JP2011187930A - リソグラフィ装置および方法 - Google Patents

Abstract

【課題】各走査の後、マスクの走査動作の方向および基板の走査動作の方向は逆転され、また基板は走査方向を横切っても動かされるので、時間を食う。
【解決手段】照明システムを備えるリソグラフィ装置であって、照明システムは第１マスク照明領域を形成する第１放射ビームを提供するよう、かつ、同時に第２マスク照明領域を形成する第２放射ビームを提供するよう構成され、第１および第２マスク照明領域は同じマスクを同時に照らすよう構成され、本リソグラフィ装置はさらに投影システムを備え、投影システムは第１放射ビームをそれが第１基板照明領域を形成するように投影するよう、かつ、同時に第２放射ビームをそれが第２基板照明領域を形成するように投影するよう構成される、リソグラフィ装置。
【選択図】図４

Description

本発明はリソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板のターゲット部分に転写する機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。この場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを作成することができる。このパターンを、放射感応性材料（レジスト）の層を有する基板（例えばシリコンウエハ）上のターゲット部分（例えば１つまたは複数のダイの一部を含む）に転写することができる。一般に、単一の基板は、連続して露光される隣接するターゲット部分のネットワークを含む。

従来のリソグラフィ装置は、所与の方向（「走査」方向）に放射ビームでマスクを走査する一方、この方向と平行にまたは逆平行に基板を同期して走査することで各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナを含む。各走査の後、マスクの走査動作の方向および基板の走査動作の方向は逆転される。基板は走査方向を横切っても動かされる。これらの動作は時間を食うものであり、したがってリソグラフィ装置のスループット（すなわち、リソグラフィ装置によって１時間当たりに露光される基板の数）に不利な影響を与える。

例えば、従来技術のひとつ以上の課題を、それが本明細書で指摘されているかそれ以外によって指摘されているかにかかわらず、取り除くかまたは和らげるリソグラフィ装置およびデバイス製造方法を提供することが望まれる。

本発明の第１の態様によると、リソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、照明システムを備えるリソグラフィ装置であって、照明システムは第１マスク照明領域を形成する第１放射ビームを提供するよう、かつ、同時に第２マスク照明領域を形成する第２放射ビームを提供するよう構成され、第１および第２マスク照明領域は同じマスクを同時に照らすよう構成され、本リソグラフィ装置はさらに投影システムを備え、投影システムは第１放射ビームをそれが第１基板照明領域を形成するように投影するよう、かつ、同時に第２放射ビームをそれが第２基板照明領域を形成するように投影するよう構成される。

本発明の第２の態様によると、リソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、投影システムを備えるリソグラフィ装置であって、投影システムは、パターン形成された放射ビームを受けてそのパターン形成された放射ビームを第１のパターン形成された放射ビームと第２のパターン形成された放射ビームとに分離するよう構成され、投影システムはさらに、第１のパターン形成された放射ビームをそれが第１基板照明領域を形成するように投影するよう、かつ同時に第２のパターン形成された放射ビームをそれが第２基板照明領域を形成するように投影するよう構成される。

本発明の第３の態様によると、リソグラフィ方法が提供される。この方法は、照明システムを使用して２つの放射ビームを提供することと、２つの放射ビームを使用して２つのマスク照明領域を照らすことと、マスクが２つのマスク照明領域によって照らされ、それによってマスクが２つの放射ビームにパターンを形成するように、２つのマスク照明領域を通してマスクを動かすことと、２つの放射ビームが２つの基板照明領域を照らすように、２つの放射ビームを投影することと、基板が２つの基板照明領域によって照らされ、それによって基板が２つの放射ビームによって運ばれるパターンを受けるように、２つの基板照明領域を通して基板を動かすことと、を含む。

本発明の第４の態様によると、リソグラフィ方法が提供される。この方法は、照明システムを使用して放射ビームを提供することと、放射ビームを使用してマスク照明領域を照らすことと、マスクがマスク照明領域によって照らされ、それによってマスクが放射ビームにパターンを形成するように、マスク照明領域を通してマスクを動かすことと、投影システムを使用してパターン形成された放射ビームを第１のパターン形成された放射ビームと第２のパターン形成された放射ビームとに分離することと、２つのパターン形成された放射ビームが２つの基板照明領域を照らすように、２つのパターン形成された放射ビームを投影することと、基板が２つの基板照明領域によって照らされ、それによって基板が２つの放射ビームによって運ばれるパターンを受けるように、２つの基板照明領域を通して基板を動かすことと、を含む。

例示のみを目的として、本発明の実施の形態が添付の模式的な図面を参照して以下に説明される。これらの図面において、参照符号は対応する部分を指し示す。
本発明の実施の形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。 従来技術に係るリソグラフィ装置によって行われる２つの連続する走査露光を模式的に示す図である。 従来技術に係るリソグラフィ装置によって行われる５つの連続する走査露光を模式的に示す図である。 本発明の実施の形態に係るリソグラフィ装置によって行われる走査露光を模式的に示す図である。 本発明の実施の形態に係るリソグラフィ装置によって行われる１２の連続する走査露光を模式的に示す図である。 本発明の実施の形態のレチクルマスキングブレイドの動作を模式的に示す図である。 本発明の実施の形態に係る照明システムの一部を模式的に示す図である。 図７で示される実施の形態の代替的な表現である。 本発明の代替的な実施の形態に係る照明システムの一部を模式的に示す図である。 本発明の照明システムの一部を模式的に示す図である。 図１０の照明システムの一部をより詳細に示す模式図である。 本発明のさらなる代替的な実施の形態に係る照明システムの一部を模式的に示す図である。 図１２で示される照明システムの一部を模式的に示す図である。 本発明の代替的な実施の形態に係る投影システムを模式的に示す図である。 本発明のさらなる代替的な実施の形態に係る投影システムを模式的に示す図である。

本明細書においてＩＣ製造時におけるリソグラフィ装置の使用について特に言及されるかもしれないが、本明細書で述べるリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気領域メモリ用の誘導及び検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の応用形態も有していることは理解されるべきである。当業者は、このような代替的な応用形態の文脈において、「ウエハ」または「ダイ」という用語のあらゆる使用が、より一般的な用語である「基板」または「ターゲット部分」とそれぞれ同義であるとみなしうることを理解するであろう。本明細書で参照される基板を、例えばトラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、また露光されたレジストを現像するツール）または計測工具または検査工具で、露光の前後に処理することができる。可能であれば、本明細書の開示をこれらの及び他の基板処理工具に適用することができる。さらに、例えば多層ＩＣを作製するために基板を２回以上処理してもよく、したがって、本明細書で使用される基板という用語は、複数回処理された層を既に有している基板のことを指す場合もある。

本明細書において「放射」および「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍ、の波長を有する）や、極端紫外（ＥＵＶ）放射（例えば５ｎｍ−２０ｎｍの範囲の波長を有する）や、イオンビームや電子ビームなどの粒子線を含むあらゆる種類の電磁放射を示す。

本明細書において「マスク」という用語は、放射ビームの断面にパターンを付与し、それにより基板のターゲット部分にパターンを生成するべく使用することができるデバイスを指し示すために使用される。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。マスクは透過型であっても反射型であってもよい。「レチクル」という用語が「マスク」という用語の代わりに使用されてもよい。文脈が許す限り、本明細書における「レチクル」または「マスク」という用語のいかなる使用も、より一般的な「パターニングデバイス」という用語の同義語とみなすことができる。放射ビームに付与されるパターンは、基板のターゲット部分における所望のパターンに必ずしも厳密に対応している必要はないことに留意されたい。放射ビームに付与されるパターンは、通常、ターゲット部分に生成されるデバイス、たとえば集積回路などのデバイス中の特定の機能層に対応している。

サポート構造はマスクを保持する。サポート構造は、マスクの配向、リソグラフィ装置の設計および他の条件、たとえばマスクが真空環境中で保持されているか否か等に応じた方法でマスクを保持している。サポートは、機械的固定、真空固定、または真空環境中での静電固定などの他の固定用技術を使用できる。サポート構造は、例えば必要に応じて固定または移動させることができ、マスクを例えば投影システムに対して所望の位置に確実に配置することができるフレームまたはテーブルであってもよい。

本明細書で使用されている「投影システム」という用語は、たとえば使用する露光放射に適した、もしくは液浸液の使用または真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学系、反射光学系、カタディオプトリック光学系を含む種々の投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における「投影レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影システム」という用語の同義語とみなすことができる。

照明システムは、放射ビームを方向付け、成形し、あるいは制御するために、屈折光学素子、反射光学素子、反射屈折光学素子、を含む様々な種類の光学素子を含んでもよい。以下、そのような素子は、集合的にまたは単独で、「レンズ」と称されうる。

リソグラフィ装置は２つ以上（２つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）の基板テーブル（および／または２つ以上のサポート構造）を備える種類のものであってもよい。このような「多重ステージ」型の装置においては追加されたテーブルは並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルで露光が行われている間に他の１以上のテーブルで準備工程を実行するようにしてもよい。

また、リソグラフィ装置は、基板が比較的屈折率の大きい液体、たとえば水に浸けられ、それにより投影システムの最終要素と基板との間の空間が充填されるタイプの装置であってもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を大きくするため技術として周知である。

図１は、本発明の実施の形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。この装置は、
放射ビームＰＢ（例えばＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するための照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するためのサポート構造（例えば、サポート構造）ＭＴであって、要素ＰＬに対してパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成されている第１の位置決め装置ＰＭに接続されているサポート構造ＭＴと、
基板（例えばレジストでコーティングされたウエハ）Ｗを保持するための基板テーブル（例えばウエハテーブル）ＷＴであって、要素ＰＬに対して基板を正確に位置決めするよう構成されている第２の位置決め装置ＰＷに接続されている基板テーブルＷＴと、
パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＰＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイからなる）ターゲット部分Ｃに描画するよう構成されている投影システム（例えば屈折投影レンズ）ＰＬと、を備える。

ここに図示されるのは、（例えば透過型マスクを用いる）透過型のリソグラフィ装置である。これに代えて、（例えば上述のようなプログラマブルミラーアレイを用いる）反射型のリソグラフィ装置を用いることもできる。

イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば光源がエキシマレーザである場合には、光源とリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、光源はリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは光源ＳＯからイルミネータＩＬへとビーム搬送系ＢＤを介して受け渡される。ビーム搬送系ＢＤは例えば適当な方向変更用のミラー及び／またはビームエキスパンダを含んで構成される。あるいは光源が例えば水銀ランプである場合には、光源はリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。光源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと総称される。

イルミネータＩＬはビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＭを備えてもよい。一般に、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも半径方向外径及び／または内径の大きさ（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）が調整される。加えてイルミネータＩＬは一般に、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの種々の他の要素を備えてもよい。イルミネータは、ビーム断面における所望の均一性及び強度分布を有する、調整された放射ビームＰＢを提供する。

放射ビームＰＢは、サポート構造ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射する。パターニングデバイスＭＡを通過したビームＰＢは投影レンズＰＬを通る。投影レンズＰＬはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束する。第２の位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ（例えば干渉計）により基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。基板テーブルＷＴは例えばビームＰＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように移動される。同様に、第１の位置決め装置ＰＭと他の位置センサ（図１には明示せず）とを使用して、ビームＰＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。この位置決めは例えばマスクライブラリからのマスクの機械検索後や露光走査中に行われる。一般に物体テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、位置決め装置ＰＭ、ＰＷの一部を構成するロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により実現されるであろう。ステッパでは（スキャナとは逆に）、サポート構造ＭＴはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイスＭＡと基板Ｗとは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。

図示の装置は例えばスキャンモードで使用されうる。スキャンモードでは、ビームＰＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影される間、サポート構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期して走査される（すなわち、単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＬの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光でのターゲット部分の（非走査方向の）幅を制限し、スキャン移動距離がターゲット部分の（走査方向の）長さを決定する。

図２は、基板の連続ターゲット部分の露光を模式的に示す。説明を容易とするため、ターゲット部分はダイとして示されるが、ターゲット部分はひとつ以上のダイを含んでもよい。図２Ａを参照すると、下向きの矢印で示される放射ビームＰＢを使用して、マスク照明領域（マスク露光スリットと呼ばれてもよい）を照らす。マスクＭＡは、（矢印で示されているような）走査動作において左から右へ、照らされているマスク露光スリットを通して動かされる。マスクＭＡが図２Ａに示される位置にあるとき、放射ビームＰＢは放射マスクＭＡの左側の端部を照らす。放射ビームはマスクＭＡによってパターン形成され、投影システムＰＬを通過する。投影システムＰＬは、パターン形成された放射を、基板Ｗの第１ダイＣ１上に投影する。投影システムＰＬは縮小係数４を有しており、その縮小係数の影響は放射ビームＰＢをより小さい矢印を使用して表すことによって模式的に示されている。放射ビームＰＢは基板照明領域（基板露光スリットと呼ばれることもある）を照らす。その露光スリットによってダイＣ１の右側の端部が照らされる。基板は、（矢印で示されているような）走査動作において左から右へ、照らされている基板露光スリットを通して動かされる。

図２Ｂおよび２Ｃを参照すると、マスクＭＡは走査動作において−ｙ向きに動かされる一方、基板Ｗは走査動作においてｙ向きに動かされる。その動きは投影システムＰＬの縮小係数を考慮に入れており、基板Ｗの動きはマスクＭＡの動きの４分の１である。その動きの結果、マスクＭＡは、マスクのパターン形成された部分の全てがマスク露光スリットによって照らされるようにマスク露光スリットを通過する。同様に、基板Ｗは、ダイＣ１全体が基板露光スリットによって照らされるように動く。

ダイＣ１の露光が完了すると、基板は、露光されたダイＣ１の次に位置するダイが露光のために位置決めされるように動かされる。基板の動きは図３を参照することによって最も良く理解されうる。図３は５つのダイＣ１−Ｃ５を上から見た場合を示す。第１ダイＣ１は、基板露光スリットを表す矩形ＳＳと矢印とで示されているように基板を左から右へ動かしているときに露光される。次に基板Ｗは第２ダイＣ２が露光されうるように動かされる。このことは、第２ダイＣ２と投影システムＰＬとが整列し第２ダイＣ２がパターン形成された放射を受ける準備ができるように、基板をｘ方向に動かすことを含む。

第２ダイＣ２の露光が図２Ｄ−Ｆに示される。まず図２Ｄを参照すると、放射ビームＰＢは、最初マスクＭＡの右側の端部に位置するマスク露光スリットを照らす。投影システムＰＬはパターン形成された放射を基板露光スリットを形成するように投影し、その基板露光スリットは最初第２ダイＣ２の左側の端部にある。図２Ｅおよび２Ｆを参照すると、マスクＭＡは走査動作においてｙ向きに動かされる一方、基板Ｗ（および第２ダイＣ２）は−ｙ向きに動かされる。したがって、第２ダイＣ２の露光中のマスクＭＡの移動の向きは、第１ダイＣ１の露光中のマスクの移動の向きと反対である。同様に、基板Ｗの移動の向きは第１ダイＣ１の露光中の基板Ｗの移動の向きと反対である。

図３からも理解されうる通り、第３ダイの露光は、再び基板をｘ方向に動かすことを要求し、またマスクおよび基板の両方の走査移動の向きの変更を要求する。マスクおよび基板の向きの変更はダイのそれぞれが露光された後に要求される。この場合、マスクおよび基板を減速してゼロ速度とし、次にマスクおよび基板を加速して反対向きの走査速度とすることが要求されるので、時間がかかる。したがって、向きの変更はリソグラフィ装置のスループットに負の影響を与える。

図４および５は、上述の課題を克服するかまたは軽減するリソグラフィ装置の一例を模式的に示す。このような課題の克服または軽減は、基板を同じ向きに走査しながら連続するダイを露光できるようにしたことにより実現される。

まず図４Ａを参照すると、単一の放射ビームＰＢを提供する代わりに、２つの放射ビームＰＢ１、ＰＢ２が提供される。第１放射ビームＰＢ１は第１マスク照明領域を照らし、第２放射ビームＰＢ２は第２マスク照明領域を照らす。これらは第１および第２マスク露光スリットと呼ばれてもよい。マスクＭＡが図４Ａに示される位置にあるとき、第１放射ビームＰＢ１はマスクＭＡの左側の端部を照らす。第２放射ビームＰＢ２はマスクＭＡの中央を照らす。投影システムＰＬは、２つのパターン形成された放射ビームＰＢ１、ＰＢ２を第１ダイＣ１上に投影する。投影システムは縮小係数４を有しており、これはパターン形成された放射ビームＰＢ１、ＰＢ２をより小さい矢印で表すことによって模式的に示されている。放射ビームＰＢ１、ＰＢ２は２つの基板照明領域（これらは２つの基板露光スリットと呼ばれてもよい）を照らす。基板が図４Ａに示される位置にあるとき、第１放射ビームＰＢ１はダイＣ１の中央を横切って延びる露光スリットを照らし、第２放射ビームＰＢ２はダイＣ１の右側の端部に位置する露光スリットを照らす。したがって、２つのマスク露光スリットおよび２つの基板露光スリットは同時に照らされる。

図４Ｂおよび４Ｃを参照すると、マスクが−ｙ向きに動かされる一方、同時に基板Ｗがｙ向きに動かされる。マスクＭＡおよび基板Ｗの動きはマスク全体およびダイＣ１全体を照らすのには十分であるが、従来技術において要求されるマスクおよび基板の動きよりも非常に小さなものとなっている。これは、マスクＭＡの左半分が第１放射ビームＰＢ１によって照らされ、マスクの右半分が第２放射ビームＰＢ２によって照らされるからである。したがって、マスクＭＡ全体の照射は、従来技術において要求される距離の半分の距離だけマスクを動かすことによって達成される。

これに対応して基板Ｗの動きもまた低減されていることが図４に示されている。第１放射ビームＰＢ１によって照らされる第１基板露光スリットによってダイＣ１の半分が露光され、そのダイのもう半分が第２放射ビームＰＢ２によって照らされる第２基板露光スリットによって照らされる。

図４Ｃを参照すると、マスクＭＡおよび基板Ｗを従来技術において要求されるよりも非常に短い距離だけ動かすことによって、第１ダイＣ１の全体が露光されている。このように低減された動作の結果として、第２ダイＣ２の照射が行われる前に、基板Ｗをｙ向きに追加的にかなり動かすことが要求される。この追加的な動きが図４Ｄおよび４Ｅに示される。基板Ｗはｙ向きに進行し続ける。この動きは例えば第１ダイＣ１の露光中の基板の走査動作のときと同じ速さで行われてもよい。基板Ｗのこの動作中、マスクおよび基板が照らされないように放射ビームは（例えばレチクルマスキングブレイドを使用して）ブロックされる。

図４Ｆに示されるように、マスクはその元々の位置に戻るまでｙ向きに動かされる。基板ＷおよびマスクＭＡの動きの結果として、マスクＭＡおよび第２ダイＣ２の初期位置は図４Ａに示されるマスクおよび第１ダイＣ１の初期位置に対応し、その初期位置から第２ダイＣ２の露光が始まる。したがって、第２ダイＣ２の露光は第１ダイＣ１の露光と同じようにして行われる。基板Ｗの向きの変化は要求されない。

図４に示される実施の形態では、第１ダイＣ１は２つの基板露光スリットを使用して露光される。第１基板露光スリットによって露光されたダイの部分が第２基板露光スリットによって露光されたダイの部分と出会うゾーンが第１ダイＣ１の中央に存在するであろう。スティッチングを使用してそれらの２つの部分を結合してもよい（例えば既知のスティッチング方法を使用してもよい）。

変形された実施の形態では、図４のマスクＭＡはひとつのダイではなく２つのダイについてのパターンを備えてもよい。第１放射ビームＰＢ１を使用して基板上に第１ダイを投影し、第２放射ビームＰＢ２を使用して基板上に第２ダイを投影してもよい。この場合、投影されたパターン同士が出会うゾーンは存在しない。第１ダイと第２ダイとの間にはギャップが存在するであろうからである。このため、スティッチングは必要ないかもしれない。

図５は、本発明の実施の形態を使用した１２のダイＣ１−１２の露光を模式的に示す。第１および第２基板露光スリットは第１ダイＣ１上の矩形ＳＳ１、ＳＳ２によって示されている。ダイの第１行Ｃ１−６の露光は、基板を矢印で示されているように常にｙ向きに動かしている状態で行われる。ダイのこの行の露光が終わると、ダイの第２行Ｃ７−１２を露光できるようにするために基板はｘ向きに動かされる。基板を−ｙ向きに連続的に動かしながらダイの第２行Ｃ７−１２を露光する。

基板の走査移動の向きをダイのそれぞれの露光後に反転させる必要がないので、図２および３に示されている従来技術に係る方法を使用してダイを露光する場合よりも速くダイを露光することができる。したがって、リソグラフィ装置のスループットが向上する。本発明の他の実施の形態（後述）は同じ利点を提供しうる。

基板の移動の向きを反転させる必要性を回避することに加えて、本発明の実施の形態は、ダイのそれぞれの露光後にｘ向きに基板を動かす必要性も回避する。これにより、追加的に時間を短縮でき、したがってリソグラフィ装置のスループットを改善できる。本発明の他の実施の形態（後述）は同じ利点を提供しうる。

図１および図４には図示されていないが、レチクルマスキングブレイドを使用して、放射ビームＰＢ１、ＰＢ２が基板に入射するときのその放射ビームＰＢ１、ＰＢ２のエッジの位置を制御してもよい。図６は、ダイＣ８（すなわち、図５に示される第２行の２番目のダイ）の露光中のレチクルマスキングブレイドの動作を模式的に示す。説明を容易とするため、照明システムの部材および投影システムは図６では省略されている。リソグラフィ装置は３つのレチクルマスキングブレイド１４−１６を備える。中央レチクルマスキングブレイド１４は固定される。左側レチクルマスキングブレイド１５および右側レチクルマスキングブレイド１６は両方ともｙ方向に可動とされ、したがって所望の通りに放射をブロックし放射の通過を許すために使用されうる。

まず図６Ａを参照すると、先のダイＣ７の露光が完了し、次のダイＣ８が露光のために位置決めされる。ダイＣ８は点線で示されており、この点線は露光されるべきレジスト領域を模式的に示す。ダイＣ８の前端はまだ第１放射ビームＰＢ１の下にはおらず、左側および中央レチクルマスキングブレイド１５、１４は第１放射ビームが基板Ｗに入射しないようにその第１放射ビームをブロックする。右側および中央レチクルブレイド１６、１４は開いており、第２放射ビームＰＢ２は基板Ｗに入射している。

図６Ｂは短い時間が経過した後のリソグラフィ装置およびダイＣ８を示す。左側ブレイド１５が部分的に開き、第１放射ビームＰＢ１の一部がダイＣ８の前端を露光する。左側レチクルブレイド１５の動きは基板Ｗの動きと（投影システム（不図示）の縮小係数を考慮に入れて）同期される。したがって、左側レチクルブレイド１５によって、放射がダイＣ８の前端を露光するがダイの外側は露光しないことが確かなものとされる。レジストの露光は図６において影付きによって示される。ダイＣ８の前端が第１放射ビームＰＢ１によって露光されることに加えて、ダイの中央部は第２放射ビームＰＢ２によって露光されることが理解されるであろう。

図６Ｃは短い時間が経過した後のリソグラフィ装置およびダイＣ８を示す。放射がダイＣ８の外側に落ちることなしに左側レチクルブレイド１５を完全に開くことができる程度に、ダイＣ８の前端は進行している。したがって、左側および右側レチクルブレイド１５、１６を両方とも完全に開くことができる。ダイＣ８の前部分および中央部分はそれぞれ第１および第２放射ビームＰＢ１、ＰＢ２によって露光されている。

図６Ｄはかなり長い時間が経過した後のリソグラフィ装置およびダイＣ８を示す。ダイＣ８の前端は左側レチクルブレイド１５のエッジをはるかに超えて移動しており、ダイのほとんどが露光されてしまっている。ダイＣ８の後端と右側レチクルブレイド１６とが整列している。右側レチクルブレイド１６は、ダイの後端の動きと同期した動きで、中央レチクルブレイド１４に向けて動くであろう。

図６Ｅは短い時間が経過した後のリソグラフィ装置およびダイＣ８を示す。右側レチクルブレイド１６は第２放射ビームＰＢ２を部分的にブロックし、放射がダイＣ８の外側に入射しないことを確かなものとする。左側レチクルブレイド１５は完全開き位置のままとされ、これにより第１放射ビームＰＢ１によってダイＣ８の中央部分を引き続き露光できる。

図６Ｆは短い時間が経過してダイＣ８の露光が丁度完了したときのリソグラフィ装置およびダイＣ８を示す。右側レチクルブレイド１６を使用して第２放射ビームＰＢ２がブロックされており、これにより放射がダイＣ８の外側に入射することが防がれる。左側レチクルブレイド１５は開いたままであり、これによりダイＣ８の中央部分の露光を完了することができる。ダイＣ８はこの時点で完全に露光されており、これは灰色の影付きによって模式的に示されている。ダイＣ８が完全に露光されると、ソースＳＯ（図１参照）はオフに切り替えられ（またはソースが出す放射がブロックされ）、ダイＣ８のさらなる露光が防がれる。

ソースＳＯがオフに切り替えられると、次の露光を始めるように次のダイＣ９が位置決めされる（すなわち、次のダイＣ９が図６Ａに示されるように位置決めされる）まで基板Ｗが動かされ続ける。マスク（図６では不図示）からダイのパターンが投影されるのであるが、基板が次の露光位置に動くのと同時にそのマスク（図６では不図示）は（例えば、図４に示されるように）初期位置に戻される。左側レチクルブレイド１５は閉じられ、右側レチクルブレイド１６は開かれる。したがってレチクルブレイド１５、１６は図６Ａに示される位置に戻される。

レチクルブレイドの動きは制御装置（不図示）によって制御されてもよい。その制御装置はマスクおよび基板の動きを制御してもよく、またソースによる放射の生成を制御してもよい。

図４、５および６には２つの放射ビームＰＢ１、ＰＢ２が示されているが、２よりも多い放射ビームが使用されてもよい。例えば３つの放射ビームが使用されてもよい。この場合、基板を露光するために要求されるマスクおよび基板の走査動作は、従来技術によって要求されるマスクおよび基板の走査動作の３分の１であろう。４以上の放射ビームが使用されてもよい。

変形された実施の形態では、図４Ａ−Ｃに示されるようにダイを露光し、次にマスクＭＡおよび基板を反対の向きに動かすことによって基板を露光する前に従来技術のように（例えば図３に示されるように）基板Ｗをｘ方向に動かしてもよい。言い換えると、図４に示される装置を、図２に示される従来技術に係る方法と同様の方法を使用して基板を露光するために使用してもよい。こうすることにより、ダイの露光中のマスクＭＡおよび基板Ｗの速さが従来技術に係る方法のものよりも遅くなる。したがって、基板の向きおよびマスクの向きをより素早く変えることができ、したがって一連のダイの露光間の遅滞を低減できる。その結果、従来技術の場合よりもスループットを向上できる。

図７は、２つの放射ビームＰＢ１、ＰＢ２が生成されうるひとつの手法を模式的に示す。単一の放射ビーム（不図示）が回折光学素子１０に入射する。この回折光学素子１０は、放射ビームを２つの放射ビームＰＢ１、ＰＢ２に分けるよう構成された回折格子または他の回折的構造を含む。回折光学素子１０は、例えば通常のリソグラフィ装置においてダイポール照明モードを形成するために使用されるタイプのものであってもよい。

回折光学素子１０はリソグラフィ装置の瞳面に（または瞳面に隣接して）置かれ、２つの放射ビームが形成されるよう放射に角度特性を与える。レンズまたはレンズのグループ１２（以下、フィールドレンズグループと称す）は、レチクルマスキングブレイド１４−１６によって提供される開口を介して放射ビームＰＢ１、ＰＢ２をマスクＭＡ上に導く。マスクＭＡはリソグラフィ装置のフィールド面に置かれる。第１および第２放射ビームＰＢ１、ＰＢ２は図７において平面図で示される２つのマスク露光スリットＭＳ１、ＭＳ２を照らす。マスク露光スリットＭＳ１、ＭＳ２の形状は一般に回折光学素子１０によって決定される。しかしながら、レチクルマスキングブレイド１４−１６はマスク露光スリットのエッジを切り落とすことによって露光スリットＭＳ１、ＭＳ２の形状を変更してもよい。これにより、マスク露光スリットが鋭いエッジを有することが確かなものとされる。マスク露光スリットＭＳ１、ＭＳ２は一般に（図７に示されるように）矩形であってもよいが、露光スリットの前および後ろ（ｘ方向に延びる辺）において放射強度のテーパを含んでもよい。

第１および第２放射ビームＰＢ１、ＰＢ２を形成することに加えて、回折光学素子１０はゼロ次放射ビーム（不図示）を提供してもよい。この放射ビームは光軸ＯＡに沿って進行するが、それがマスクＭＡに到達する前に中央レチクルマスキングブレイド１４によってブロックされる。

図８は図７の実施の形態を示すが、図７では存在しないかまたは説明されていないいくつかの特徴を含む。図７と８との両方に共通する要素には同じ参照符号を付する。回折光学素子１０は入射放射ビーム（不図示）を２つの分岐放射ビームＰＢ１、ＰＢ２に分離する。フィールドレンズグループ１２は放射ビームＰＢ１、ＰＢ２のさらなる発散を止めて放射ビームを光軸ＯＡと平行となるよう方向付ける（すなわち、放射ビームＰＢ１、ＰＢ２をコリメートする）よう構成される。第１くさび対１８は放射ビームＰＢ１、ＰＢ２間の分離を増大させるよう構成される。第２くさび対２０は放射ビームＰＢ１、ＰＢ２をコリメートするよう構成される。第２くさび対２０は光軸に沿って可動である。第２くさび対２０を第１くさび対１８からさらに離れるように動かすと、放射ビームＰＢ１、ＰＢ２間の分離距離を増やすことができる。第２くさび対２０を第１くさび対１８により近づくように動かすと、放射ビームＰＢ１、ＰＢ１間の分離距離を低減できる。代替的な構成では、第１くさび対１８は光軸ＯＡに沿って可動であってもよく、これは第２くさび対による影響と同じ影響を提供しうる。図８に示される実施の形態によると、露光スリット間の分離距離を調整することができる。これによりリソグラフィ装置のスループットを低減せずに本発明の実施の形態を（走査方向における）サイズが異なるダイに対して使用することができる点で、これは有利である。露光スリット間の分離距離は図８に示される光学装置とは異なる光学装置を使用して調整されてもよい。

放射ビームＰＢ１、ＰＢ２をマスクＭＡ上に導くために使用されるレンズ２２、２３もまた図８に示されている。これらのレンズはリレーレンズと称されてもよい。図８にはレチクルマスキングブレイド１４−１６は示されていないが、レチクルマスキングブレイドは例えば（例えば図７に示されるように）マスクＭＡに隣接して設けられてもよいし、または第２くさび対２０の後に設けられてもよい。レチクルマスキングブレイドはリソグラフィ装置のフィールド面内にまたはフィールド面に隣接して設けられてもよい。

さらなる代替的な実施の形態が図９に模式的に示されている。図９を参照すると、２つの放射ビームＰＢ１、ＰＢ２を生成するよう構成された回折光学素子１０はフィールドレンズグループ１２の前に設けられていない。代わりに、フィールド決定素子２４（これは例えば回折光学素子であってもよい）が設けられ、このフィールド決定素子２４は所望の露光スリット形状（例えば矩形）を生成する。したがって、単一の放射ビームＰＢはフィールドレンズグループ１２を通過し、フィールド面ＦＰを介してレンズ２２に至る。レチクルマスキングブレイド２６、２７がフィールド面に（またはフィールド面に隣接して）設けられてもよい。レチクルマスキングブレイドを使用して放射ビームＰＢに鋭いエッジを与えてもよく、またレチクルマスキングブレイドを使用して、マスクと基板とが一連の露光位置間を移動するときに（図４Ｄおよび４Ｅ参照）放射ビームをブロックしてもよい。レンズ２２は放射ビームＰＢを瞳面に集束させ、回折光学素子１０はその瞳面内に置かれる（回折光学素子は代替的に瞳面に隣接して置かれてもよい）。図６および７に示される回折光学素子１０と共通するように、回折光学素子は放射ビームＰＢを２つの分岐放射ビームＰＢ１、ＰＢ２に変換するよう構成される。レンズ２３は第１および第２放射ビームＰＢ１、ＰＢ２をコリメートし、それらをマスクＭＡ上に導く。回折光学素子１０によって伝送されるゼロ次放射はビームストップや他の適切な装置（不図示）を使用してブロックされてもよい。

図９に示される実施の形態の利点は、それが（例えば、図７に示されるような）レチクルマスキングブレイドの新たなデザインを必要としないことである。代わりに、フィールドレンズグループ１２の後のフィールド面ＦＰ内に（またはフィールド面に隣接して）設けられてもよい一般的なレチクルマスキングブレイドの対２６、２７を使用できる。

図７−９に示される実施の形態で使用される回折光学素子１０は、例えば通常のリソグラフィ装置においてダイポール照明モードを形成するために通常使用される回折光学素子と似ていてもよい。

代替的な実施の形態が図１０に模式的に示されている。代替的な実施の形態では、第１および第２放射ビームは回折光学素子を使用して生成されるのではなく、代わりに半透明ミラーを使用して生成される。

図１０では、放射ビームＰＢは半透明ミラー３０に入射する。放射ビームの半分はその半透明ミラー３０によって反射され、第１放射ビームＰＢ１を形成する。第１放射ビームＰＢ１はドーズ制御装置３４を通過する前に光路補正器３２を通過する。放射ビームＰＢのもう半分は半透明ミラー３０を通過し、第２放射ビームＰＢ２を形成する。第２放射ビームＰＢ２はミラー３６によって反射され、そのミラー３６は第２放射ビームをドーズ制御装置３４を通るよう導く。図１０に示される装置はリソグラフィ装置のレチクルマスキングブレイド（不図示）の前に設けられてもよい。例えば、この装置は図７および９の回折光学素子１０の代わりに設けられてもよい。あるいはまた、図１０に示される装置はレチクルマスキングブレイド（不図示）の後に置かれてもよく、例えば図９の回折光学素子１０の代わりに置かれてもよい。

第１および第２放射ビームＰＢ１、ＰＢ２がマスク（不図示）に入射する前に同じ光路長に沿って進行することが望ましい。第２放射ビームＰＢ２はミラー３６によってドーズ制御装置３４に向けられる前に半透明ミラー３０を超えて通過するので、第２放射ビームは（光路補正器がない場合は）第１放射ビームＰＢ１よりも長い光路長を有するであろう。光路補正器３２は、第１および第２放射ビームＰＢ１、ＰＢ２が通過する光路長が等しく（または実質的に等しく）なるように、第１放射ビームＰＢ１が通過する光路長を増やす。光路補正器３２は、例えば１より大きい屈折率を有するが放射ビームＰＢ１について透明な物質であってもよい。例えば光路補正器３２は融解石英やフッ化カルシウムなどの光学ガラスであってもよい。

ドーズ制御装置３４は、放射ビームの強度を等しくするためにおよび／またはそれらが提供する露光ドーズを等しくするために放射ビームＰＢ１、ＰＢ２のうちの一方を減衰させるために使用されてもよい。ドーズ制御装置の例がさらに後述される。

変形された実施の形態（不図示）では、光路補正器３２は装置から除かれる。代わりに、半透明ミラー３０の厚さは、第１および第２放射ビームＰＢ１、ＰＢ２が通過する光路長の差を補償するように選択される。この変形された実施の形態では、半透明ミラー３０は透明な前面と半透明な背面を有する。したがって、半透明ミラー３０によって反射される放射は半透明ミラーのボディを２回通過する。しかしながら半透明ミラーを透過する放射は半透明ミラーのボディを１回だけ通過する。したがって、半透明ミラー３０のボディをより厚くすると、第１放射ビームＰＢ１の経路長を第２放射ビームＰＢ２の経路長に対して相対的に増やすことができる。

変形された実施の形態（不図示）では、通常のミラーに加えて２つの半透明ミラーが設けられる。その３つのミラーは、図１０に示される方法と似た方法で入射放射ビームを３つの放射ビームに変換するために使用される。第１ミラーの反射率は３３％であってもよく、第２ミラーの反射率は５０％であってもよく、第３ミラーの反射率は１００％であってもよい。光路補正器およびドーズ制御装置が使用されてもよい。

変形された実施の形態では、半透明ミラーはドーズ制御を提供してもよい。図１１は、ドーズ制御を提供しうる半透明ミラー４０を模式的に示す。半透明ミラー４０は、互いに離間された複数の固定ミラー４２と、互いに離間された複数の可動ミラー４４と、を備える。可動ミラー４４は、（図１１Ａに示されるような）それが固定ミラー４２の後ろに配置される位置から、（図１１Ｂに示されるような）それが固定ミラーの後ろから部分的に突き出る位置まで動かされうる。可動ミラー４４が固定ミラー４２の後ろに配置される場合、半分より少ない放射ビームＰＢが固定ミラー４２によって反射されて第１放射ビームＰＢ１を形成し、半分より多い放射ビームが隙間を通過して第２放射ビームＰＢ２を形成する。可動ミラー４４が固定ミラー４２の後ろから突き出る場合、その可動ミラー４４は放射ビームＰＢの追加的な部分を反射し、それによって第１放射ビームＰＢ１に存在する放射の部分が増大する。加えて、可動ミラー４４は固定ミラー４２間の隙間のサイズを低減し、それによって調整可能ミラー４０を通過する放射の強度を低減し、第２放射ビームＰＢ２を形成する。したがって、可動ミラー４４によって第１および第２放射ビームＰＢ１、ＰＢ２の相対強度を調整することが可能となる。調整可能ミラー４０は調整可能な透過性を有する。これにより、リソグラフィ装置に追加的にドーズ制御装置を設ける必要性が回避されうる。

半分より少ない放射ビームＰＢが固定ミラー４２によって反射されて第１放射ビームＰＢ１を形成し、半分より多い放射ビームが隙間を通過して第２放射ビームＰＢ２を形成するよう固定ミラー４２を構成することは有利である。これにより、第１および第２放射ビームＰＢ１、ＰＢ２の放射強度を入射放射ビームＰＢの５０％より大きくまたは５０％より小さくなるよう調整できるからである。

半透明ミラー４０はリソグラフィ装置のフィールド面内にもフィールド面の近くにも設けられていないので、ミラー間の隙間によって形成される断続的なパターンはマスクＭＡでも基板Ｗでも観測されない。加えて、断続的なパターンはリソグラフィ装置の走査方向（図１１では矢印で示されている）に対応する方向に形成されるので、その断続的なパターンによる影響はリソグラフィ装置によって行われる走査露光中に平均化されうる。

図１２は、第１および第２放射ビームを生成するために使用されうる代替的な実施の形態を模式的に示す。この代替的な実施の形態では、第１くさび対５０を使用して放射ビームＰＢを２つの部分に分離する（この分離は図１２ではｙ方向として示されている走査方向において生じる）。放射ビームＰＢは例えばガウシアンプロファイルまたは他のプロファイルを有してもよい。放射ビームが２つの部分に分離される場合、各部分はそのプロファイルの半分を含んでもよい。したがって、第１放射ビーム部分ＰＢ１ａはガウシアン（または他の形状）の左側を含むプロファイルを有してもよく、第２放射ビーム部分ＰＢ２ａはガウシアン（または他の形状）の右側を含んでもよい。

第２くさび対５２は第１および第２放射ビーム部分ＰＢ１ａ、ＰＢ２ａをコリメートするよう構成される。第１および第２放射ビーム部分ＰＢ１ａ、ＰＢ２ａ間の分離距離は第１および第２くさび対５０、５２間の分離距離を調整することによって調整されうる。第１放射ビーム部分ＰＢ１ａはビーム反転および再合成装置５４に入射する。ビーム反転および再合成装置５４は、放射ビーム部分ＰＢ１ａの鏡像を形成し、それをその放射ビームと合成して第１放射ビームＰＢ１を形成するよう構成される。その第１放射ビームＰＢ１は、図１２に模式的に示されるようなガウシアン形状（または他の形状）を有する。第２ビーム反転および再合成装置５５は、同様の方法で、第２放射ビーム部分ＰＢ２ａを変更して第２放射ビームＰＢ２を形成する。

図１３は、第１ビーム反転および再合成装置５４を模式的に示す。第１ビーム反転および再合成装置５４は、同じ焦点を共有する２つの凹面鏡５６、５７と、２つの半透明ビームスプリッタ５８、５９と、を備える。第１半透明ビームスプリッタ５８はビーム反転および再合成装置５４の入り口に設けられ、第２半透明ビームスプリッタ５９はビーム反転および再合成装置の出口に設けられる。

図１３Ａに示されるように、ビーム反転および再合成装置５４に入る際、第１放射ビーム部分ＰＢ１ａの半分は第１ビームスプリッタ５８によって反射される。この半分の第１放射ビーム部分は下側の凹面鏡５７から反射され、次に上側の凹面鏡５６から反射され、そして放射ビーム部分の半分は第２ビームスプリッタ５９による反射を通してビーム反転および再合成装置から出てくる。図１３Ａでは、第１放射ビーム部分ＰＢ１ａの一辺が実線を使用して示され、また一辺が点線を使用して示されている。これにより、放射ビーム部分の像反転を見ることができる。第１放射ビーム部分の半分は第１ビームスプリッタ５８、下側の凹面鏡５７、上側の凹面鏡５６および第２ビームスプリッタ５９を介して反射され、像反転を行う（すなわち、そのプロファイルがひっくり返される）。

図１３Ａに示されるように、第１ビームスプリッタ５８に入射する放射部分の半分は第１ビームスプリッタを通過し、第２ビームスプリッタ５９に入射する。この放射の半分は第２ビームスプリッタ５９を通過し、ビーム反転および再合成装置５４から出てくる。この半分の放射は像反転を行っていない（すなわち、そのプロファイルはひっくり返されていない）。したがって、像反転を行った放射と像反転を行っていない放射とがビーム反転および再合成装置５４から運ばれてくるので、第１放射ビームＰＢ１に（図１２に模式的に示されるように）所望のプロファイルを提供できる。

図１３Ａは、最初に第１ビームスプリッタ５８によって反射され次に第２ビームスプリッタ５９を透過した放射の経路をも示す。この放射の半分は第１ビームスプリッタ５８を通過し、最初に第１ビームスプリッタによって反射された放射に合流しうる。放射のもう半分は第１ビームスプリッタ５８によって反射され、最初に第１ビームスプリッタを透過した放射に合流しうる。

図１３Ｂもまたビーム反転および再合成装置５４を示しているが、この図は第１ビームスプリッタ５８を通過し、次に第２ビームスプリッタ５９によって反射される放射のルートを示す（図１３Ａは最初に第１ビームスプリッタ５８によって反射される放射のルートを示す）。図１３Ｂから理解される通り、放射の一部は像反転を行い、放射の一部は行わず、それによって第１放射ビームＰＢ１に所望のプロファイルが提供される。

上記説明では、ビームスプリッタ５８、５９は入射放射の半分を反射し入射放射の半分を通過させる。しかしながら、ビームスプリッタは例えば半分より多くの入射放射を反射してもよいし、あるいは半分より少ない入射放射を反射してもよい（ビーム反転および再合成装置５４は依然として正しく動作する）。

他の実施の形態と共通して、図１２および１３に示される実施の形態はリソグラフィ装置内の種々の位置に設けられてもよい。その実施の形態はレチクルマスキングブレイドの前または後に設けられてもよい。

図１０に示されるドーズ制御装置３４は種々の異なる形態を取りうる。ドーズ制御装置は例えば、放射ビームＰＢ１、ＰＢ２のうちの一方と交わる箇所の中に伸びていくかまたはそこから伸びる一組のフィンガーを含んでもよい。このフィンガーは例えばフィールド面内に（またはフィールド面に隣接して）設けられてもよく、またマスクＭＡおよび基板Ｗの走査動作方向に対応する方向に伸びてもよい。フィンガーを放射ビームのうちの一方の一部と交わる箇所内に入れることによって、放射ビームのその一部の分だけダイに運ばれる放射のドーズを低減できる。これは、露光スリットの幅が低減され、その結果露光スリットのその部分の分だけダイが照らされる時間が低減されるからである。

代替的な実施の形態では、ドーズ制御装置は、放射ビームのうちの一方と交わる箇所に導入されるかまたはその箇所から除去されうるひとつ以上の一部透過型のフィルタを含んでもよい。例えば、透過性の度合いが異なる複数のプレートが設けられてもよい。放射ビームの強度を所望の量だけ低減するために、その放射ビームと交わる箇所に所与のプレートを導入してもよい。同様の実施の形態では、異なる位置で透過性の量が異なる単一のプレートを使用してもよい。そのプレートは例えば第１位置と第２位置との間で動かされてもよい。第１位置では放射ビームは高い透過性を有するプレートの部分を通過し、第２位置では放射ビームは低い透過性を有するプレートの部分を通過する。

ドーズ制御装置は例えばリソグラフィ装置のフィールド面内に設けられてもよいし、または例えばリソグラフィ装置のフィールド面に隣接して設けられてもよい。

ドーズ制御装置はリソグラフィ装置の照明システム内に設けられてもよいし、またはリソグラフィ装置の投影システム内に設けられてもよい。

代替的な実施の形態では、可変アテニュエータを使用して放射ビームの強度を調整してもよい。可変アテニュエータは例えば、放射ビームの一部を分離しそれを光軸から離れるよう導く透過的プレートを含んでもよい。そのプレートによって分離される放射ビームの量は、光軸に対するそのプレートの向きを調整することによって調整されうる。

ある実施の形態では、各放射ビームについて複数のドーズ制御装置が設けられてもよい。例えば、放射ビームと交わる箇所の中に伸びていくかまたはそこから伸びるフィンガーは、可変アテニュエータまたは一部透過型のプレートと合わせて設けられてもよい。

ドーズ制御装置は、第１および第２放射ビームＰＢ１、ＰＢ２間の強度差を除去するかまたは低減するために使用されうる。ドーズ制御装置は、露光スリット内に運ばれる放射の一様性を改善するために使用されうる（ここではリソグラフィ装置の走査方向を横切る方向における一様性が考慮される）。

本発明のさらなる代替的な実施の形態が図１４に模式的に示される。本発明のこの実施の形態では、マスクＭＡは単一の放射ビームＰＢによって照らされる。次に放射ビームは、投影システムＰＳ内のフィールド面内に（またはフィールド面に隣接して）設けられたビームスプリッタ６０によって、２つの放射ビームＰＢ１、ＰＢ２に分離される。第１放射ビームＰＢ１は、基板Ｗに入射する前に、ビームスプリッタ６０を通過し、２つのミラー６１、６２によって反射され、投影光学系（不図示）を通過する。第２放射ビームＰＢ２は、投影光学系（不図示）を通過して基板Ｗに入射する前に、ビームスプリッタ６０によって反射され、ミラー６３によって反射される。

投影システムＰＳは基板Ｗ上にマスクＭＡの像を２つ形成する。したがって、マスクＭＡが単一のダイについてのパターンを含む場合、２つのダイが同時に基板Ｗ上に投影される。

装置を使用してマスクパターンの走査投影を基板Ｗ上に提供してもよい。マスクＭＡは例えば、マスクＭＡが放射ビームＰＢによって形成されるマスク露光スリットを通過するように、−ｙ向きに動いてもよい。同様に、基板Ｗは、基板上の隣接するダイが第１および第２放射ビームＰＢ１、ＰＢ２によってそれぞれ形成される第１および第２基板露光スリットを通過するように、ｙ向きに動いてもよい。このようにすることで、マスクＭＡの単一の走査中に、２つのダイが基板Ｗ上に露光される。

基板Ｗ上の第１および第２ダイの露光が終わると、走査方向における基板Ｗの引き続く動きによって未露光のダイが投影システムＰＳの下に置かれる前にある期間が経過する。この期間中にマスクＭＡが初期位置に戻されてもよい。したがって、図１４に示される装置は図４および５に示される方法に対応する方法を実行するために使用されてもよい（それらの方法の間の主な差異は、ひとつのダイではなくむしろ２つのダイが各走査露光中にパターン形成されることである）。

さらなる代替的な実施の形態（不図示）では、ビームスプリッタ６０の代わりに回折光学素子が使用されてもよい。その回折光学素子は投影システムの瞳面内または瞳面に隣接して設けられてもよく、（例えば図８に示されるように）放射ビームＰＢを一対の放射ビームＰＢ１、ＰＢ２に分離してもよい。

本発明のさらなる代替的な実施の形態が図１５に模式的に示されている。この実施の形態は、第１および第２放射ビームＰＢ１、ＰＢ２はそれらがマスクＭＡに入射するときには比較的近接しており、投影システムＰＳによってそれらの分離距離が増大される点を除いては図４に示される実施の形態に対応している。投影システムＰＳは、フィールド面内に（またはフィールド面に隣接して）設けられた一対のミラー７１、７２を備える。第１ミラー７１は第１放射ビームＰＢ１を第３ミラー７３に向け、第３ミラー７３は第１放射ビームを基板Ｗに向ける。第２ミラー７２は第２放射ビームＰＢ２を第４ミラー７４に向け、第４ミラー７４は第２放射ビームを基板Ｗに向ける。第１および第２放射ビームＰＢ１、ＰＢ２は基板に入射する前に投影光学系（不図示）を通過してもよい。

第１および第２ミラー７１、７２は三角形刑務所の２つの側として設けられてもよい。

図１５に示される装置は図１４に示される装置と同じように使用されてもよい。マスクＭＡは例えば、マスクＭＡが放射ビームＰＢ１、ＰＢ２によって形成される重なり合う２つのマスク露光スリットを通過するように、−ｙ向きに動いてもよい。同様に、基板Ｗは、基板上の隣接するダイが第１および第２放射ビームＰＢ１、ＰＢ２によってそれぞれ形成される第１および第２基板露光スリットを通過するように、ｙ向きに動いてもよい。このようにすることで、マスクＭＡの単一の走査中に、２つのダイが基板Ｗ上に露光される。

基板Ｗ上の第１および第２ダイの露光が終わると、走査方向における基板Ｗの引き続く動きによって未露光のダイが投影システムＰＳの下に置かれる前にある期間が経過する。この期間中にマスクＭＡが初期位置に戻されてもよい。したがって、図１５に示される装置は図４および５に示される方法に対応する方法を実行するために使用されてもよい（それらの方法の間の主な差異は、ひとつのダイではなくむしろ２つのダイが各走査露光中にパターン形成されることである）。

本発明の実施の形態は主に２つの放射ビームＰＢ１、ＰＢ２を使用したが、実施の形態は３つの放射ビームや４つの放射ビームやそれより多い放射ビームを使用してもよい。

本発明の実施の形態は主に一度に単一のダイをパターン形成したが、本発明の実施の形態は同時に複数のダイをパターン形成してもよい（例えば、各放射ビームが異なるダイをパターン形成してもよい）。

上記説明では本発明の実施の形態の説明を容易とするためデカルト座標が使用された。デカルト座標は表現のみであり、リソグラフィ装置の任意の部材が特定の配向を有さなければならないことを暗示することを意図するものではない。

説明された本発明の実施の形態では、基板Ｗの走査動作はマスクＭＡの走査動作と反対の向きであった。しかしながらこれは必須ではなく、基板Ｗの走査動作はマスクＭＡと同じ向きであってもよい。

説明された本発明の実施の形態では、第１および第２放射ビームＰＢ１、ＰＢ２は単一の照明システムを使用して生成される。しかしながら、それらは別個の照明システムを使用して生成されうる。

ある実施の形態では、リソグラフィ装置はさらに、リソグラフィ装置が上述の方法のうちのひとつ以上を実行するようにリソグラフィ装置の動作を制御するよう構成された制御システムを備えてもよい。

２以上の露光スリットの投影を容易とするため、投影システムＰＬは通常の投影システムよりも大きくてもよい。投影システムの対物フィールドは通常の投影システムの対物フィールドよりも大きくてもよい。

説明された本発明の実施の形態の任意の動作は、制御装置（不図示）によって制御されてもよい。制御装置は、リソグラフィ装置が上述の方法を実行するようにリソグラフィ装置を制御してもよい。

本発明の特定の実施の形態が上で説明されたが、本発明は説明されたのとは別の態様で実施されうることは理解されるであろう。説明は本発明を限定することを意図していない。

Claims (23)

1. 照明システムを備えるリソグラフィ装置であって、前記照明システムは第１マスク照明領域を形成する第１放射ビームを提供するよう、かつ、同時に第２マスク照明領域を形成する第２放射ビームを提供するよう構成され、前記第１および前記第２マスク照明領域は同じマスクを同時に照らすよう構成され、
   本リソグラフィ装置はさらに投影システムを備え、前記投影システムは前記第１放射ビームをそれが第１基板照明領域を形成するように投影するよう、かつ、同時に前記第２放射ビームをそれが第２基板照明領域を形成するように投影するよう構成される、リソグラフィ装置。
2. 前記照明システムは少なくともひとつの追加的なマスク照明領域を形成する少なくともひとつの追加的な放射ビームを提供するよう構成され、少なくともひとつの追加的なマスク照明領域は前記第１および前記第２マスク照明領域と同時に前記マスクを照らし、
   前記投影システムは前記少なくともひとつの追加的な放射ビームをそれが前記第１および前記第２基板照明領域と同時に追加的な基板照明領域を形成するように投影するよう構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 前記第１および前記第２マスク照明領域は互いに重なり合う、請求項１または２に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記照明システムは、放射ビームを前記第１放射ビームと前記第２放射ビームとに分離するよう構成された回折光学素子を含む、請求項１から３のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
5. 前記照明システムは前記回折光学素子によって生成されるゼロ次放射が前記マスクに入射するのを妨げるよう構成される、請求項４に記載のリソグラフィ装置。
6. 前記照明システムは、放射ビームを前記第１放射ビームと前記第２放射ビームとに分離するよう構成された一部透過型のミラーを含む、請求項１から３のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
7. 前記一部透過型のミラーは調整可能な透過性を有する、請求項６に記載のリソグラフィ装置。
8. 前記一部透過型のミラーは、隙間によって分離されている複数の固定ミラー要素と、前記隙間に出入り可能な可動ミラー要素と、を有する、請求項７に記載のリソグラフィ装置。
9. 前記照明システムは、
   放射ビームを２つの部分に分離するよう構成された光学素子と、
   前記第１放射ビーム部分の半分の鏡像を形成してそれを前記第１放射ビーム部分のもう半分と合成し、それによって前記第１放射ビームを形成する第１ビーム反転および再合成装置と、
   前記第２放射ビーム部分の半分の鏡像を形成してそれを前記第２放射ビーム部分のもう半分と合成し、それによって前記第２放射ビームを形成する第２ビーム反転および再合成装置と、を含む、請求項１から３のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
10. 前記光学素子は一対のくさびであり、各くさびは前記放射ビームの半分と交わるよう構成される、請求項９に記載のリソグラフィ装置。
11. 使用中前記第１および前記第２放射ビームを受ける位置にレチクルマスキングブレイドが設けられ、前記レチクルマスキングブレイドは前記第１放射ビームのための開口と前記第２放射ビームのための開口とを提供するよう構成される、請求項１から１０のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
12. 放射ビームを受ける位置にレチクルマスキングブレイドが設けられ、前記レチクルマスキングブレイドは前記放射ビームが前記第１放射ビームと前記第２放射ビームとに分離される前に、前記放射ビームのための開口を提供するよう構成される、請求項１から１０のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
13. 前記照明システムはさらに光路補正器を含み、前記光路補正器は、前記放射ビームの一方が通過する光路を前記第１および前記第２放射ビームが同じ経路長または実質的に同じ経路長を有するように補正する、請求項１から１２のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
14. 本リソグラフィ装置を請求項１６から２３のいずれかにしたがって動作するよう制御する制御システムをさらに備える、請求項１から１３のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
15. 投影システムを備えるリソグラフィ装置であって、前記投影システムは、パターン形成された放射ビームを受けてそのパターン形成された放射ビームを第１のパターン形成された放射ビームと第２のパターン形成された放射ビームとに分離するよう構成され、
    前記投影システムはさらに、前記第１のパターン形成された放射ビームをそれが第１基板照明領域を形成するように投影するよう、かつ同時に前記第２のパターン形成された放射ビームをそれが第２基板照明領域を形成するように投影するよう構成される、リソグラフィ装置。
16. 照明システムを使用して２つの放射ビームを提供することと、
    前記２つの放射ビームを使用して２つのマスク照明領域を照らすことと、
    マスクが前記２つのマスク照明領域によって照らされ、それによって前記マスクが前記２つの放射ビームにパターンを形成するように、前記２つのマスク照明領域を通して前記マスクを動かすことと、
    前記２つの放射ビームが２つの基板照明領域を照らすように、前記２つの放射ビームを投影することと、
    基板が前記２つの基板照明領域によって照らされ、それによって前記基板が前記２つの放射ビームによって運ばれるパターンを受けるように、前記２つの基板照明領域を通して前記基板を動かすことと、を含む、リソグラフィ方法。
17. 前記照明領域が照らされる間初期位置から第１方向に前記マスクを動かす一方、前記基板を反対の第２方向に動かすことと、
    前記マスクを照らすことを止め、前記マスクを前記初期位置に戻す一方、前記基板を前記第２方向に動かし続けることと、
    前記照明領域が照らされる間前記初期位置から前記第１方向に前記マスクを動かす一方、前記基板を前記第２方向に動かし続けることと、をさらに含む請求項１６に記載の方法。
18. 前記照明領域が照らされる間初期位置から第１方向に前記マスクを動かす一方、前記基板を反対の第２方向に動かすことと、
    前記マスクを照らすことを止め、前記基板を横方向に動かすことと、
    前記照明領域が照らされる間前記第２方向に前記マスクを動かす一方、前記基板を前記第１方向に動かすことと、をさらに含む請求項１６に記載の方法。
19. 前記マスクは単一のダイを含むパターンを備える、請求項１７または１８に記載の方法。
20. 前記マスクは２以上のダイを含むパターンを備える、請求項１７または１８に記載の方法。
21. 前記照明システムを使用して追加的な放射ビームを提供することと、
    前記追加的な放射ビームを使用して追加的なマスク照明領域を照らすことと、
    マスクが前記追加的な照明領域によって照らされる一方、同時に前記マスクが前記２つのマスク照明領域によって照らされ、それによって前記マスクが前記追加的な放射ビームにパターンを形成するように、前記追加的な照明領域を通して前記マスクを動かすことと、
    前記追加的な放射ビームをそれが追加的な基板照明領域を照らすように投影することと、
    前記基板が前記２つの基板照明領域および前記追加的な照明領域によって照らされ、それによって前記基板が前記２つの放射ビームおよび前記追加的な放射ビームによって運ばれるパターンを受けるように、前記追加的な照明領域を通して前記基板を動かすことと、をさらに含む、請求項１７から２０のいずれかに記載の方法。
22. 前記第１および前記第２マスク照明領域は互いに重なり合う、請求項１７から２１のいずれかに記載の方法。
23. 照明システムを使用して放射ビームを提供することと、
    前記放射ビームを使用してマスク照明領域を照らすことと、
    マスクが前記マスク照明領域によって照らされ、それによって前記マスクが前記放射ビームにパターンを形成するように、前記マスク照明領域を通して前記マスクを動かすことと、
    投影システムを使用して前記パターン形成された放射ビームを第１のパターン形成された放射ビームと第２のパターン形成された放射ビームとに分離することと、
    前記２つのパターン形成された放射ビームが２つの基板照明領域を照らすように、前記２つのパターン形成された放射ビームを投影することと、
    基板が前記２つの基板照明領域によって照らされ、それによって前記基板が前記２つの放射ビームによって運ばれるパターンを受けるように、前記２つの基板照明領域を通して前記基板を動かすことと、を含む、リソグラフィ方法。

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