JP2007288174A - 半導体用接着シート及びダイシングテープ一体型半導体用接着シート - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数種類の無機フィラを含有し、複数種類の無機フィラが、50〜200m2/gの比表面積を有する無機フィラと、1〜15m2/gの比表面積を有する無機フィラとを有する半導体用接着シート。
【選択図】なし
Description
で表され、このような一般式(1)で表されるフェノール樹脂は、フェノール化合物と2価の連結基であるキシリレン化合物を、無触媒または酸触媒の存在下に反応させて得られる。この様にして製造されているフェノール樹脂として代表的なものに、三井化学(株)製ミレックスXLC−シリーズ、XLシリーズなどがある。
アネートシラン、エトキシシランイソシアネート等のイソシアネート基含有シラン類、3−クロロプロピル−メチルジメトキシシラン、3−クロロプロピル−ジメトキシシラン、3−シアノプロピル−トリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、N,O−ビス(トリメチルシリル)アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリクロロシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、N−β(N−ビニルベンジルアミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル〔3−(トリメトキシシリル)プロピル〕アンモニウムクロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシランなどを使用することができ、これらを1種単独で又は2種以上を組み合わせて使用することもできる。
エポキシ樹脂としてYDCN−700−10(東都化成(株)製商品名、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量210)55重量部、フェノール樹脂としてミレックスXLC−LL(三井化学(株)製商品名、水酸基当量175、吸水率1.8%、350℃における加熱質量減少率4%)45重量部、これら熱硬化成分100重量部に対して、シランカップリング剤としてA−1160(日本ユニカー(株)製商品名、γ―ウレイドプロピルトリエトキシシラン)5重量部、無機フィラとしてR972(日本アエロジル(株)製商品名、シリカ、比表面積110m2/g、1次粒子平均粒径0.016μm)30重量部、SO−C2((株)アドマテックス製商品名、シリカ、比表面積6.8m2/g、1次粒子平均粒径0.5μm)65重量部を添加してなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて90分混練した。これにグリシジルアクリレート3重量%を含むアクリルゴムHTR−860P−3(ナガセケムテック(株)製商品名、重量平均分子量100万)を270重量部、硬化促進剤としてキュアゾール2PZ−CN(四国化成(株)製商品名、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール)0.1重量部を混合攪拌し、真空脱気した。ワニスを厚さ75μmの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、140℃で5分間加熱乾燥して、膜厚が25μmのBステージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた接着シートを作製した。なお、本実施例において、無機フィラは球状シリカとした。
無機フィラとして、表1に示すものを用い、その無機フィラを表1に示す配合量で配合したこと以外は実施例1と同様にして接着シートを作製した。表1に実施例1、2、比較例1〜4の配合重量部を示す。
(ラミネート性)
ホットロールラミネータ(60℃、0.3m/分、0.3MPa)で幅10mm、長さ10mmの実施例1,2、比較例1,2に係る接着シートと、ウエハとを貼り合わせ、その後、接着シートをTOYOBALWIN製UTM−4−100型テンシロンを用いて、25℃の雰囲気中で、90°の角度で、50mm/分の引張り速度で剥がしたときのピール強度を求めた。ピール強度が30N/m以上の場合はラミネート性良好として「○」とし、ピール強度が30N/m未満の場合はラミネート性不良として「×」とした。結果を表2に示す。なお、ここでいうラミネート性は、低温でのウェハへの貼付け性を表す指標となる。即ち、ラミネート性が良好であれば低温でのウェハへの貼付け性が良好となり、ラミネート性が不良であれば低温でのウェハへの貼付け性も不良ということになる。
実施例1,2、比較例1,2に係る接着シートを170℃、2時間の条件で熱硬化させ、この接着シートの硬化物について、動的粘弾性測定装置(レオロジ社製 DVE−V4)を使用して引張り荷重をかけ、周波数10Hz、昇温速度3〜10℃/minで−50℃から300℃まで弾性率を測定する温度依存性測定モードで弾性率測定を行い、200℃での弾性率を求めた。そして、200℃での測定値が10MPaより大きいものを「A」、1〜10MPaを「B」、1MPaより小さいものを「C」とした。結果を表2に示す。なお、A及びBはラミネート性が良好であることを示し、Cはラミネート性に劣ることを示している。
接着シートの両面に厚み50μmのポリイミドフィルムを、温度80℃、圧力0.3MPa、速度0.3m/分の条件でホットロールラミネータを用いて貼りあわせ、その後170℃で1時間硬化した。このサンプルの30mm×30mm試験片を10個用意して、耐熱性を調べた。ここで、耐熱性は、接続信頼性に対応するものである。耐熱性の評価方法は、吸湿はんだ耐熱試験で85℃/相対湿度85%の環境下に48時間放置したサンプルを240℃〜280℃のはんだ槽中に浮かべ120秒まででの膨れ等の異常発生を調べた。全てのサンプルで異常が観測されたものを「×」、異常が発生するサンプルと発生しないサンプルとが観測されたものを「△」、全てのサンプルで異常が観測されなかったものを「○」とした。結果を表2に示す。なお、240〜280℃で全てが「○」であれば接着シートの接続信頼性が良好であることを示し、240〜280℃で1つでも「×」があれば、接着シートの接続信頼性が劣ることを示している。
作製したワニスを厚さ75μmの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、140℃で5分間加熱乾燥して、膜厚が10μmの塗膜を形成し、表面状態を観察した。異物がなく良好なものを「○」、異物の発生が見られるものを「×」とした。結果を表2に示す。
接着シートの片面に、厚み100μmのシリコンウェハを熱ラミネートし、更に接着シートのもう片面に、ダイシングテープ(古河電気工業(株)製商品名、UC−3010M)を常温でラミネートした。このサンプルを次の条件でダイシングした後、個片化されたチップを任意に10個取り出し、断面観察を行い、10μm以上の長さの接着シートバリを観察した。10個のうち上記バリが見られなかった場合を「○」、1〜3個のチップで見られた場合を「△」、4個以上見られた場合を「×」とした。また同時に、ダイシング時に発生したチップ飛びの個数を観測し、0個の場合を○、1個以上の場合を×とした。結果を表2に示す。
<ダイシング条件>回転数 :4000rpm
カットスピード:50mm/s
チップサイズ :5×5mm
Claims (10)
- 複数種類の無機フィラを含有し、
前記複数種類の無機フィラが、
50〜200m2/gの比表面積を有する無機フィラと、
1〜15m2/gの比表面積を有する無機フィラとを有すること、
を特徴とする半導体用接着シート。 - 前記複数種類の無機フィラのうちの少なくとも1種類の無機フィラが、0.001〜0.05μmの1次粒子平均粒径を有することを特徴とする請求項1記載の半導体用接着シート。
- 前記複数種類の無機フィラのうち少なくとも1種類の無機フィラが0.001〜0.05μmの1次粒子平均粒径を有し、残りの種類の無機フィラのうち少なくとも1種類の無機フィラが0.2〜1μmの1次粒子平均粒径を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体用接着シート。
- 前記複数種類の無機フィラのうちの少なくとも1種類の無機フィラが球状シリカであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体用接着シート。
- 前記複数種類の無機フィラを10〜50重量%含有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体用接着シート。
- 硬化後の200℃での弾性率が、1〜10MPaであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体用接着シート。
- 熱硬化成分を更に含有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体用接着シート。
- 官能基を含み、−30〜50℃のTgを有し、且つ10万以上の重量平均分子量を有する高分子量成分をさらに含有することを特徴とする請求項7記載の半導体用接着シート。
- 前記高分子量成分が、グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートに由来する構造単位を有し、前記高分子量中の前記構造単位の含有率が0.5〜6重量%であることを特徴とする請求項8に記載の半導体用接着シート。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載の半導体用接着シートとダイシングテープとを一体に積層してなることを特徴とするダイシングテープ一体型半導体用接着シート。
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