JP2011146410A - 表示装置、スイッチング回路および電界効果トランジスタ - Google Patents
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 112
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 135
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 188
- 239000010408 film Substances 0.000 description 123
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 40
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 22
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 16
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 10
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42384—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate for thin film field effect transistors, e.g. characterised by the thickness or the shape of the insulator or the dimensions, the shape or the lay-out of the conductor
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- H01L29/78609—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device for preventing leakage current
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Abstract
【解決手段】一つまたは電気的に直列接続された複数の電界効果トランジスタを有するスイッチング回路において、少なくとも一つの電界効果トランジスタのチャネルとなる半導体層15の少なくとも一部の幅をチャネル長方向に連続的に変化させる。例えば、チャネル部における半導体層15のソース側の部分の幅をW50からW51に直線的に減少させ、他の部分は一定の幅W51とする。
【選択図】図10
Description
この発明が解決しようとする他の課題は、スイッチング回路を構成する電界効果トランジスタのOFF電流特性の抑制およびON電流特性の向上を同時に図ることができ、高性能化を図ることができるスイッチング回路を提供することである。
この発明が解決しようとするさらに他の課題は、OFF電流特性の抑制およびON電流特性の向上を同時に図ることができ、高性能化を図ることができる電界効果トランジスタを提供することである。
一つまたは電気的に直列接続された複数の電界効果トランジスタを有するスイッチング回路を有し、
少なくとも一つの上記電界効果トランジスタのチャネルとなる半導体層の少なくとも一部の幅がチャネル長方向に連続的に変化している表示装置である。
一つまたは電気的に直列接続された複数の電界効果トランジスタを有し、
少なくとも一つの上記電界効果トランジスタのチャネルとなる半導体層の少なくとも一部の幅がチャネル長方向に連続的に変化しているスイッチング回路である。
少なくとも一つの電界効果トランジスタのチャネルとなる半導体層の少なくとも一部の幅がチャネル長方向に連続的に変化している、一つまたは電気的に直列接続された複数の電界効果トランジスタである。
また、電界効果トランジスタのOFF電流特性の抑制およびON電流特性の向上を同時に図ることができ、スイッチング回路の高性能化を図ることができる。
また、電界効果トランジスタのOFF電流特性の抑制およびON電流特性の向上を同時に図ることができる。
1.第1の実施の形態(液晶表示装置)
2.第2の実施の形態(液晶表示装置)
3.第3の実施の形態(液晶表示装置)
4.第4の実施の形態(液晶表示装置)
5.第5の実施の形態(液晶表示装置)
6.第6の実施の形態(液晶表示装置)
7.第7の実施の形態(液晶表示装置)
8.第8の実施の形態(液晶表示装置)
9.第9の実施の形態(液晶表示装置)
10.第10の実施の形態(液晶表示装置)
11.第11の実施の形態(液晶表示装置)
12.第12の実施の形態(液晶表示装置)
13.第13の実施の形態(液晶表示装置)
[液晶表示装置]
図1および図2は第1の実施の形態による液晶表示装置を示す。この液晶表示装置はIPSモードまたはFFSモードのアクティブ・マトリクス駆動の液晶表示装置である。ここで、図1は液晶表示装置の断面図、図2は液晶表示装置の平面図である。
まず、図1および図2に示すように、例えば透明ガラス基板のような透明基板11上に例えばスパッタリング法によりCr、Al、Mo、Ta、W、Tiなどの金属からなる金属膜を成膜する。次に、この金属膜をフォトリソグラフィーおよびエッチングにより所定形状にパターニングしてゲート配線12およびゲート電極12a、12bを形成する。次に、例えばプラズマCVD法により、ゲート配線12およびゲート電極12a、12bを覆うように全面に例えばSiN膜のような絶縁膜13aおよび例えばSiO2 膜のような絶縁膜13bを順次成膜してゲート絶縁膜13を形成する。次に、例えばプラズマCVD法によりゲート絶縁膜13上にアモルファスシリコン薄膜を成膜する。次に、このアモルファスシリコン薄膜をエキシマーレーザや半導体レーザなどによるレーザアニールやランプアニールなどにより結晶化する。こうして、多結晶シリコン薄膜からなる半導体薄膜14を形成する。次に、この半導体薄膜14上にフォトリソグラフィーにより所定形状のレジストパターン(図示せず)を形成した後、このレジストパターンをマスクとして半導体薄膜14の所定部分にイオン注入などにより不純物をドーピングする。次に、レジストパターンを除去した後、フォトリソグラフィーおよびエッチングにより半導体薄膜14を図3に示す形状にパターニングする。
以上のようにして目的とする液晶表示装置が製造される。
[液晶表示装置]
この第2の実施の形態においては、薄膜トランジスタTの半導体薄膜14のパターンが第1の実施の形態と異なる。具体的には、図4に示すように、半導体薄膜14の幅は、ソース領域15側の末端から長さL10にわたってW8 、長さL11にわたってW8 より小さいW9 、長さL12にわたってW9 からW10に直線的に増加し、長さL13にわたってW10、長さL14にわたってW10からW11に直線的に減少し、長さL15にわたってW11、長さL16にわたってドレイン領域16側の末端までW11より大きいW12というように変化している。特に、この半導体薄膜14のうちのゲート電極12aとほぼ重なるチャネル部14aにおいては、ソース領域15側の部分は一定の幅W9 を有し、他の部分の幅はW9 からW10に直線的に増加する。また、半導体薄膜14のうちのゲート電極12bとほぼ重なるチャネル部14bにおいては、ソース領域15側の幅W10からW11に直線的に減少し、他の部分は一定の幅W11を有する。W8 〜W12、L10〜L16は薄膜トランジスタTに要求される性能などに応じて適宜設計される。例えば、W9 、W11が0.5〜3.5μmであるとき、W10は3.5〜10.5μmに選ばれる。典型的な一例を挙げると、W9 、W11=2.0μmであるとき、W10=6.0μmである。W9 とW11とは互いに異なってもよい。また、例えば、W8 は3.0〜15.0μm、W9 は0.5〜10.0μmに選ばれる。典型的な一例を挙げると、W8 =8.0μm、W9 =2.0μmである。
また、この液晶表示装置の製造方法は第1の実施の形態による液晶表示装置の製造方法と同様である。
この第2の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。
[液晶表示装置]
この第3の実施の形態においては、薄膜トランジスタTが電気的に直列接続された三つの薄膜トランジスタからなることが第1の実施の形態と異なる。具体的には、図5に示すように、半導体薄膜14は三つのゲート電極12a、12b、12cに跨がって設けられている。符号14dは不純物ドープ領域14cと同様な不純物ドープ領域を示す。半導体薄膜14の幅は、ソース領域15側の末端から長さL17にわたってW13、長さL18にわたってW13より小さいW14、長さL19にわたってW14より大きいW15、長さL20にわたってW15からW16に直線的に減少し、長さL21にわたってW16、長さL22にわたってW16より大きいW17、長さL23にわたってW17からW18に直線的に減少し、長さL24にわたってW18、長さL25にわたってW18より大きいW19、長さL26にわたってW19からW20に直線的に減少し、長さL27にわたってW20、長さL28にわたってドレイン領域16側の末端までW20より大きいW21というように変化している。特に、この半導体薄膜14のうちのゲート電極12aとほぼ重なるチャネル部14aにおいては、ソース領域15側の部分の幅はW15からW16に直線的に減少し、他の部分は一定の幅W16を有する。同様に、半導体薄膜14のうちのゲート電極12bとほぼ重なるチャネル部14bにおいては、ソース領域15側の部分の幅はW17からW18に直線的に減少し、他の部分は一定の幅W18を有する。同様に、半導体薄膜14のうちのゲート電極12cとほぼ重なるチャネル部14eにおいては、ソース領域15側の部分の幅はW19からW20に直線的に減少し、他の部分は一定の幅W20を有する。W13〜W21、L17〜L28は薄膜トランジスタTに要求される性能などに応じて適宜設計される。例えば、W16、W18、W20が0.5〜3.5μmであるとき、W15、W17、W19は3.5〜10.5μmに選ばれる。典型的な一例を挙げると、W16、W18、W20=2.0μmであるとき、W15、W17、W19=6.0μmである。W16、W18、W20は互いに異なってもよい。また、W15、W17、W19も互いに異なってもよい。また、例えば、W13は3.0〜15.0μm、W14は0.5〜10.0μmに選ばれる。典型的な一例を挙げると、W13=8.0μm、W14=2.0μmである。
また、この液晶表示装置の製造方法は第1の実施の形態による液晶表示装置の製造方法と同様である。
この第3の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。
[液晶表示装置]
この第4の実施の形態においては、薄膜トランジスタTが電気的に直列接続された三つの薄膜トランジスタからなることが第1の実施の形態と異なる。具体的には、図6に示すように、半導体薄膜14は三つのゲート電極12a、12b、12cに跨がって設けられている。符号14dは不純物ドープ領域14cと同様な不純物ドープ領域を示す。半導体薄膜14の幅は、ソース領域15側の末端から長さL29にわたってW22、長さL30にわたってW22より小さいW23、長さL31にわたってW23からW24に直線的に増加し、長さL32にわたってW24、長さL33にわたってW24からW25に直線的に減少し、長さL34にわたってW25、長さL35にわたってW25より大きいW26というように変化している。特に、この半導体薄膜14のうちのゲート電極12aとほぼ重なるチャネル部14aにおいては、ソース領域15側の部分の幅はW23からW24に直線的に増加し、他の部分は一定の幅W24を有する。また、半導体薄膜14のうちのゲート電極12bとほぼ重なるチャネル部14bにおいては、半導体薄膜14は一定の幅W24を有する。また、半導体薄膜14のうちのゲート電極12cとほぼ重なるチャネル部14eにおいては、ソース領域15側の部分の幅はW24からW25に直線的に減少し、他の部分は一定の幅W25を有する。W22〜W26、L29〜L35は薄膜トランジスタTに要求される性能などに応じて適宜設計される。例えば、W23、W25が0.5〜3.5μmであるとき、W24は3.5〜10.5μmに選ばれる。典型的な一例を挙げると、W23、W25=2.0μmであるとき、W24=6.0μmである。W23、W25は互いに異なってもよい。また、例えば、W22は3.0〜15.0μm、W23は0.5〜10.0μmに選ばれる。典型的な一例を挙げると、W22=8.0μm、W23=2.0μmである。
また、この液晶表示装置の製造方法は第1の実施の形態による液晶表示装置の製造方法と同様である。
この第4の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。
[液晶表示装置]
この第5の実施の形態においては、薄膜トランジスタTのゲート電極12a、12bのチャネル長方向の幅が互いに異なること、および、半導体薄膜14のパターンが第1の実施の形態と異なる。すなわち、図7に示すように、この場合、ゲート電極12aのチャネル長方向の幅よりもゲート電極12bのチャネル長方向の幅の方が大きい。また、半導体薄膜14の幅は、ソース領域15側の末端から長さL36にわたってW27、長さL37にわたってW27より小さいW28、長さL38にわたってW28より大きいW29、長さL39にわたってW29からW30に直線的に減少し、長さL40にわたってW30、長さL41にわたってW30より大きいW31、長さL42にわたってW31からW32に直線的に減少し、長さL43にわたってW32、長さL44にわたってドレイン領域16側の末端までW32より大きいW33というように変化している。特に、この半導体薄膜14のうちのゲート電極12aとほぼ重なるチャネル部14aにおいては、ソース領域15側の幅W29からW30に直線的に減少し、他の部分は一定の幅W30を有する。同様に、半導体薄膜14のうちのゲート電極12bとほぼ重なるチャネル部14bにおいては、ソース領域15側の幅W31からW32に直線的に減少し、他の部分は一定の幅W32を有する。W27〜W33、L36〜L44は薄膜トランジスタTに要求される性能などに応じて適宜設計される。例えば、W30、W32が0.5〜3.5μmであるとき、W29、W31は3.5〜10.5μmに選ばれる。典型的な一例を挙げると、W30、W32=2.0μmであるとき、W29、W31=6.0μmである。W30とW32とは互いに異なってもよい。W29、W31も互いに異なってもよい。また、例えば、W27は3.0〜15.0μm、W28は0.5〜10.0μmに選ばれる。典型的な一例を挙げると、W27=8.0μm、W28=2.0μmである。
また、この液晶表示装置の製造方法は第1の実施の形態による液晶表示装置の製造方法と同様である。
この第5の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。
[液晶表示装置]
この第6の実施の形態においては、薄膜トランジスタTのゲート電極12a、12bのチャネル長方向の幅が互いに異なること、および、半導体薄膜14のパターンが第1の実施の形態と異なる。すなわち、図8に示すように、この場合、ゲート電極12aのチャネル長方向の幅よりもゲート電極12bのチャネル長方向の幅の方が大きい。そして、半導体薄膜14の幅は、ソース領域15側の末端から長さL45にわたってW34、長さL46にわたってW34より小さいW35、長さL47にわたってW35からW36に直線的に増加し、長さL48にわたってW36、長さL49にわたってW36からW37に直線的に減少し、長さL50にわたってW37、長さL51にわたってドレイン領域16側の末端までW37より大きいW38というように変化している。特に、この半導体薄膜14のうちのゲート電極12aとほぼ重なるチャネル部14aにおいては、ソース領域15側の部分は一定の幅W35を有し、他の部分の幅はW35からW36に直線的に増加する。また、半導体薄膜14のうちのゲート電極12bとほぼ重なるチャネル部14bにおいては、ソース領域15側の部分は一定の幅W36を有し、この部分に隣接する部分の幅はW36からW37に直線的に減少し、他の部分は一定の幅W37を有する。W34〜W38、L45〜L51は薄膜トランジスタTに要求される性能などに応じて適宜設計される。例えば、W35、W37が0.5〜3.5μmであるとき、W36は3.5〜10.5μmに選ばれる。典型的な一例を挙げると、W35、W37=2.0μmであるとき、W36=6.0μmである。W35とW37とは互いに異なってもよい。また、例えば、W34は3.0〜15.0μm、W35は0.5〜10.0μmに選ばれる。典型的な一例を挙げると、W34=8.0μm、W35=2.0μmである。
また、この液晶表示装置の製造方法は第1の実施の形態による液晶表示装置の製造方法と同様である。
この第6の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。
[液晶表示装置]
この第7の実施の形態においては、薄膜トランジスタTが電気的に直列接続された三つの薄膜トランジスタからなること、薄膜トランジスタTのゲート電極12a、12cとゲート電極12bとのチャネル長方向の幅が互いに異なること、および、半導体薄膜14のパターンが第1の実施の形態と異なる。すなわち、図9に示すように、この場合、ゲート電極12a、12cのチャネル長方向の幅よりもゲート電極12bのチャネル長方向の幅の方が大きい。半導体薄膜14は三つのゲート電極12a、12b、12cに跨がって設けられている。符号14dは不純物ドープ領域14cと同様な不純物ドープ領域を示す。半導体薄膜14の幅は、ソース領域15側の末端から長さL52にわたってW39、長さL53にわたってW39より小さいW40、長さL54にわたってW40より大きいW41、長さL55にわたってW41からW42に直線的に減少し、長さL56にわたってW42、長さL57にわたってW42より大きいW43、長さL58にわたってW43からW44に直線的に減少し、長さL59にわたってW44、長さL60にわたってW44より大きいW45、長さL61にわたってW45からW46に直線的に減少し、長さL62にわたってW46、長さL63にわたってW46より大きいW47というように変化している。特に、この半導体薄膜14のうちのゲート電極12aとほぼ重なるチャネル部14aにおいては、ソース領域15側の部分の幅はW41からW42に直線的に減少し、他の部分は一定の幅W42を有する。また、半導体薄膜14のうちのゲート電極12bとほぼ重なるチャネル部14bにおいては、ソース領域15側の部分の幅はW43からW44に直線的に減少し、他の部分は一定の幅W44を有する。また、半導体薄膜14のうちのゲート電極12cとほぼ重なるチャネル部14eにおいては、ソース領域15側の部分の幅はW45からW46に直線的に減少し、他の部分は一定の幅W46を有する。W39〜W47、L52〜L63は薄膜トランジスタTに要求される性能などに応じて適宜設計される。例えば、W42、W44、W46が0.5〜3.5μmであるとき、W41、W43、W45は3.5〜10.5μmに選ばれる。典型的な一例を挙げると、W42、W44、W46=2.0μmであるとき、W41、W43、W45=6.0μmである。W42、W44、W46は互いに異なってもよい。また、W41、W43、W45も互いに異なってもよい。また、例えば、W39は3.0〜15.0μm、W40は0.5〜10.0μmに選ばれる。典型的な一例を挙げると、W39=8.0μm、W40=2.0μmである。
また、この液晶表示装置の製造方法は第1の実施の形態による液晶表示装置の製造方法と同様である。
この第7の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。
[液晶表示装置]
第8の実施の形態においては、薄膜トランジスタTが一つの薄膜トランジスタからなることが第1の実施の形態と異なる。すなわち、図10に示すように、半導体薄膜14は一つのゲート電極12aに跨がって設けられている。半導体薄膜14の幅は、ソース領域15側の末端から長さL64にわたってW48、長さL65にわたってW48より小さいW49、長さL66にわたってW49より大きいW50、長さL67にわたってW50からW51に直線的に減少し、長さL68にわたってW51、長さL69にわたってW51より大きいW52というように変化している。特に、この半導体薄膜14のうちのゲート電極12aとほぼ重なるチャネル部14aにおいては、ソース領域15側の部分の幅はW50からW51に直線的に減少し、他の部分は一定の幅W51を有する。W48〜W52、L64〜L69は薄膜トランジスタTに要求される性能などに応じて適宜設計される。例えば、W51が0.5〜3.5μmであるとき、W50は3.5〜10.5μmに選ばれる。典型的な一例を挙げると、W51=2.0μmであるとき、W50=6.0μmである。また、例えば、W48は3.0〜15.0μm、W49は0.5〜10.0μmに選ばれる。典型的な一例を挙げると、W48=8.0μm、W49=2.0μmである。
また、この液晶表示装置の製造方法は第1の実施の形態による液晶表示装置の製造方法と同様である。
この第8の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。
[液晶表示装置]
この第9の実施の形態においては、薄膜トランジスタTが一つの薄膜トランジスタからなることが第1の実施の形態と異なる。すなわち、図11に示すように、半導体薄膜14は一つのゲート電極12aに跨がって設けられている。半導体薄膜14の幅は、ソース領域15側の末端から長さL70にわたってW53、長さL71にわたってW53より小さいW54、長さL72にわたってW54より大きいW55、長さL73にわたってW55からW56に直線的に減少し、長さL74にわたってW56、長さL75にわたってW56より大きいW57というように変化している。特に、この半導体薄膜14のうちのゲート電極12aとほぼ重なるチャネル部14aにおいては、ソース領域15側の部分の幅はW55からW56に直線的に減少している。W53〜W57、L70〜L75は薄膜トランジスタTに要求される性能などに応じて適宜設計される。例えば、W56が0.5〜3.5μmであるとき、W55は3.5〜10.5μmに選ばれる。典型的な一例を挙げると、W56=2.0μmであるとき、W55=6.0μmである。また、例えば、W53は3.0〜15.0μm、W54は0.5〜10.0μmに選ばれる。典型的な一例を挙げると、W53=8.0μm、W54=2.0μmである。
また、この液晶表示装置の製造方法は第1の実施の形態による液晶表示装置の製造方法と同様である。
この第9の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。
[液晶表示装置]
この第10の実施の形態においては、薄膜トランジスタTが一つの薄膜トランジスタからなることが第1の実施の形態と異なる。すなわち、図12に示すように、半導体薄膜14は一つのゲート電極12aに跨がって設けられている。半導体薄膜14の幅は、ソース領域15側の末端から長さL76にわたってW58、長さL77にわたってW58より小さいW59、長さL78にわたってW59より大きいW60、長さL79にわたってW60からW61に直線的に減少し、長さL80にわたってW61、長さL81にわたってW61より大きいW62というように変化している。特に、この半導体薄膜14のうちのゲート電極12aとほぼ重なるチャネル部14aにおいては、ソース領域15側の部分の幅はW60からW61に直線的に減少し、他の部分は一定の幅W61を有する。また、この場合、半導体薄膜14のうちの長さL77+L78+L79+L80の部分の一辺はチャネル長方向になっている。W58〜W62、L76〜L81は薄膜トランジスタTに要求される性能などに応じて適宜設計される。例えば、W61が0.5〜3.5μmであるとき、W60は3.5〜10.5μmに選ばれる。典型的な一例を挙げると、W61=2.0μmであるとき、W60=6.0μmである。また、例えば、W58は3.0〜15.0μm、W59は0.5〜10.0μmに選ばれる。典型的な一例を挙げると、W58=8.0μm、W59=2.0μmである。
また、この液晶表示装置の製造方法は第1の実施の形態による液晶表示装置の製造方法と同様である。
この第10の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。
[液晶表示装置]
この第11の実施の形態においては、薄膜トランジスタTが一つの薄膜トランジスタからなることが第1の実施の形態と異なる。すなわち、図13に示すように、半導体薄膜14は一つのゲート電極12aに跨がって設けられている。半導体薄膜14の幅は、ソース領域15側の末端から長さL82にわたってW63、長さL83にわたってW63より小さいW64、長さL84にわたってW64より大きいW65、長さL85にわたってW65からW66に直線的に減少し、長さL86にわたってW66、長さL87にわたってW66より大きいW67というように変化している。特に、この半導体薄膜14のうちのゲート電極12aとほぼ重なるチャネル部14aにおいては、ソース領域15側の部分の幅はW65からW66に直線的に減少している。また、この場合、半導体薄膜14のうちの長さL83+L84+L85+L86の部分の一辺はチャネル長方向に平行になっている。W63〜W67、L82〜L87は薄膜トランジスタTに要求される性能などに応じて適宜設計される。例えば、W66が0.5〜3.5μmであるとき、W65は3.5〜10.5μmに選ばれる。典型的な一例を挙げると、W66=2.0μmであるとき、W65=6.0μmである。また、例えば、W63は3.0〜15.0μm、W64は0.5〜10.0μmに選ばれる。典型的な一例を挙げると、W63=8.0μm、W64=2.0μmである。
また、この液晶表示装置の製造方法は第1の実施の形態による液晶表示装置の製造方法と同様である。
この第11の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。
[液晶表示装置]
この第12の実施の形態においては、薄膜トランジスタTが一つの薄膜トランジスタからなることが第1の実施の形態と異なる。すなわち、図14に示すように、半導体薄膜14は一つのゲート電極12aに跨がって設けられている。半導体薄膜14の幅は、ソース領域15側の末端から長さL88にわたってW68、長さL89にわたってW68より小さいW69、長さL90にわたってW69からW70に直線的に増加し、長さL91にわたってW70、長さL92にわたってW70からW71に直線的に減少し、長さL93にわたってW71、長さL94にわたってW71より大きいW72というように変化している。特に、この半導体薄膜14のうちのゲート電極12aとほぼ重なるチャネル部14aにおいては、ソース領域15側の部分は一定の幅W69を有し、これに隣接する部分の幅はW69からW70に直線的に増加し、中央部では一定の幅W70を有し、これに隣接する部分の幅はW70からW71に直線的に減少し、ドレイン領域16側の部分は一定の幅W71を有する。W68〜W72、L88〜L94は薄膜トランジスタTに要求される性能などに応じて適宜設計される。例えば、W69、W71が0.5〜3.5μmであるとき、W70は3.5〜10.5μmに選ばれる。典型的な一例を挙げると、W69、W71=2.0μmであるとき、W70=6.0μmである。また、例えば、W68は3.0〜15.0μm、W69は0.5〜10.0μmに選ばれる。典型的な一例を挙げると、W68=8.0μm、W69=2.0μmである。
また、この液晶表示装置の製造方法は第1の実施の形態による液晶表示装置の製造方法と同様である。
この第12の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。
[液晶表示装置]
図15および図16は第13の実施の形態による液晶表示装置を示す。この液晶表示装置はIPSモードまたはFFSモードのアクティブ・マトリクス駆動の液晶表示装置である。ここで、図15は液晶表示装置の断面図、図16は液晶表示装置の平面図である。
この液晶表示装置の上記以外の構成は第1の実施の形態による液晶表示装置と同様である。
まず、図15および図16に示すように、例えば透明ガラス基板のような透明基板11上に例えばプラズマCVD法により例えばSiN膜28aおよびSiO2 膜28bを順次成膜してパッシベーション膜28を形成する。次に、例えばプラズマCVD法によりパッシベーション膜28上にアモルファスシリコン薄膜を成膜する。次に、このアモルファスシリコン薄膜をエキシマーレーザや半導体レーザなどによるレーザアニールやランプアニールなどにより結晶化する。こうして、多結晶シリコン薄膜からなる半導体薄膜14を形成する。次に、フォトリソグラフィーおよびエッチングにより半導体薄膜14を図5に示す形状にパターニングする。次に、例えばプラズマCVD法により、半導体薄膜14を覆うように全面に例えばSiO2 膜のような絶縁膜13bおよび例えばSiN膜のような絶縁膜13aを順次成膜してゲート絶縁膜13を形成する。次に、例えばスパッタリング法により全面にCr、Al、Mo、Ta、W、Tiなどの金属からなる金属膜を成膜する。次に、この金属膜をフォトリソグラフィーおよびエッチングにより所定形状にパターニングしてゲート配線12およびゲート電極12a、12b、12cを形成する。次に、従来公知のLDD構造のトランジスタの製造方法と同様にして、イオン注入などにより半導体薄膜14にソース領域15、不純物ドープ領域14c、14d、ドレイン領域16および低不純物濃度領域14fを形成する。
この後、第1の実施の形態による液晶表示装置の製造方法と同様に工程を進めて目的とする液晶表示装置を製造する。
この第13の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。
例えば、上述の実施形態において挙げた数値、構造、基板、プロセスなどはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、構造、基板、プロセスなどを用いてもよい。
また、例えば、必要に応じて、上述の第1〜第13の実施形態のうちの二以上を組み合わせてもよい。
Claims (10)
- 一つまたは電気的に直列接続された複数の電界効果トランジスタを有するスイッチング回路を有し、
少なくとも一つの上記電界効果トランジスタのチャネルとなる半導体層の少なくとも一部の幅がチャネル長方向に連続的に変化している表示装置。 - 少なくとも一つの上記電界効果トランジスタの上記半導体層の幅がドレイン側とソース側とで互いに異なる請求項1記載の表示装置。
- 少なくとも一つの上記電界効果トランジスタの上記半導体層の幅がドレイン側とソース側とで互いに等しく、チャネル長方向の中間の領域においてはより大きい請求項1記載の表示装置。
- 少なくとも一つの上記電界効果トランジスタの上記半導体層の幅がソース側よりもドレイン側の方が小さい請求項1記載の表示装置。
- 上記複数の電界効果トランジスタのうちのソース側の末端の電界効果トランジスタの上記半導体層の幅がソース側よりもドレイン側の方が小さい請求項1記載の表示装置。
- 上記複数の電界効果トランジスタのうちのドレイン側の末端の電界効果トランジスタの上記半導体層の幅がソース側よりもドレイン側の方が小さい請求項1記載の表示装置。
- 上記複数の電界効果トランジスタのうちの少なくとも一つの電界効果トランジスタのチャネル長がその他の電界効果トランジスタのチャネル長と異なる請求項1記載の表示装置。
- 上記表示装置は液晶表示装置または有機EL表示装置である請求項1記載の表示装置。
- 一つまたは電気的に直列接続された複数の電界効果トランジスタを有し、
少なくとも一つの上記電界効果トランジスタのチャネルとなる半導体層の少なくとも一部の幅がチャネル長方向に連続的に変化しているスイッチング回路。 - 少なくとも一つの電界効果トランジスタのチャネルとなる半導体層の少なくとも一部の幅がチャネル長方向に連続的に変化している、一つまたは電気的に直列接続された複数の電界効果トランジスタ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010003575A JP5600255B2 (ja) | 2010-01-12 | 2010-01-12 | 表示装置、スイッチング回路および電界効果トランジスタ |
TW100100193A TWI440185B (zh) | 2010-01-12 | 2011-01-04 | 顯示裝置、切換電路及場效電晶體 |
KR1020110000511A KR20110083511A (ko) | 2010-01-12 | 2011-01-04 | 표시 장치, 스위칭 회로 및 전계 효과 트랜지스터 |
US12/984,767 US8928044B2 (en) | 2010-01-12 | 2011-01-05 | Display device, switching circuit and field effect transistor |
CN201110002057.1A CN102130156B (zh) | 2010-01-12 | 2011-01-06 | 薄膜晶体管、开关电路以及场效应晶体管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010003575A JP5600255B2 (ja) | 2010-01-12 | 2010-01-12 | 表示装置、スイッチング回路および電界効果トランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011146410A true JP2011146410A (ja) | 2011-07-28 |
JP5600255B2 JP5600255B2 (ja) | 2014-10-01 |
Family
ID=44257842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010003575A Expired - Fee Related JP5600255B2 (ja) | 2010-01-12 | 2010-01-12 | 表示装置、スイッチング回路および電界効果トランジスタ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8928044B2 (ja) |
JP (1) | JP5600255B2 (ja) |
KR (1) | KR20110083511A (ja) |
CN (1) | CN102130156B (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120330 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121128 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20130328 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140225 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140415 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20140415 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140805 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140815 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5600255 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |