JP2011146524A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 半導体素子を載置するリードフレームにおいて、
   半導体素子を載置する載置面を有するダイパッドと、
   ダイパッド周囲に設けられるとともに導電部が接続されるボンディング面を有するリード部とを備え、
   ダイパッドの載置面およびリード部のボンディング面には、外側樹脂部の脱落を防止する平面角丸矩形状のアンカー溝が形成されていることを特徴とするリードフレーム。
2. 樹脂付リードフレームにおいて、
   リードフレームと、
   リードフレームに設けられた外側樹脂部とを備え、
   リードフレームは、
   半導体素子を載置する載置面を有するダイパッドと、
   ダイパッド周囲に設けられるとともに導電部が接続されるボンディング面を有するリード部とを有し、
   ダイパッドの載置面およびリード部のボンディング面には、外側樹脂部の脱落を防止する平面角丸矩形状のアンカー溝が形成されていることを特徴とする樹脂付リードフレーム。
3. 半導体装置において、
   ダイパッドと、ダイパッド周囲に設けられたリード部とを有するリードフレームと、
   リードフレームに設けられた外側樹脂部と、
   リードフレームのダイパッドに載置された半導体素子と、
   リードフレームのリード部と半導体素子とを電気的に接続する導電部と、
   半導体素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備え、
   リードフレームのダイパッドは、半導体素子を載置する載置面を有し、
   リード部は、導電部が接続されるボンディング面を有し、
   ダイパッドの載置面およびリード部のボンディング面には、外側樹脂部の脱落を防止する平面角丸矩形状のアンカー溝が形成されていることを特徴とする半導体装置。
4. 半導体素子を載置するリードフレームにおいて、
   半導体素子を載置する載置面を有するダイパッドと、
   ダイパッド周囲に設けられたリード部とを備え、
   ダイパッドの載置面に、深さが浅い第１凹部と、第１凹部中央に位置するとともに深さが深い第２凹部とからなる載置凹部を形成したことを特徴とするリードフレーム。
5. 半導体素子はＬＥＤ素子からなり、第１凹部の側壁は、ダイパッドの表面側から第２凹部側に向かう湾曲面を形成し、この湾曲面は、ＬＥＤ素子からの光を反射する反射面として機能することを特徴とする請求項４記載のリードフレーム。
6. 第１凹部はエッチングにより形成され、第２凹部はプレスにより形成されることを特徴とする請求項４または５記載のリードフレーム。
7. 半導体装置において、
   ダイパッドと、ダイパッド周囲に設けられたリード部とを有するリードフレームと、
   リードフレームのダイパッドに載置された半導体素子と、
   リードフレームのリード部と半導体素子とを電気的に接続する導電部と、
   半導体素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備え、
   リードフレームのダイパッドは、半導体素子を載置する載置面を有し、
   ダイパッドの載置面に、深さが浅い第１凹部と、第１凹部中央に位置するとともに深さが深い第２凹部とからなる載置凹部を形成し、この載置凹部内に半導体素子を載置したことを特徴とする半導体装置。
8. 半導体素子は、載置凹部の第２凹部内に収容された取付材料を介して載置凹部内に載置されていることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
9. 半導体素子はＬＥＤ素子からなり、このＬＥＤ素子を取り囲む凹部を有する外側樹脂部が設けられ、封止樹脂部は、外側樹脂部の凹部内に充填されていることを特徴とする請求項７または８記載の半導体装置。
10. 半導体素子はＬＥＤ素子からなり、第１凹部の側壁は、ダイパッドの表面側から第２凹部側に向かう湾曲面を形成し、この湾曲面は、ＬＥＤ素子からの光を反射する反射面として機能することを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項記載の半導体装置。
11. 第１凹部はエッチングにより形成され、第２凹部はプレスにより形成されることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか一項記載の半導体装置。
12. 半導体素子を載置する載置面を有するダイパッドと、ダイパッド周囲に設けられたリード部とを有するリードフレームの製造方法において、
    金属基板を準備する工程と、
    金属基板の表裏に、それぞれエッチング用レジスト層を形成する工程と、
    エッチング用レジスト層を耐腐蝕膜として金属基板の表裏にエッチングを施すことにより、ダイパッドおよびリード部を形成するとともに、ダイパッドの載置面に、深さが浅い第１凹部を形成する工程と、
    第１凹部の中央に、プレスにより、第１凹部より深さが深い第２凹部を形成する工程とを備えたことを特徴とするリードフレームの製造方法。
13. 半導体装置の製造方法において、
    請求項１２記載のリードフレームの製造方法によりリードフレームを製造する工程と、
    リードフレームのダイパッドの載置凹部内に半導体素子を載置する工程と、
    半導体素子とリード部とを導電部により接続する工程と、
    半導体素子と導電部とを封止樹脂部により封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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