装置 |
KR20080088579A (ko) * | 2005-12-28 | 2008-10-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법 |
WO2007094414A1 (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
WO2007100087A1 (ja) | 2006-03-03 | 2007-09-07 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7884921B2 (en) * | 2006-04-12 | 2011-02-08 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, projection exposure apparatus, projection optical system, and device manufacturing method |
JP4784746B2 (ja) | 2006-04-12 | 2011-10-05 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、投影露光装置、投影光学系、及びデバイス製造方法 |
US8330936B2 (en) * | 2006-09-20 | 2012-12-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8736813B2 (en) * | 2008-08-26 | 2014-05-27 | Nikon Corporation | Exposure apparatus with an illumination system generating multiple illumination beams |
US8384875B2 (en) | 2008-09-29 | 2013-02-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8767179B2 (en) * | 2009-12-15 | 2014-07-01 | Micron Technology, Inc. | Imaging methods in scanning photolithography and a scanning photolithography device used in printing an image of a reticle onto a photosensitive substrate |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH097933A (ja) * | 1995-06-19 | 1997-01-10 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JPH10163098A (ja) * | 1996-11-28 | 1998-06-19 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP2000021748A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光方法および露光装置 |
JP2001168024A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-06-22 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007318069A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-12-06 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法、投影光学系 |
WO2009078434A1 (ja) * | 2007-12-17 | 2009-06-25 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
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