JP2011151114A - シリコン基板上のパターン修復方法及びシリコン基板上のパターン修復装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板上にエッチングによって形成されたパターンの間に成長した異物を除去して当該パターンの形状を回復させるシリコン基板上のパターン修復方法であって、シリコン基板をチャンバー内に収容し、シリコン基板を160℃以上に加熱する加熱工程を有する。
【選択図】図2
Description
圧力:1330Pa(10Torr)
HFガス流量:2800sccm
温度:−10℃
時間:60秒
圧力:226Pa(1.7Torr)
ガス流量:Ar=1700sccm+N2=11.3リットル/分
温度:200℃
時間:180秒
Claims (8)
- シリコン基板上にエッチングによって形成されたパターンの間に成長した異物を除去して当該パターンの形状を回復させるシリコン基板上のパターン修復方法であって、
前記シリコン基板をチャンバー内に収容し、前記シリコン基板を160℃以上に加熱する加熱工程を有することを特徴とするシリコン基板上のパターン修復方法。 - 請求項1記載のシリコン基板上のパターン修復方法であって、
前記パターンの線幅が32nm以下であることを特徴とするシリコン基板上のパターン修復方法。 - 請求項1又は2記載のシリコン基板上のパターン修復方法であって、
前記加熱工程における加熱温度が200℃以上500℃以下であることを特徴とするシリコン基板上のパターン修復方法。 - 請求項1〜3いずれか1項記載のシリコン基板上のパターン修復方法であって、
前記シリコン基板をHFガス雰囲気に晒す工程をさらに有することを特徴とするシリコン基板上のパターン修復方法。 - 請求項4記載のシリコン基板上のパターン修復方法であって、
前記シリコン基板をHFガス雰囲気に晒す工程と、前記加熱工程とを同時に行うことを特徴とするシリコン基板上のパターン修復方法。 - 請求項1〜5いずれか1項記載のシリコン基板上のパターン修復方法であって、
前記異物がケイフッ化アンモニウムを含むことを特徴とするシリコン基板上のパターン修復方法。 - 請求項1〜6いずれか1項記載のシリコン基板上のパターン修復方法であって、
前記異物が二酸化ケイ素を含むことを特徴とするシリコン基板上のパターン修復方法。 - シリコン基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内に収容された前記シリコン基板を160℃以上に加熱する加熱機構と、
前記チャンバー内にHFガスを供給して前記シリコン基板をHFガス雰囲気に晒すHFガス供給機構と
を具備し、
前記シリコン基板を、前記加熱機構によって加熱し、前記HFガス供給機構によってHFガス雰囲気に晒すことにより、前記シリコン基板上にエッチングによって形成されたパターンの間に成長した異物を除去して当該パターンの形状を回復させることを特徴とするシリコン基板上のパターン修復装置。
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