JP4974867B2 - 発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
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Description
オーミック電極を接合界面に形成しない場合は、接合面の電気抵抗を低下させるために高度な接合技術が必要とされるばかりでなく、接合界面の不純物濃度や材質が制約され、光の吸収や機械的な応力等の解決が必要となる。また、接合界面の電気抵抗を均一にすることが困難な為、発光層へ流れる電流の均一性にも問題があった。
更に、発光層が方形である場合、発光層内部から発光された光が側面に対して斜めに当たると内部に反射されやすく、側面からの光取り出し効率に問題があった。
また、本発明の発光ダイオードは、前記オーミック電極が、前記発光部の外周を包囲する形状であることとした。
また、本発明の発光ダイオードは、前記発光部及び前記第1の電極の平面形状と、前記オーミック電極の平面形状が相似形であって、前記発光部の外周と前記オーミック電極との間隔が一定であることとした。
また、本発明の発光ダイオードは、前記発光層が、少なくともAlGaInPを含むこととした。
また、本発明の発光ダイオードは、前記基板が、GaP、AlGaAs、SiCのいずれかからなる透明基板であることとした。
また、本発明の発光ダイオードは、前記基板が、少なくともAl、Ag、Cu、Auのいずれを含む金属基板、またはAl、Ag、Cu、Au、Ptのいずれかで反射膜を形成したSi基板からなることとした。
また、本発明の発光ダイオードは、前記第1の電極が、オーミック電極と、透明導電膜層と、台座電極とを有することとした。
また、前記オーミック電極の平面形状が、前記発光部の外周を包囲する形状であることで、第1の電極への電流が均一に流れやすくなり、発光も均一になる。
また、前記発光部及び前記第1の電極の平面形状の輪郭と、前記オーミック電極の平面形状が相似形であって、前記発光部の外周と前記オーミック電極との間隔が一定であることで、より発光部への電流が均一に流れやすくなり、発光もより均一になる。また、第1の電極の平面形状は円形であると、電極の角がないため、静電耐圧が向上する。そのため、発光部及び第1の電極の平面形状と、オーミック電極の平面形状がともに円形であると、最も電流が均一に流れやすく、発光層全体を効率的に活用でき、発光も均一となり輝度が高まる。
また、前記半導体層は、発光光に対して透明であることで、高輝度化することができる。
また、前記半導体層は、少なくともGaPからなる層を有することで、前記オーミック電極と良好なオーミックコンタクトが得られ、作動電圧を下げることができる。
また、前記基板は、GaP、AlGaAs、SiCのいずれかからなる透明基板であることで、高輝度化することができ、更に基板の材料によっては、放熱性、機械強度も向上させることができる。
また、前記基板は、少なくともAl、Ag、Cu、Auのいずれを含む金属基板、またはAl、Ag、Cu、Au、Ptのいずれかで反射膜を形成したSi基板からなることで、金属からなる場合は熱伝導率がよく、Siからなる場合は加工しやすく安価であるとういう利点がある。
また、前記第1の電極は、オーミック電極と、透明導電膜層と、台座電極とを有することで、台座電極を小さくすることや、台座電極に反射率の高い材質を選択し光の吸収を減らすことが可能になり、更にオーミック電極を均等に設けることで、発光ダイオードの光取り出し効率を高めることができる。
「発光ダイオード」
図1(a)、(b)に示すように、本発明の第1実施形態に係る発光ダイオード(LED)1は、発光層2を含む発光部3と、半導体層4を介して発光部3に接合された基板5と、発光部3の上面に第1の電極6と、基板5の底面に第2の電極7と、半導体層4上の発光部3の外周にオーミック電極8とを備え、発光部3の外周において、オーミック電極8と基板5とを導通させし、かつ半導体層4の厚さ方向に貫通する貫通電極9を半導体層4中に備えたことを特徴とする。
発光部3は、ダブルへテロ、単一(single)量子井戸(英略称:SQW)または多重(multi)量子井戸(英略称:MQW)の何れの構造であっても良いが、単色性に優れる発光を得るためにはMQW構造とするのが好適である。量子井戸(英略称:QW)構造をなす障壁(barrier)層及び井戸(well)層を構成する(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦1,0<Y≦1)の組成は、所望の発光波長を帰結する様に決定する。
しかしながら、発光部3及び発光層2の形状が円形であれば、発光層2内部から発光された光が発光層2の側面に対して反射されにくいため、光取り出し効率が高まる。
また、発光層2は単色性に優れる発光を得るため、単一(single)量子井戸構造(英略称:SQW)や多重(multi)量子井戸(英略称:MQW)構造とするのが好適である。
オーミック電極8は、発光部3の外周を包囲する形状が好ましく、発光部3の平面形状の輪郭、第1の電極6の平面形状の輪郭と相似であることがより好ましい。発光部3の平面形状及び第1の電極6の平面形状が円形であって、オーミック電極8の平面形状が発光部を取り巻く環形であることが最も好ましい。
オーミック電極8の材質は、例えばN型の半導体に対しては、AuGe、AuSiなど、P型の半導体に対しては、AuBe、AuZnなどを用いて形成することができる。
材質は、導電性で基板5とオーミック電極8とを接合するようなメタルビアを形成できるものであればよく、特に限定はない。
具体的には、例えばCu、Au、Ni、ハンダなどを用いて形成することができる。
本発明では、第1の電極6の極性をn型とし、第2の電極7の極性をp型とするのが好ましい。このような構成とすることにより、高輝度化の効果が得られる。n型半導体の方が、電気抵抗が小さく電流が拡散しやすいため、第1の電極6をn型とすることにより、電流拡散が良くなり、高輝度化が容易である。
また、第1の電極6と発光部3と間には、コンタクト層(GaAs、GaInPなど)を設けることが好ましい。
続いて、半発明の第1実施形態に係る発光ダイオード1の製造方法について説明する。
本実施形態では、GaAs基板上に設けたエピタキシャル積層構造体(エピウェーハ)とGaP基板とを接合させて発光ダイオードを作製する場合を例にして、本発明を具体的に説明する。
半導体層4は、表面から1μmの深さに至る領域を研磨し、鏡面加工するとよく、表面の粗さを例えば0.18nmとすればよい。ここで、上記の半導体層4の鏡面研磨した表面に貼付する基板5を用意する。この貼付用の基板5としては、前述したように、Cu、Al、Agなどの金属が好ましい。Siを用いることもでき、加工しやすさや価格の面で利点がある。
コンタクト層12bの表面にn型オーミック電極(第1の電極)6を、例えばAuGe(Ge質量比12%)が0.15μm、Niが0.05μm、Auが1μmとなるように真空蒸着法により形成する。
一般的なフォトリソグラフィー手段を利用してパターニングを施し、第1の電極6を形成する。第1の電極6の平面形状は円形が好ましい。
そして発光部3の外周を包囲するように、半導体層4に均等に孔をあけて、その孔にメタルビスを埋め込み基板5と接合するように貫通電極9を形成する。貫通電極9は、例えば、材質がCuで、直径20μmの円柱状で、発光部3との間隔が20μmとなるように四方に等間隔で4本配置すればよい。
続いて、この貫通電極9と接合しながら、発光部3の外周を包囲するように半導体層4の表面にオーミック電極8を形成する。オーミック電極8は、例えばAuBeを0.2μm、Auを1μmとなるように真空蒸着法で形成すればよい。
オーミック電極8の形状は第1の電極6の平面形状の輪郭と相似であることが好ましく、第1の電極6の平面形状が円形であってオーミック電極8が環形であると最も好ましい。
発光部3の端からオーミック電極8までの距離は例えば10μmとすればよく、幅は例えば10μmとすればよい。
その後、真空蒸着法を用いて、一部の第1の電極6上にAuが1μmとなるようにボンディングパッドを形成してもよい。更に、半導体層4を例えば厚さ0.3μmのSiO2膜で覆って保護膜としてもよい。
「発光ダイオード」
続いて、本発明の第2実施形態に係る発光ダイオード1Aについて説明する。
図6(a)、(b)に示すように、発光ダイオード1Aは、第1実施形態の発光ダイオード1と同様に、発光層2Aの上下にクラッド層10A,10Bを有する発光部3Aと、半導体層4Aを介して発光部3Aに接合された基板5Aと、発光部3Aの上面に第1の電極6Aと、基板5Aの底面に第2の電極7Aと、半導体層4A上の発光部3A外周にオーミック電極8Aとを備え、発光部3Aの外周において、オーミック電極8Aと基板5Aとを導通させ、かつ半導体層4Aの厚さ方向に貫通する貫通電極9Aを半導体層4A中に備えている。
オーミック電極6cの材質は、例えばN型の半導体に対しては、AuGe、AuSiなど、P型の半導体に対しては、AuBe、AuZnなどを用いて形成することができる。
その他の構造については、第1実施形態に係る発光ダイオード1と概略同じである。
なお、オーミック電極6cの形状は図6(a)に示す環形のものに限らず、小さな電極を島状に分散させたものでもよい。
また、第1の電極6Aに、台座電極層6aと、ITO層6bと、ITO層6bの内部にオーミック電極層6cを設けることで、電極設計の自由度が増し、発光ダイオード1Aの作動電圧を低くするとともに、光取り出し率を高めることができる。
Claims (12)
- 発光層を含む発光部と、半導体層を介して前記発光部に接合された基板と、前記発光部の上面に第1の電極と、前記基板の底面に第2の電極と、前記半導体層上で前記発光部の外周にオーミック電極とを備え、前記発光部の外周において、前記オーミック電極と前記基板とを導通させ、かつ前記半導体層の厚さ方向に貫通する貫通電極を前記半導体層中に備えたことを特徴とする発光ダイオード。
- 前記発光層の平面形状が、円形であることを特徴とする請求項1記載の発光ダイオード。
- 前記オーミック電極が、前記発光部の外周を包囲する形状であることを特徴とする請求項1または2に記載の発光ダイオード。
- 前記発光部及び前記第1の電極の平面形状の輪郭と、前記オーミック電極の平面形状が相似形であって、前記第1の電極の外周と前記オーミック電極との間隔が一定であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光ダイオード。
- 前記発光部は、前記発光層の上下に半導体材料からなるクラッド層を備えたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光ダイオード。
- 前記半導体層は、少なくともGaPからなる層を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の発光ダイオード。
- 前記発光層は、少なくともAlGaInPを含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の発光ダイオード。
- 前記基板は、GaP、AlGaAs、SiCのいずれかからなる透明基板であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の発光ダイオード。
- 前記基板は、少なくともAl、Ag、Cu、Auのいずれかを含む金属基板、またはAl、Ag、Cu、Au、Ptのいずれかで反射膜を形成したSi基板からなることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の発光ダイオード。
- 前記第1の電極は、オーミック電極と、透明導電膜層と、台座電極とを有することを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の発光ダイオード。
- エピタキシャル積層用基板上に、少なくともコンタクト層と、第1のクラッド層と、発光層と、第2のクラッド層と、半導体層を順に堆積してエピタキシャル積層構造体を形成する工程と、前記発光部の前記半導体層側に基板を貼り付ける工程と、前記エピタキシャル積層構造体から前記エピタキシャル積層用基板を除去して発光部を形成する工程と、前記発光層の外周において、前記半導体層の厚さ方向に貫通する貫通電極を前記半導体層中に設ける工程と、前記発光層の外周において、前記貫通電極と接合するオーミック電極を前記半導体層上に設ける工程と、前記発光部の上面に第1の電極、前記基板の底面に第2の電極を設ける工程を有することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
- 請求項1〜10のいずれかに記載の発光ダイオードを製造することを特徴とする請求項11記載の発光ダイオードの製造方法。
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