JP2011165801A - 発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ - Google Patents
発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011165801A JP2011165801A JP2010025352A JP2010025352A JP2011165801A JP 2011165801 A JP2011165801 A JP 2011165801A JP 2010025352 A JP2010025352 A JP 2010025352A JP 2010025352 A JP2010025352 A JP 2010025352A JP 2011165801 A JP2011165801 A JP 2011165801A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting diode
- light emitting
- light
- layer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 163
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 89
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 73
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 41
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 23
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 273
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 31
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 25
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 18
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 7
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 1-(4-bromophenyl)-2,2,2-trifluoroethanone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)C1=CC=C(Br)C=C1 IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 AuIn Chemical class 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Mg+2].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【解決手段】発光層10を含む発光部7を有する化合物半導体層2と、透明基板3とが接合された発光ダイオードであって、化合物半導体層2の主たる光取り出し面2a側に、第1の電極4と第2の電極5とが設けられ、透明基板3は、化合物半導体層2と接合する上面3Aと、上面3Aの面積よりも小さい面積の底面3Bと、上面側から底面側に向かって傾斜された傾斜面3bを少なくとも含む側面と、を有しており、第1及び第2の電極4,5が、当該発光ダイオードを平面視したときに、底面3Bを投影した領域内に配置されていることを特徴とする発光ダイオード1を選択する。
【選択図】図2
Description
[1] 組成式(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦1,0<Y≦1)、組成式AlXGa1−XAs(0≦X≦1)または、組成式InXGa1−XAs(0≦X≦0.3)からなる発光層を含む発光部を有する化合物半導体層と、透明基板とが接合された発光ダイオードであって、
前記化合物半導体層の主たる光取り出し面側に、第1の電極と、前記第1の電極と極性の異なる第2の電極とが設けられ、
前記透明基板は、前記化合物半導体層と接合する上面と、前記上面の面積よりも小さい面積の底面と、前記上面側から前記底面側に向かって傾斜された傾斜面を少なくとも含む側面と、を有しており、
前記第1及び第2の電極が、当該発光ダイオードを平面視したときに、前記底面を投影した領域内に配置されていることを特徴とする発光ダイオード。
[2] 前記透明基板の前記側面は、前記化合物半導体層と接合する上面側で前記光取り出し面に対して略垂直である第1の側面と、前記底面側において前記光取り出し面に対して傾斜する第2の側面と、を有することを特徴とする前項1に記載の発光ダイオード。
[3] 前記第1及び第2の電極が、当該発光ダイオードを平面視したときに、前記第2の側面を投影した領域内に配置されないことを特徴とする前項2に記載の発光ダイオード。
[4] 前記底面の面積が、前記上面の面積の60〜80%の範囲であることを特徴とする前項1乃至3のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
[5] 前記底面の面積が、0.04mm2以上であることを特徴とする前項1乃至4のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
[6] 前記透明基板が、GaP単結晶であることを特徴とする前項1乃至5のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
[7] 前記透明基板の厚さが、50〜300μmの範囲であることを特徴とする前項1乃至6のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
[8] 前記第2の側面と前記光取り出し面とのなす角度が、60〜80°の範囲であることを特徴とする前項2乃至7のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
[9] 当該発光ダイオードを断面視した際に、前記第1の側面の長さが、前記第2の側面の長さよりも長いことを特徴とする前項2乃至8のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
[10] 前記第1の電極が、パッド電極と、幅10μm以下の線状電極と、を有することを特徴とする前項1乃至9のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
[11] 前記化合物半導体層が、GaP層を含んでおり、
前記第2の電極が、前記GaP層上に設けられていることを特徴とする前項1乃至10のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
[12] 前記第1の電極の極性がn型であり、前記第2の電極の極性がp型であることを特徴とする前項1乃至11のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
[13] 前記第2の側面が、粗面化されていることを特徴とする前項2乃至12のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
[14] GaAs基板に組成式(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦1,0<Y≦1)、組成式AlXGa1−XAs(0≦X≦1)または、組成式InXGa1−XAs(0≦X≦0.3)から成る発光層を含む発光部を有する化合物半導体層を形成する工程と、
前記化合物半導体層と透明基板とを接合する工程と、
前記GaAs基板を除去する工程と、
前記化合物半導体層の前記透明基板と反対側の主たる光取り出し面に、第1の電極と、前記第1の電極と極性の異なる第2の電極とを形成する工程と、
前記透明基板の側面に、傾斜面を形成する工程と、を備え、
前記傾斜面を形成する工程が、前記透明基板の前記化合物半導体層と接合する上面の面積よりも底面の面積が小さくするとともに、前記第1及び第2の電極が、当該発光ダイオードを平面視したときに、前記底面を投影した領域内に配置されるように当該透明基板の側面に傾斜面を形成することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
[15] 前記傾斜面を形成する工程が、
前記透明基板の前記化合物半導体層と接合する上面側に、前記光取り出し面に対して略垂直となる第1の側面を形成し、
前記底面側に、前記光取り出し面に対して傾斜する第2の側面を形成することを特徴とする前項14に記載の発光ダイオードの製造方法。
[16] 前記傾斜面を形成する工程が、ダイシング法を用いることを特徴とする前項14又は15に記載の発光ダイオードの製造方法。
[17] 前項1乃至13のいずれか一項に記載の発光ダイオードを搭載することを特徴とする発光ダイオードランプ。
図1及び図2は、本発明を適用した一実施形態である発光ダイオードを説明するための図であり、図1は平面図、図2は図1中に示すA−A’線に沿った断面図である。
図1及び図2に示すように、本実施形態の発光ダイオード1は、化合物半導体層2と透明基板3とが接合された発光ダイオードである。そして、発光ダイオード1は、主たる光取り出し面2aに設けられたn型オーミック電極(第1の電極)4及びp型オーミック電極(第2の電極)5を備えて概略構成されている。なお、本実施形態における主たる光取り出し面2aとは、化合物半導体層2において、透明基板3を貼り付けた面の反対側の面である。
なお、下部クラッド層9及び上部クラッド層11の極性は、化合物半導体層2の素子構造を考慮して適宜選択することができる。
また、電流拡散層8の厚さは0.5〜20μmの範囲であることが好ましい。0.5μm以下であると電流拡散が不十分であり、20μm以上であるとその厚さまで結晶成長させる為のコストが増大するからである。
また、垂直面3aの幅(厚さ方向)を、30μm〜200μmの範囲内とすることが好ましい。垂直面3aの幅を上記範囲内にすることで、透明基板3の底部で反射された光を垂直面3aにおいて効率よく発光面に戻すことができ、さらには、主たる光取り出し面2aから放出させることが可能となる。このため、発光ダイオード1の発光効率を高めることができる。
ここで、本実施形態では、底面3Bの面積が、上面3Aの面積の60〜80%の範囲であることが好ましい。上記範囲であると、光の取り出し効率を高めることができる。
また、底面3Bの面積を、0.04mm2以上とすることが好ましい。これにより、ダイボンド工程の組み立てが、容易になる。
例えば、反射面は、Ag、Al、Auなどを用いることができ、この反射面に加えて、共晶ダイボンドに用いるAuIn、AuGe、AuSn等の共晶金属を付加し、組み立て工程を簡略化できる。
電流拡散層、反射金属および共晶金属が相互拡散しないよう、例えば、Ti,W、Ptなどの高融点金属または、例えば、ITOなどの透明導電性酸化物を挿入することも、品質の安定性から望ましい。
次に、本実施形態の発光ダイオード1の製造方法について説明する。図3は、本実施形態の発光ダイオード1に用いるエピウェーハの断面図である。また、図4は、本実施形態の発光ダイオード1に用いる接合ウェーハの断面図である。
先ず、図3に示すように、化合物半導体層2を作製する。化合物半導体層2は、GaAs基板14上に、GaAsからなる緩衝層15、選択エッチングに利用するために設けられたエッチングストップ層(図示略)、Siをドープしたn型のAlGaInPからなるコンタクト層16、n型の上部クラッド層11、発光層10、p型の下部クラッド層9、Mgドープしたp型GaPからなる電流拡散層8を順次積層して作製する。
次に、化合物半導体層2と透明基板3とを接合する。化合物半導体層2と透明基板3との接合は、先ず、化合物半導体層2を構成する電流拡散層8の表面を研磨して、鏡面加工する。次に、この電流拡散層8の鏡面研磨した表面に貼付する透明基板3を用意する。なお、この透明基板3の表面は、電流拡散層8に接合させる以前に鏡面に研磨する。次に、一般の半導体材料貼付装置に、化合物半導体層2と透明基板3とを搬入し、真空中で鏡面研磨した双方の表面に電子を衝突させて中性(ニュートラル)化したArビームを照射する。その後、真空を維持した貼付装置内で双方の表面を重ね合わせて荷重をかけることで、室温で接合することができる(図4参照)。接合に関しては、接合条件の安定性から、接合面が同じ材質がより望ましい。
接合(貼り付け)はこのような真空下での常温接合が最適であるが、高温処理、高圧下での圧着、接着剤を用いて接合することもできる。
次に、第1の電極であるn型オーミック電極4及び第2の電極であるp型オーミック電極5を形成する。n型オーミック電極4及びp型オーミック電極5の形成は、先ず、透明基板3と接合した化合物半導体層2から、GaAs基板14及び緩衝層15をアンモニア系エッチャントによって選択的に除去する。次に、露出したコンタクト層16の表面にn型オーミック電極4を形成する。具体的には、例えば、AuGe、Ni合金/Auを任意の厚さとなるように真空蒸着法により積層した後、一般的なフォトリソグラフィー手段を利用してパターニングを行ってn型オーミック電極4bの形状を形成する。
次に、透明基板3の形状を加工する。透明基板3の加工は、先ず、表面にV字状の溝入れを行う。この際、V字状の溝の内側面が発光面に平行な面とのなす角度αを有する傾斜面3bとなる。次に、化合物半導体層2側から所定の間隔でダイシングを行ってチップ化する。なお、チップ化の際のダイシングによって透明基板3の垂直面3aが形成される。
また、第1及び第2の電極が、発光ダイオードを平面視したときに、加工後の透明基板3の底面3Bを投影した領域(図1を参照)内に配置されるように当該透明基板の側面に傾斜面3bを形成することに留意する。
図5及び図6は、本発明を適用した一実施形態である発光ダイオードを用いた発光ダイオードランプを説明するための図であり、図5は平面図、図6は図5中に示すB−B’線に沿った断面図である。
次に、上記発光ダイオード1を用いた発光ダイオードランプ41の製造方法、すなわち、発光ダイオード1の実装方法について説明する。
図5及び図6に示すように、マウント基板42の表面に所定の数量の発光ダイオード1を実装する。発光ダイオード1の実装は、先ず、マウント基板42と発光ダイオード1との位置合せを行い、マウント基板42の表面の所定の位置に発光ダイオード1を配置する。次に、Agペースト等でダイボンドし、発光ダイオード1をマウント基板42の表面に固定する。次に、発光ダイオード1のn型オーミック電極4とマウント基板42のn電極端子43とを金線45を用いて接続する(ワイヤーボンディング)。次に、発光ダイオード1のp型オーミック電極5とマウント基板42のp電極端子44とを金線46を用いて接続する。最後に、マウント基板42の発光ダイオード1が実装された表面を、封止剤47によって封止する。このようにして、発光ダイオード1を用いた発光ダイオードランプ41を製造する。
本実施例で作製した半導体発光ダイオードは、図1及び図2に示した上記実施形態のAlGaInP発光部を有する赤色発光ダイオード(LED)である。
本実施例では、GaAs基板上に設けたエピタキシャル積層構造体(エピウェーハ)とGaP基板とを接合させて発光ダイオードを作製する場合を例にして、本発明を具体的に説明する。
コンタクト層の表面に第1の線状オーミック電極として、AuGe、Ni合金を厚さが0.3μm、Auを0.3μmとなるように真空蒸着法によりn形オーミック電極(4b)を形成した。一般的なフォトリソグラフィー手段を利用してパターニングを施し、電極を形成した。
次に、p電極を形成する領域のエピ層を選択的に除去し、GaP層を露出させた。GaP層の表面にAuBeを0.2μm、Auを0.4μmとなるように真空蒸着法でp形オーミック電極を形成した。
450℃で10分間熱処理を行い、合金化し低抵抗のp型およびn型オーミック電極(5)を形成した。
次に、n電極パッド領域(4a)とp電極上のパッド領域(5)にAu0.2μm、Pt0.2μm、Au1μmのワイヤボンド用電極を形成した。
ダイシングソーを用いて、GaP基板の裏面(3B)から、傾斜面の角度αが70°となるように、第1の側面(3a)が160μmとなるようにV字状の溝入れを行った。
次に、表面側からダイシングソーを用い320μm間隔で切断し、チップ化した。ダイシングによる破砕層および汚れを硫酸・過酸化水素混合液でエッチング除去し、半導体発光ダイオード(チップ)を作製した。
第1の側面の長さが、160μm、傾斜面(3b)の長さは、96μmであった。底面は、一辺が約250μmの略正方形で、面積は約0.062mm2であった。
第1の側面に囲まれた上面は、約290μmの正方形で、面積は、0.084mm2であった。底面と上面の比率は、74%であった。
比較例1のLEDは、上記実施例1と同様にして、p型およびn型オーミック電極を形成した。
次に、裏面側、すなわち透明基板側から第1の側面が、30μmとなるように切断し、表面側からダイシングソーを用いて320μm間隔で切断してチップ化した。ダイシングによる破砕層および汚れを硫酸・過酸化水素混合液でエッチング除去して、図7及び図8に示すような半導体発光ダイオード(チップ)21を作製した。
上記の様にして作製したLEDチップ21を、実施例1の場合と同様にして、発光ダイオードランプに100個、組み立てた。
これに対して、第1の側面である垂直面23aに囲まれた上面23Aは約290μmの正方形で、面積は0.084mm2であった。また、底面23Bと上面23Aとの比率は、27%であった。
本発明を適用した上記実施例1と比較して、比較例1のLED21は、底面23Bの上方に電極4(4a,4b)が形成されているため、輝度が低かった。底面が小さくバランスが悪い為、組み立て不良が発生した。
比較例2のLEDは、上記実施例1と同様にして、p型およびn型オーミック電極を形成した。
次に、裏面側、すなわち透明基板側からダイシングソーを用い320μm間隔で切断し、チップ化した。比較例2のLEDは、第1の側面である垂直面がなく、角度(α)85度の傾斜面だけで側面を形成した(図10を参照)。その後、破砕層および汚れを硫酸・過酸化水素混合液でエッチング除去し、図9及び図10に示すような半導体発光ダイオード(チップ)31を作製した。
上記の様にして作製したLEDチップ31を、実施例1の場合と同様にして、発光ダイオードランプに100個、組み立てた。
これに対して、上面33Aは約310μmの正方形で、面積は0.096mm2であった。また、底面33Bと上面33Aとの比率は、88%であった。
本発明を適用した上記実施例1と比較して、比較例2のLED31は、傾斜角αが大きいため、輝度が低かった。
本実施例では、実施例1と同様な構造で、発光層の材質がAlGaAs発光部である赤外発光ダイオード(LED)について説明する。
本実施例では、実施例1と同様、GaAs基板上に設けたエピタキシャル積層構造体(エピウェーハ)とGaP基板とを接合させて発光ダイオードにおいて、発光部以外の製造工程は、実施例1と同じである。
本実施例では、実施例1と同様な構造で、発光層の材質がInGaAs発光部である赤外発光ダイオード(LED)について説明する。
本実施例では、実施例1と同様、GaAs基板上に設けたエピタキシャル積層構造体(エピウェーハ)とGaP基板とを接合させて発光ダイオードにおいて、発光部以外の製造工程は、実施例1と同じである。
実施例2に記載のAlGaAs発光部を用いて、比較例2の製造工程(チップ形状)を作製した。
実施例3に記載のInGaAs発光部を用いて、比較例2の製造工程(チップ形状)を作製した。
2・・・化合物半導体層
2a・・・光取り出し面
3・・・透明基板
3A・・・上面
3B・・・底面
3a・・・垂直面(第1の側面)
3b・・・傾斜面(第2の側面)
4・・・n型オーミック電極(第1の電極)
5・・・p型オーミック電極(第2の電極)
7・・・発光部
8・・・電流拡散層
9・・・下部クラッド層
10・・・発光層
11・・・上部クラッド層
14・・・GaAs基板
15・・・緩衝層
16・・・コンタクト層
41・・・発光ダイオードランプ
42・・・マウント基板
43・・・n電極端子
44・・・p電極端子
45,46・・・ワイヤー
47・・・封止剤
Claims (17)
- 組成式(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦1,0<Y≦1)、組成式AlXGa1−XAs(0≦X≦1)または、組成式InXGa1−XAs(0≦X≦0.3)からなる発光層を含む発光部を有する化合物半導体層と、透明基板とが接合された発光ダイオードであって、
前記化合物半導体層の主たる光取り出し面側に、第1の電極と、前記第1の電極と極性の異なる第2の電極とが設けられ、
前記透明基板は、前記化合物半導体層と接合する上面と、前記上面の面積よりも小さい面積の底面と、前記上面側から前記底面側に向かって傾斜された傾斜面を少なくとも含む側面と、を有しており、
前記第1及び第2の電極が、当該発光ダイオードを平面視したときに、前記底面を投影した領域内に配置されていることを特徴とする発光ダイオード。 - 前記透明基板の前記側面は、前記化合物半導体層と接合する上面側で前記光取り出し面に対して略垂直である第1の側面と、前記底面側において前記光取り出し面に対して傾斜する第2の側面と、を有することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記第1及び第2の電極が、当該発光ダイオードを平面視したときに、前記第2の側面を投影した領域内に配置されないことを特徴とする請求項2に記載の発光ダイオード。
- 前記底面の面積が、前記上面の面積の60〜80%の範囲であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
- 前記底面の面積が、0.04mm2以上であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
- 前記透明基板が、GaP単結晶であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
- 前記透明基板の厚さが、50〜300μmの範囲であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
- 前記第2の側面と前記光取り出し面とのなす角度が、60〜80°の範囲であることを特徴とする請求項2乃至7のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
- 当該発光ダイオードを断面視した際に、前記第1の側面の長さが、前記第2の側面の長さよりも長いことを特徴とする請求項2乃至8のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
- 前記第1の電極が、パッド電極と、幅10μm以下の線状電極と、を有することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
- 前記化合物半導体層が、GaP層を含んでおり、
前記第2の電極が、前記GaP層上に設けられていることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の発光ダイオード。 - 前記第1の電極の極性がn型であり、前記第2の電極の極性がp型であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
- 前記第2の側面が、粗面化されていることを特徴とする請求項2乃至12のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
- GaAs基板に組成式(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦1,0<Y≦1)、組成式AlXGa1−XAs(0≦X≦1)または、組成式InXGa1−XAs(0≦X≦0.3)から成る発光層を含む発光部を有する化合物半導体層を形成する工程と、
前記化合物半導体層と透明基板とを接合する工程と、
前記GaAs基板を除去する工程と、
前記化合物半導体層の前記透明基板と反対側の主たる光取り出し面に、第1の電極と、前記第1の電極と極性の異なる第2の電極とを形成する工程と、
前記透明基板の側面に、傾斜面を形成する工程と、を備え、
前記傾斜面を形成する工程が、前記透明基板の前記化合物半導体層と接合する上面の面積よりも底面の面積が小さくするとともに、前記第1及び第2の電極が、当該発光ダイオードを平面視したときに、前記底面を投影した領域内に配置されるように当該透明基板の側面に傾斜面を形成することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。 - 前記傾斜面を形成する工程が、
前記透明基板の前記化合物半導体層と接合する上面側に、前記光取り出し面に対して略垂直となる第1の側面を形成し、
前記底面側に、前記光取り出し面に対して傾斜する第2の側面を形成することを特徴とする請求項14に記載の発光ダイオードの製造方法。 - 前記傾斜面を形成する工程が、ダイシング法を用いることを特徴とする請求項14又は15に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 請求項1乃至13のいずれか一項に記載の発光ダイオードを搭載することを特徴とする発光ダイオードランプ。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010025352A JP5343018B2 (ja) | 2010-02-08 | 2010-02-08 | 発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ |
TW100103557A TWI447956B (zh) | 2010-02-08 | 2011-01-31 | 發光二極體及其製造方法以及發光二極體燈 |
PCT/JP2011/052172 WO2011096445A1 (ja) | 2010-02-08 | 2011-02-02 | 発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ |
KR1020127022709A KR101411730B1 (ko) | 2010-02-08 | 2011-02-02 | 발광 다이오드 및 그 제조 방법, 및 발광 다이오드 램프 |
CN201180017382.3A CN102822999B (zh) | 2010-02-08 | 2011-02-02 | 发光二极管及其制造方法以及发光二极管灯 |
US13/577,817 US8729598B2 (en) | 2010-02-08 | 2011-02-02 | Light-emitting diode, method for manufacturing the same, and light-emitting diode lamp |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010025352A JP5343018B2 (ja) | 2010-02-08 | 2010-02-08 | 発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011165801A true JP2011165801A (ja) | 2011-08-25 |
JP5343018B2 JP5343018B2 (ja) | 2013-11-13 |
Family
ID=44355440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010025352A Expired - Fee Related JP5343018B2 (ja) | 2010-02-08 | 2010-02-08 | 発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8729598B2 (ja) |
JP (1) | JP5343018B2 (ja) |
KR (1) | KR101411730B1 (ja) |
CN (1) | CN102822999B (ja) |
TW (1) | TWI447956B (ja) |
WO (1) | WO2011096445A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103107254A (zh) * | 2011-11-14 | 2013-05-15 | 鼎元光电科技股份有限公司竹南分公司 | 具有复数个贯穿孔洞的电流阻断层的发光二极管结构 |
JP2018060932A (ja) * | 2016-10-06 | 2018-04-12 | ローム株式会社 | Ledパッケージ |
KR101899468B1 (ko) * | 2011-09-28 | 2018-09-17 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI464908B (zh) * | 2012-08-30 | 2014-12-11 | Formosa Epitaxy Inc | Light emitting device |
US9166116B2 (en) | 2012-05-29 | 2015-10-20 | Formosa Epitaxy Incorporation | Light emitting device |
CN105870227B (zh) * | 2016-06-12 | 2017-07-14 | 天津三安光电有限公司 | 红外发光二极管 |
KR102559294B1 (ko) * | 2018-05-28 | 2023-07-25 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광 소자 패키지 |
CN111052416B (zh) * | 2019-03-25 | 2023-06-06 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 一种半导体发光元件 |
US11776987B2 (en) | 2020-01-21 | 2023-10-03 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED display apparatus having micro LED module |
US11908881B2 (en) * | 2020-01-21 | 2024-02-20 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED display apparatus having micro LED module |
US11855052B2 (en) | 2020-01-22 | 2023-12-26 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED display apparatus having micro LED module |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004289047A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2005142278A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光ダイオードチップとその作製法 |
JP2007173551A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2007173575A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2007194536A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-02 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2007214225A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2007220709A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5376580A (en) | 1993-03-19 | 1994-12-27 | Hewlett-Packard Company | Wafer bonding of light emitting diode layers |
US6229160B1 (en) | 1997-06-03 | 2001-05-08 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Light extraction from a semiconductor light-emitting device via chip shaping |
JP2002141556A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-05-17 | Lumileds Lighting Us Llc | 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード |
DE10112542B9 (de) * | 2001-03-15 | 2013-01-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes optisches Bauelement |
TWI294699B (en) * | 2006-01-27 | 2008-03-11 | Epistar Corp | Light emitting device and method of forming the same |
US7067849B2 (en) * | 2001-07-17 | 2006-06-27 | Lg Electronics Inc. | Diode having high brightness and method thereof |
TW565957B (en) * | 2002-12-13 | 2003-12-11 | Ind Tech Res Inst | Light-emitting diode and the manufacturing method thereof |
TWM266551U (en) * | 2004-11-23 | 2005-06-01 | Super Nova Optoelectronics Cor | GaN LED |
JP4942996B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2012-05-30 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオード |
US7915619B2 (en) * | 2005-12-22 | 2011-03-29 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode and method for fabrication thereof |
WO2007083829A1 (en) * | 2006-01-23 | 2007-07-26 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode and method for fabrication thereof |
WO2007091704A1 (en) | 2006-02-08 | 2007-08-16 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode and fabrication method thereof |
US8097892B2 (en) | 2006-02-14 | 2012-01-17 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode |
US20080258130A1 (en) * | 2007-04-23 | 2008-10-23 | Bergmann Michael J | Beveled LED Chip with Transparent Substrate |
-
2010
- 2010-02-08 JP JP2010025352A patent/JP5343018B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-01-31 TW TW100103557A patent/TWI447956B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-02-02 WO PCT/JP2011/052172 patent/WO2011096445A1/ja active Application Filing
- 2011-02-02 CN CN201180017382.3A patent/CN102822999B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-02 KR KR1020127022709A patent/KR101411730B1/ko active IP Right Grant
- 2011-02-02 US US13/577,817 patent/US8729598B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004289047A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2005142278A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光ダイオードチップとその作製法 |
JP2007173551A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2007173575A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2007194536A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-02 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2007214225A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2007220709A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101899468B1 (ko) * | 2011-09-28 | 2018-09-17 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
CN103107254A (zh) * | 2011-11-14 | 2013-05-15 | 鼎元光电科技股份有限公司竹南分公司 | 具有复数个贯穿孔洞的电流阻断层的发光二极管结构 |
JP2018060932A (ja) * | 2016-10-06 | 2018-04-12 | ローム株式会社 | Ledパッケージ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101411730B1 (ko) | 2014-06-25 |
JP5343018B2 (ja) | 2013-11-13 |
WO2011096445A1 (ja) | 2011-08-11 |
CN102822999B (zh) | 2015-03-25 |
TWI447956B (zh) | 2014-08-01 |
TW201214768A (en) | 2012-04-01 |
KR20120125325A (ko) | 2012-11-14 |
US20120305979A1 (en) | 2012-12-06 |
US8729598B2 (en) | 2014-05-20 |
CN102822999A (zh) | 2012-12-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5343018B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ | |
JP4974867B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
JP5021213B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
JP5019755B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
JP5244703B2 (ja) | 発光ダイオード及び発光ダイオードランプ、並びに照明装置 | |
WO2010125792A1 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ | |
WO2010095353A1 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ | |
JP5032033B2 (ja) | 発光ダイオード | |
JP2010239098A (ja) | 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置 | |
JP5427585B2 (ja) | フリップチップ型発光ダイオード及びその製造方法 | |
JP5557649B2 (ja) | 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置 | |
JP2007173551A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
JP5586371B2 (ja) | 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置 | |
JP5019756B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
JP5557648B2 (ja) | 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置 | |
JP4918245B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
JP2011165800A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ | |
WO2010092741A1 (ja) | 発光ダイオード及び発光ダイオードランプ | |
JP2007173575A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
JP2014168101A (ja) | 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置 | |
JP2014158057A (ja) | 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置 | |
JP2011086917A (ja) | 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130716 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130812 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5343018 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |