JP2011141652A - Touch panel display device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、タッチパネルディスプレイ装置及び電磁波シールド部材に関する。 The present invention relates to a touch panel display device and an electromagnetic wave shielding member.
タッチパネルは液晶ディスプレイ等の表面にタッチパネル部材を配置した構成をもち、タッチパネルには、抵抗膜方式や静電容量方式等の各種方式がある。近年、タッチパネルの薄型化に伴い、液晶ディスプレイとタッチパネル部材との距離が縮まり、液晶ディスプレイからの電磁波がタッチパネル部材に吸収され、タッチパネルのセンサ信号にノイズを発生させる問題がある。さらに、タッチパネルの方式としては、静電容量方式がその液晶ディスプレイからの電磁波の影響を受けやすい。この液晶ディスプレイからの電磁波は電磁波シールド層により遮蔽され、タッチパネルのノイズをカットする。
電磁波シールド層の種類としては、スパッタ法で形成される透明導電膜、スパッタ法で形成される金属／誘電体多層膜、銀塩写真法による金属細線パターン、導電めっき処理された繊維、印刷法で形成されたパターンにめっきされた銅メッシュ、銅箔をフォトリソグラフィー技術でエッチングした銅メッシュなどがある。
特許文献１においては、透明導電膜からなる電磁波シールド層をタッチパネルに貼り付けた構成が提案されているが、電磁波シールド層の形成後にも電磁波シールド層形成用の基材が残存するためにタッチパネルディスプレイ装置全体が厚くなりやすい。
特許文献２においては、銀塩写真法によりハロゲン化銀粒子を基材上で化学現像することによって、金属銀の細線パターンを基材上に形成している。
電磁波シールド層の電磁波遮蔽方式としては、ノイズとなる電磁波を吸収する方式と、ノイズとなる電磁波を相殺するように電磁波を放出する方式等がある。いずれの場合も電磁波シールド層は他の電気部材との接続が必要であり、前者はグランド電位を有する電気部材との接続、後者は電磁波を放出するための電源との接続が必要である。一般的には、それらの電気部材との接続はフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）を配線としてはんだ接続、異方導電性接着剤により接続されている。この接続に際し、高温加熱が必要であるため、得られるタッチパネルディスプレイ装置に熱的劣化を引き起こす恐れがある。
これら従来の電磁波シールド部材は電磁波シールド層に接着性がないために、新たに接着剤層を必要とする。そのため、部材数と工程の増加、タッチパネルディスプレイ装置が厚くなる等の問題がある。また、部材数の増加により接着界面が増加し、それに伴い密着信頼性が低下する。
The touch panel has a configuration in which a touch panel member is disposed on the surface of a liquid crystal display or the like, and there are various types of touch panels such as a resistive film type and a capacitance type. In recent years, with the thinning of the touch panel, the distance between the liquid crystal display and the touch panel member is shortened, and electromagnetic waves from the liquid crystal display are absorbed by the touch panel member, causing noise in the sensor signal of the touch panel. Furthermore, as a touch panel system, a capacitive system is easily affected by electromagnetic waves from the liquid crystal display. Electromagnetic waves from the liquid crystal display are shielded by the electromagnetic wave shielding layer, and the noise of the touch panel is cut.
The types of electromagnetic shielding layers include transparent conductive films formed by sputtering, metal / dielectric multilayer films formed by sputtering, fine metal wire patterns by silver salt photography, fibers plated by conductive plating, and printing methods. Examples thereof include a copper mesh plated on the formed pattern and a copper mesh obtained by etching a copper foil by a photolithography technique.
In
As an electromagnetic wave shielding method of the electromagnetic wave shielding layer, there are a method of absorbing electromagnetic waves that become noise, a method of emitting electromagnetic waves so as to cancel the electromagnetic waves that become noise, and the like. In either case, the electromagnetic wave shielding layer needs to be connected to another electric member, the former needs to be connected to an electric member having a ground potential, and the latter needs to be connected to a power source for emitting electromagnetic waves. In general, these electrical members are connected by solder connection or anisotropic conductive adhesive using a flexible printed wiring board (FPC) as a wiring. Since this connection requires high-temperature heating, the resulting touch panel display device may be thermally deteriorated.
Since these conventional electromagnetic wave shielding members do not have adhesiveness in the electromagnetic wave shielding layer, a new adhesive layer is required. Therefore, there are problems such as an increase in the number of members and processes, and a thick touch panel display device. Further, the increase in the number of members increases the adhesion interface, and accordingly, the adhesion reliability decreases.
本発明は、第一に、電磁波シールド性に優れ、しかも、薄型化が可能なタッチパネルディスプレイ装置を提供するものであり、第２に、密着信頼性が優れるタッチパネルディスプレイ装置を提供するものである。第３に、製造工程に起因する熱的劣化の恐れの少ないタッチパネルディスプレイ装置を提供するものである。
さらに、このようなタッチパネルディスプレイ装置の作製に使用される電磁波シールド部材を提供するものである。
The present invention firstly provides a touch panel display device that is excellent in electromagnetic shielding properties and can be reduced in thickness, and secondly, provides a touch panel display device that has excellent adhesion reliability. Thirdly, the present invention provides a touch panel display device that is less likely to be thermally degraded due to the manufacturing process.
Furthermore, the electromagnetic wave shielding member used for preparation of such a touchscreen display apparatus is provided.
本発明は、次のものに関する。
１． パターン状の導体層及び樹脂層を含み、その樹脂層に導体層の少なくとも一部の表面又は断面が露出するように導体層が埋設されている電磁波シールド部材が、その露出している導体層に取出配線を電気的に接続するように、組み込まれてなるタッチパネルディスプレイ装置。
２． 電磁波シールド部材の露出している導体層が取出配線と向かいうように積層されている項１記載のタッチパネルディスプレイ装置。
３． 電磁波シールド部材の露出している導体層が取出配線と導電性材料を介して接続されている項１記載のタッチパネルディスプレイ装置。
４． 基材上の導体層の断面形状が、断面形状全体又は断面形状の上部が台形状であって、上記導体層は、少なくとも上面又は上記台形状の一部又は断面が樹脂層からは露出し、その露出部分に取出配線が電気的に接続されており、導体層の少なくとも最大幅の部分から下の部分が上記樹脂層に埋設されている項１〜３のいずれかに記載のタッチパネルディスプレイ装置。
５． 上記導体層の断面形状の台形形状部の高さが０．１〜１０μｍ、側面の角度が３０°以上８０°以下の範囲である項４に記載のタッチパネルディスプレイ装置。
６． 上記導体層の断面形状が、その上部に湾曲した表面を有し、上記導体層は、少なくともその上部表面の一部又は断面が樹脂層からは露出し、その露出部分に取出配線が電気的に接続されており、導体層の少なくとも最大幅の部分から下の部分が上記基材の樹脂層に埋設されている項１〜３のいずれかに記載のタッチパネルディスプレイ装置。
７． 導体層の最大幅（Ｌ）に対する最大幅より上部の導体層の厚み（Ｔ２）の割合（Ｔ２／Ｌ）が０．０１〜２の範囲である項６記載のタッチパネルディスプレイ装置。
８． 上記導体層の幅が１〜５０μｍの範囲である項１〜７のいずれかに記載のタッチパネルディスプレイ装置。
９． 上記導体層の厚さが０．１〜１００μｍである項１〜８のいずれかに記載のタッチパネルディスプレイ装置。
１０． 上記樹脂層の厚さが０．５〜１００μｍの範囲である項１〜９のいずれかに記載のタッチパネルディスプレイ装置。
１１． パターン状の導体層および粘着性の樹脂層を含み、導体層の少なくとも一部の表面又は断面が露出するように導体層が埋設されており、その露出している導体層が取出配線との電気的な接続部である（タッチパネルディスプレイ装置用）電磁波シールド部材。
１２． 導体層の断面形状が、断面形状全体又は断面形状の上部が台形状であって、上記導体層は、少なくとも上面若しくは上記台形状の一部又は断面が樹脂層からは露出し、その露出部分が取出配線の電気的な接続部であり、少なくとも最大幅の部分から下の部分が上記基材の樹脂層に埋設されている項１１記載の（タッチパネルディスプレイ装置用）電磁波シールド部材。
１３． 上記導体層の断面形状の台形形状部の高さが０．１〜１０μｍ、側面の角度が３０°以上８０°以下の範囲である項１２に記載の（タッチパネルディスプレイ装置用）電磁波シールド部材。
１４． 上記導体層の断面形状が、その上部に湾曲した表面を有し、上記導体層は、少なくともその上部表面の一部又は断面が樹脂層からは露出し、その露出部分が取出配線の電気的な接続部であり、少なくとも最大幅の部分から下の部分が上記基材の樹脂層に埋設されている項１１記載の（タッチパネルディスプレイ装置用）電磁波シールド部材。
１５． 導体層の最大幅（Ｌ）に対する最大幅より上部の導体層の厚み（Ｔ２）の割合（Ｔ２／Ｌ）が０．０１〜２の範囲である項１４記載の（タッチパネルディスプレイ装置用）電磁波シールド部材。
１６． 上記導体層の幅が１〜５０μｍの範囲である項１１〜１５のいずれかに記載の（タッチパネルディスプレイ装置用）電磁波シールド部材。
１７． 上記導体層の厚さが０．１〜１００μｍの範囲である項１１〜１６のいずれかに記載の（タッチパネルディスプレイ装置用）電磁波シールド部材。
１８． 上記樹脂層の厚さが０．５〜１００μｍの範囲である項１１〜１７のいずれかに記載の（タッチパネルディスプレイ装置用）電磁波シールド部材。
１９． パターン状の導体層の露出部分に取出配線部材を接合してなる項１１〜１８記載の（タッチパネルディスプレイ装置用）電磁波シールド部材。
２０． ２枚の剥離性基材により挟まれている項１１〜１９のいずれかに記載の（タッチパネルディスプレイ装置用）電磁波シールド部材。
The present invention relates to the following.
1. An electromagnetic wave shielding member including a patterned conductor layer and a resin layer, in which the conductor layer is embedded so that at least a part of the surface or cross section of the conductor layer is exposed to the resin layer. A touch panel display device incorporated so as to electrically connect the lead-out wiring.
2.
3.
4). The cross-sectional shape of the conductor layer on the substrate is the entire cross-sectional shape or the upper part of the cross-sectional shape is trapezoidal, and at least the upper surface or part of the trapezoidal shape or the cross-section is exposed from the resin layer,
5.
6). The cross-sectional shape of the conductor layer has a curved surface at the top thereof, and at least a part or cross section of the top surface of the conductor layer is exposed from the resin layer, and the extraction wiring is electrically connected to the exposed portion.
7).
8).
9.
10. Item 10. The touch panel display device according to any one of
11. The conductor layer is embedded so that at least a part of the surface or cross section of the conductor layer is exposed, including the patterned conductor layer and the adhesive resin layer, and the exposed conductor layer is electrically connected to the extraction wiring. Electromagnetic wave shielding member (for touch panel display device) which is a typical connection part.
12 The cross-sectional shape of the conductor layer is that the entire cross-sectional shape or the upper portion of the cross-sectional shape is trapezoidal, and at least the upper surface or a part of the trapezoidal shape or the cross-section is exposed from the resin layer, and the exposed portion is
13.
14 The cross-sectional shape of the conductor layer has a curved surface at an upper portion thereof, and at least a part or a cross section of the upper surface of the conductor layer is exposed from the resin layer, and the exposed portion is electrically connected to the extraction wiring.
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18.
19.
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本発明に係るタッチパネルディスプレイ装置は、電磁波シールド性に優れた電磁波シールド層を有しつつより薄型化が可能である。 The touch panel display device according to the present invention can be made thinner while having an electromagnetic wave shielding layer excellent in electromagnetic wave shielding properties.
また、本発明に係るタッチパネルディスプレイ装置は、加熱加湿試験等の信頼性試験や、耐水試験を行った後の電磁波シールド層が露出された電気取出面での密着力の低下がなく、密着信頼性に優れる。
本発明に係るパターン状の導体層及び樹脂層を含む電磁波シールド部材では、導体層の最大幅となる部分が、基材上に形成した樹脂層に埋没している場合、樹脂と導体層の接触面積が増え、導体層の密着性が向上する。特に、導体層の横方向のせん断密着力が向上する。したがって、振動衝撃に対してパターン異常がなく、製造工程を経た後や搬送後にも特性の低下がない。また、加熱加湿試験等の信頼性試験や、耐水試験を行った後の密着力に対しても優れた効果を示す。
In addition, the touch panel display device according to the present invention does not have a decrease in the adhesion force on the electrical extraction surface where the electromagnetic shielding layer is exposed after performing a reliability test such as a heating / humidification test or a water resistance test. Excellent.
In the electromagnetic wave shielding member including the patterned conductor layer and the resin layer according to the present invention, when the portion that becomes the maximum width of the conductor layer is buried in the resin layer formed on the substrate, the contact between the resin and the conductor layer The area is increased and the adhesion of the conductor layer is improved. In particular, the lateral shear adhesion of the conductor layer is improved. Therefore, there is no pattern abnormality with respect to vibration and impact, and there is no deterioration in characteristics even after the manufacturing process and after conveyance. Moreover, the effect excellent also with respect to the adhesive force after performing reliability tests, such as a heat humidification test, and a water resistance test is shown.
電磁波シールド層とグランド電位を有する電気部材あるいは電磁波放出用電源との接続するための配線接続には、従来では、はんだや異方導電性接着剤が用いられ、接続部には高温が加わるため、タッチパネルディスプレイ装置の熱的劣化の恐れがあったが、本発明では、電磁波シールド層を有する粘着剤層を用いることで、その粘着剤層により電磁波シールド層と配線との接続を確保することができるので、接続部周辺に高温が加わることがなく、粘着剤層の変形や流動が回避される。さらには、電磁波シールド層を有する粘着剤層をタッチパネル部材あるいは液晶ディスプレイに接着する工程において、同時に前記配線との接着を行い、接続することで、新たな接続工程を発生することがなくなる。また、電磁波シールド層の端部において、導体層の断面を露出させることができるため、流動性を有する導電性材料が接触することで電気的な接続を取ることも可能となる。
本発明に係るタッチパネルディスプレイ装置は、電磁波シールド層を電磁波シールド層を有する粘着剤層を液晶ディスプレイのような電磁波を放出する部材とタッチパネルのような電磁波の影響を受ける部材との間に配置することで作製できるので、その製造が容易である。
さらに、電磁波シールド層は導体層パターンから構成されており、その導体層パターンを表面に配置しながら、その導体層パターンの開口部には粘着剤が露出している。そのため、本発明の電磁波シールド層を有する粘着剤層は、その粘着剤層による接着した際に、被着体が導電性部材である場合にはその導電性部材と導体層パターンとの電気的接続が確保される。そのため、導電性部材に配線等を用いることで、電磁波シールド層と配線との接続が粘着剤の接着工程で完了し、配線接続のための新たな工程を必要としない。
また、電磁波シールド層の端部において導体層パターンは断面を露出させることができるので、粘着剤の接着工程が完了した後に、Ａｇペーストのような流動性を有する導電性材料を接触させることによって、電磁波シールド層に配線との接続を得ることができる。この流動性を有する導電性材料による電気的な接続は、導体層パターンと配線との接続を補助することもできる。さらには、流動性を有する導電性材料のみを介して電磁波シールド層と配線との電気接続を確保することもできる。
Conventionally, solder and anisotropic conductive adhesive are used for the wiring connection for connecting the electromagnetic shielding layer and the electric member having the ground potential or the electromagnetic wave emission power source, and a high temperature is applied to the connection part. Although there was a fear of thermal deterioration of the touch panel display device, in the present invention, by using the pressure-sensitive adhesive layer having the electromagnetic wave shielding layer, the connection between the electromagnetic wave shielding layer and the wiring can be secured by the pressure-sensitive adhesive layer. Therefore, no high temperature is applied around the connection portion, and deformation and flow of the pressure-sensitive adhesive layer are avoided. Further, in the step of bonding the pressure-sensitive adhesive layer having the electromagnetic wave shielding layer to the touch panel member or the liquid crystal display, a new connection step is not generated by simultaneously bonding and connecting with the wiring. Moreover, since the cross section of a conductor layer can be exposed in the edge part of an electromagnetic wave shield layer, it also becomes possible to make electrical connection by contact with the electrically conductive material which has fluidity | liquidity.
In the touch panel display device according to the present invention, an electromagnetic wave shielding layer is disposed between an adhesive layer having an electromagnetic wave shielding layer and a member that emits electromagnetic waves such as a liquid crystal display and a member that is affected by electromagnetic waves such as a touch panel. Therefore, the manufacture thereof is easy.
Furthermore, the electromagnetic wave shielding layer is composed of a conductor layer pattern, and the adhesive is exposed at the opening of the conductor layer pattern while the conductor layer pattern is disposed on the surface. Therefore, the pressure-sensitive adhesive layer having the electromagnetic wave shielding layer of the present invention has an electrical connection between the conductive member and the conductor layer pattern when the adherend is a conductive member when bonded by the pressure-sensitive adhesive layer. Is secured. Therefore, by using wiring or the like for the conductive member, the connection between the electromagnetic wave shielding layer and the wiring is completed in the adhesive bonding process, and a new process for wiring connection is not required.
In addition, since the conductor layer pattern can expose the cross section at the end of the electromagnetic wave shielding layer, after the adhesive bonding process is completed, by contacting a conductive material having fluidity such as Ag paste, Connection to wiring can be obtained in the electromagnetic wave shielding layer. The electrical connection by the conductive material having fluidity can assist the connection between the conductor layer pattern and the wiring. Furthermore, electrical connection between the electromagnetic wave shielding layer and the wiring can be ensured only through a conductive material having fluidity.
本発明において、電磁波シールド部材は、パターン状の導体層及び樹脂層を含む。この電磁波シールド部材について、まず説明する。
本発明で使用する電磁波シールド部材は、タッチパネルディスプレイ装置への適用時には、パターン状の導体層及び樹脂層からなり、その前は、剥離性基材上にパターン状の導体層及び樹脂層を含むもの（以下、「導体層パターン付き基材」という）からなり、樹脂層にパターン状の導体層が積層され、その片面または両面に剥離性基材が積層されているものである。この導体層としては、その断面形状が、断面形状全体又は断面形状の上部が台形状のもの（「導体層Ａ」という）がある。この導体層の少なくとも上面の一部又は上記台形状の一部が樹脂層からは露出し、少なくとも最大幅の部分から下の部分が上記樹脂層に埋設されてなるものが好ましく、導体層パターンが、断面形状の台形形状部の少なくとも上面が樹脂層からは露出していることが好ましく、導体層パターンは、断面形状の台形形状部の一部が樹脂層からは露出していてもよい。
In the present invention, the electromagnetic wave shielding member includes a patterned conductor layer and a resin layer. First, the electromagnetic wave shielding member will be described.
The electromagnetic wave shielding member used in the present invention is composed of a patterned conductor layer and a resin layer when applied to a touch panel display device, and before that includes a patterned conductor layer and a resin layer on a peelable substrate. (Hereinafter referred to as “substrate with a conductor layer pattern”), a patterned conductor layer is laminated on a resin layer, and a peelable substrate is laminated on one or both sides thereof. As this conductor layer, there are cross-sectional shapes having a cross-sectional shape as a whole or an upper portion of the cross-sectional shape being trapezoidal (referred to as “conductor layer A”). It is preferable that at least a part of the upper surface of the conductor layer or a part of the trapezoidal shape is exposed from the resin layer, and at least a part below the maximum width is embedded in the resin layer, and the conductor layer pattern is In addition, it is preferable that at least the upper surface of the trapezoidal shape section having a cross-sectional shape is exposed from the resin layer, and the conductor layer pattern may have a part of the trapezoidal shape section having a cross-sectional shape exposed from the resin layer.
また、本発明で使用する電磁波シールド部材において、導体層がその断面形状の上部に湾曲した表面を有するもの（「導体層Ｂ」という）であってもよく、この導体層のパターンは、少なくともその上部表面の一部が樹脂層からは露出し、少なくとも最大幅の部分から下の部分が上記樹脂層に埋設されていることが好ましい。 Further, in the electromagnetic wave shielding member used in the present invention, the conductor layer may have a curved surface at the top of its cross-sectional shape (referred to as “conductor layer B”). It is preferable that a part of the upper surface is exposed from the resin layer, and at least a portion below the maximum width is embedded in the resin layer.
また、本発明で使用する電磁波シールド部材において、導体層は、その断面形状が矩形状のもの（「導体層Ｃ」という）であってもよく、少なくともその表面の一部は樹脂層からは露出している。また、厚さで少なくとも５０〜１００％が上記樹脂層に埋設されていることが好ましい。
また、本発明で使用する電磁波シールド部材において、導体層Ａ、Ｂ、Ｃのいずれであっても、電磁波シールド部材の端部から導体層の断面を露出させることができるので、この断面を接続部として利用できる。従って、この場合には、その断面以外は導体層全体が完全に埋没していてもよい。
本発明の電磁波シールド部材において、タッチパネルディスプレイ装置への適用前は、表面が露出している導体層は、樹脂層と面一または突出していることが好ましい。その結果、タッチパネルディスプレイ装置への適用後に導体層の露出部分が被着体や接続されるべき部材とより確実に接触する。
In the electromagnetic wave shielding member used in the present invention, the conductor layer may have a rectangular cross-sectional shape (referred to as “conductor layer C”), and at least a part of its surface is exposed from the resin layer. is doing. Moreover, it is preferable that at least 50 to 100% of the thickness is embedded in the resin layer.
Further, in the electromagnetic wave shielding member used in the present invention, the cross section of the conductor layer can be exposed from the end portion of the electromagnetic wave shielding member in any of the conductor layers A, B, and C. Available as Therefore, in this case, the entire conductor layer other than the cross section may be completely buried.
In the electromagnetic wave shielding member of the present invention, it is preferable that the conductor layer whose surface is exposed is flush with or protrudes from the resin layer before application to the touch panel display device. As a result, after application to the touch panel display device, the exposed portion of the conductor layer more reliably contacts the adherend and the member to be connected.
本発明に係る導体層パターン付き基材は、樹脂層を含む基材及び導体層を含み、樹脂層の表面に導体層がパターン状に配置されている。
図１は、本発明に係る導体層パターン付き基材の一例を示す部分切り取り斜視図（模式図）である。導体層パターン付き基材１は、剥離性基材２上に樹脂層３を有する基材４の樹脂層３の表面に導体層５が埋設されている。さらに、導体層５の上に別の剥離性基材（図示せず）が積層されていてもよい。
上記樹脂層は、透明のものであり、熱可塑性樹脂でもよいが、硬化性樹脂であってもよい。硬化性樹脂は硬化させてあってもそうでなくてもよく、樹脂の硬化は、電磁波シールド部材を使用に供してから行ってもよい。
The base material with a conductor layer pattern according to the present invention includes a base material including a resin layer and a conductor layer, and the conductor layer is arranged in a pattern on the surface of the resin layer.
FIG. 1 is a partially cutaway perspective view (schematic diagram) showing an example of a substrate with a conductor layer pattern according to the present invention. As for the
The resin layer is transparent and may be a thermoplastic resin or a curable resin. The curable resin may or may not be cured, and the resin may be cured after the electromagnetic wave shielding member is used.
剥離性基材としては、プラスチックフィルム、プラスチックシートなどがある。場合によりガラス、プラスチック等からなる板であってもよい。ガラスとしては、ソーダガラス、無アルカリガラス、強化ガラス等のガラスを使用することができる。
プラスチックとしては、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などの熱可塑性ポリエステル樹脂、酢酸セルロース樹脂、フッ素樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリウレタン樹脂、フタル酸ジアリル樹脂などの熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂が挙げられる。プラスチックの中では、透明性に優れるポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂が好適に用いられる。剥離性基材の厚みは、０．５ｍｍ〜５ｍｍが取扱い性の観点から好ましい。
Examples of the peelable substrate include a plastic film and a plastic sheet. In some cases, it may be a plate made of glass, plastic or the like. As the glass, glass such as soda glass, non-alkali glass, and tempered glass can be used.
Plastics include polystyrene resin, acrylic resin, polymethyl methacrylate resin, polycarbonate resin, polyvinyl chloride resin, polyvinylidene chloride resin, polyethylene resin, polypropylene resin, polyamide resin, polyamideimide resin, polyetherimide resin, polyetheretherketone Resin, polyarylate resin, polyacetal resin, polybutylene terephthalate resin, thermoplastic polyester resin such as polyethylene terephthalate resin, cellulose acetate resin, fluororesin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polymethylpentene resin, polyurethane resin, diallyl phthalate Examples thereof include thermoplastic resins such as resins and thermosetting resins. Among plastics, polystyrene resin, acrylic resin, polymethyl methacrylate resin, polycarbonate resin, and polyvinyl chloride resin, which are excellent in transparency, are preferably used. The thickness of the peelable substrate is preferably 0.5 mm to 5 mm from the viewpoint of handleability.
上記のプラスチックフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ＥＶＡなどのポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂などのプラスチックからなるフィルムが好ましい。これらは単層で使うこともできるが、２層以上を組合せた多層フィルムとして使用してもよい。前記プラスチックフィルムのうち透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、価格の点からポリエチレンテレフタレートフィルムまたはポリカーボネートフィルムが特に好ましい。
上記プラスチックフィルムの厚さは特に制限はないが、１ｍｍ以下のものが好ましく、厚すぎると可視光透過率が低下しやすくなる傾向がある。また、薄すぎると取扱い性が悪くなることを勘案すると、上記プラスチックフィルムの厚さは５〜５００μｍがより好ましく、１０〜３００μｍがより好ましく、５０〜２００μｍとすることがさらに好ましい。
これらのプラスチックフィルム等の剥離性基材は、ガラス板、プラスチック板に比較して、より柔軟であり、好ましい。
Examples of the plastic film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate, polyolefins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, and EVA, vinyl resins such as polyvinyl chloride and polyvinylidene chloride, polysulfone, and polyether. A film made of plastic such as sulfone, polycarbonate, polyamide, polyimide, acrylic resin is preferable. These can be used as a single layer, but may be used as a multilayer film in which two or more layers are combined. Among the plastic films, a polyethylene terephthalate film or a polycarbonate film is particularly preferable from the viewpoints of transparency, heat resistance, ease of handling, and cost.
Although there is no restriction | limiting in particular in the thickness of the said plastic film, The thing of 1 mm or less is preferable, and when it is too thick, there exists a tendency for visible light transmittance | permeability to fall easily. Considering that the handleability is deteriorated if it is too thin, the thickness of the plastic film is more preferably 5 to 500 μm, more preferably 10 to 300 μm, and further preferably 50 to 200 μm.
These peelable substrates such as plastic films are more flexible and preferable than glass plates and plastic plates.
樹脂層を形成するための樹脂としては、前記の通り、熱可塑性樹脂又は硬化性樹脂が使用される。
上記の熱可塑性樹脂として代表的なものとして以下のものがあげられる。たとえば天然ゴム、ポリイソプレン、ポリ−１，２−ブタジエン、ポリイソブテン、ポリブテン、ポリ−２−ヘプチル−１，３−ブタジエン、ポリ−２−ｔ−ブチル−１，３−ブタジエン、ポリ−１，３−ブタジエン）などの（ジ）エン類、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルヘキシルエーテル、ポリビニルブチルエーテルなどのポリエーテル類、ポリビニルアセテート、ポリビニルプロピオネートなどのポリエステル類、ポリウレタン、エチルセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリスルホン、ポリスルフィド、フェノキシ樹脂、ポリエチルアクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリ−２−エチルヘキシルアクリレート、ポリ−ｔ−ブチルアクリレート、ポリ−３−エトキシプロピルアクリレート）、ポリオキシカルボニルテトラメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリイソプロピルメタクリレート、ポリドデシルメタクリレート、ポリテトラデシルメタクリレート、ポリ−ｎ−プロピルメタクリレート、ポリ−３，３，５−トリメチルシクロヘキシルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリ−２−ニトロ−２−メチルプロピルメタクリレート、ポリ−１，１−ジエチルプロピルメタクリレート、ポリメチルメタクリレートなどのポリ（メタ）アクリル酸エステル、熱可塑性ポリエステル樹脂、熱可塑性ポリアミド樹脂などが使用可能である。これらのポリマを構成するモノマーは、必要に応じて、２種以上共重合させて得られるコポリマとして用いてもよいし、以上のポリマ又はコポリマを２種類以上ブレンドして使用することも可能である。
As the resin for forming the resin layer, a thermoplastic resin or a curable resin is used as described above.
Typical examples of the thermoplastic resin include the following. For example, natural rubber, polyisoprene, poly-1,2-butadiene, polyisobutene, polybutene, poly-2-heptyl-1,3-butadiene, poly-2-t-butyl-1,3-butadiene, poly-1,3 -Dienes such as butadiene), polyethers such as polyoxyethylene, polyoxypropylene, polyvinyl ethyl ether, polyvinyl hexyl ether and polyvinyl butyl ether, polyesters such as polyvinyl acetate and polyvinyl propionate, polyurethane, ethyl cellulose , Polyvinyl chloride, polyacrylonitrile, polymethacrylonitrile, polysulfone, polysulfide, phenoxy resin, polyethyl acrylate, polybutyl acrylate, poly-2-ethylhexyl acrylate, poly-t-butyl Acrylate, poly-3-ethoxypropyl acrylate), polyoxycarbonyl tetramethacrylate, polymethyl acrylate, polyisopropyl methacrylate, polydodecyl methacrylate, polytetradecyl methacrylate, poly-n-propyl methacrylate, poly-3,3,5-trimethyl Poly (meth) acrylates such as cyclohexyl methacrylate, polyethyl methacrylate, poly-2-nitro-2-methylpropyl methacrylate, poly-1,1-diethylpropyl methacrylate, polymethyl methacrylate, thermoplastic polyester resins, thermoplastic polyamides Resin etc. can be used. The monomers constituting these polymers may be used as a copolymer obtained by copolymerization of two or more, if necessary, or may be used by blending two or more of the above polymers or copolymers. .
前記硬化性樹脂のうち、活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等をベースポリマとし、各々にラジカル重合性あるいはカチオン重合性官能基を付与させた材料が例示できる。ラジカル重合性官能基として、アクリル基（アクリロイル基）、メタクリル基（メタクリロイル基）、ビニル基、アリル基などの炭素−炭素二重結合があり、反応性の良好なアクリル基（アクリロイル基）が好適に用いられる。カチオン重合性官能基としては、エポキシ基（グリシジルエーテル基、グリシジルアミン基）が代表的であり、高反応性の脂環エポキシ基が好適に用いられる。具体的な材料としては、アクリルウレタン、エポキシ（メタ）アクリレート、エポキシ変性ポリブタジエン、エポキシ変性ポリエステル、ポリブタジエン（メタ）アクリレート、アクリル変性ポリエステル等が挙げられる。活性エネルギー線としては、紫外線、電子線等が利用される。
活性エネルギー線が紫外線の場合、紫外線硬化時に添加される光増感剤あるいは光開始剤としては、ベンゾフェノン系、アントラキノン系、ベンゾイン系、スルホニウム塩、ジアゾニウム塩、オニウム塩、ハロニウム塩等の公知の材料を使用することができる。また、上記の材料の他に汎用の熱可塑性樹脂をブレンドしても良い。
Among the curable resins, as a resin curable by active energy rays, a material in which an acrylic resin, an epoxy resin, a polyester resin, a urethane resin, or the like is used as a base polymer and a radically polymerizable or cationically polymerizable functional group is added to each of them is used. Can be illustrated. As the radical polymerizable functional group, there are carbon-carbon double bonds such as an acrylic group (acryloyl group), a methacryl group (methacryloyl group), a vinyl group, and an allyl group, and a highly reactive acrylic group (acryloyl group) is preferable. Used for. As the cationically polymerizable functional group, an epoxy group (glycidyl ether group, glycidylamine group) is representative, and a highly reactive alicyclic epoxy group is preferably used. Specific materials include acrylic urethane, epoxy (meth) acrylate, epoxy-modified polybutadiene, epoxy-modified polyester, polybutadiene (meth) acrylate, and acrylic-modified polyester. As the active energy rays, ultraviolet rays, electron beams and the like are used.
When the active energy ray is ultraviolet, photosensitizers or photoinitiators added at the time of ultraviolet curing include known materials such as benzophenone, anthraquinone, benzoin, sulfonium salt, diazonium salt, onium salt, and halonium salt. Can be used. In addition to the above materials, a general-purpose thermoplastic resin may be blended.
また、前記硬化性樹脂のうち、熱硬化性樹脂としては、天然ゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、ポリイソブチレン、ブチルゴム、ハロゲン化ブチル、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、ポリイソブテン、カルボキシゴム、ネオプレン、ポリブタジエン等の樹脂と架橋剤としての硫黄、アニリンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂、リグリン樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、アニリン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ホルマリン樹脂、金属酸化物、金属塩化物、オキシム、アルキルフェノール樹脂等の組み合わせで用いられるものがある。なおこれらには、架橋反応速度を増加する目的で、汎用の加硫促進剤等の添加剤を使用することもできる。 Among the curable resins, thermosetting resins include natural rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, polyisobutylene, butyl rubber, halogenated butyl, acrylonitrile-butadiene rubber, styrene-butadiene rubber, polyisobutene, carboxy rubber, and neoprene. Sulfur, aniline formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol formaldehyde resin, ligrin resin, xylene formaldehyde resin, xylene formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, epoxy resin, urea resin, aniline resin, melamine resin , Phenol resins, formalin resins, metal oxides, metal chlorides, oximes, alkylphenol resins, and the like. In addition, for these purposes, additives such as general-purpose vulcanization accelerators can be used for the purpose of increasing the crosslinking reaction rate.
熱硬化性樹脂として、硬化剤を利用するものとしては、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミノ基、不飽和炭化水素基等の官能基を有する樹脂とエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、チオール基等の官能基を有する硬化剤あるいは金属塩化物、イソシアネート、酸無水物、金属酸化物、過酸化物等の硬化剤との組み合わせで用いられるものがある。なお、硬化反応速度を増加する目的で、汎用の触媒等の添加剤を使用することもできる。具体的には、硬化性アクリル樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂組成物、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂組成物、ポリウレタン樹脂組成物等が例示される。 As a thermosetting resin, those using a curing agent include a resin having a functional group such as a carboxyl group, a hydroxyl group, an epoxy group, an amino group, an unsaturated hydrocarbon group, an epoxy group, a hydroxyl group, an amino group, an amide group, Some are used in combination with a curing agent having a functional group such as a carboxyl group or a thiol group, or a curing agent such as a metal chloride, isocyanate, acid anhydride, metal oxide, or peroxide. In addition, for the purpose of increasing the curing reaction rate, additives such as general-purpose catalysts can be used. Specific examples include curable acrylic resin compositions, unsaturated polyester resin compositions, diallyl phthalate resins, epoxy resin compositions, polyurethane resin compositions, and the like.
さらに、熱硬化性樹脂又は活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル酸又はメタクリル酸の付加物が好ましいものとして例示できる。
アクリル酸又はメタクリル酸の付加物としては、エポキシアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．６０）、ウレタンアクリレート（ｎ＝１．５〜１．６）、ポリエーテルアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．４９）、ポリエステルアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．５４）なども使うこともできる。特に接着性の点から、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエーテルアクリレートが優れており、エポキシアクリレートとしては、１、６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、アリルアルコールジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジルエステル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、ソルビトールテトラグリシジルエーテル等の（メタ）アクリル酸付加物が挙げられる。エポキシアクリレートなどのように分子内に水酸基を有するポリマは接着性向上に有効である。これらの共重合樹脂は必要に応じて、２種以上併用することができる。
Furthermore, as a thermosetting resin or a resin curable with active energy rays, an adduct of acrylic acid or methacrylic acid can be exemplified as a preferable one.
As an adduct of acrylic acid or methacrylic acid, epoxy acrylate (n = 1.48 to 1.60), urethane acrylate (n = 1.5 to 1.6), polyether acrylate (n = 1.48 to 1) .49), polyester acrylate (n = 1.48 to 1.54), and the like can also be used. In particular, urethane acrylate, epoxy acrylate, and polyether acrylate are excellent from the viewpoint of adhesiveness. Examples of epoxy acrylate include 1,6-hexanediol diglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, allyl alcohol diglycidyl ether, and resorcinol. (Meth) acrylic such as diglycidyl ether, diglycidyl adipate, diglycidyl phthalate, polyethylene glycol diglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, pentaerythritol tetraglycidyl ether, sorbitol tetraglycidyl ether An acid adduct is mentioned. A polymer having a hydroxyl group in the molecule, such as epoxy acrylate, is effective in improving adhesion. These copolymer resins can be used in combination of two or more as required.
なお、熱硬化性樹脂又は活性エネルギー線で硬化する樹脂には、汎用の熱可塑性樹脂がブレンドされていてもよい。
また、樹脂層には、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤などの添加剤が配合されていてもよい。
前記樹脂層の厚さは、少なくとも、導体層を埋設させる厚さよりも厚いことが必要である。より確実に導体層を樹脂中に埋没させるためには、樹脂層の厚さは、導体層を埋設させる厚さの１．５倍以上であることがさらに好ましい。
Note that a general-purpose thermoplastic resin may be blended with the thermosetting resin or the resin curable with active energy rays.
Moreover, additives, such as a plasticizer, antioxidant, a filler, a coloring agent, and an ultraviolet absorber, may be mix | blended with the resin layer.
The thickness of the resin layer needs to be at least thicker than the thickness in which the conductor layer is embedded. In order to bury the conductor layer in the resin more reliably, the thickness of the resin layer is more preferably 1.5 times or more the thickness of burying the conductor layer.
導体層の寸法として、導体層の厚さ（Ｔ）は、０．４〜４０μｍであることが好ましく、０．６〜３０μｍであることがより好ましく、１〜２０μｍであることが特に好ましい。導電性が必要であるために薄すぎると好ましくない。一方、厚すぎるとは粘着剤に導体層を埋没させるために必要な粘着剤の厚みが厚くなりすぎるために好ましくない。 As a dimension of the conductor layer, the thickness (T) of the conductor layer is preferably 0.4 to 40 μm, more preferably 0.6 to 30 μm, and particularly preferably 1 to 20 μm. Since conductivity is required, it is not preferable to be too thin. On the other hand, if the thickness is too thick, the thickness of the pressure-sensitive adhesive necessary for burying the conductor layer in the pressure-sensitive adhesive becomes too thick, which is not preferable.
導体層の幅（Ｌ）は光透過性が必要な部分では１〜５０μｍであることが好ましく、２〜４０μｍであることがより好ましく、３〜３０μｍであることが特に好ましい。十分な光透過性のために５０μｍ以下の最大幅（Ｌ）が好ましい。導電性の観点からは、１μｍ以上の最大幅（Ｌ）が好ましい。 The width (L) of the conductor layer is preferably 1 to 50 μm, more preferably 2 to 40 μm, and particularly preferably 3 to 30 μm at a portion where light transmittance is required. A maximum width (L) of 50 μm or less is preferred for sufficient light transmission. From the viewpoint of conductivity, a maximum width (L) of 1 μm or more is preferable.
また、導体層のパターンとしては、種々のものが可能であるが、具体的な用途により適宜選択される。
導体層のパターンとして、導体層自体は線状又は平面的に広がりのある形状であって、導体層自体が、平面形状として、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形（ｎは３以上の整数）、円、だ円、星型などの幾何学図形のものであっても、また、導体層により、特に、線状その他の形状の導体層により、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形（ｎは３以上の整数）、円、だ円、星型などの幾何学図形又はこれらを適宜組み合わせた模様を描くようにしてもよい（たとえば、平面上の導体層にこれらの図形の穴を開けたような形状であってもよい）。これらの単位は、単独で又は２種類以上組み合わせて繰り返されることが可能である。
また、導体層のパターンは、太陽電池用電極基材用としては、メッシュ状のパターン、ストライプ状のパターン、櫛状のパターンが好ましい。導体層のパターンは、集電電極として使用する場合には導通していることが必要であるが、集電電極の一部又は補助電極としては、パターンとして必ずしも導通しているとは限らない。
Various patterns can be used for the conductor layer, and the pattern is appropriately selected depending on the specific application.
As a pattern of the conductor layer, the conductor layer itself has a linear or planar shape, and the conductor layer itself has a planar shape such as a triangle such as an equilateral triangle, an isosceles triangle, a right triangle, a square, a rectangle, Rectangles such as rhombuses, parallelograms, trapezoids, (positive) hexagons, (positive) octagons, (positive) dodecagons, (positive) dodecagons, etc. (positive) n-gons (n is an integer greater than or equal to 3) ), Geometric shapes such as circles, ellipses, stars, etc., and with conductor layers, in particular with linear or other shape conductor layers, equilateral triangles, isosceles triangles, right triangles, etc. Triangles, squares, rectangles, rhombuses, parallelograms, trapezoids, and other quadrangles, (positive) hexagons, (positive) octagons, (positive) dodecagons, (positive) n-gons ( n is an integer greater than or equal to 3), geometric figures such as circles, ellipses, and stars, or any combination of these It may be set to draw a pattern was (e.g., may be shaped as a hole of these shapes to the conductor layer on the plane). These units can be repeated alone or in combination of two or more.
Further, the pattern of the conductor layer is preferably a mesh pattern, a stripe pattern, or a comb pattern for the electrode substrate for a solar cell. The pattern of the conductor layer needs to be conductive when used as a collecting electrode, but it is not always conductive as a part of the collecting electrode or the auxiliary electrode.
導体層のライン間隔は、光透過性の観点からは、５０μｍ以上の範囲とすることが好ましい。ライン間隔は、大きいほど開口率は向上し、可視光透過率は向上する。光透過性の観点からは、導体層の開口率は５０％以上が好ましく、６０％以上がさらに好ましい。ライン間隔が大きくなり過ぎると、電磁波シールド性が低下するため、この観点からは、ライン間隔は２０００μｍ（２ｍｍ）以下とするのが好ましく、特に１００〜１０００μｍであることが好ましい。可視光透過率の点からライン間隔は１２０μｍ以上が特に好ましい。なお、ライン間隔は、導体層で囲まれる幾何学図形等の組合せで複雑となる場合、繰り返し単位を基準として、その面積を正方形の面積に換算してその一辺の長さをライン間隔とする。 The line spacing of the conductor layer is preferably in the range of 50 μm or more from the viewpoint of light transmittance. The larger the line spacing, the better the aperture ratio and the visible light transmittance. From the viewpoint of light transmittance, the aperture ratio of the conductor layer is preferably 50% or more, and more preferably 60% or more. If the line interval becomes too large, the electromagnetic wave shielding property is deteriorated. From this viewpoint, the line interval is preferably 2000 μm (2 mm) or less, particularly preferably 100 to 1000 μm. From the viewpoint of visible light transmittance, the line interval is particularly preferably 120 μm or more. When the line interval is complicated by a combination of geometric figures and the like surrounded by the conductor layer, the area is converted into a square area with the repetition unit as a reference, and the length of one side is set as the line interval.
本発明における導体層の一例である導体層（Ａ）は、前記したとおり、断面形状が台形状のもの又は断面形状が台形状の上部とこれに連続した下部からなる。
図面を用いて説明する。図２は、導体層５のパターンの一部を切り取った斜視図である。図２（ａ）は、断面形状が台形状の導体層パターンであり、図２（ｂ）は、断面形状が上部の台形状部分とこの台形状部分より幅広の下部である摧円形状部分からなる導体層５のパターンである。図３は、図２（ｂ）に示す導体層５の幅方向の断面図であり、断面が台形状の上部６とこの上部に連続しており、この上部より幅広な摧円形状の下部７からなり、台形状部分６の底辺と摧円形状部分７の摧円形の弦の一部分で一体となっている。図２（ｂ）及び図３において、下部は断面形状が摧円形であるが、これにかぎらない。図２（ｂ）及び図３に示されるような場合には、下部の摧円形状部分７の台形状部分の下底から突出したような肩部８は、一つの特徴となりうる。なお、上記の摧円形とは、必ずしも真円を切り取った形だけでなく、楕円又は楕円や真円を変形させたような形状を切り取ったものを包含する。例えば、図４（図２（ｂ）に示す導体層の幅方向の断面図の他の例）の（ａ）、（ｂ）又は（ｃ）であらわされるような形状であってもよい。
また、図２及び図３において、下部の最大幅（したがって導体層パターンの最大幅）は、平面部にそってあるが、肩部より下部に最大幅が存在する形状であってもよい。
さらに、導体層パターンは、その横断面において、前記したような上部に対し連続している下部が、上部の最大幅よりも狭い最大幅を有するものであってもよい。また、下部の断面形状が矩形状であってもよい。
As described above, the conductor layer (A), which is an example of the conductor layer in the present invention, has a trapezoidal cross section or a trapezoidal upper section and a lower section continuous thereto.
This will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a perspective view in which a part of the pattern of the
2 and 3, the maximum width of the lower portion (and hence the maximum width of the conductor layer pattern) is along the plane portion, but may have a shape in which the maximum width exists below the shoulder portion.
Furthermore, the conductor layer pattern may have a maximum width narrower than the maximum width of the upper portion of the conductor layer pattern. The lower cross-sectional shape may be rectangular.
導体層（Ａ）の寸法を図面を用いてさらに説明する。
図５は、導体層の横断面図を示す。図５（ａ）は台形状であり、図５（ｂ）は、上部の台形状部分とこの台形状部分より幅広な摧円形状部分（下部）が一体となったものである。両者において、上面幅（台形状の上底の長さ）Ｌ１、導体層パターンの断面形状における最大幅Ｌは、それぞれ次のようにすることが好ましい。
The dimensions of the conductor layer (A) will be further described with reference to the drawings.
FIG. 5 shows a cross-sectional view of the conductor layer. FIG. 5A shows a trapezoidal shape, and FIG. 5B shows an upper trapezoidal part and an ellipse-shaped part (lower part) wider than the trapezoidal part. In both cases, it is preferable that the upper surface width (the length of the upper base of the trapezoid) L1 and the maximum width L in the cross-sectional shape of the conductor layer pattern are as follows.
導体層の厚さ（Ｔ）は、前記の通りである。
図５（ｂ）における形状である場合、台形状部分（上部）の厚さＴ１と摧円形状部分（下部）の厚さＴ２の合計厚さＴが０．４〜４０μｍの範囲となっていることが好ましく、Ｔ１とＴ２の値にそれ以上の制限は特にないが、樹脂層と導体層パターンとの密着性をより高めるためには、Ｔ２が０．２μｍ以上であることが好ましく、０．３μｍ以上であることがさらに好ましい。
The thickness (T) of the conductor layer is as described above.
5B, the total thickness T of the trapezoidal part (upper part) thickness T1 and the ellipse-shaped part (lower part) thickness T2 is in the range of 0.4 to 40 μm. The value of T1 and T2 is not particularly limited, but in order to further improve the adhesion between the resin layer and the conductor layer pattern, T2 is preferably 0.2 μm or more. More preferably, it is 3 μm or more.
また、導体層の最大幅Ｌは、前記した導体層の幅（Ｌ）のとおりである。
図５（ｂ）における形状である場合、上部台形状部分の上底の幅Ｌ１と下底の幅Ｌ２は、最大幅Ｌが上記の範囲となり、後述するように、台形状部分の側辺の角度が後記する条件を満たせば、その幅に特に制約はない。下部が完全に埋没し、樹脂層が肩部及び上部の一部を被覆するようになると、導体層と樹脂層の密着性が向上することになるが、この観点からは、最大幅Ｌと上部の台形状部分の下底の幅Ｌ２の差は、１μｍ以上であることが好ましい。また、図５の（ａ）又は（ｂ）における形状である場合、Ｌ１は後記する製法上、１μｍ以上とすることが好ましい。
The maximum width L of the conductor layer is the same as the width (L) of the conductor layer described above.
In the case of the shape in FIG. 5 (b), the maximum width L of the upper base width L1 and the lower base width L2 of the upper trapezoidal portion is in the above range, and, as will be described later, If the angle satisfies the conditions described later, the width is not particularly limited. When the lower part is completely buried and the resin layer covers the shoulder and part of the upper part, the adhesion between the conductor layer and the resin layer is improved. From this point of view, the maximum width L and the upper part are improved. The difference in the width L2 of the lower base of the trapezoidal portion is preferably 1 μm or more. Moreover, when it is the shape in (a) or (b) of FIG. 5, it is preferable that L1 shall be 1 micrometer or more on the manufacturing method mentioned later.
図５の（ａ）及び（ｂ）において、台形状であることは、条件としてその側辺が内側に傾きを持つということであるが、台形形状の側辺の傾きは、左右のぞれぞれの内角αが３０°以上９０°未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、３０度以上６０度以下がさらに好ましく、４０度以上６０度以下が特に好ましい。台形形状の角度が小さいと、台形形状の高さに対して幅が広くなるため、透明性を阻害しやすくなる。また、角度が大きくなるほど、製法上、透明導電膜によって側面が覆われにくくなり、電解質液におかされて腐食されやすくなる。台形状の側辺の傾きは、左右のぞれぞれの内角は、等しくなくてもよい。 In FIGS. 5A and 5B, the trapezoidal shape means that the side has an inward inclination as a condition, but the inclination of the side of the trapezoidal shape is the left and right respectively. The inner angle α is preferably 30 ° or more and less than 90 °, more preferably 30 ° or more and 80 ° or less, further preferably 30 ° or more and 60 ° or less, and particularly preferably 40 ° or more and 60 ° or less. If the angle of the trapezoidal shape is small, the width becomes wider with respect to the height of the trapezoidal shape, so that transparency is easily hindered. In addition, as the angle increases, the side surface is less likely to be covered by the transparent conductive film due to the manufacturing method, and is more likely to be corroded by the electrolyte solution. As for the inclination of the trapezoidal side, the inner angles of the left and right sides do not have to be equal.
また、導体層の断面形状が台形の部分は、その幅が、上面に向かって全体として狭まっていればよい。上記図面のように勾配αで一定勾配で狭まっている必要は必ずしもなく、上面に向かって広がっておらず全体として狭まっていればよい。特に、側面が上面に対して垂直となっている部分がないようにすることが好ましい。 Moreover, the width | variety of the part whose cross-sectional shape of a conductor layer is trapezoid should just narrow as a whole toward an upper surface. It does not necessarily have to be narrowed at a constant gradient α as in the above-mentioned drawing, and it is sufficient that it does not spread toward the upper surface but narrows as a whole. In particular, it is preferable that there are no portions whose side surfaces are perpendicular to the top surface.
前記の導体層の断面形状が台形状の部分に相当する側面は、必ずしも平面ではない。この場合には、図６にその導体層の横断面図を示すように、前記の勾配αは、台形の高さｈと台形の側辺の幅ｓ（水平方向で台形の側辺の幅方向）を求め、式（１）
αは、角度で３０度以上９０度未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、３０度以上６０度以下がさらに好ましく、４０度以上６０度以下が特に好ましい。
The side surface corresponding to the trapezoidal section of the conductor layer is not necessarily a flat surface. In this case, as shown in the cross-sectional view of the conductor layer in FIG. 6, the gradient α has the trapezoidal height h and the trapezoid side width s (horizontal direction of the trapezoidal side width direction). ) And formula (1)
α is preferably from 30 ° to less than 90 °, more preferably from 30 ° to 80 °, even more preferably from 30 ° to 60 °, and particularly preferably from 40 ° to 60 °.
前記図５において、Ｌ３とＴ１は、
これにより、導体層は、幅方向へのめっきの広がりよりも、厚み方向への広がりが大きく、厚み方向に異方的にめっきが生長するので、表面抵抗を上昇させることなく、ライン幅を微細化することができ、このような導体層を有する導体層パターン付き基材は、透明性と低抵抗の両立を高いレベルで実現可能である。特に、ライン幅が３０μｍ以下の微細パターンにおいて、上記効果は顕著である。めっきが厚み方向に異方的に生長すると、等方的に生長した場合に比較して、断面形状が円形状に近づく。したがって、このような導体層を有する導体層付きパターン基材は、ラインを転写する際の応力によるラインの折れが改善され、抵抗の低下や外観の異常をより良く抑制することができる。特に、めっき厚が薄くなるほど、この効果は、顕著となってくる。
In FIG. 5, L3 and T1 are
As a result, the conductor layer has a larger spread in the thickness direction than the spread in the width direction, and the plating grows anisotropically in the thickness direction, so that the line width is reduced without increasing the surface resistance. The base material with a conductor layer pattern having such a conductor layer can realize both transparency and low resistance at a high level. In particular, the effect is remarkable in a fine pattern having a line width of 30 μm or less. When the plating grows anisotropically in the thickness direction, the cross-sectional shape approaches a circular shape as compared with the case where the plating grows isotropically. Therefore, the pattern base material with a conductor layer having such a conductor layer can improve the folding of the line due to the stress when transferring the line, and can more effectively suppress the decrease in resistance and the appearance abnormality. In particular, this effect becomes more remarkable as the plating thickness is reduced.
本発明における、導体層は、少なくとも上面が露出した状態で全体又は一部が樹脂層に埋設されていることが好ましい。これにより、アンカー効果が発現するので導体層パターンの樹脂層への密着性が向上する。
図７及び図８に、導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図である。
図７（ａ）では、断面形状が台形状の導体層５が一部、樹脂層３に埋設されている状態を示し、図７（ｂ）は、上面が樹脂層３からは露出しながら導体層５全体が樹脂層３に埋設されている状態を示す。図８（ａ）は、断面が上部の台形状部分６とこの上部より幅広な下部の摧円形部分７が、台形状部分６の台形状の底辺と摧円形部分７の摧円形の弦の一部分で一体となっている導体層の下部の摧円形部分７全体（深さ方向で）が樹脂層３に埋設されている状態（肩部８が露出している）を示す。図８（ｂ）は、同様の導体層が上部の台形状部分６の上面を含む一部が樹脂層３からは露出した状態で樹脂層３に埋設されている状態を示す。また、図８（ｃ）は、同様の導体層が上部の台形状部分６の上面のみ樹脂層３からは露出した状態で樹脂層３に埋設されている状態を示す。これらの何れの場合も導体層の最大幅の部分は、樹脂層３に埋設されている。
また、図７（ｂ）又は図８（ｃ）の状態において、さらに、樹脂層３が、導体層５又は上部の台形状部分６の上面の一部を被さるようにして被覆していてもよい。
In the present invention, the conductor layer is preferably entirely or partially embedded in the resin layer with at least the upper surface exposed. Thereby, since the anchor effect appears, the adhesiveness to the resin layer of a conductor layer pattern improves.
7 and 8 are partial cross-sectional views showing a state in which the conductor layer is embedded in the resin layer.
7A shows a state in which the
Further, in the state of FIG. 7B or FIG. 8C, the
本発明に係る導体層パターン付き基材の製造法について、説明する。
本発明に係る導体層パターン付き基材は、
（Ｉ）まず、めっき用導電性基材上に導体層をめっきにより形成する導体層作製工程を行い、
（ＩＩ）その後、めっき用導電性基材上に形成された導体層を樹脂層を含む適当な基材に転写する転写工程、
及び
（ＩＩＩ）場合により、さらに、該基材を別の基材に交換する工程
を含む方法により作製される。樹脂層に導体層を埋設する工程は、前記の転写工程において行われるか又は転写工程の後に行われる。
The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern which concerns on this invention is demonstrated.
The substrate with a conductor layer pattern according to the present invention is
(I) First, a conductor layer preparation step is performed in which a conductor layer is formed by plating on a conductive substrate for plating.
(II) Thereafter, a transfer step of transferring the conductor layer formed on the conductive substrate for plating to an appropriate substrate including a resin layer,
And (III) In some cases, the substrate is produced by a method including a step of replacing the substrate with another substrate. The step of embedding the conductor layer in the resin layer is performed in the transfer step or after the transfer step.
本発明によるめっき用導電性基材は、パターン状のめっき形成部を有する導電性基材であって、導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部（めっき形成部）が形成されている。この凹部の底面には導電性材料が露出している。このめっき用導電性基材は、繰り返し使用することができるめっきのための版である。 The conductive substrate for plating according to the present invention is a conductive substrate having a patterned plating forming portion, and an insulating layer is formed on the surface of the conductive substrate, and the insulating layer faces the opening direction. And a concave portion (plating forming portion) for forming a wide plating. The conductive material is exposed on the bottom surface of the recess. This conductive substrate for plating is a plate for plating that can be used repeatedly.
本発明において、導電性基材に用いられる導電性材料は、その露出表面に電解めっきで金属を析出させるために十分な導電性を有するものであり、金属であることが特に好ましい。また、その基材は表面に電解めっきにより形成された金属層を接着性支持体に転写させることができるように、その上に形成された金属層との密着力が低く、容易に剥離できるものであることが好ましい。このような導電性基材の材料としてはステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料、ニッケルなどが特に好ましい。 In the present invention, the conductive material used for the conductive substrate has sufficient conductivity for depositing metal on the exposed surface by electrolytic plating, and is particularly preferably a metal. In addition, the base material has a low adhesion to the metal layer formed on it so that the metal layer formed by electrolytic plating on the surface can be transferred to the adhesive support, and can be easily peeled off. It is preferable that As such a conductive base material, stainless steel, chrome-plated cast iron, chrome-plated steel, titanium, titanium-lined material, nickel and the like are particularly preferable.
前記の導電性基材の形状としては、シート状、プレート状、ロール状、フープ状等がある。ロール状の場合は、シート状、プレート状のものを回転体（ロール）に取り付けたものであってもよい。フープ状の場合は、フープの内側の２箇所から数箇所にロールを設置し、そのロールにフープ状の導電性基材を通すような形態等が考えられる。ロール状、フープ状ともに金属箔を連続的に生産することが可能であるため、シート状、プレート状に比較すると、生産効率が高く、好ましい。導電性基材をロールに巻きつけて使用する場合、ロールとして導電性のものを使用し、ロールと導電性基材が容易に導通するようにしたものが好ましい。 Examples of the shape of the conductive substrate include a sheet shape, a plate shape, a roll shape, and a hoop shape. In the case of a roll, a sheet or plate attached to a rotating body (roll) may be used. In the case of a hoop shape, a configuration in which rolls are installed at two to several locations inside the hoop and a hoop-shaped conductive base material is passed through the roll can be considered. Since it is possible to continuously produce a metal foil in both a roll shape and a hoop shape, the production efficiency is higher than that in a sheet shape or a plate shape, which is preferable. When the conductive substrate is used by being wound around a roll, a conductive roll is preferably used so that the roll and the conductive substrate are easily conducted.
絶縁層の厚さは、凹部の深さに対応する。凹部の深さは、析出するめっきの厚さとも関係するため、目的に応じて適宜決定される。絶縁層の厚さは、０．１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であることが好ましく、０．５μｍ以上３０μｍ以下の範囲であることがより好ましい。絶縁層が薄すぎると絶縁層にピンホールが発生しやすくなるため、めっきした際に、絶縁層を施した部分にも金属が析出しやすくなる。絶縁層の厚さは、１〜１０μｍであることが特に好ましい。 The thickness of the insulating layer corresponds to the depth of the recess. Since the depth of the recess is related to the thickness of the plating to be deposited, it is appropriately determined according to the purpose. The thickness of the insulating layer is preferably in the range of 0.10 μm to 100 μm, and more preferably in the range of 0.5 μm to 30 μm. If the insulating layer is too thin, pinholes are likely to be generated in the insulating layer, so that when the plating is performed, the metal is likely to be deposited on the portion where the insulating layer is applied. The thickness of the insulating layer is particularly preferably 1 to 10 μm.
上記の絶縁層は、ダイヤモンドに類似したカーボン薄膜、いわゆるダイヤモンドライクカーボン（以下、ＤＬＣとする）薄膜のうち、絶縁性を有するものにて形成することができる。ＤＬＣ薄膜は、特に、耐久性、耐薬品性に優れているため、特に好ましい。
さらに、絶縁層をＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２のような無機材料で形成することもできる。
The insulating layer can be formed of a carbon thin film similar to diamond, a so-called diamond-like carbon (hereinafter referred to as DLC) thin film having an insulating property. The DLC thin film is particularly preferable because it is excellent in durability and chemical resistance.
Furthermore, the insulating layer can be formed of an inorganic material such as Al 2 O 3 or SiO 2 .
凹部又は絶縁層の形状は、前記した導体層のパターンに応じて適宜決定される。凹部には導体層が形成されるので、この形状により、導体層のパターン形状はほぼ決定される。一つのめっき用導電性基材において、凹部の形状と絶縁層の形状は、互いに対応した形状となる。凹部又は絶縁層の形状は、平面形状が、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形（ｎは３以上の整数）、円、だ円、星型、直線などの幾何学図形があり、これらを適宜組み合わせた模様としてもよい、これらの単位は、単独で又は２種類以上組み合わせて繰り返されることが可能である。 The shape of the recess or the insulating layer is appropriately determined according to the pattern of the conductor layer described above. Since the conductor layer is formed in the recess, the pattern shape of the conductor layer is substantially determined by this shape. In one conductive substrate for plating, the shape of the concave portion and the shape of the insulating layer are shapes corresponding to each other. As for the shape of the recess or the insulating layer, the planar shape is a triangle such as a regular triangle, an isosceles triangle, a right triangle, a square, a rectangle, a rhombus, a parallelogram, a trapezoid, or a quadrangle, (positive) hexagon, (positive) eight There are geometric shapes such as squares, (positive) dodecagons, (positive) n-gons such as (positive) dodecagons (n is an integer of 3 or more), circles, ellipses, stars, straight lines, etc. These units, which may be combined as appropriate, can be repeated alone or in combination of two or more.
本発明のめっき用導電性基材の例を図面を用いて説明する。
図９は、本発明のめっき用導電性基材の一例を示す一部斜視図である。図１０は、図９のＡ−Ａ断面図を示す。図１０の（ａ）は凹部の側面が平面的であるが、（ｂ）は凹部の側面になだらかな凹凸がある場合を示す。めっき用導電性基材１１は、導電性基材１２の上に絶縁層１３が積層されており、絶縁層１３に凹部１４が形成されており、凹部１４の底部は、導電性基材１２が露出している。凹部１４の底部は、導電性基材に導通している導体層であってもよい。
この例においては、絶縁層１３は、幾何学図形としては正方形であり、この正方形の周りに凹部１４が溝状に形成されている。
導電性基材１２と絶縁層１３の間には、絶縁層１３の接着性の改善等を目的として、導電性又は絶縁性の中間層（図示せず）が積層されていてもよい。または、凹部１４は、その幅が、開口方向に向かって全体として幅広になっている。図面のよう勾配αで一定に幅広になっている必要は必ずしもない。めっきにより形成される導体層パターンの剥離に問題がなければ、凹部は、開口方向に向かって幅が狭くなっている部分があってもよいが、このような部分がない方が良く、凹部は開口方向に向かって狭まっておらず全体として広がっていることが好ましい。特に、凹部の一側面がその対面と共に、底面に対して垂直となっている部分が高さ方向で１μｍ以上続く部分がないようにすることが好ましい。このようなめっき用導電性基材であれば、それを用いてめっきを行った後、析出した金属層をめっき用導電性基材から剥離するに際し、金属層と絶縁層との間の摩擦又は抵抗を小さくすることができ、その剥離がより容易になる。
Examples of the conductive substrate for plating according to the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 9 is a partial perspective view showing an example of the conductive substrate for plating according to the present invention. FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. FIG. 10A shows a case where the side surface of the recess is planar, while FIG. 10B shows a case where the side surface of the recess has gentle irregularities. In the
In this example, the insulating
A conductive or insulating intermediate layer (not shown) may be laminated between the
凹部の側面は、必ずしも平面ではない。この場合には、図１０（ｂ）に示すように、前記の勾配αは、凹部の高さｈ（これは、すなわち、絶縁層の厚さとなる）と凹部の側面の幅ｓ（水平方向で凹部の側面の幅方向）を求め、式（１）
αは、角度で３０度以上９０度未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、４０度以上６０度以下が特に好ましい。この角度が小さいと作製が困難となる傾向があり、大きいと凹部にめっきにより形成し得た金属層（導体層パターン）を剥離する際、又は、別の基材に転写する際の抵抗が大きくなる傾向がある。
The side surface of the recess is not necessarily a flat surface. In this case, as shown in FIG. 10 (b), the gradient α is such that the height h of the concave portion (that is, the thickness of the insulating layer) and the width s of the side surface of the concave portion (in the horizontal direction). The width direction of the side surface of the recess)
α is preferably 30 degrees or more and less than 90 degrees, more preferably 30 degrees or more and 80 degrees or less, and particularly preferably 40 degrees or more and 60 degrees or less. If this angle is small, the production tends to be difficult, and if it is large, the resistance when peeling the metal layer (conductor layer pattern) that can be formed by plating in the recess or transferring to another substrate is large. Tend to be.
本発明のめっき用導電性基材における絶縁層の平面形状及びその厚さ若しくは凹部の深さは、本発明のめっき用導電性基材を用いて得られる導体層パターンの求められる役割に応じて適宜決定される。
上記めっき用導電性基材の凹部は、めっきにより生成する導体層の形状に対応するが、同様に電磁波シールド部材の導体層のパターンに対応するものである。
The planar shape of the insulating layer and the thickness of the insulating layer or the depth of the recess in the conductive substrate for plating according to the present invention depend on the required role of the conductor layer pattern obtained using the conductive substrate for plating according to the present invention. It is determined appropriately.
The concave portion of the conductive substrate for plating corresponds to the shape of the conductor layer generated by plating, but similarly corresponds to the pattern of the conductor layer of the electromagnetic wave shielding member.
また、絶縁層の厚さは、前記と同様であるが、これに対応するように、本発明のめっき用導電性基材における凹部４の深さは、０．１〜１００μｍであることが好ましく、０．５〜３０μｍであることがより好ましく、１〜１０μｍであることがさらに好ましい。
In addition, the thickness of the insulating layer is the same as described above. In order to correspond to this, the depth of the
本発明のめっき用導電性基材を用いて転写法により光透過性が要求される電極基材を作製するために使用するときは、図１０に示すような凹部１４の幅は、開口部の幅ｄが２〜６０μｍ、底部の幅ｄ′が１〜４０μｍで有ることが好ましい。また、凹部１４の開口部の幅ｄは４〜１５μｍ、底部の幅ｄ′は３〜１０μｍであることが特に好ましい。凹部１４の中心間隔（ラインピッチ）は５０〜２０００μｍであることが好ましく、特に１００〜１０００μｍであることが好ましい。溝の幅及びその間隔は、導体層パターンの開口率を好ましくは５０％以上、より好ましくは６０％以上、特に好ましくは８０％以上とすることを考慮して決定する。
凹部の幅その他の寸法は、前記した導体層の形状に対応して決定される。
なお、本発明において、凹部の中心間隔（ラインピッチ）は、凹部によって形成されている絶縁層の図形パターンが複雑な図形であったり、複数の図形の組み合わせであったりして簡単に決定できない場合は、パターンの繰り返し単位を基準としてその面積を正方形の面積に換算し、その一辺の長さであると定義する。
When the conductive substrate for plating of the present invention is used to produce an electrode substrate that requires light transmission by a transfer method, the width of the
The width and other dimensions of the recess are determined in accordance with the shape of the conductor layer described above.
In the present invention, the center interval (line pitch) of the recesses cannot be easily determined because the figure pattern of the insulating layer formed by the recesses is a complicated figure or a combination of a plurality of figures. Is defined as the length of one side of the pattern by converting the area into a square area based on the repeating unit of the pattern.
上記のめっき用導電性基材によれば、めっきにより金属層が形成される凹部が開口方向に向かった幅広となっているため、めっきにより得られる導体層パターンの剥離が容易である。また、絶縁層をＤＬＣ又は無機材料からなるため導電性基材への密着性が優れ、その耐剥離性が優れる。その絶縁層は、中間層により導電性基材と絶縁層の間の密着性を向上させることができ、これにより、めっき用導電性基材の寿命を、さらに長くすることができる。本発明の開口方向に向かって幅広の凹部を持つめっき用導電性基材は、導電性基材上に凸状のパターンを形成し、絶縁層を形成後に、絶縁層が付着している凸状のパターンを除去することにより凹部を作製することができるため、その製造が容易で、生産性に富む。 According to the conductive base material for plating described above, since the concave portion in which the metal layer is formed by plating is wide in the opening direction, the conductor layer pattern obtained by plating can be easily peeled off. Moreover, since an insulating layer consists of DLC or an inorganic material, the adhesiveness to an electroconductive base material is excellent, and the peeling resistance is excellent. The insulating layer can improve the adhesion between the conductive base material and the insulating layer by the intermediate layer, thereby further extending the life of the conductive base material for plating. The conductive substrate for plating having a wide concave portion toward the opening direction of the present invention is a convex shape in which a convex pattern is formed on the conductive substrate and the insulating layer is adhered after the insulating layer is formed. Since the concave portion can be produced by removing the pattern, the manufacture is easy and the productivity is high.
本発明におけるめっき用導電性基材の製造方法としては、導電性基材の表面に、導電性基材を露出させている凹部によって幾何学図形が描かれるように絶縁層を形成する工程を含む。
この工程は、（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程、（Ｂ）除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成す
る工程及び
（Ｃ）絶縁層が付着している凸状のパターンを除去する工程を含む。
The method for producing a conductive base material for plating in the present invention includes a step of forming an insulating layer on the surface of the conductive base material so that a geometric figure is drawn by a concave portion exposing the conductive base material. .
This step includes (A) a step of forming a removable convex pattern on the surface of the conductive substrate, (B) a surface of the conductive substrate on which the removable convex pattern is formed, A step of forming an insulating layer; and (C) a step of removing the convex pattern to which the insulating layer is attached.
上記（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程は、フォトリソグラフ法を利用して、レジストパターンを形成する方法を利用することができる。
この方法（ａ法）は、
（ａ−１）導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
（ａ−２）感光性レジスト層を導体層パターンに対応したマスクを通して露光する工程及び
（ａ−３）露光後の感光性レジスト層を現像する工程
を含む。
For the step (A) of forming a removable convex pattern on the surface of the conductive substrate, a method of forming a resist pattern using a photolithographic method can be used.
This method (Method a)
(A-1) forming a photosensitive resist layer on the conductive substrate;
(A-2) a step of exposing the photosensitive resist layer through a mask corresponding to the conductor layer pattern, and (a-3) a step of developing the exposed photosensitive resist layer.
また、上記（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程は、レーザ光を利用する方法を適用することができる。この方法（ｂ法）は、
（ｂ−１）導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
（ｂ−２）感光性レジスト層に導体層パターンに対応した部分にマスクをせずレーザー光を照射する工程及び（ｂ−３）レーザー光を照射後の感光性レジスト層を現像する工程を含む。
In addition, a method using laser light can be applied to the step (A) of forming a removable convex pattern on the surface of the conductive substrate. This method (method b)
(B-1) a step of forming a photosensitive resist layer on the conductive substrate;
(B-2) including a step of irradiating the photosensitive resist layer with a laser beam without masking a portion corresponding to the conductor layer pattern; and (b-3) a step of developing the photosensitive resist layer after the laser beam irradiation. .
感光性レジストとしては、よく知られたネガ型レジスト（光が照射された部分が硬化する）を使用することができる。また、このとき、マスクもネガ型マスク（凹部に対応する部分は光が通過する）が使用される。また、感光性レジストとしてはポジ型レジストを用いることができる。これらの方式に対応して上記ａ法及びｂ法における光照射部分が適宜決定される。 As the photosensitive resist, a well-known negative resist (a portion irradiated with light is cured) can be used. At this time, a negative mask (light passes through a portion corresponding to the concave portion) is also used as the mask. Further, a positive resist can be used as the photosensitive resist. Corresponding to these methods, the light irradiation part in the method a and method b is appropriately determined.
具体的方法として、導電性基材上にドライフィルムレジスト（感光性樹脂層）をラミネートし、マスクを装着して露光することにより、凸状パターンとして残存させる部分を硬化状態に不要部を現像可能状態とし、不要部を現像して除去することにより形成することができる。また、凸状パターンは、導電性基材に液状レジストを塗布した後に溶剤を乾燥するかあるいは仮硬化させた後、マスクを装着して露光することにより、凸状パターンとして残存させる部分を硬化状態に不要部を現像可能状態とし、不要部を現像して除去することにより形成することもできる。液状レジストは、スプレー、ディスペンサー、ディッピング、ロール、スピンコート等により塗布できる。 As a specific method, by laminating a dry film resist (photosensitive resin layer) on a conductive substrate, and wearing a mask to expose it, the part that remains as a convex pattern can be cured and the unnecessary part can be developed. It can be formed by developing and removing unnecessary portions. In addition, the convex pattern is a state in which the portion that remains as the convex pattern is cured by applying a liquid resist to the conductive substrate and then drying or temporarily curing the solvent, and then exposing the mask with a mask. Alternatively, the unnecessary portion can be developed, and the unnecessary portion can be developed and removed. The liquid resist can be applied by spraying, dispenser, dipping, roll, spin coating or the like.
上記において、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後に、マスクを介して露光する代わりにレーザー光などでマスクを使用せず直接に露光する方法を採用することもできる。光硬化性樹脂にマスクを介して又は介さずして活性エネルギー線を照射することでパターニングできればその態様は問わない。
導電性基材のサイズが大きい場合などはドライフィルムレジストを用いる方法が生産性の観点からは好ましく、導電性基材がめっきドラムなどの場合は、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後にマスクを介さずにレーザー光などで直接に露光する方法が好ましい。
In the above, after laminating a dry film resist or applying a liquid resist, it is also possible to employ a method of directly exposing without using a mask with a laser beam or the like instead of exposing through a mask. If the patterning can be performed by irradiating the photocurable resin with active energy rays with or without a mask, the mode is not limited.
When the size of the conductive substrate is large, the method using a dry film resist is preferable from the viewpoint of productivity. When the conductive substrate is a plating drum, the dry film resist is laminated or a liquid resist is applied. Then, a method of directly exposing with a laser beam or the like without using a mask is preferable.
前記において、感光性レジストの代わりに熱硬化性樹脂を用い、レーザー光の照射により熱硬化性樹脂の不要部を除去する方法によっても行うことができる。 In the above, it can carry out also by the method of using a thermosetting resin instead of a photosensitive resist, and removing the unnecessary part of a thermosetting resin by irradiation of a laser beam.
印刷法を用いてレジストパターン（凸状パターン）を形成することができるが、この場合には、レジストパターンの印刷方法としては様々な方法を用いることができる。例えば、スクリーン印刷、凸版印刷、凸版オフセット印刷、凸版反転オフセット印刷、凹版印刷、凹版オフセット印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷などを用いることができる。レジストとしては光硬化性又は熱硬化性の樹脂が使用できる。印刷後、光照射又は熱によりレジストを硬化させる。 Although a resist pattern (convex pattern) can be formed by using a printing method, in this case, various methods can be used as a resist pattern printing method. For example, screen printing, letterpress printing, letterpress offset printing, letterpress reversal offset printing, intaglio printing, letterpress printing, ink jet printing, flexographic printing, and the like can be used. As the resist, a photocurable or thermosetting resin can be used. After printing, the resist is cured by light irradiation or heat.
本発明におけるめっき用導電性基材の製造方法の一例を図面を用いて説明する。
図１１は、めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を断面図で示したものである。
An example of the manufacturing method of the electroconductive base material for plating in this invention is demonstrated using drawing.
FIG. 11 is a cross-sectional view showing an example of a process showing a method for producing a conductive substrate for plating.
導電性基材１２の上に感光性レジスト層（感光性樹脂層）１５形成されている（図１１（ａ））。この積層物の感光性レジスト層（感光性樹脂層）１５に対し、フォトリソグラフ法を適用して感光性レジスト層１５をパターン化する（図１１（ｂ））。パターン化は、パターンが形成されたフォトマスクを感光性レジスト層１５の上に載置し、露光した後、現像して感光性レジスト層１５の不要部を除去して突起部１６を残すことにより行われる。突起部１６の形状とそれからなる凸状パターンは、導電性基材１２上の凹部１４とそのパターンに対応するよう考慮される。
A photosensitive resist layer (photosensitive resin layer) 15 is formed on the conductive substrate 12 (FIG. 11A). The photosensitive resist
この時、突起部１６の断面形状において、その側面は、導電性基材に対して垂直であること、又は、突起部１６が導電性基材１２に接する端部に対して、突起部１６の側面上方の少なくとも一部がその端部に覆い被さるような位置にあることが好ましい。突起部１６の幅で言う場合は、凸状パターン幅の最大値ｄ１は、凸状パターンと導電性基材１２に接する幅ｄ０と等しいか大きくすることが好ましい。これは、形成される密着性のよい絶縁層の凹部幅はｄ１によって決定されるからである。ここで、突起部１６の断面形状で、突起部１６の幅の最大値ｄ１が突起部１６と導電性基１２に接する幅ｄ０と等しいか大きくする方法としては、突起部１６の現像時にオーバ現像するか、形状がアンダーカットとなる特性を有するレジストを使用すれば良い。ｄ１は凸部の上部で実現されていることが好ましい。
除去可能な凸部のパターンを形成する突起部１６の形状は、凹部の形状に対応づけられるが、その作製の容易性から、最大幅１μｍ以上、間隔が１μｍ以上、高さが１〜５０μｍであることが好ましい。めっき用導電性基材を、光透過性電磁波遮蔽部材用の導体層パターンを作製するために使用するときは、突起部１６は、最大幅１〜４０μｍ、間隔が５０〜１０００μｍ及び高さ１〜３０μｍであることがそれぞれ好ましい。特に最大幅３〜１０μｍ、間隔が１００〜４００μｍであることが好ましい。
At this time, in the cross-sectional shape of the
The shape of the
前記した（Ｂ）除去可能な凸状パターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程について、説明する。
突起部１６からなる凸状パターンを有する導電性基材１２の表面に絶縁層１７を形成する（図１１（ｃ））。
The step (B) of forming an insulating layer on the surface of the conductive substrate on which the removable convex pattern is formed will be described.
An insulating
絶縁層としてＤＬＣ薄膜を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、アーク放電法、イオン化蒸着法等の物理気相成長法、プラズマＣＶＤ法等の化学気相成長法等のドライコーティング法を採用し得るが、成膜温度が室温から制御できる高周波やパルス放電を利用するプラズマＣＶＤ法が特に好ましい。 As a method for forming a DLC thin film as an insulating layer, a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, an arc discharge method, a physical vapor deposition method such as an ionization deposition method, a chemical vapor deposition method such as a plasma CVD method, etc. However, the plasma CVD method using a high frequency or pulse discharge in which the film forming temperature can be controlled from room temperature is particularly preferable.
上記ＤＬＣ薄膜をプラズマＣＶＤ法で形成するために、原料となる炭素源として炭化水素系のガスが好んで用いられる。例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン系ガス類、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン系ガス類、ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス類、アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス類、ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香族炭化水素系ガス類、シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン系ガス類、シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン系ガス類、メタノール、エタノール等のアルコール系ガス類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系ガス類、メタナール、エタナール等のアルデヒド系ガス類等が挙げられる。上記
ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。また、元素として炭素と水素を含有する原料ガスとして上記した炭素源と水素ガスとの混合物、上記した炭素源と一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみから構成される化合物のガスと水素ガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスと酸素ガスまたは水蒸気との混合物等が挙げられる。更に、これらの原料ガスには希ガスが含まれていてもよい。希ガスは、周期律表第０属の元素からなるガスであり、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等が挙げられる。これらの希ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。
In order to form the DLC thin film by the plasma CVD method, a hydrocarbon-based gas is preferably used as a carbon source as a raw material. For example, alkane gases such as methane, ethane, propane, butane, pentane, hexane, alkene gases such as ethylene, propylene, butene, pentene, alkadiene gases such as pentadiene, butadiene, acetylene, methylacetylene, etc. Alkyne gases, aromatic hydrocarbon gases such as benzene, toluene, xylene, indene, naphthalene and phenanthrene, cycloalkane gases such as cyclopropane and cyclohexane, cycloalkene gases such as cyclopentene and cyclohexene, methanol And alcohol gases such as ethanol, ketone gases such as acetone and methyl ethyl ketone, and aldehyde gases such as methanal and ethanal. The said gas may be used independently and may use 2 or more types together. Further, a mixture of the above-described carbon source and hydrogen gas as a raw material gas containing carbon and hydrogen as elements, and the above-described carbon source and a gas of a compound composed only of carbon and oxygen such as carbon monoxide gas and carbon dioxide gas. A mixture of a compound gas composed of only carbon and oxygen, such as a mixture, carbon monoxide gas, carbon dioxide gas, and hydrogen gas; a compound gas composed of only carbon and oxygen, such as carbon monoxide gas, carbon dioxide gas; Examples thereof include a mixture with oxygen gas or water vapor. Further, these source gases may contain a rare gas. The rare gas is a gas composed of an element belonging to Group 0 of the periodic table, and examples thereof include helium, argon, neon, and xenon. These rare gases may be used alone or in combination of two or more.
絶縁層は、その全体を、上述した絶縁性のＤＬＣ薄膜によって形成してもよいが、当該ＤＬＣ薄膜の、金属板等の導電性基材に対する密着性を向上させて、絶縁層の耐久性をさらに向上させるためには、この両者の間に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉもしくはそれらの窒化物又は炭化物から選ばれる一種以上の成分又はその他よりなる中間層を介挿することが好ましい。
上記ＳｉまたはＳｉＣの薄膜は、例えば、ステンレス鋼などの金属との密着性に優れる上、その上に積層する絶縁性のＤＬＣ薄膜との界面においてＳｉＣを形成して、当該ＤＬＣ薄膜の密着性を向上させる効果を有している。
中間層は、前記したようなドライコーティング法により形成させることができる。
中間層の厚みは、１μｍ以下であることが好ましく、生産性を考慮すると０．５μｍ以下であることが更に好ましい。１μｍ以上コーティングするには、コーティング時間が長くなると共に、コーティング膜の内部応力が大きくなるため適さない。
The insulating layer may be formed entirely by the above-described insulating DLC thin film, but it improves the adhesion of the DLC thin film to a conductive substrate such as a metal plate, thereby improving the durability of the insulating layer. In order to further improve, it is preferable to insert an intermediate layer composed of one or more components selected from Ti, Cr, W, Si, nitrides or carbides thereof, or the like, between the two.
The Si or SiC thin film has excellent adhesion to, for example, a metal such as stainless steel, and also forms SiC at the interface with the insulating DLC thin film laminated thereon to improve the adhesion of the DLC thin film. Has the effect of improving.
The intermediate layer can be formed by the dry coating method as described above.
The thickness of the intermediate layer is preferably 1 μm or less, and more preferably 0.5 μm or less in consideration of productivity. A coating of 1 μm or more is not suitable because the coating time becomes long and the internal stress of the coating film increases.
絶縁層をＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２のような無機材料で形成する場合にも、スパッタリング法、イオンプレーティング法といった物理的気相成長法やプラズマＣＶＤといった化学気相成長法を用いることができる。例えばスパッタリング法で形成する場合には、ターゲットをＳｉまたはＡｌにして反応性ガスとして酸素、窒素などの導入することでＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４などの酸化物、窒化物を成膜することができる。また、イオンプレーティング法を用いる場合にはＳｉやＡｌを原料とし、電子ビームをこれらに照射することで蒸発させ、基板に成膜することができる。その際に、酸素、窒素、アセチレンといった反応性ガスを導入することで酸化物、窒化物、炭化物を成膜することができる。
また、ＣＶＤ法で成膜する場合には金属塩化物、金属水素化物、有機金属化合物などのような化合物ガスを原料とし、それらの化学反応を利用して成膜することでできる。酸化シリコンのＣＶＤは、例えばＴＥＯＳ、オゾンを用いたプラズマＣＶＤで行える。窒化シリコンのＣＶＤは、例えばアンモニアとシランを用いたプラズマＣＶＤで行える。
Even when the insulating layer is formed of an inorganic material such as Al 2 O 3 or SiO 2 , a physical vapor deposition method such as a sputtering method or an ion plating method or a chemical vapor deposition method such as plasma CVD can be used. . For example, in the case of forming by sputtering, an oxide or nitride such as SiO 2 or Si 3 N 4 can be formed by introducing Si or Al as a target and introducing oxygen, nitrogen or the like as a reactive gas. it can. In the case of using the ion plating method, Si or Al can be used as a raw material, and an electron beam can be irradiated to evaporate to form a film on the substrate. At that time, an oxide, nitride, or carbide film can be formed by introducing a reactive gas such as oxygen, nitrogen, or acetylene.
In the case of forming a film by the CVD method, the film can be formed by using a chemical gas such as a metal chloride, a metal hydride, an organometallic compound, etc. as a raw material. The CVD of silicon oxide can be performed by plasma CVD using, for example, TEOS or ozone. The CVD of silicon nitride can be performed by plasma CVD using ammonia and silane, for example.
次に、前記した（Ｃ）絶縁層が付着している凸状パターンを除去する工程について説明する。絶縁層１７が付いている状態（図１１（ｃ）参照）で、突起部１６からなる凸状パターンを除去する（図１１（ｄ）参照）。
絶縁層の付着しているレジストの除去には、市販のレジスト剥離液や無機、有機アルカリ、有機溶剤などを用いることができる。また、パターンを形成するのに使用したレジストに対応する専用の剥離液があれば、それを用いることもできる。
剥離の方法としては、例えば薬液に浸漬することでレジストを膨潤、破壊あるいは溶解させた後これを除去することが可能である。液をレジストに十分含浸させるために超音波、加熱、撹拌等の手法を併用しても良い。また、剥離を促進するためにシャワー、噴流等で液をあてることもできるし、柔らかい布や綿棒などでこすることもできる。
また、絶縁層の耐熱が十分高い場合には高温で焼成してレジストを炭化させて除去することもできるし、レーザーを照射して焼き飛ばす、といった方法も利用できる。
剥離液としては、例えば、３％ＮａＯＨ溶液を用い、剥離法としてシャワーや浸漬が適用できる。
Next, the step (C) of removing the convex pattern to which the insulating layer is attached will be described. In the state where the insulating
A commercially available resist stripping solution, inorganic, organic alkali, organic solvent, or the like can be used to remove the resist to which the insulating layer is attached. In addition, if there is a dedicated stripping solution corresponding to the resist used to form the pattern, it can be used.
As a peeling method, for example, it is possible to remove the resist after it has been swelled, broken or dissolved by immersion in a chemical solution. In order to sufficiently impregnate the resist with the solution, techniques such as ultrasonic waves, heating, and stirring may be used in combination. In addition, the liquid can be applied with a shower, a jet or the like in order to promote peeling, and can be rubbed with a soft cloth or cotton swab.
In addition, when the heat resistance of the insulating layer is sufficiently high, a method of baking at a high temperature to carbonize the resist and removing it, or irradiating with a laser to burn off can be used.
As the stripping solution, for example, a 3% NaOH solution is used, and showering or dipping can be applied as the stripping method.
導電性基材１２上に形成される絶縁層と、突起部１６の側面に形成される絶縁層とでは、性質又は特性が異なるようにする。すなわち、硬度が、前者の方が後者より大きい。ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法で形成するときは、このようになる。一般に絶縁膜を形成するときに、絶縁材料の移動速度が例えば９０度の角度で異なるような場合に、上記のように形成される膜の性質又は特性が異なるようになる。
突起部１６を除去するとき、絶縁層は、この境界で分離され、その結果、凹部の側面が、傾斜角αを有するようになる。傾斜角αは、角度で３０度以上９０度未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、３０度以上６０度以下がさらに好ましく４０度以上６０度以下が特に好ましく、ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤで作製する場合、ほぼ４０〜６０度に制御することが容易になる。すなわち、凹部１４は、開口方向に向かって幅広になるように形成される。傾斜角αの制御方法としては、突起部１６の高さを調整する方法が好ましい。突起部１６の高さが大きくなるほど、傾斜角αを大きく制御しやすくなる。
The insulating layer formed on the
When the
上記の絶縁層の形成において、導電性基材はレジストの影にならないので、導電性基材上の絶縁層は性質が均一である。これに対し、凸状パターンの側面への絶縁層の形成は、凸状パターンの側面が導電性基材上の膜厚方向に対し角度を有しているため、形成される絶縁層（特にＤＬＣ膜）は、導電性基材上の絶縁層と同じ特性（例えば、同じ硬度）の絶縁層が得られない。このような異質な絶縁層の接触面においては、絶縁層の成長に伴い絶縁層の境界面が形成され、しかも、その境界面は絶縁層の成長面であることから、滑らかである。このため、突起部からなる凸状パターンを除去するとき、絶縁層（特にＤＬＣ膜）は、この境界で容易に分離される。さらに、この境界面、即ち、凹部側面となる傾斜角αは、導電性基材上の膜厚方向に対し突起部の側面で絶縁層の成長が遅れるため、結果として、境界面の傾斜角は、上記のように制御される。 In the formation of the insulating layer, the conductive base material does not become a shadow of the resist, and therefore the insulating layer on the conductive base material has uniform properties. On the other hand, the insulating layer is formed on the side surface of the convex pattern because the side surface of the convex pattern has an angle with respect to the film thickness direction on the conductive substrate. As for the film, an insulating layer having the same characteristics (for example, the same hardness) as the insulating layer on the conductive substrate cannot be obtained. In such a heterogeneous insulating layer contact surface, a boundary surface of the insulating layer is formed as the insulating layer grows, and the boundary surface is a growth surface of the insulating layer, and is smooth. For this reason, when the convex pattern consisting of the protrusions is removed, the insulating layer (particularly the DLC film) is easily separated at this boundary. Furthermore, the inclination angle α that becomes the boundary surface, that is, the side surface of the concave portion is that the growth of the insulating layer is delayed on the side surface of the protruding portion with respect to the film thickness direction on the conductive substrate. , Controlled as described above.
本発明において導電性基材上に形成された絶縁層の硬度は、１０〜４０ＧＰａであることが好ましい。硬度が１０ＧＰａ未満の絶縁層は軟質であり、本導電性基材をめっき用版として用いる際に、繰り返し使用における耐久性が低くなる。硬度が４０ＧＰａ以上では、導電性基材を折り曲げ等の加工をした際に基材の変形に追随できなくなり、絶縁層にひびや割れが発生しやすくなる。導電性基材上に形成される絶縁層の硬度は、より好ましくは１２〜３０ＧＰａである。
これに対して、凸部側面に形成される絶縁層の硬度は１〜１５ＧＰａであることが好ましい。凸部側面に形成される絶縁層は、少なくとも導電性基材上に形成される絶縁層の硬度よりも低くなるように形成しなければならない。そうすることにより両者間に境界面が形成され、後の絶縁層の付着した突起部からなる凸状パターンを剥離する工程を経た後に、幅広な凹部が形成されることになる。突起部側面に形成される絶縁層の硬度は１〜１０ＧＰａであることがより好ましい。
In the present invention, the hardness of the insulating layer formed on the conductive substrate is preferably 10 to 40 GPa. The insulating layer having a hardness of less than 10 GPa is soft, and when the conductive substrate is used as a plating plate, durability in repeated use is reduced. When the hardness is 40 GPa or more, it becomes impossible to follow the deformation of the base material when the conductive base material is processed such as bending, and the insulating layer is likely to be cracked or cracked. The hardness of the insulating layer formed on the conductive substrate is more preferably 12 to 30 GPa.
On the other hand, the hardness of the insulating layer formed on the side surface of the convex portion is preferably 1 to 15 GPa. The insulating layer formed on the side surface of the convex portion must be formed so as to be at least lower than the hardness of the insulating layer formed on the conductive substrate. By doing so, a boundary surface is formed between the two, and a wide concave portion is formed after a step of peeling the convex pattern composed of the protruding portion to which the insulating layer adheres later. The hardness of the insulating layer formed on the side surface of the protrusion is more preferably 1 to 10 GPa.
絶縁層の硬度は、ナノインデンテーション法を用いて測定することができる。ナノインデンテーション法とは、先端形状がダイヤモンドチップから成る正三角錐（バーコビッチ型）の圧子を薄膜や材料の表面に押込み、そのときの圧子にかかる荷重と圧子の下の射影面積から硬度を求める。ナノインデンテーション法による測定として、ナノインデンターという装置が市販されている。導電性基材上に形成された膜の硬度はそのまま導電性基材上から圧子を押し込んで測定することができる。また、凸部側面に形成される膜の硬度を測定するためには、導電性基材の一部を切り取って樹脂で注型し、断面から凸部側面に形成された絶縁層に圧子を押し込んで測定することができる。通常ナノインデンテーション法では圧子に１〜１００ｍＮの微少荷重をかけて硬度測定を行うが、本発明では３ｍＮの荷重で１０秒間負荷をかけて測定した値を硬度の値として記載している。
このようにして、めっき用導電性基材１１を作製することができる。
The hardness of the insulating layer can be measured using a nanoindentation method. In the nanoindentation method, a regular triangular pyramid (Berkovic) indenter with a diamond tip is pressed into the surface of a thin film or material, and the hardness is obtained from the load applied to the indenter and the projected area under the indenter. As a measurement by the nanoindentation method, a device called a nanoindenter is commercially available. The hardness of the film formed on the conductive substrate can be measured by pressing an indenter from the conductive substrate as it is. In addition, in order to measure the hardness of the film formed on the side surface of the convex part, a part of the conductive substrate is cut out and cast with resin, and the indenter is pushed into the insulating layer formed on the side surface of the convex part from the cross section. Can be measured. Normally, in the nanoindentation method, the hardness is measured by applying a minute load of 1 to 100 mN to the indenter, but in the present invention, the value measured by applying a load of 3 mN for 10 seconds is described as the hardness value.
Thus, the
図１２は、中間層を有するめっき用導電性基材とその前駆体の断面図を示す。
突起部１６からなる凸状パターンが形成された導電性基材１２の表面に、絶縁層１７を形成する前に、中間層１８を形成することが好ましい（図１２（ｃ′））。中間層としては、前記したものが使用でき、その形成方法も前記したとおりである。中間層１８を形成した場合、得られるめっき用導電性基材は、凹部１４の底部は、導電性基材１２が露出しており、それ以外では、中間層１８の上に絶縁層１７が形成されている（図１２（ｄ′））。また、中間層は、凸状パターン１６の形成前に、導電性基材１２の表面に形成しても良い。この後、その表面に、前記したように導電性基材を露出させている凹部によって幾何学図形が描かれるように絶縁層を形成する工程を行っても良い。この場合、中間層として、電界めっきが十分可能な程度に導電性のものを使用した場合、凹部の底部はその中間層のままでよいが、十分な導電性を有していない場合は、ドライエッチング等の方法により、凹部の底部の中間層を除去し、導電性基材１２を露出させる。
FIG. 12 shows a cross-sectional view of a conductive substrate for plating having an intermediate layer and its precursor.
It is preferable to form the
本発明におけるめっき法は公知の方法を採用することができる。めっき法としては、電解めっき法、無電解めっき法その他のめっき法を適用することができる。
電解めっきについてさらに説明する。例えば、電解銅めっきであれば、めっき用の電解浴には硫酸銅浴、ほうふっ化銅浴、ピロリン酸銅浴、または、シアン化銅浴などを用いることができる。このときに、めっき浴中に有機物等による応力緩和剤（光沢剤としての効果も有する）を添加すれば、より電着応力のばらつきを低下させることができることが知られている。また、電解ニッケルめっきであれば、ワット浴、スルファミン酸浴などを使用することができる。これらの浴にニッケル箔の柔軟性を調整するため、必要に応じてサッカリン、パラトルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、ナフタリントリスルホン酸ナトリウムのような添加剤、及びその調合剤である市販の添加剤を添加して
もよい。さらに、電解金めっきの場合は、シアン化金カリウムを用いた合金めっきや、クエン酸アンモニウム浴やクエン酸カリウム浴を用いた純金めっきなどが用いられる。合金めっきの場合は、金−銅、金−銀、金−コバルトの２元合金や、金−銅−銀の３元合金が用いられる。他の金属に関しても同様に公知の方法を用いることができる。電界めっき法としては、例えば、「現場技術者のための実用めっき」（日本プレーティング協会編、１９８６年槇書店発行）第８７〜５０４頁を参照することができる。
A well-known method can be employ | adopted for the plating method in this invention. As the plating method, an electrolytic plating method, an electroless plating method, or other plating methods can be applied.
The electrolytic plating will be further described. For example, in the case of electrolytic copper plating, a copper sulfate bath, a copper borofluoride bath, a copper pyrophosphate bath, a copper cyanide bath, or the like can be used as an electrolytic bath for plating. At this time, it is known that the dispersion of electrodeposition stress can be further reduced by adding a stress relieving agent (also having an effect as a brightener) due to organic matter or the like to the plating bath. For electrolytic nickel plating, a Watt bath, a sulfamic acid bath, or the like can be used. In order to adjust the flexibility of the nickel foil in these baths, additives such as saccharin, paratoluenesulfonamide, sodium benzenesulfonate, sodium naphthalene trisulfonate, and commercial additions that are preparations as necessary An agent may be added. Furthermore, in the case of electrolytic gold plating, alloy plating using potassium gold cyanide, pure gold plating using an ammonium citrate bath or a potassium citrate bath, or the like is used. In the case of alloy plating, a gold-copper, gold-silver, gold-cobalt binary alloy or a gold-copper-silver ternary alloy is used. Similarly, other known methods can be used for other metals. As the electroplating method, for example, “Practical plating for field engineers” (edited by the Japan Plating Association, published by Sakai Shoten in 1986) pages 87 to 504 can be referred to.
次に、無電解めっきについてさらに説明する。無電解めっき法としては、銅めっき、ニッケルめっき、代表的であるが、その他、すずめっき、金めっき、銀めっき、コバルトめっき、鉄めっき等が挙げられる。工業的に利用されている無電解めっきのプロセスでは、還元剤をめっき液に添加し、その酸化反応によって生ずる電子を金属の析出反応に利用するのであり、めっき液は、金属塩、錯化剤、還元剤、ｐＨ調整剤、ｐＨ緩衝材、安定剤等から成り立っている。無電解銅めっきの場合は、金属塩として硫酸銅、還元剤としてホルマリン、錯化剤としてロッセル塩やエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）が好んで用いられる。また、ｐＨは主として水酸化ナトリウムによって調整されるが、水酸化カリウムや水酸化リチウムなども使用でき、緩衝剤としては、炭酸塩やリン酸塩が用いられ、安定化剤としては、１価の銅と優先的に錯形成するシアン化物、チオ尿素、ビピリジル、Ｏ−フェナントロリン、ネオクプロイン等が用いられる。また、無電解ニッケルめっきの場合は、金属塩として硫酸ニッケル、還元剤には、次亜りん酸ナトリウムやヒドラジン、水素化ホウ素化合物等が好んで用いられる。次亜りん酸ナトリウムを用いた場合には、めっき皮膜中にりんが含有され、耐食性や耐摩耗性が優れている。また、緩衝剤としては、モノカルボン酸またはそのアルカリ金属塩を使用する場合が多い。錯化剤は、めっき液中でニッケルイオンと安定な可溶性錯体を形成するものが使用され、酢酸、乳酸、酒石酸、りんご酸、クエン酸、グリシン、アラニン、ＥＤＴＡ等が用いられ、安定化剤としては、硫黄化合物や鉛イオンが添加される。無電解めっき法については上記「現場技術者のための実用めっき」（日本プレーティング協会編、１９８６年槇書店発行）の第５０５〜５４５頁を参照することができる。
さらに、還元剤の還元作用を得るためには、金属表面の触媒活性化が必要になることがある。素地が鉄、鋼、ニッケルなどの金属の場合には、それらの金属が触媒活性を持つため、無電解めっき液に浸漬するだけで析出するが、銅、銀あるいはそれらの合金、ステンレスが素地となる場合には、触媒活性化を付与するために、塩化パラジウムの塩酸酸性溶液中に被めっき物を浸漬し、イオン置換によって、表面にパラジウムを析出させる方法が用いられる。
Next, the electroless plating will be further described. Typical examples of the electroless plating method include copper plating, nickel plating, tin plating, gold plating, silver plating, cobalt plating, iron plating, and the like. In the process of electroless plating used industrially, a reducing agent is added to a plating solution, and electrons generated by the oxidation reaction are used for metal precipitation reaction. , Reducing agent, pH adjusting agent, pH buffering material, stabilizer and the like. In the case of electroless copper plating, copper sulfate is preferably used as the metal salt, formalin as the reducing agent, and Rossel salt or ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) as the complexing agent. Moreover, although pH is mainly adjusted with sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide, etc. can be used, carbonate and phosphate are used as a buffer, and monovalent as a stabilizer. Cyanide, thiourea, bipyridyl, O-phenanthroline, neocuproine, etc. that complex preferentially with copper are used. In the case of electroless nickel plating, nickel sulfate is preferably used as the metal salt, and sodium hypophosphite, hydrazine, a borohydride compound, or the like is preferably used as the reducing agent. When sodium hypophosphite is used, phosphorus is contained in the plating film, and the corrosion resistance and wear resistance are excellent. Moreover, as a buffering agent, a monocarboxylic acid or its alkali metal salt is often used. As the complexing agent, one that forms a stable soluble complex with nickel ions in the plating solution is used, and acetic acid, lactic acid, tartaric acid, malic acid, citric acid, glycine, alanine, EDTA, etc. are used. In this case, sulfur compounds and lead ions are added. For the electroless plating method, refer to pages 505 to 545 of the above-mentioned “Practical Plating for On-Site Engineers” (edited by the Japan Plating Association, published by Sakai Shoten in 1986).
Furthermore, in order to obtain the reducing action of the reducing agent, it may be necessary to activate the catalyst on the metal surface. When the substrate is a metal such as iron, steel, nickel, etc., these metals have catalytic activity, so they are deposited just by immersing them in the electroless plating solution, but copper, silver or their alloys, and stainless steel In this case, in order to impart catalyst activation, a method is used in which the object to be plated is immersed in an acidic hydrochloric acid solution of palladium chloride and palladium is deposited on the surface by ion substitution.
本発明で利用できる無電解めっきは、例えば、めっき用導電性基材の凹部に、必要に応じてパラジウム触媒を付着させたあと、温度６０〜９０℃程度とした無電解銅めっき液に浸漬して、銅めっきを施す方法である。
無電解めっきでは、基材は必ずしも導電性である必要はない。しかし、基材を陽極酸化処理するような場合は、基材は導電性である必要がある。
特に、導電性基材の材質がＮｉである場合、無電解めっきするには、凹部を陽極酸化した後、無電解銅めっき液に浸漬して、銅を析出させる方法がある。
The electroless plating that can be used in the present invention is, for example, immersed in an electroless copper plating solution at a temperature of about 60 to 90 ° C. after a palladium catalyst is attached to the recesses of the conductive base material for plating, if necessary. This is a method of performing copper plating.
In electroless plating, the substrate is not necessarily conductive. However, when anodizing the substrate, the substrate needs to be conductive.
In particular, when the material of the conductive substrate is Ni, electroless plating includes a method in which the recesses are anodized and then immersed in an electroless copper plating solution to deposit copper.
めっきによって出現又は析出する金属としては、銀、銅、金、アルミニウム、タングステン、ニッケル、鉄、クロム等の導電性を有するものが使用されるが、２０℃での体積抵抗率（比抵抗）が２０μΩ・ｃｍ以下の金属を少なくとも１種類以上含むことが望ましい。本発明により得られる構造体を電磁波遮蔽シートとして用いる場合には電磁波を電流としてアースするためにこれを構成する金属は導電性が高い方が電磁波遮蔽性に優れるためである。このような金属としては、銀（１．６２μΩ・ｃｍ）、銅（１．７２μΩ・ｃｍ）、金（２．４μΩ・ｃｍ）、アルミニウム（２．７５μΩ・ｃｍ）、タングステン（５．５μΩ・ｃｍ）、ニッケル（７．２４μΩ・ｃｍ）、鉄（９．８μΩ・ｃｍ）、クロム（１７μΩ・ｃｍ、全て２０℃での値）などがあるが特にこれらに限定するものではない。できれば体積抵抗率が１０μΩ・ｃｍであることがより好ましく、５μΩ・ｃｍであることがさらに好ましい。金属の価格や入手の容易さを考慮すると銅を用いることが最も好ましい。これらの金属は単体で用いてもよく、さらに機能性を付与するために他の金属との合金でも構わないし、金属の酸化物であってもよい。ただし、体積抵抗率が２０μΩ・ｃｍである金属が成分として最も多く含まれていることが導電性の観点から好ましい。 As a metal that appears or precipitates by plating, conductive metals such as silver, copper, gold, aluminum, tungsten, nickel, iron, and chromium are used, but the volume resistivity (specific resistance) at 20 ° C. is used. It is desirable to include at least one kind of metal of 20 μΩ · cm or less. This is because when the structure obtained according to the present invention is used as an electromagnetic wave shielding sheet, the metal constituting it is grounded as an electromagnetic wave as a current, and the higher the conductivity, the better the electromagnetic wave shielding property. Such metals include silver (1.62 μΩ · cm), copper (1.72 μΩ · cm), gold (2.4 μΩ · cm), aluminum (2.75 μΩ · cm), tungsten (5.5 μΩ · cm). ), Nickel (7.24 μΩ · cm), iron (9.8 μΩ · cm), chromium (17 μΩ · cm, all values at 20 ° C.), etc., but are not particularly limited thereto. If possible, the volume resistivity is more preferably 10 μΩ · cm, and further preferably 5 μΩ · cm. In view of the price of metal and availability, copper is most preferably used. These metals may be used alone, or may be an alloy with another metal or a metal oxide for imparting functionality. However, it is preferable from the viewpoint of conductivity that a metal having a volume resistivity of 20 μΩ · cm is contained in the largest amount as a component.
前記した導電性基材の凹部にめっきにより形成される金属層の厚さ（めっき厚さ）は、目的に応じて適宜決定されるが、その厚さについては、導体層の厚さに関する前記の記載の通りである。 The thickness of the metal layer (plating thickness) formed by plating on the concave portion of the conductive base material is appropriately determined according to the purpose. The thickness is related to the thickness of the conductor layer. As described.
析出する金属層の厚さに対して相対的に凹部がより深くなることにより、析出する金属層をより形状的に規正することができるという観点から、めっきにより形成される金属箔の厚さを絶縁層の高さの２倍以下とすることが好ましく、特に１．５倍以下、さらに１．２倍以下とすることが好ましいが、これに制限されるものではない。
めっきの程度を、析出する金属層が凹部内に存在する程度とすることができる。このような場合であっても、凹部形状が開口方向に幅広であるため、さらには、絶縁層により形成される凹部側面の表面を平滑にできるため、金属箔パターンの剥離時のアンカー効果を小さくできる。また、析出する金属層の幅に対する高さの割合を高くすることが可能となり、透過率をより向上させることができる。
The thickness of the metal foil formed by plating is reduced from the viewpoint that the metal layer to be deposited can be more shaped by making the recess deeper relative to the thickness of the deposited metal layer. The height of the insulating layer is preferably 2 times or less, particularly preferably 1.5 times or less, and further preferably 1.2 times or less, but is not limited thereto.
The degree of plating can be such that the deposited metal layer is present in the recess. Even in such a case, since the concave shape is wide in the opening direction, and further, the surface of the concave side surface formed by the insulating layer can be smoothed, so that the anchor effect at the time of peeling of the metal foil pattern is reduced. it can. Moreover, it becomes possible to make high the ratio of the height with respect to the width | variety of the metal layer to deposit, and to improve the transmittance | permeability more.
本発明における導体層は、前記しためっき用導電性基材の表面形状に対応した形状となる。その形状及び寸法については前記したとおりである。 The conductor layer in the present invention has a shape corresponding to the surface shape of the conductive substrate for plating described above. The shape and dimensions are as described above.
前記した導体層のＬ３とＴ１の関係が式（２）〔より好ましくは式（３）〕の関係になるようにするためには、例えば、めっき液として、硫酸銅浴を使用する場合、次の配合からなるものが好ましい。 In order to make the relationship between L3 and T1 of the above-described conductor layer the relationship of the formula (2) [more preferably, the formula (3)], for example, when using a copper sulfate bath as the plating solution, What consists of these is preferable.
硫酸銅（五水和物） ５０〜４００ ｇ／Ｌ（銅分として１２〜１００ ｇ／Ｌ）
硫酸 ５０〜２００ ｇ／Ｌ
を含み、必要に応じて、
塩素イオン（塩酸または塩化ナトリウム） ２０〜１００ ｍｇ／Ｌ
光沢剤（３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸塩など） 適量
界面活性剤（ポリエチレングリコール類など） 適量
を溶解・配合した水溶液が用いられる。
光沢剤及び界面活性剤に替わる薬剤として
高分子多糖類
低分子膠
を用いても対応可能である。
Copper sulfate (pentahydrate) 50-400 g / L (12-100 g / L as copper content)
Sulfuric acid 50-200 g / L
Including, if necessary,
Chlorine ion (hydrochloric acid or sodium chloride) 20-100 mg / L
Brightener (3-mercapto-1-propanesulfonate, etc.) Suitable amount Surfactant (polyethylene glycol, etc.) An aqueous solution in which an appropriate amount is dissolved and blended is used.
It is also possible to use high molecular weight polysaccharides and low molecular weight glue as an alternative to brighteners and surfactants.
ついで、導体層パターン付き基材の製造工程における次の工程、すなわち、（ＩＩ）めっき用導電性基材上に形成された導体層（上記めっき用導電性基材の凹部に析出させた金属）を樹脂層を含む適当な基材に転写する転写工程、について説明する。 Next, the next step in the manufacturing process of the substrate with the conductor layer pattern, that is, (II) a conductor layer formed on the conductive substrate for plating (metal deposited in the concave portion of the conductive substrate for plating) A transfer process for transferring the film to a suitable base material including a resin layer will be described.
上記の樹脂層を含む適当な基材（樹脂層およびそれを積層する剥離性基材を含む。以下、「転写用基材」ともいう。）については前記したとおりであるが、転写工程においては、その樹脂層は、粘着性を有しているもの又は粘着性を示すもの（これらを、「粘着剤」又は「粘着樹脂」という）からなる。この粘着剤には、必要に応じて、架橋剤、硬化剤、希釈剤、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤や粘着付与剤などの添加剤を配合していてもよい。なお、上記「粘着性」とは、「接着性」を包含する。
転写用基材の剥離性基材としては、生産性を考えると、プラスチックフィルムが、好ましい。
An appropriate base material including the above resin layer (including a resin layer and a peelable base material on which the resin layer is laminated. Hereinafter, also referred to as “transfer base material”) is as described above. The resin layer is made of an adhesive or an adhesive (these are called “adhesive” or “adhesive resin”). This pressure-sensitive adhesive may contain additives such as a crosslinking agent, a curing agent, a diluent, a plasticizer, an antioxidant, a filler, a colorant, an ultraviolet absorber and a tackifier, as necessary. Good. The “adhesiveness” includes “adhesiveness”.
As the peelable substrate of the transfer substrate, a plastic film is preferable in view of productivity.
粘着剤層（樹脂層）の厚さは、薄すぎると十分な強度が得られないため、めっきで形成された導体層を転写する際に、導体層が粘着剤層に密着せず、転写不良が発生することがある。したがって、粘着剤層の厚みは、０．５μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましく、量産時の転写信頼性を確保するためには３μｍ以上であることがさらに好ましい。また、粘着剤層の厚さが厚すぎると、粘着剤層の製造コストが高くなるとともに、ラミネートした際に、粘着剤層の変形量が多くなるため、粘着剤層の厚みは１１０μｍ以下が好ましく、９０μｍ以下がより好ましく、７０μｍ以下がさらに好ましい。
転写用基材を、めっき用導電性基材の導体層が形成されている面に貼り合わせる際には、粘着剤層の特性に応じて、特に、粘着剤層が適度な流動性又は粘着性を発揮するために、必要ならば加熱される。剥離性基材は、このような加熱に際しても形状を維持する程度に十分な耐熱性を有することが好ましい。
If the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (resin layer) is too thin, sufficient strength cannot be obtained. Therefore, when transferring a conductive layer formed by plating, the conductive layer does not adhere to the pressure-sensitive adhesive layer, resulting in poor transfer. May occur. Accordingly, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, and further preferably 3 μm or more in order to ensure transfer reliability during mass production. Further, if the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is too thick, the production cost of the pressure-sensitive adhesive layer increases, and the amount of deformation of the pressure-sensitive adhesive layer increases when laminated. Therefore, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 110 μm or less. 90 μm or less is more preferable, and 70 μm or less is more preferable.
When the transfer substrate is bonded to the surface of the conductive substrate for plating on which the conductor layer is formed, depending on the properties of the pressure-sensitive adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive layer is particularly suitable for fluidity or pressure-sensitive adhesiveness. If necessary, it is heated. It is preferable that the peelable substrate has sufficient heat resistance to maintain the shape during such heating.
上記の転写工程を経て導体層パターン付き基材を作製する例を次に示す。
図１３は、導体層パターン付き基材の作製例の前半を示す断面図である。また、図１４はその後半を示す断面図である。
前記のめっき用導電性基材１１上に、前記しためっき工程により、凹部１４内にめっきを施し、導体層１９のパターンを形成する（図１３（ｅ））。ついで、別個に準備された転写用基材２０は、剥離性基材２１に粘着剤層２２が積層されているものである。導体層１９のパターンが形成されためっき用導電性基材１１に転写用基材２０を粘着剤層２２を向けて圧着する準備を行う（図１３（ｆ））。このとき、剥離性基材２１として、表面に粘着剤層２２とは異なった粘着剤を有していてもよい。これよって、例えば、後で、剥離性基材２１を粘着剤層２２から剥離しやすくすることができる。
The example which produces a base material with a conductor layer pattern through said transfer process is shown next.
FIG. 13: is sectional drawing which shows the first half of the preparation examples of the base material with a conductor layer pattern. FIG. 14 is a cross-sectional view showing the latter half.
On the
ついで、導体層パターンが形成されためっき用導電性基材１１に転写用基材２０を粘着剤層２２を向けて圧着する（図１４（ｇ））。このとき、粘着剤層２２が絶縁層１７に接触してもよい。圧着の程度により、導体層１９の粘着剤層２２への埋設厚さを調整することができる。このとき、粘着剤層２２は、圧力に対して流動性を示すことが好ましく、場合により、粘着剤層２２を流動させるために、加熱される。
Next, the
導体層パターンが形成されためっき用導電性基材１１に転写用基材２０を粘着剤層２２を向けて圧着する（図１４（ｇ））のと同様の状態は、次のようにしても実現することができる。すなわち、導体層パターンが形成されためっき用導電性基材１１の上に、液状の粘着剤を一定の厚さに塗布するか、シート状の粘着剤を載置し、さらにその上に支持基材２１を載置し、適宜圧力をかけて接着する。このとき、粘着剤としては、活性エネルギー線の照射により硬化する光硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂を使用するときは、適宜、活性エネルギー線を照射するか加熱して硬化を進める。硬化の程度は、粘着剤に粘着性を残存させる程度などにより適宜決定される。粘着剤として熱可塑性樹脂を用いた場合には、支持基材の載置後に相対的に冷却して固化させることが好ましい。上記において、支持基材として（又は支持基材の代わり）剥離性基材を用いて、粘着剤層を硬化又は固化させた後剥離するようにしてもよい。このとき、樹脂層を含む基材は支持基材を含まないものになる。
The same state as the case where the
ついで、転写用基材２０を引きはがすと導体層１９のパターンは、その粘着剤層１２に接着してめっき用導電性基材１１から剥離され、この結果、導体層パターン付き基材２３が得られる（図１４（ｈ））。得られた導体層パターン付き基材２３の導体層１９の上からフィルム（剥離性フィルムが好ましい）を介して圧着ロール等で圧着して導体層の粘着剤層２２への埋設させている厚さを調整することができる。このとき、粘着剤層２２は、圧力に対して流動性を示すことが好ましく、場合により、粘着剤層２２を流動させるために、加熱される。これによって、剥離性基材で挟まれた電磁波シールド部材を得ることができる。
Next, when the
図１５は、めっき用導電性基材の凹部内にめっきにより導体層パターンを形成した状態を示す断面図、図１６は、その凹部内の導体層パターンを転写して得られた導体層パターン付き基材２３の断面図を示す。
めっき用導電性基材にめっきした際、めっきは等方的に生長するため、導電性基材の露出部分から始まっためっきの析出は、それが進むと凹部からあふれて絶縁層に覆い被さるように突出して析出する。転写用基材への貼着の観点から、突出するようにめっきを析出させることが好ましい。しかし、このとき、めっきの析出を凹部１４内に収まる程度に施しても良い。この状態を図１５に示す。この場合でも、図１６に示すように、転写用基材を圧着することにより、導体層１９のパターンを粘着剤層２２に転着して、めっき用導電性基材１１から導体層１９のパターンを剥離して、導体層パターン付き基材２３を作製することができる。この場合には、導体層は粘着剤層２２に完全には埋設されていないので、得られた導体層パターン付き基材２３の上からフィルム（剥離性フィルムが好ましい）を介して圧着ロール等で圧着して適当な厚さだけ導体層を粘着剤層２２に埋設させる。このとき、粘着剤層２２は、圧力に対して流動性を示すことが好ましく、場合により、粘着剤層２２を流動させるために、加熱される。これによっても、剥離性基材で挟まれた電磁波シールド部材を得ることができる。なお、この場合の転写工程においても、前記したように、導体層１９のパターンを有するめっき用導電性基材１１の上に、液状の粘着剤を一定の厚さに塗布するか、シート状の粘着剤を載置し、さらにその上に剥離性基材２１を載置し、適宜圧力をかけて接着する方法を採用することができる。
FIG. 15 is a cross-sectional view showing a state in which a conductor layer pattern is formed by plating in a concave portion of a conductive base material for plating, and FIG. 16 shows a conductor layer pattern obtained by transferring the conductor layer pattern in the concave portion A cross-sectional view of the
Since plating grows isotropically when plating on a conductive substrate for plating, the deposition of plating that started from the exposed portion of the conductive substrate overflows from the recess and covers the insulating layer as it progresses. To protrude and precipitate. From the viewpoint of sticking to the transfer substrate, it is preferable to deposit the plating so as to protrude. However, at this time, the plating may be deposited so as to be contained in the
転写工程において、転写用基材２０の粘着剤層２２に、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等の硬化性樹脂を含む粘着剤を使用した場合、その硬化（部分硬化または完全硬化）は、転写用基材２０をめっき用導電性基材１１から剥離する前に行っても、剥離した後で行ってもよいが、使用に供する時点で適度な粘着性を有することまたは粘着性を示すことができることが必要である。
硬化性樹脂を含む粘着剤の部分硬化又は完全硬化を、転写用基材２０をめっき用導電性基材１１から剥離した後に行う場合、別の剥離性支持体を積層して、粘着剤層に貼り合わせると同時に行ってもよい。
一般に、前記の導体層パターン付き基材の導体層パターン側を、別の剥離性支持体を、場合により樹脂層を介して、貼り合わせることにより、粘着剤層および導体層を保護した導体層パターン付き基材とすることができる。
In the transfer step, when an adhesive containing a curable resin such as a thermosetting resin or a photocurable resin is used for the
When partial curing or complete curing of the pressure-sensitive adhesive containing the curable resin is performed after the
Generally, a conductor layer pattern in which the adhesive layer and the conductor layer are protected by bonding the conductor layer pattern side of the substrate with the conductor layer pattern to another peelable support, optionally via a resin layer. It can be set as an attached base material.
前記の導体層パターン付き基材２３（図１４（ｈ）又は図１６）は、適宜、導体層１９の粘着剤層２２への埋設厚さを調整した後、使用に供することができる。このとき、粘着剤層２２とそれに埋設された導体層１９の上面が面一になるようにすることが特に好ましい。なお。剥離性基材２１を基材（Ｉ）ということがある。
The
図１７は、別の剥離性基材で導体層が保護されている導体層パターン付き基材の例を示す断面図である。この別の剥離性基材を基材（ＩＩ）ということがある。
図１７は、導体層パターン付き基材２３の導体層側に、別の剥離性基材２４〔基材（ＩＩ）〕を積層したもの、すなわち、剥離性基材で両面が保護された導体層パターン付き基材２５を示す。すなわち、剥離性基材２１上の樹脂層２２に導体層１９が埋設されており、その上に別の剥離性基材２４が積層されている。方法としては、導体層パターン付き基材２３に、その導体層１９の上から別の剥離性基材２４（剥離性フィルムが好ましい）〔基材（ＩＩ）〕を圧着ロール等で圧着して適当な厚さだけ導体層を粘着剤層２２に埋設させるが、図１７では、粘着剤層２２とそれに埋設された導体層１９の上面が面一になっている。このとき、粘着剤層２２は、圧力に対して流動性を示すことが好ましく、場合により、粘着剤層２２を流動させるために、加熱される。上記した別の剥離性基材２４には、樹脂層２２及び導体層１９への貼着面に、粘着剤が積層されていてもよい。なお、基材（ＩＩ）は、導体層を保護する機能を有していれば、同時に他の機能を有していてもよい。別の剥離性基材２４〔基材（ＩＩ）〕は、前記した剥離性基材２１と同様のものから適宜選択して使用することができる。
FIG. 17: is sectional drawing which shows the example of the base material with a conductor layer pattern by which the conductor layer is protected by another peelable base material. This other peelable substrate is sometimes referred to as substrate (II).
FIG. 17 is a diagram in which another peelable substrate 24 [substrate (II)] is laminated on the conductor layer side of the
図１８の導体層パターン付き基材の一例を示す断面図であり、図１８に示す導体層パターン付き基材２６は、図１７の両面が保護された導体層パターン付き基材２５から別の剥離性基材２４を剥離したものであり、剥離性基材２１上の樹脂層２２に導体層１９が埋設されて、樹脂層２２の表面（導体層１９がない部分）と導体層１９の上面が面一になっている。
導体層パターン付き基材２６は、露出した樹脂層（粘着剤層）２２の導体層１９の上面が露出している面をタッチパネルまたは液晶ディスプレイパネルに接触させるようにして使用する。そして、それぞれへの接触面に対応して剥離性基材２１を剥離した後または剥離しつつ、樹脂層２２を液晶ディスプレイまたはパネルタッチパネルに接触するように積層して、電磁波シールド部材を必要な層に設置する。
FIG. 19 is a cross-sectional view showing an example of the base material with a conductor layer pattern in FIG. 18, and the base material with a
The
導体層パターン付き基材２３（（図１４（ｈ）若しくは図１６））若しくは導体層パターン付き基材２６（図１８）または導体層パターン付き基材２５（図１７）から、それぞれ剥離性基材２１または剥離性基材２１と別の剥離性基材２４を剥離して、樹脂層（粘着剤層）２２に導体層１９が埋設されている導体層付き樹脂層（粘着剤層）２７を作製し、これを電磁波シールド部材として使用に供することができる。図１９は、この断面図を示す。このとき、導体層１９の埋設厚さは前記したように予め調整しておくことが好ましい。
From the
導体層パターン付き基材の製造工程における第３の工程、すなわち、（ＩＩＩ）剥離性基材２１〔基材（Ｉ）〕を他の剥離性基材〔これを基材（ＩＩＩ）ともいう〕に交換する工程について説明する。この工程は、適宜行われ、場合により行わなくてもよい。 3rd process in the manufacturing process of the base material with a conductor layer pattern, ie, (III) releasable base material 21 [base material (I)] is another releasable base material (this is also called base material (III)). The process of exchanging will be described. This step is appropriately performed and may not be performed depending on circumstances.
前記した（ＩＩ）の転写工程において、めっき用導電性基材上に形成されためっきを樹脂層を含む基材に転写することにより導体層パターン付き基材が得られる。従って、これによって得られる導体層パターン付き基材を以後使用するようにすると、導体層パターン付き基材の製造法としては工程数が少なくてすむので好ましいが、剥離性基材の粘着剤層に対する粘着性を調整するために、剥離性基材を交換することも考えられる。
上記（ＩＩＩ）の工程はこのような場合に、便利であり、また、適宜剥離性基材を交換することができるので便利である。
In the transfer step (II) described above, a substrate with a conductor layer pattern is obtained by transferring the plating formed on the conductive substrate for plating to a substrate including a resin layer. Therefore, it is preferable to use the substrate with a conductor layer pattern obtained in this way since the number of steps is reduced as a method for producing a substrate with a conductor layer pattern. In order to adjust the adhesiveness, it is also conceivable to replace the peelable substrate.
The process (III) is convenient in such a case, and is convenient because the peelable substrate can be appropriately replaced.
（ＩＩＩ）の工程を行う場合、他の剥離性基材も前記した剥離性基材と同様のものから選択使用されるが、他の剥離性基材としては、プラスチックフィルムが特に適合しているが、これらに限られるものではない。
上記の工程中又は工程の後、導体層は少なくともその最大幅の部分から下部を樹脂層に埋設される。転写時または転写後における導体層の埋設厚さの調整は、前記したのと同様に行うことができる。
In the case of performing the step (III), other peelable substrates are also selected and used from the same as the above-described peelable substrates, but plastic films are particularly suitable as the other peelable substrates. However, it is not limited to these.
During or after the above steps, the conductor layer is embedded in the resin layer at least from the maximum width portion. Adjustment of the embedded thickness of the conductor layer at the time of transfer or after transfer can be performed in the same manner as described above.
上記（ＩＩ）の工程において、導体層の上を、適宜樹脂層を介して別の剥離性基材〔基材（ＩＩ）〕を積層することにより導体層表面が保護された導体層パターン付き基材とすることができ、これを、次の剥離性基材の交換工程に供することが好ましい。
上記の積層には、ラミネータ、プレス、ホットプレス、真空加圧ラミネータ等を用いて行うことができる。
In the step (II), a conductor layer-patterned base in which the surface of the conductor layer is protected by laminating another peelable substrate [base material (II)] appropriately on the conductor layer via a resin layer. It can be used as a material, and it is preferable to use this for the next step of replacing the peelable substrate.
The lamination can be performed using a laminator, a press, a hot press, a vacuum pressure laminator, or the like.
上記（ＩＩＩ）の工程において、交換する新しい剥離性基材〔基材（ＩＩＩ）〕の表面に、粘着剤層を有していてもよい。
古い剥離性基材〔基材（Ｉ）〕と新しい剥離性基材〔基材（ＩＩＩ）〕の交換方法としては、前者を剥離しつつ若しくは剥離した後、その剥離面に後者（新しい剥離性基材）をラミネートする方法などがある。
In the step (III), an adhesive layer may be provided on the surface of a new peelable substrate [base material (III)] to be replaced.
As an exchange method between the old peelable substrate [base (I)] and the new peelable substrate [substrate (III)], the former (with new peelability) is peeled off while the former is being peeled or peeled off. There is a method of laminating a substrate.
上記（ＩＩＩ）の工程（交換工程）を図面を用いて説明する。
図２０は、剥離性基材の交換工程の一例を示す断面図である。
図２０（ａ）は、図１７に示す表面保護された導体層パターン付き基材２５の剥離性基材２１〔基材（Ｉ）〕を剥離するところを示す断面図である。
The step (III) (exchange step) will be described with reference to the drawings.
FIG. 20 is a cross-sectional view illustrating an example of a replacement process for a peelable substrate.
FIG. 20A is a cross-sectional view showing a state where the peelable base material 21 [base material (I)] of the surface-protected base material with
図２０（ｂ）は、表面保護された導体層パターン付き基材２５の剥離性基材２１が完全に剥離された導体層パターン付き基材３０の断面図である。樹脂層２２に粘着性を残存しているときは、その粘着性を利用して、また、樹脂層２２に粘着性が無いときには、別個に粘着剤を塗布又は積層して目的物に貼着することができる。
FIG. 20B is a cross-sectional view of the
剥離性基材２１が剥離された表面保護された導体層パターン付き基材３０には、新しい剥離性基材が貼着される。図２０（ｃ）は、新しい支持基材が貼着され、表面が保護されている導体層パターン付き基材の断面図である。図２０（ｃ）は、新しい剥離性基材３１〔基材（ＩＩＩ）〕上に樹脂層２２、それに埋設されているが、上面は樹脂層２２からは露出している導体層１９及びこれを保護するために積層されている剥離性基材２４〔基材（ＩＩ）〕からなる導体層パターン付き基材３２を示す。
A new peelable substrate is adhered to the surface-protected
図２０（ａ）に示すように、剥離性基材２１〔基材（Ｉ）〕を剥離するためには、樹脂層２２と剥離性基材２１との接着力よりも樹脂層２２と剥離性基材２４〔基材（ＩＩ）〕との接着力のほうが高くならなくてはならない。しかし、上記（ＩＩ）の工程において、図１４（ｈ）に示すように転写用基材２３はめっき用導電性基材１２から導体層１９を剥離しなければならない。そのために、導体層１９とめっき用導電性基材１２との接着力より導体層１９と樹脂層２２との接着力のほうが高くなくてはならない。また、樹脂層２２とめっき用導電性基材１２との接着力よりも樹脂層２２と剥離性基材２１との接着力のほうが高くならなくてはならない。なお、樹脂層２２とめっき用導電性基材１２との接着力には樹脂層２２とめっき用導電性基材１２の表面の絶縁層１７との接着力も含まれる。この接着力の関係は、
樹脂層２２とめっき用導電性基材１２との接着力、
樹脂層２２と剥離性基材２１との接着力
及び
樹脂層２２と剥離性基材２４との接着力
の順に大きく（以上「関係ｘ１」という）、
また、
導体層１９とめっき用導電性基材１２との接着力
及び
導体層１９と樹脂層２２との接着力
の順に大きい（以上「関係ｘ２」という）関係となる。
具体的には、樹脂層２２とめっき用導電性基材１２との接着力は低いため、例えば、剥離性基材２１に中剥離セパレータあるいは重剥離セパレータを用い、剥離性基材２４にポリエチレンテレフタレートを用いることで、「関係ｘ１」を満たすことができる。また、めっき条件等により導体層１９とめっき用導電性基材１２との接着力を低くすることにより、「関係ｘ２」を満たすことができる。
As shown in FIG. 20A, in order to peel the peelable substrate 21 [base (I)], the
The adhesive force between the
The adhesive force between the
Also,
The adhesive strength between the
Specifically, since the adhesive force between the
図２０（ｃ）の剥離性基材を有する新しい導体層パターン付き基材３２は、剥離性基材を剥離して、電磁波シールドフィルム部材として使用に供される。図２０（ｄ）は、剥離性基材２４を剥離し、導体層の上面が露出した導体層パターン付き基材の断面図である。図２０（ｄ）は、新しい剥離性基材３１上に樹脂層２２、それに埋設されているが、上面は樹脂層２２から露出している導体層１９が積層された導体層パターン付き基材３３を示す。樹脂層２２は、粘着性が残存しているときは、その粘着性を利用して、また、樹脂層２２に粘着性が無いときには、別個に粘着剤を塗布又は積層して目的物に貼着することができ、最終的に剥離性基材３１も剥離される。
The
図２０（ｄ）に示すように、剥離性基材２４〔基材（ＩＩ）〕を剥離するためには、樹脂層２２と剥離性基材２４との接着力よりも樹脂層２２と新しい剥離性基材３１〔基材（ＩＩＩ）〕との接着力のほうが高くならなくてはならない。この接着力の関係は、
樹脂層２２とめっき用導電性基材１２との接着力、
樹脂層２２と剥離性基材２１との接着力、
樹脂層２２と剥離性基材２４との接着力
及び
樹脂層２２と新しい支持基材３１との接着力の順に大きい（以下「関係ｘ３」という）の関係となる。
樹脂層２２とめっき用導電性基材１２との接着力は低いため、例えば、剥離性基材２１に中剥離セパレータあるいは重剥離セパレータを用い、剥離性基材２４にポリエチレンテレフタレートを用い、新しい剥離性基材３１にガラスを用いることで、「関係３」を満たすことができる。また、熱処理等により被着体への密着性を向上させて、樹脂層２２と新しい剥離性基材３１との接着力を向上させることで、「関係ｘ３」を満たすこともできる。あるいは、熱処理や活性光線の照射等により樹脂層２２中に官能基等を発生させて、樹脂層２２と新しい剥離性基材３１との接着力を向上させることで、「関係ｘ３」を満たすこともできる。
As shown in FIG. 20 (d), in order to peel the peelable substrate 24 [base material (II)], the
The adhesive force between the
The adhesive force between the
The relationship is such that the adhesive force between the
Since the adhesive force between the
図２１は、図２０（ｄ）の導体層パターン付き基材３３と同様のものであるが、新しい剥離性基材として、粘着剤層を有するものを使用して得られた導体層パターン付き基材の断面図である。すなわち、図２１は、新しい剥離性基材３１上に粘着剤層３４を介して樹脂層２２、それに埋設されているが上面は樹脂層２２からは露出している導体層１９が積層されている導体層パターン付き基材３５を示す。これにより樹脂層２２と新しい剥離性基材３１との接着力が低く、「関係３」が成立しない場合でも、実現することができる。この場合の接着力の関係は、
樹脂層２２とめっき用導電性基材１２との接着力、
樹脂層２２と剥離性基材２１との接着力、
樹脂層２２と剥離性基材２４との接着力
及び
樹脂層２２と粘着剤層３４との接着力
の順に大きく（以下「関係ｘ４」という）、
また、
樹脂層２２と剥離性基材２４との接着力
及び
粘着剤層３４と新しい剥離性基材３１との接着力
の順に大きい（以下「関係ｘ５」という）関係
となる。具体的には、粘着剤層３４に高い接着力の粘着剤を用いれば、「関係ｘ４」および「関係ｘ５」は満たすことができる。
FIG. 21 is the same as the
The adhesive force between the
The adhesive force between the
The adhesive strength between the
Also,
The adhesive strength between the
本発明における導体層の樹脂層への埋設方法について、さらに説明するが、これに限るものではない。
めっき用導電性基材の凹部に析出しためっきを樹脂層を含む基材に転写した直後においては、導体層の少なくとも最大幅となる部分以下が既に樹脂層に埋没していてもよいし、埋没していなくてもよい。転写した直後において導体層の少なくとも最大幅となる部分以下を既に埋没させるためには、転写時における基材の樹脂層の流動性を高くする必要がある。それには、例えば、ラミネート温度を高くする方法、樹脂層の組成として反応性の低分子量物を添加しておく方法、樹脂層として液状樹脂を使用する方法等がある。また、この場合、基材がめっき用導電性基材に接触している状態で、樹脂層を硬化反応又は固化させてから、透明基材を剥離することが好ましい。硬化反応は、加熱、紫外線等の活性エネルギー線の照射などによるものであるが、瞬時に硬化させた方が生産性が向上するので、紫外線等の活性エネルギー線の照射による硬化が好ましい。
また、導体層を基材に転写した直後において、未だ導体層の最大幅となる部分が樹脂層に埋没していない場合（全く又はほとんど埋設されていない場合を含む）には、別工程で導体層を樹脂層中に少なくとも導体層の最大幅となる部分以下を樹脂層に埋没させる必要がある。そのためには、導体層を基材に転写後、導体層の付いている基材をロールラミネータやプレスなどで、必要に応じて加熱又は活性エネルギー線を照射しながら、加圧して少なくとも導体層の少なくとも最大幅の部分以下を樹脂中に埋没させる。このとき、必要に応じて加熱又はエネルギー線を照射して硬化反応を同時に行ってもよく、加熱は流動性を高めるために行ってもよい。また、この場合、表面を保護したり、加圧工程又は後工程で樹脂を紫外線硬化する場合の酸素遮断を目的に、別途フィルムその他の剥離可能な基材を導体層の付いている基材の導体層の上から積層しても良い。樹脂層に硬化性樹脂を使用した場合は、加圧と同時に硬化させない場合は、上記の加圧後に加熱又は活性エネルギー線を照射するなどして樹脂層を硬化させることが好ましい。
また、樹脂層に硬化性樹脂を用いた場合には、基材を上記の転写に供する前、転写後の埋設工程に供する前に、樹脂層の流動性を調整するために、部分的に硬化反応を行っても良いが、転写前に行うときには、転写に必要な粘着性を損なわない程度に行われる。
The method for embedding the conductor layer in the resin layer in the present invention will be further described, but is not limited thereto.
Immediately after transferring the plating deposited in the recesses of the conductive base material for plating to the base material including the resin layer, at least the portion of the conductor layer that is the maximum width may be already embedded in the resin layer, You don't have to. In order to embed at least the portion having the maximum width of the conductor layer immediately after the transfer, it is necessary to increase the fluidity of the resin layer of the base material at the time of transfer. For example, there are a method of increasing the laminating temperature, a method of adding a reactive low molecular weight material as the composition of the resin layer, and a method of using a liquid resin as the resin layer. In this case, it is preferable to peel the transparent substrate after the resin layer is cured or solidified while the substrate is in contact with the plating conductive substrate. The curing reaction is due to heating, irradiation with active energy rays such as ultraviolet rays, etc., but since the productivity is improved by instantaneous curing, curing by irradiation with active energy rays such as ultraviolet rays is preferable.
In addition, immediately after the conductor layer is transferred to the base material, if the portion having the maximum width of the conductor layer is not yet buried in the resin layer (including the case where it is not buried at all or almost), the conductor is formed in a separate process. It is necessary to embed at least the portion of the resin layer in which the maximum width of the conductor layer is embedded in the resin layer. For this purpose, after transferring the conductor layer to the base material, the base material with the conductor layer is pressed with a roll laminator or a press, while applying heat or irradiating active energy rays as necessary, at least of the conductor layer. At least the portion of the maximum width is buried in the resin. At this time, if necessary, the curing reaction may be performed simultaneously by heating or irradiation with energy rays, and the heating may be performed in order to enhance fluidity. Also, in this case, a separate film or other removable substrate is used for the substrate with the conductor layer for the purpose of protecting the surface or blocking oxygen when the resin is UV-cured in the pressurizing step or in the subsequent step. You may laminate | stack from a conductor layer. When a curable resin is used for the resin layer, in the case where the resin layer is not cured simultaneously with the pressurization, it is preferable to cure the resin layer by heating or irradiating active energy rays after the pressurization.
In addition, when a curable resin is used for the resin layer, it is partially cured before the substrate is subjected to the above transfer and before the embedding process after the transfer, in order to adjust the fluidity of the resin layer. The reaction may be performed, but when it is performed before transfer, it is performed to such an extent that the adhesiveness required for transfer is not impaired.
樹脂層は、転写の際にめっき用導電性基材の絶縁層に接触するため、樹脂厚が厚くなると密着性が高くなり、引き剥がしが困難になったり、引き剥がし時にハンチングが発生しめっき折れが発生することがあるので、厚さとしては、１１０μｍ以下が好ましい。必要以上に厚くしても無駄になるだけある。さらに、薄すぎると十分な接着強度が得られないため、０．５μｍ以上が好ましい。樹脂層の厚さは、１μｍ〜９０μｍがより好ましく、３μｍ〜７０μｍがさらに好ましい。樹脂層が硬化性樹脂であるなら、基材を転写に供する前に密着性又は流動性を調整するために部分硬化させてもよい。 Since the resin layer comes into contact with the insulating layer of the conductive substrate for plating during transfer, the adhesion increases as the resin thickness increases, making it difficult to peel off or causing hunting during peeling and causing plating breakage. In some cases, the thickness is preferably 110 μm or less. It is useless even if it is thicker than necessary. Furthermore, if it is too thin, sufficient adhesive strength cannot be obtained, so 0.5 μm or more is preferable. The thickness of the resin layer is more preferably 1 μm to 90 μm, and further preferably 3 μm to 70 μm. If the resin layer is a curable resin, it may be partially cured in order to adjust adhesion or fluidity before subjecting the substrate to transfer.
また、図７（ａ）、（ｂ）、図８の（ｂ）、（ｃ）において、金属配線層の上部の台形形状の全部（上面を除く）又はその一部までが樹脂層に覆われれている。これは転写時又は転写後の埋設工程で、加圧して（さらに、必要に応じて加熱して）樹脂を流動させることにより行うことができる。このためには、樹脂が金属配線層の形状に沿って回り込むように流動することが必要である。従って、金属配線層が図５（ａ）のような形状をしている場合の厚さＴ、また、金属配線層が図５（ｂ）のような形状をしている場合の上部の厚さＴ１が厚いと、樹脂の流動量が大きくなるため、完全に被覆することが困難であったり、あるいは、加熱加圧工程の時間が長くなり生産性が低下することがあるが、これを回避するためには、上記のＴ又はＴ１は、４０μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以下であることがさらに好ましく、２０μｍ以下であることが特に好ましい。また、金属配線層が図５（ｂ）のような形状をしている場合、Ｔ１が薄いと、下部の上方に存在する樹脂厚が薄くなり、密着性向上効果が小さくなるため、Ｔ１の厚みは０．１μｍ以上が好ましい。 7A, 7B, 8B, and 8C, the entire trapezoidal shape (excluding the upper surface) of the upper part of the metal wiring layer or a part thereof is covered with the resin layer. ing. This can be done by applying pressure (and heating as necessary) to flow the resin during or after the transfer. For this purpose, it is necessary for the resin to flow around the shape of the metal wiring layer. Therefore, the thickness T when the metal wiring layer has a shape as shown in FIG. 5A, and the upper thickness when the metal wiring layer has a shape as shown in FIG. 5B. If T1 is thick, the flow rate of the resin becomes large, so that it is difficult to completely coat, or the time of the heating and pressurizing process becomes long and the productivity may be reduced, but this is avoided. For this purpose, T or T1 is preferably 40 μm or less, more preferably 30 μm or less, and particularly preferably 20 μm or less. In addition, when the metal wiring layer has a shape as shown in FIG. 5B, if T1 is thin, the thickness of the resin existing above the lower portion is reduced, and the effect of improving the adhesion is reduced. Is preferably 0.1 μm or more.
本発明における導体層パターン付き基材では、めっき用導電性基材に析出しためっき上にフィルムを貼り合わせる工程、転写後に剥離性基材（若しくはカバーフィルム）を貼り合わせる工程で、必要に応じて加熱加圧することで、パターンを樹脂中に埋設させることができる。特に、転写後にパターン面に貼り合わせる剥離性基材の濁度を２．０以下とすることで、高透明の導体層パターン付き基材を得ることができる。転写用基材の最初の剥離性基材も同様である。 In the base material with a conductor layer pattern in the present invention, in the step of attaching a film on the plating deposited on the conductive base material for plating, the step of attaching a peelable base material (or cover film) after transfer, as required. The pattern can be embedded in the resin by heating and pressing. In particular, a highly transparent base material with a conductor layer pattern can be obtained by setting the turbidity of the peelable base material to be bonded to the pattern surface after transfer to 2.0 or less. The same applies to the first peelable substrate of the transfer substrate.
本発明における導体層は、断面形状が、その上部に湾曲した表面を有するもの（導体層（Ｂ））であってもよい。これについて、以下に詳細に説明する。なお、全体が逆台形状のものも可能である。
図面を用いて説明する。図２２は、導体層の一部を切り取った斜視図である。図２３（ａ）は、導体層５の断面形状がその上部に湾曲した表面を有するものであり、図２２（ｂ）は、導体層５の断面形状が逆台形状のものである。これらは、図２で示すものを上下逆転させたものである。図２３は、図３図で示すものを上下逆転させたものである。従って、符号としては同一のものを使用するが、上部と下部が異なることになる。図２３は、図２２（ａ）に示す導体層の幅方向の断面図であり、断面形状が上部の摧円形状部分７とこの上部に連続しており、この摧円形状部分７より幅が狭い断面が下部の台形状部分６からなり、上部の摧円形状部分７の摧円形の弦の一部分と下部の台形状部分６の台形状の下底で一体となっている。図２２（ａ）及び図２３において、下部は逆台形状であるが、これにかぎらない。図２３及び図２４に示されるような場合には、上部の摧円形状部分７の下部の台形形状部分６の下底から突出したような肩部８は、一つの特徴となりうる。なお、上記の摧円形とは、必ずしも真円を切り取った形だけでなく、楕円又は楕円や真円を変形させたような形状を切り取ったものを包含する。例えば、図２４（図２３（ａ）に示す導体層の幅方向の断面図の他の例）の（ａ）、（ｂ）又は（ｃ）であらわされるような形状であってもよい。これらは、図４に示すものを上下逆転させたものである。
また、図２３（ａ）及び図２４において、導体層の最大幅は摧円形状部分７の弦の部分であるが、それより上部又は下部に最大幅が存在する形状であってもよい。
さらに、導体層は、その横断面において、台形状部分６の断面形状が矩形状であってもよい。
The conductor layer in the present invention may have a cross-sectional shape having a curved surface at the top thereof (conductor layer (B)). This will be described in detail below. In addition, the whole thing of reverse trapezoid shape is also possible.
This will be described with reference to the drawings. FIG. 22 is a perspective view in which a part of the conductor layer is cut off. FIG. 23A shows a surface in which the cross-sectional shape of the
Further, in FIGS. 23A and 24, the maximum width of the conductor layer is the chord portion of the ellipse-shaped
Furthermore, the conductor layer may have a rectangular cross section of the
導体層の最大幅（Ｌ）としては、一概に言うのは難しいが、導体層の最大幅（Ｌ）は、１〜５０μｍであることが好ましく、２〜４０μｍであることがより好ましく、３〜３０μｍであることが特に好ましい。光透過性が必要なときは５０μｍ以下の最大幅（Ｌ）が好ましい。導電性の観点からは、１μｍ以上の最大幅（Ｌ）が好ましい。
また、取り出し配線との接続のための導体層の最大幅（Ｌ）は、３〜５０００μｍであることが好ましく、５〜２０００μｍであることがより好ましく、１０〜６００μｍであることが特に好ましい。導体層を接続電極として用いる場合では、導体層のライン幅やピッチによって、導体層と接続するための配線のライン幅やピッチが制限される。そのため、最大幅（Ｌ）が大きすぎると、上記パターンの設計裕度が低下する傾向があり、また、不要となる。一方、小さすぎる最大幅Ｌは接続用配線との接続面積が小さくなるために接続強度や導電性が低下しやすくなる。導体層の最大幅は光透過性が問題にならない場合には、幅を大きくしてもよい。導体層の最大幅に特に制限はなく、その大きさは、例えば、５ｍｍであってもよい。
導体層の幅は、導体層パターンの非視認性の観点からは５０μｍ以下、導電性の観点から１μｍ以上が特に好ましい。
The maximum width (L) of the conductor layer is difficult to say in general, but the maximum width (L) of the conductor layer is preferably 1 to 50 μm, more preferably 2 to 40 μm, A thickness of 30 μm is particularly preferable. When light transmission is required, a maximum width (L) of 50 μm or less is preferable. From the viewpoint of conductivity, a maximum width (L) of 1 μm or more is preferable.
Further, the maximum width (L) of the conductor layer for connection with the lead-out wiring is preferably 3 to 5000 μm, more preferably 5 to 2000 μm, and particularly preferably 10 to 600 μm. When a conductor layer is used as a connection electrode, the line width and pitch of wiring for connecting to the conductor layer are limited by the line width and pitch of the conductor layer. For this reason, if the maximum width (L) is too large, the design tolerance of the pattern tends to decrease, and becomes unnecessary. On the other hand, if the maximum width L is too small, the connection area with the connection wiring becomes small, so that the connection strength and conductivity are likely to decrease. The maximum width of the conductor layer may be increased if light transmission does not matter. There is no restriction | limiting in particular in the maximum width of a conductor layer, The magnitude | size may be 5 mm, for example.
The width of the conductor layer is particularly preferably 50 μm or less from the viewpoint of non-visibility of the conductor layer pattern, and 1 μm or more from the viewpoint of conductivity.
導体層の最大幅Ｌに対する導体層の最大幅部分より上部（上記の例における摧円形状部分）の厚さＴ２の比（Ｔ２／Ｌ）としては、０．０１〜２の範囲であることが好ましく、目的に応じて適宜決定される。
光透過性（透明性）と導電性が必要であるために比Ｔ２／Ｌは高い方が好ましいが、めっきの成長では厚さＴ２とともに最大幅Ｌも増大するために比Ｔ２／Ｌは２を超えることは困難である。一方、低すぎる比Ｔ２／Ｌは導電性の確保に必要な断面積を得るための最大幅Ｌが大きすぎるために、透明性を損なわれる傾向が増す。
導体層を接続電極として用いるための比Ｔ２／Ｌは、０．０１〜０．８であることが好ましく、０．０２〜０．４であることがより好ましく、０．０３〜０．２であることが特に好ましい。低すぎる比Ｔ２／Ｌは導電性の確保に必要な厚さＴが得られにくくなり好ましくない。一方、高すぎるＴ２／Ｌは不必要に厚さＴが大きくなるために好ましくない。
The ratio (T2 / L) of the thickness T2 above the maximum width portion of the conductor layer to the maximum width L of the conductor layer (the ellipse-shaped portion in the above example) is in the range of 0.01 to 2. Preferably, it is determined appropriately according to the purpose.
The ratio T2 / L is preferably high because light transmittance (transparency) and conductivity are required. However, in the growth of plating, the maximum width L increases with the thickness T2, so the ratio T2 / L is 2. It is difficult to exceed. On the other hand, when the ratio T2 / L is too low, the maximum width L for obtaining the cross-sectional area necessary for ensuring the conductivity is too large, so that the transparency tends to be impaired.
The ratio T2 / L for using the conductor layer as the connection electrode is preferably 0.01 to 0.8, more preferably 0.02 to 0.4, and 0.03 to 0.2. It is particularly preferred. A ratio T2 / L that is too low is not preferable because it is difficult to obtain the thickness T necessary for ensuring conductivity. On the other hand, too high T2 / L is not preferable because the thickness T becomes unnecessarily large.
なお、断面が逆台形状の場合、最大幅Ｌ及び全体の厚さＴは上記と同様である。 When the cross section is an inverted trapezoid, the maximum width L and the overall thickness T are the same as described above.
導体層の寸法を図面を用いてさらに説明する。
図２５は、導体層の横断面図を示す。図２５（ａ）は、その上部に湾曲した表面を有する導体層の横断面図であり、この図では、逆台形状部分６の下部とこの下部より幅が広い摧円形状部分７の上部が一体となったものである。図２５（ｂ）は導体層の逆台形状の横断面図である。
The dimensions of the conductor layer will be further described with reference to the drawings.
FIG. 25 shows a cross-sectional view of the conductor layer. FIG. 25 (a) is a cross-sectional view of a conductor layer having a curved surface at the upper part. In this figure, the lower part of the inverted
導体層の全体の厚さＴは、前記の通りである。
図２５（ａ）における形状である場合、導体層の全体の厚さ（Ｔ）は、最大幅（Ｌ）の箇所より下部の厚さ（Ｔ１）と最大幅の部分から上部の厚さ（Ｔ２）の合計である。
本発明において、比（Ｔ２／Ｌ）は前記したとおりであるが、この条件が満足されている限り、下部の厚さ（Ｔ１）は、０であってもよい。また、導体層の最大幅Ｌは、前記したとおりである。
The total thickness T of the conductor layer is as described above.
In the case of the shape in FIG. 25 (a), the total thickness (T) of the conductor layer is the thickness (T1) below the portion of the maximum width (L) and the thickness from the maximum width portion (T2). ).
In the present invention, the ratio (T2 / L) is as described above, but the lower thickness (T1) may be 0 as long as this condition is satisfied. The maximum width L of the conductor layer is as described above.
図２５（ａ）における形状である場合、下部台形形状の上底の幅Ｌ１と下底の幅Ｌ２は、その幅に特に制約はない。後述するように、後記する導体層製法によれば、その製法上の制約により特定の条件を満たす必要がある。下部が完全に埋没し、樹脂層が肩部及び上部の一部を被覆するようになると、導体層と樹脂層の密着性が向上することになる。 In the case of the shape in FIG. 25A, the width L1 of the upper base and the width L2 of the lower base of the lower trapezoidal shape are not particularly limited. As will be described later, according to the conductor layer manufacturing method to be described later, it is necessary to satisfy specific conditions due to restrictions on the manufacturing method. When the lower part is completely buried and the resin layer covers the shoulder and part of the upper part, the adhesion between the conductor layer and the resin layer is improved.
図２５の（ａ）又は（ｂ）における形状である場合、光透過性を重要視する場合、Ｌ１は後記する製法上、１〜５０μｍとすることが好ましい。 In the case of the shape in (a) or (b) of FIG. 25, when importance is attached to light transmittance, L1 is preferably 1 to 50 μm in view of the manufacturing method described later.
図２５の（ａ）及び（ｂ）において、断面形状が、台形状であること又はそれを含む理由は、後記する製法上からの制約であるが、この場合、条件としてその側辺が内側に傾きを持つということであるが、台形状の側辺の傾きは、左右のぞれぞれの内角αが３０°以上９０°未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、３０度以上６０度以下がさらに好ましく、４０度以上６０度以下が特に好ましい。 In (a) and (b) of FIG. 25, the reason that the cross-sectional shape is trapezoidal or includes it is a restriction from the manufacturing method described later, but in this case, the side is inside as a condition. The inclination of the trapezoidal side is preferably 30 ° or more and less than 90 °, more preferably 30 ° or more and 80 ° or less, and more preferably 30 ° or more. 60 degrees or less is more preferable, and 40 degrees or more and 60 degrees or less is particularly preferable.
また、導体層の断面形状が台形状の部分は、その幅が、上方に向かって全体として広がっていればよい。上記図面のように勾配αにて一定勾配で広がっている必要は必ずしもなく、上方に向かって狭まっておらず全体として広がっていればよい。特に、側面が上低又は下底に対して垂直となっている部分がないようにすることが好ましい。 Moreover, the width | variety of the part whose cross-sectional shape of a conductor layer is trapezoid should just have spread as a whole upwards. It does not necessarily have to spread at a constant gradient α as in the above-mentioned drawing, and it does not have to be narrowed upward and may spread as a whole. In particular, it is preferable not to have a portion where the side surface is perpendicular to the upper or lower side or the lower bottom.
前記の導体層の断面形状が台形状の部分に相当する側面は、必ずしも平面ではない。この場合には、図２６にその導体層の横断面図を示すように、前記の勾配αは、台形の高さｈと台形の側辺の幅ｓ（水平方向で台形の側辺の幅方向）を求め、前記式（１）から求めることができる。 The side surface corresponding to the trapezoidal section of the conductor layer is not necessarily a flat surface. In this case, as shown in the cross-sectional view of the conductor layer in FIG. 26, the gradient α has a trapezoidal height h and a trapezoid side width s (horizontal direction of the trapezoidal side width direction). ) And can be obtained from the equation (1).
光透過性の観点からの導体層のライン間隔は、前記した通りである。 The line interval of the conductor layer from the viewpoint of light transmittance is as described above.
本発明における導体層は、少なくとも上面の一部が露出した状態で全体又は一部が樹脂層に埋設されていることが好ましい。これにより、アンカー効果が発現するので導体層パターンの基材への密着性が向上する。樹脂層と導体層との密着性をより高めるためには、Ｔ２が０．５μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがさらに好ましい。 The conductor layer in the present invention is preferably embedded entirely or partially in the resin layer with at least a part of the upper surface exposed. Thereby, since the anchor effect appears, the adhesiveness to the base material of a conductor layer pattern improves. In order to further improve the adhesion between the resin layer and the conductor layer, T2 is preferably 0.5 μm or more, and more preferably 1 μm or more.
図２７及び図２８に、導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図である。
図２７（ａ）は、導体層の断面形状が、その上部に湾曲した表面を有し、上記導体層が、少なくともその上部の表面の一部が樹脂層９からは露出し、少なくとも最大幅の部分から下の部分が上記基材の樹脂層９に埋設されている状態を示す。図２７（ｂ）は、同様の状態を示すが、断面形状で、導体層の上部の湾曲部が端にあり、その上面の多くがほぼ平らな導体層を用いた状態を示す。図２８（ａ）では、断面形状が逆台形の導体層５が一部、樹脂層９に埋設されている状態を示し、図２８（ｂ）は、断面形状の台形底辺に対応する面が樹脂層９からは露出しながら導体層５全体が樹脂層９に埋設されている状態を示す。
27 and 28 are partial cross-sectional views showing a state in which the conductor layer is embedded in the resin layer.
In FIG. 27 (a), the cross-sectional shape of the conductor layer has a curved surface at the top, and at least a part of the top surface of the conductor layer is exposed from the
導体層パターン付き基材を取出配線と接触する面積が高いことが望ましく、導体層を接触させる箇所（特に、その表面が平坦又はほぼ平坦である場合）に対して、図２７（ｂ）に示すような上面の多くがほぼ平らな導体層を用いることで、導体層とその接触箇所との接触面積を高めることができる。
取出配線に接触している導体層は図２７（ａ）や図２７（ｂ）に示すように上部を露出させながら導体層のほとんどが樹脂層に埋没していることが望ましい。樹脂層が電極取出面の導体層との接触面以外の部分に接触するようにし、導体層とその接触箇所との接触を維持することができるためである。そのため、導体層が樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）の導体層全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）が０．１〜１．０であることが好ましく、０．３〜１．０がさらに好ましく、０．５〜１．０が最も好ましい。
It is desirable that the area where the substrate with the conductor layer pattern is brought into contact with the lead-out wiring is high, and the part where the conductor layer is brought into contact (particularly when the surface is flat or almost flat) is shown in FIG. By using a conductor layer having a substantially flat upper surface, the contact area between the conductor layer and the contact portion can be increased.
As shown in FIGS. 27A and 27B, it is desirable that most of the conductor layer is buried in the resin layer while exposing the upper portion of the conductor layer in contact with the lead-out wiring. This is because the resin layer can be in contact with a portion other than the contact surface of the electrode extraction surface with the conductor layer, and the contact between the conductor layer and the contact portion can be maintained. Therefore, the ratio (f / T) of the maximum thickness (f) of the portion where the conductor layer is embedded in the resin layer to the thickness (T) of the entire conductor layer is preferably 0.1 to 1.0. .3-1.0 is more preferable, and 0.5-1.0 is most preferable.
導体層パターン付き基材を取出配線に接触させる前は、上記の効果を実現するために、導体層が樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）の導体層全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）が０．１〜１．０であることが好ましく、０．１〜０．８がさらに好ましく、０．１〜０．６が最も好ましい。
また、少なくとも導体層の最大幅の箇所から下部が樹脂層に埋設されていることが好ましい。
Before bringing the substrate with the conductor layer pattern into contact with the extraction wiring, in order to realize the above effect, the thickness (T) of the entire conductor layer of the maximum thickness (f) of the portion where the conductor layer is embedded in the resin layer The ratio (f / T) to is preferably 0.1 to 1.0, more preferably 0.1 to 0.8, and most preferably 0.1 to 0.6.
Moreover, it is preferable that the lower part is embedded in the resin layer at least from the location of the maximum width of the conductor layer.
また、図２８は、断面が逆台形状の導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す。図２８（ａ）では、一部が埋設されているが、樹脂層との密着効果が小さい、また、図２８（ｂ）では、樹脂層に導体層が上面を露出した状態で全部埋設されている。この場合、樹脂層との密着効果が図２９（ａ）の状態に比べて、向上しているとは言えるが、図２８（ａ）又は（ｂ）の場合と比較すると、樹脂層との密着効果は小さい。 FIG. 28 shows a state in which a conductor layer having an inverted trapezoidal cross section is embedded in the resin layer. In FIG. 28 (a), a part is embedded, but the effect of adhesion to the resin layer is small, and in FIG. 28 (b), the conductor layer is entirely embedded with the upper surface exposed. Yes. In this case, it can be said that the adhesion effect with the resin layer is improved as compared with the state of FIG. 29A, but the adhesion with the resin layer as compared with the case of FIG. 28A or 28B. The effect is small.
本発明に係る導体層パターン付き基材の製造法について、説明する。
本発明に係る導体層パターン付き基材は、
（Ａ）めっき用導電性基材上に導体層パタ−ンをめっきにより形成する導体層作製工程を行い、
（Ｂ）めっき用導電性基材上に形成された導体層のパターンを転写用基材に転写する転写工程、
（Ｃ）得られた導体層パターンを有する転写用基材に表面に樹脂層を含む基材を導体層パターンが存在する面に、樹脂層が接触するように積層して積層物を作製する積層物作製工程
を含む方法により製造される。
上記（Ｃ）の工程の後、適宜、次の（ｉ）〜（ｖｉｉ）の工程のいずれかの工程又はその他の工程を行うことができる。
（ｉ） （Ｄ）上記（Ｃ）の工程で得られた積層物から転写用基材を剥離する工程。
（ｉｉ） （Ｅ）上記（Ｃ）の工程で得られた積層物から転写用基材を剥離し、代わりに保護基材を積層して新しい積層物を作製する工程。
（ｉｉｉ） 上記（Ｅ）工程を行い、その後、（Ｆ）保護基材を剥離する工程。
（ｉｖ） 上記（Ｅ）工程を行い、その後、（Ｇ）得られた新しい積層物（ただし、表面に樹脂層を含む基材として、表面に樹脂層及び支持基材を含む基材を使用して得られるもの）の支持基材を別の支持基材に交換する工程。
（ｖ） 上記（Ｇ）の工程の後、（Ｈ）保護基材を剥離する工程。
（ｖｉ） （Ｊ）上記（Ｃ）の工程で得られた積層物（ただし、表面に樹脂層を含む基材として、表面に樹脂層及び支持基材を含む基材を使用して得られるもの）の支持基材を別の支持基材に交換する工程。
（ｖｉｉ） 上記（Ｊ）の工程を行い、（Ｋ）転写用基材を剥離する工程。
以上の導体層パターン付き基材の製造法において、上記（Ｃ）の工程又はそれ以後において、前記樹脂層に導体層の少なくとも最大幅の部分から下の部分が埋設されるように調整される。以下、このように調整する工程を「埋設調整工程」という。上記（Ｃ）の工程において、導体層パターンを有する転写用基材に表面に樹脂層を含む基材を導体層パターンが存在する面に、樹脂層が接触するように積層して積層物を作製した時点で、前記樹脂層に導体層の少なくとも最大幅の部分から下の部分が埋設されている場合も、上記の埋設調整工程に含まれる。
The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern which concerns on this invention is demonstrated.
The substrate with a conductor layer pattern according to the present invention is
(A) Conducting a conductor layer forming step of forming a conductor layer pattern on the conductive substrate for plating by plating;
(B) a transfer step of transferring the pattern of the conductor layer formed on the conductive substrate for plating to the transfer substrate;
(C) Laminate for producing a laminate by laminating a substrate containing a resin layer on the surface of the transfer substrate having the conductor layer pattern so that the resin layer is in contact with the surface on which the conductor layer pattern exists. Manufactured by a method including an object manufacturing process.
After the step (C), any one of the following steps (i) to (vii) or other steps can be appropriately performed.
(I) (D) A step of peeling the transfer substrate from the laminate obtained in the step (C).
(Ii) (E) A step of peeling off the transfer substrate from the laminate obtained in the step (C), and laminating a protective substrate instead to produce a new laminate.
(Iii) A step of performing the step (E), and then (F) peeling off the protective substrate.
(Iv) Performing the above step (E), and then (G) the obtained new laminate (however, using a substrate including a resin layer and a supporting substrate on the surface as a substrate including a resin layer on the surface) A support substrate obtained by replacing the support substrate with another support substrate.
(V) A step of peeling off the protective substrate (H) after the step (G).
(Vi) (J) Laminate obtained in the step (C) above (however, a substrate obtained by using a substrate containing a resin layer and a supporting substrate on the surface as a substrate containing a resin layer on the surface) The step of exchanging the support substrate in () with another support substrate.
(Vii) A step of performing the step (J) above and (K) peeling off the transfer substrate.
In the above-described method for producing a substrate with a conductor layer pattern, the resin layer is adjusted so as to embed at least a portion below the maximum width of the conductor layer in the step (C) or thereafter. Hereinafter, the process of adjusting in this way is referred to as “embedding adjusting process”. In the step (C), a substrate is prepared by laminating a substrate containing a resin layer on the surface of a transfer substrate having a conductor layer pattern so that the resin layer contacts the surface on which the conductor layer pattern exists. When the resin layer is embedded with at least a portion below the maximum width of the conductor layer, it is also included in the embedding adjustment step.
まず、（Ａ）導体層作製工程について説明する。この工程は前記した導体層（Ａ）に関する（Ｉ）導体層作製工程と同様である。使用できるめっき用導電性基材、利用できるめっき法等前記と同様である。 First, (A) the conductor layer manufacturing process will be described. This step is the same as the (I) conductor layer manufacturing step relating to the conductor layer (A) described above. The conductive base material for plating that can be used, the plating method that can be used, and the like are the same as described above.
前記（Ｂ）転写工程は、前記した（ＩＩ）めっき用導電性基材上に形成された導体層（上記めっき用導電性基材の凹部に析出させた金属）を樹脂層を含む適当な基材に転写する転写工程と同様である。この転写用基材は、次の工程のために、導体層パターンの剥離性を有するものである。
前記したように図１４（ｇ）のように、導体層１９のパターンが形成されためっき用導電性基材に転写用基材２０を粘着剤層２２を向けて圧着する。このとき、粘着剤層２２が絶縁層１７に接触してもよく、圧着の程度又は粘着剤層の厚さにより、導体層１９の粘着剤層２２への埋設厚さを調整することができるが、導体層の最大幅の部分は、次の工程で樹脂層に埋設させるために、露出させておくことが好ましい。
ついで、図１４（ｈ）に示すように、転写用基材２０を引きはがすと導体層１９のパターンは、その粘着剤層２２に接着してめっき用導電性基材から剥離され、この結果、前記の導体層パターン付き基材２３は、導体層パターン付き転写用基材として得られ、次の（Ｃ）工程に供される。
The transfer step (B) includes a resin layer containing a conductive layer (metal deposited on the concave portion of the conductive substrate for plating) formed on the conductive substrate for plating (II) described above. This is the same as the transfer process for transferring to the material. This substrate for transfer has the peelability of the conductor layer pattern for the next step.
As described above, as shown in FIG. 14G, the
Then, as shown in FIG. 14 (h), when the
転写工程において、転写用基材２０の粘着剤層２２に、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等の硬化性樹脂を含む粘着剤を使用した場合、その硬化は、転写用基材２０をめっき用導電性基材１から剥離する前に行っても、剥離した後で行ってもよく、剥離前に半硬化させ、剥離後に完全硬化させてもよい。
特に、硬化性樹脂を含む粘着剤の部分硬化又は完全硬化を、転写用基材２０をめっき用導電性基材から剥離した後に行う場合、別の剥離性基材を積層して行うことが好ましい。これらの場合においても、（Ｃ）工程のために、導体層パターンの剥離性が確保される。
In the transfer step, when an adhesive containing a curable resin such as a thermosetting resin or a photocurable resin is used for the
In particular, when partial curing or complete curing of the pressure-sensitive adhesive containing the curable resin is performed after the
ついで、図２９〜３４を用いて（Ｃ）工程以下の説明を行う。
図２９は、（Ｃ）積層物作製工程を示す断面図である。
（Ｃ）工程として、上記で得られた導体層１９のパターンを有する転写用基材（導体層パターン付き転写用基材）２３に、剥離性基材３６及びその上に樹脂層３７を含む基材３８（以下、「保持用基材」という）を積層する準備を行う〔図２９（ａ）〕。ついで、これらを、その基材２６の樹脂層２５が転写用基材２３の導体層１９が存在する面に接触するように積層して積層物３９を作製する〔図２９（ｂ）〕。積層物２７を作製した時点で、導体層１９の最大幅の部分及びこれより下部の部分が樹脂層２５に埋設されていれば、本発明に係る導体層パターン付き基材として使用可能である。
Next, the following steps (C) will be described with reference to FIGS.
FIG. 29 is a cross-sectional view showing the step (C) of manufacturing the laminate.
(C) As a step, a transfer substrate (transfer substrate with a conductor layer pattern) 23 having the pattern of the
上記保持用基材３８は、剥離性基材３６及びその上の樹脂層３７を含むものであるが、場合により剥離性基材３６を含まなくてもよい。これらにおいては前記に例示した剥離性基材及び樹脂層が使用できる。樹脂層については、転写工程において説明した粘着剤と同様のものが使用できる。
The holding
この工程において、保持用基材は、支持基材及びその上の樹脂層を含むものであって、既に上述した基材と同様であるが、支持基材としては透明性を有するプラスチックフィルム、あるいはガラスのような透明性と耐熱性を有する基材が好ましい。また、樹脂層は、粘着性を有する粘着剤層が好ましい。 In this step, the holding substrate includes a supporting substrate and a resin layer thereon, and is the same as the above-described substrate, but the supporting substrate is a plastic film having transparency, or A substrate having transparency and heat resistance such as glass is preferred. The resin layer is preferably a pressure-sensitive adhesive layer.
次に、（Ｃ）工程より後の工程及び埋設調整工程について説明する。
図３０は、転写用基材剥離工程及び埋設調整工程を示す断面図である。また、図３１は露出した導体層を有する導体層パターン付き基材の一例を示す断面図、図３２は基材が樹脂層だけからなる導体層パターン付き基材の一例を示す断面図である。
上記（Ｃ）工程の後、（Ｄ）工程として、転写用基材２３が剥離され、積層物４０が得られる〔図３０（ｃ）〕。この積層物４０は、この時点で、導体層１９の最大幅の部分及びこれより下部の部分が樹脂層３７に埋設されていれば、本発明に係る導体層パターン付き基材として使用可能である。
Next, the process after the (C) process and the embedding adjustment process will be described.
FIG. 30 is a cross-sectional view showing a transfer substrate peeling step and an embedding adjustment step. FIG. 31 is a cross-sectional view showing an example of a base material with a conductor layer pattern having an exposed conductor layer, and FIG. 32 is a cross-sectional view showing an example of a base material with a conductor layer pattern in which the base material is composed only of a resin layer.
After the step (C), as a step (D), the
図１４、図２９及び図３０において、導体層１９のパターンをめっき用導電性基材から転写用基材及び保持用基材に次々に転写することになる。
このとき、導体層１９と樹脂層２２との接着力よりも導体層１９と樹脂層３７との接着力のほうが高くなくてはならない。しかし、上記（Ｂ）の工程において、樹脂層２２に導体層１９のパターンをめっき用導電性基材から転写しなければならない。そのため、導体層１９とめっき用導電性基材との接着力よりも導体層１９と樹脂層２２との接着力のほうが高くなくてはならない。この接着力の関係は、
導体層１９とめっき用導電性基材との接着力、
導体層１９と樹脂層２２との接着力
及び
導体層１９と樹脂層３７との接着力
の順に大きい関係（この関係を「関係ｙ１」という）となる。
めっき条件等により導体層１９とめっき用導電性基材との接着力を低くすること、及び樹脂層２２よりも高い接着力を有する樹脂層２５を用いることで、「関係ｙ１」を満たすことができる。
In FIG. 14, FIG. 29 and FIG. 30, the pattern of the
At this time, the adhesive force between the
The adhesive force between the
The relationship becomes larger in the order of the adhesive force between the
Satisfying “relationship y1” by lowering the adhesive force between the
あるいは、樹脂層２２を紫外線（ＵＶ）照射あるいは熱により硬化させること等により、上記（Ｂ）の工程における樹脂層２２の接着力よりも上記（Ｄ）の工程における樹脂層２２の接着力を低下させて、上記（Ｄ）の工程を実施することができる。その場合の接着力の関係は、
導体層１９とめっき用導電性基材との接着力
及び
導体層１９と樹脂層２２との接着力
の順に大きい関係（この関係を「関係ｙ２」という）と、
導体層１９と樹脂層２２との接着力
及び
導体層１９と樹脂層３７との接着力
の順に大きい関係（この関係を「関係ｙ３」という）との二つの関係に分かれる。
めっき条件等により導体層１９とめっき用導電性基材との接着力は低くできるために「関係ｙ２」は満たされやすくなり、硬化後の樹脂層２２の接着力は低くなるために「関係ｙ３」は満たされやすくなる。
Alternatively, the adhesive strength of the
A relationship in which the adhesive force between the
The relationship is divided into two relations: an adhesive force between the
Since the adhesive force between the
また、導体層のパターンを転写するためには、樹脂層２２と樹脂層３７の接着力よりも樹脂層３７と剥離性基材３６との接着力のほうが高くなくてはならない。しかし、上記（Ｂ）の工程において、樹脂層２２に導体層１９のパターンをめっき用導電性基材から転写しなくてはならない。そのため、樹脂層２２とめっき用導電性基材との接着力よりも樹脂層２５と樹脂層２２との接着力のほうが高くなくてはならない。この接着力の関係は、
樹脂層２２とめっき用導電性基材との接着力、
樹脂層２２と樹脂層３７との接着力
及び
樹脂層３７と剥離性基材３６との接着力
の順に大きい関係（この関係を「関係ｙ４」という）となる。
めっき用導電性基材と樹脂層２２の接着力は低いため、剥離性基材３６にコロナ処理済み基材や易接着層付き基材等の接着性向上の処理が施された基材を用いること等によって「関係ｙ４」を満たすことができる。
あるいは、樹脂層２２をＵＶ照射あるいは熱により硬化させること等により、上記（Ｂ）の工程における樹脂層２２の接着力よりも上記（Ｄ）の工程における樹脂層２２の接着力を低下させて、上記（Ｄ）の工程を実施することができる。その場合の接着力の関係は、
樹脂層３７と樹脂層２２との接着力
及び
樹脂層３７と剥離性基材３６との接着力
の順に大きい関係（この関係を「関係ｙ５」という）となる。
硬化後の樹脂層２２の接着力は低くなるために「関係ｙ５」は満たされる。
Further, in order to transfer the pattern of the conductor layer, the adhesive force between the
The adhesive force between the
The relationship becomes larger in the order of the adhesive strength between the
Since the adhesive strength between the conductive base material for plating and the
Alternatively, the adhesive strength of the
The relationship becomes larger in the order of the adhesive force between the
Since the adhesive strength of the cured
導体層１９の樹脂層３７への埋設厚さを調整する工程（埋設調整工程）として、上記の保持用基材の積層工程中又は工程の後、導体層は少なくともその最大幅の部分から下部を樹脂層に埋設されるように埋設厚さが調整される。前記の（Ｃ）工程そのもの〔図２９（ｂ）対応〕で、この調整工程を行ってもよいが、（Ｅ）工程として（Ｄ）工程の後（図３０（ｃ）に対応、転写用基材を剥離して、代わりに）、積層物４０の導体層１９が存在する面に、剥離性基材４１を積層する工程を行い、適宜プレス、ラミネータ等により圧力をかけることよって、導体層１９の埋設厚さを調整することができる。樹脂層は圧力を受けて流動性を示すものであることが好ましく、また、このとき、必要に応じて、樹脂層は、それに流動性を与えるために加熱される。この時点で、両面が剥離性基材で保護されている電磁波シールド部材を得ることができる。すなわち、両表面が保護された導体層パターン付き基材４２が得られる〔図３０（ｄ）〕。（Ｆ）工程として、剥離性基材４１を剥離することにより、導体層の埋設厚さが調整され、それが露出している導体層パターン付き基材４３を得ることができる（図３１）。
導体層パターン付き基材４３から支持基材３６を剥離することにより、樹脂層３７と導体層１９のみからなる導体層パターン付き基材４４を得ることができる（図３２）。これを電磁波シールド部材として使用に供することができる。この樹脂層３７は、粘着性を保持していることが好ましい。なお、粘着性を喪失していれば、粘着剤を塗布して、粘着性を付与することができる。粘着性の喪失は、硬化性樹脂であれば硬化度を進めることにより、また、樹脂のガラス転移温度よりも低い環境に置くことにより行うことができる。
導体層パターン付き基材４３、４４は、本発明における導体層パターン付き基材として利用できる。
As a step of adjusting the thickness of the
By peeling the
The
図３３は、剥離性基材の交換工程である（Ｇ）の工程を示す断面図である。図３４は、（Ｇ）の工程を経て得られる導体層パターン付き基材の一例を示す断面図である。
保持用基材が、剥離性基材３６を有するものである場合、前記の（Ｅ）工程で得られた表面保護された導体層パターン付き基材４２の剥離性基材３６を新しい剥離性基材４６に交換することができる。そのためには、表面保護された導体層パターン付き基材４２から、剥離性基材３６を剥離し、積層物４５とし〔図３３（ｅ）〕、剥離性基材３６の代わりに新しい剥離性基材４６を貼着して、新しい表面保護された導体層パターン付き基材４７を得るようにする〔図３３（ｆ）〕。表面保護された導体層パターン付き基材４７は、この状態で利用できる。交換する前の剥離性基材３６としては、プラスチックフィルムを使用し、交換する新たな剥離性基材４６も、プラスチックフィルムが好ましく、好適な剥離性を有するものが適宜選択して使用される。さらに、（Ｈ）工程として、剥離性基材４１を剥離することにより、新しい導体層パターン付き基材４８を得る（図３４）。導体層パターン付き基材４８は、この状態で利用できる。
FIG. 33 is a cross-sectional view showing the step (G), which is a step for replacing the peelable substrate. FIG. 34 is a cross-sectional view showing an example of a base material with a conductor layer pattern obtained through the step (G).
When the holding substrate has the
支持基材３６を剥離性基材４６に交換するためには、下記のような接着力の関係が必要となる。
それは、
樹脂層３７と樹脂層２２との接着力、
樹脂層３７と剥離性基材３６との接着力、
樹脂層３７と剥離性基材４１との接着力
及び
樹脂層３７と剥離性基材４６との接着力
の順に大きい関係（この関係を「関係ｙ６」という）となる。
樹脂層２２との接着力はＵＶあるいは熱による硬化により低下させることができる。そのため、剥離性基材３６に重剥離セパレータを用い、支持基材２９にポリエチレンテレフタレートを用い、支持基材４６にガラスあるいは接着性を有する剥離性基材を用いることで「関係ｙ６」を満たすことができる。
In order to replace the
that is,
The adhesive force between the
The adhesive force between the
The relationship becomes larger in the order of the adhesive force between the
The adhesive strength with the
図３５は、他の工程を経て得られる転写用基材を含む導体層パターン付き基材４９の断面図である。
上記と同様の支持基材の交換は、積層物４２の代わりに積層物３９を用いて行うことができる。すなわち、（Ｊ）工程として、上記（Ｃ）工程で得られた積層物３９の支持基材３６を剥離し、代わりに新しい支持基材４６を貼着して積層物（導体層パターン付き基材）４９とする（図３５）。この後、（Ｋ）工程として、転写用基材（支持基材２１及び粘着剤層２２）を剥離して前記した図３４と同様の積層物（導体層パターン付き基材）を得ることできる。得られた積層物は、既に導体層１９の樹脂層への埋設厚さの調整がなされているのであれば、そのまま導体層パターン付き基材として使用できる。また、これに、前記したのと同様に剥離性基材を積層して（図３０（ｄ）のごとく剥離性基材４１を積層して）、保護層の形成又は導体層１９の樹脂層への埋設厚さの調整行うこともできる。この剥離性基材４１は、後で剥離できるものである。
この場合、下記のような接着力の関係が必要となる。
それは、
樹脂層３７と剥離性基材３６との接着力
及び
樹脂層３７と樹脂層２２との接着力
の順に大きい関係（この関係を「関係ｙ７」という）となる。
剥離性基材３６に軽剥離セパレータを用いることで「関係ｙ７」を満たすことができる。
FIG. 35 is a cross-sectional view of a
The same support substrate replacement as described above can be performed using the laminate 39 instead of the laminate 42. That is, as the step (J), the
In this case, the following adhesive force relationship is required.
that is,
The relationship becomes larger in the order of the adhesive force between the
By using a light release separator for the
上記した剥離性基材を交換するいずれの工程も、適当な密着性を有する剥離性基材を選択するする上で、好都合である。
また、上記した剥離性基材を交換するいずれの工程も、場合により、次のような意義がある。めっき用導電性基材上に形成された導体層のパターンを転写用基材に転写し、さらに、保持用基材の積層又は保持用基材への導体層のパターンの転写によって導体層パターン付き基材が得られる。従って、これによって得られる導体層パターン付き基材を以後使用するようにすると、導体層パターン付き基材の製造法としては、工程数が増えないので、好ましいが、この場合、量産性を考えると、支持基材として、柔軟な樹脂フィルムを使用する場合などはよいが、ガラス板等の硬い材料を基材材料として使用する場合は、ロールトゥロール方式等の連続的な製造方法を選択できない等、生産方式に制約がある。そこで、保持用基材の支持基材としてロールトゥロール方式が可能で、ロール状の導体層担持基材を得ることができるプラスチックフィルムを使用し（同様の理由で、転写用基材の支持基材もプラスチックフィルムを使用することが好ましい）、支持基材のみをガラス板等の硬い基材に交換することで、量産性を低下させずに導体層パターン付きの硬い基材を製造でき、かつ簡便にガラス基材等の硬い基材上に導体層のパターンを形成できる。
上記の交換工程はこのような場合に、便利であり、また、適宜支持基材を交換できるので便利である。
Any process for exchanging the above-described peelable substrate is advantageous in selecting a peelable substrate having appropriate adhesion.
In addition, any process for exchanging the above-described peelable substrate has the following significance depending on the case. The pattern of the conductor layer formed on the electroconductive substrate for plating is transferred to the substrate for transfer, and further, with the conductor layer pattern by laminating the substrate for holding or transferring the pattern of the conductor layer to the substrate for holding A substrate is obtained. Therefore, when the base material with a conductor layer pattern obtained in this way is used thereafter, the method for producing a base material with a conductor layer pattern is preferable because the number of steps does not increase, but in this case, considering mass productivity When a flexible resin film is used as a support substrate, it is good, but when a hard material such as a glass plate is used as a substrate material, a continuous production method such as a roll-to-roll method cannot be selected. There are restrictions on the production system. Therefore, a plastic film that can be used as a supporting substrate for the holding substrate and can obtain a roll-shaped conductor layer-supporting substrate is used (for the same reason, a supporting substrate for the transferring substrate). It is also preferable to use a plastic film as the material), and by replacing only the supporting base material with a hard base material such as a glass plate, a hard base material with a conductor layer pattern can be produced without reducing mass productivity, and The pattern of the conductor layer can be easily formed on a hard substrate such as a glass substrate.
The above replacement step is convenient in such a case, and is convenient because the support substrate can be replaced as appropriate.
本発明で使用する導体層パターン付き基材において、導体層の断面形状が矩形状のもの（「導体層Ｃ」という）であるものは、導電性基材上に、フォトリソグラフ法により、溝パターンを有するレジストパターンを形成し、この溝内にめっきにより金属層を形成して金属パターンを形成し、この金属パターンを前記した転写用基材に転写する方法により作製することができる。なお、上記の溝は、導電性基材が露出しており、フォトリソグラフ法により断面形状を容易に矩形状にできる。めっき法は前記しためっき法を利用することができる。また、めっきは、溝から少々はみ出るようにして、前記した転写工程と同様にして転写用基材に転写することができる。得られた導体層パターン付き基材のさらなる加工は、前記の方法と同様に行うことができる。また、導体層の樹脂層への埋設量の調整も前記と同様に行うことができる。 In the base material with a conductor layer pattern used in the present invention, the conductor layer having a rectangular cross section (referred to as “conductor layer C”) is formed on the conductive base material by a photolithographic method. It is possible to produce a resist pattern having a metal pattern by forming a metal layer in the groove by plating, forming a metal pattern, and transferring the metal pattern to the transfer substrate. Note that the conductive base material is exposed in the groove, and the cross-sectional shape can be easily made rectangular by a photolithographic method. As the plating method, the above-described plating method can be used. Further, the plating can be transferred to the transfer base material in the same manner as the transfer step described above so as to slightly protrude from the groove. Further processing of the obtained substrate with a conductor layer pattern can be carried out in the same manner as described above. Moreover, the adjustment of the amount of conductor layer embedded in the resin layer can be performed in the same manner as described above.
本発明により得られる導体層パターン付き基材の導体層を黒化処理して、黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材とすることができる。このためには、上記図１４（ｈ）又は図１６に示す導体層パターン付き基材２３若しくはこれらと同様の導体層パターン付き基材又はこれらの導体層パターン付き基材で導体層の埋設厚さを調整したものの導体層１９を黒化処理する方法、めっき用導電性基材１１の凹部１４に形成された導体層１９をそれが剥離・転写される前に黒化処理する方法及びこれらの両方の黒化処理を行う方法がある。
このように黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材を黒色層を光入射側にして利用することにより光反射を防ぐことができる。
上記の黒化処理の方法は、金属パターンに黒色層を形成する手法であるが、このためには、金属層にめっきや酸化処理、印刷などの様々な手法を用いることができる。
The conductor layer of the substrate with a conductor layer pattern obtained by the present invention can be blackened to obtain a substrate with a conductor layer pattern having a conductor layer pattern that has been blackened. For this purpose, the thickness of the conductor layer embedded in the base material with
Light reflection can be prevented by using a substrate with a conductor layer pattern having a conductor layer pattern that has been blackened in this manner with the black layer as the light incident side.
The above blackening treatment method is a method of forming a black layer on a metal pattern. For this purpose, various methods such as plating, oxidation treatment, and printing can be used for the metal layer.
また、本発明で用いられるめっき用導電性基材として、回転体（ロール）を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。回転体（ロール）は金属製が好ましい。さらに、回転体としてはドラム式電解析出法に用いるドラム電極などを用いることが好ましい。ドラム電極の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめっき付着性が比較的低い材料を用いることが好ましい。導電性基材として回転体を用いることにより連続的に作製して巻物として導体層パターン付き基材を得ることが可能となるため、この場合、生産性が飛躍的に大きくなる。
回転体を用いて、電界めっきにより形成されたパターンを連続的に剥離しながら、導体層パターン付き基材を巻物として得る工程及び導電性基材としてドラム電極を用いた場合に、ドラム電極を回転させつつ、金属を電界めっきにより連続的に析出させ、また、析出した金属を連続的に剥離する装置は、国際公開ＷＯ２００８／０８１９０４に記載される方法及び装置を利用することができる。
In addition, as described above, a rotating body (roll) can be used as the conductive base material for plating used in the present invention. The rotating body (roll) is preferably made of metal. Furthermore, it is preferable to use a drum electrode or the like used in the drum-type electrolytic deposition method as the rotating body. As described above, the material that forms the surface of the drum electrode may be a material with relatively low plating adhesion, such as stainless steel, chrome-plated cast iron, chrome-plated steel, titanium, or titanium-lined material. preferable. By using a rotating body as the conductive base material, it is possible to obtain a base material with a conductor layer pattern as a roll, and in this case, productivity is greatly increased.
Using a rotating body, while continuously peeling the pattern formed by electroplating, rotating the drum electrode when using the drum electrode as the conductive substrate and the process of obtaining the substrate with the conductor layer pattern as a scroll In addition, a method and an apparatus described in International Publication WO2008 / 081904 can be used as an apparatus for continuously depositing metal by electroplating and continuously peeling the deposited metal.
さらに、本発明で用いられるめっき用導電性基材として、フープ状のめっき用導電性基材を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。フープ状のめっき用導電性基材は、帯状の導電性基材の表面に絶縁層と凹部を形成した後、端部をつなぎ合わせるなどして作製できる。導電性基材の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめっき付着性が比較的小さい材料を用いることが好ましい。フープ状の導電性基材を用いた場合には、黒化処理、防錆処理、転写等の工程を、１つの連続した工程で処理可能となるため導電性パターン付き基材の生産性が高く、また、導電性パターン付き基材を連続的に作製して巻物として製品とすることができる。フープ状の導電性基材の厚さは適宜決定すればよいが、１００〜１０００μｍであることが好ましい。
フープ状の導電性基材を用いて、電界めっきにより形成された導体層パターンを連続的に剥離しながら、構造体を巻物として得る工程及び導電性基材としてフープ状導電性基材を用いた場合に連続的に導体層パターンを電界めっきにより析出させながら剥離する装置は、国際公開ＷＯ２００８／０８１９０４に記載される方法及び装置を利用することができる。
Furthermore, as described above, the hoop-like conductive substrate for plating can be used as the conductive substrate for plating used in the present invention. This will be described in detail. The hoop-shaped conductive substrate for plating can be produced by forming an insulating layer and a recess on the surface of the strip-shaped conductive substrate and then joining the end portions together. As described above, the material forming the surface of the conductive substrate is made of a material having relatively low plating adhesion, such as stainless steel, chrome-plated cast iron, chrome-plated steel, titanium, or titanium-lined material. It is preferable. When a hoop-like conductive base material is used, the process of blackening treatment, rust prevention treatment, transfer, etc. can be processed in one continuous process, so the productivity of the base material with a conductive pattern is high. Moreover, the base material with an electroconductive pattern can be produced continuously, and it can be set as a product as a scroll. The thickness of the hoop-like conductive substrate may be determined as appropriate, but is preferably 100 to 1000 μm.
Using a hoop-like conductive base material, a conductor layer pattern formed by electroplating was continuously peeled off, and a structure was obtained as a scroll, and a hoop-like conductive base material was used as the conductive base material. In some cases, a method and an apparatus described in International Publication WO2008 / 081904 can be used as an apparatus for continuously peeling a conductor layer pattern while depositing it by electroplating.
また、本発明における導体層パターン付き基材は、上記のような回転ロールやフープを利用した連続的なめっき方法に限らず枚葉で作製することも可能である。枚葉で行った場合、めっき用導電性基材の作製時の取扱が容易であり、同一のめっき用導電性基材を繰り返し使用した後に一箇所だけ絶縁層が剥離した、といった場合でもドラム状やフープ状の基材であると特定部分だけの抜き取りあるいは交換は困難であるが、枚葉であれば不良が発生しためっき用導電性基材のみを抜き取りあるいは交換することが可能である。このように枚葉で作製することにより、めっき用導電性基材に不具合が発生したときの対応が容易である。枚葉状の導電性基材の厚みは適宜決定すればよいが、めっき槽内で液の攪拌等に左右されない十分な強度を持たせることを考慮すると厚みは２０μｍ以上が好ましい。厚すぎると重量が増え取扱が困難であるため１０ｃｍ以下の厚みであることが好ましい。 Moreover, the base material with a conductor layer pattern in the present invention is not limited to a continuous plating method using a rotating roll or a hoop as described above, and can be manufactured as a single wafer. When performed in a single wafer, it is easy to handle when preparing a conductive substrate for plating, and even when the same insulating layer is peeled off after repeated use of the same conductive substrate for plating, it is drum-shaped. In the case of a hoop-shaped substrate, it is difficult to extract or replace only a specific portion. However, if it is a sheet, it is possible to extract or replace only the conductive substrate for plating in which a defect has occurred. In this way, by making a single wafer, it is easy to handle when a problem occurs in the conductive substrate for plating. The thickness of the sheet-like conductive base material may be determined as appropriate, but the thickness is preferably 20 μm or more in consideration of giving sufficient strength not depending on the stirring of the liquid in the plating tank. If it is too thick, the weight increases and it is difficult to handle, so a thickness of 10 cm or less is preferable.
本発明に係る電磁波シールド部材を用いたタッチパネルディスプレイ装置の層構造の一例を図３６にしめす。
図３６（ａ）では、液晶ディスプレイパネル５０上に、順次、電磁波シールド層５１、および透明基材５３が積層されており、タッチパネル５２とガラス等の透明基材５３とは、粘着剤層５４によって接着されている。電磁波シールド層５１は粘着剤層５５と合わせて、本発明係る電磁波シールド部材を構成し、この電磁波シールド部材によって、実は、この電磁波シールド部材内の粘着剤層５５によって液晶ディスプレイパネル５０とタッチパネル５２が貼着されている。そして、電磁波シールド部材の電磁波シールド層５１がタッチパネル５２に接するように積層されている。この詳細については、図３７において、説明する。さらに取出配線部材５７が電磁波シールド層の端部と導通するように、電磁波シールド層５１とタッチパネル５２の間に設置されている。この詳細も後記する。
図３６（ｂ）は、図３６（ａ）と同様の層構造を示しているが、電磁波シールド部材は、電磁波シールド層５１と粘着剤層５６から構成され、これによって液晶ディスプレイパネル５０とタッチパネル５２が貼着されている。そして、電磁波シールド部材の電磁波シールド層５１が液晶ディスプレイパネル５０に接するように積層されている。この詳細についても、図３７において、説明する。さらに取出配線部材５７が電磁波シールド層の端部と導通するように、電磁波シールド層５１と液晶ディスプレイパネル５０の間に設置されている。この詳細も後記する。なお、透明基材５３側が視認側となる。
図３６（ｃ）も、図３６（ａ）と同様の層構造を示しているが、電磁波シールド部材は、電磁波シールド層５１、粘着剤層５５および粘着剤層５６から構成され、これによって液晶ディスプレイパネル５０とタッチパネル５２が貼着されている。この詳細についても、図３７（ｃ）において、説明する。そして、電磁波シールド部材の電磁波シールド層５１の端部と導通するように取出配線部材５７が粘着剤層５５の一部欠切した部分に設置されている。この詳細も後記する。
以上の構成において、いずれの粘着剤層も空気層による反射損失などを発生させないように各要素貼着するように設計されていることが好ましく、この故に、光学接着層とも呼ばれる。
本発明の電磁波シールド層は液晶ディスプレイから放出される電磁波を吸収あるいは相殺し、タッチパネルにノイズを発生させない役目をする。電磁波シールド層で電磁波を吸収する場合は、電磁波シールド層とグランド電位を有する電気部材との接続が必要である。また、電磁波シールド層で電磁波を相殺する場合は、電磁波シールド層と相殺用電磁波の電源との接続が必要である。そのため、電磁波シールド層と他の電気部材との接続のための取出配線部材（電磁波シールド部材または他の電気部材の一部であってもよい）が必要となる。
An example of the layer structure of the touch panel display device using the electromagnetic wave shielding member according to the present invention is shown in FIG.
In FIG. 36A, an electromagnetic
FIG. 36B shows the same layer structure as FIG. 36A, but the electromagnetic wave shielding member is composed of the electromagnetic
FIG. 36 (c) also shows the same layer structure as FIG. 36 (a), but the electromagnetic wave shielding member is composed of an electromagnetic
In the above configuration, it is preferable that any pressure-sensitive adhesive layer is designed so that each element is stuck so as not to cause a reflection loss due to the air layer. Therefore, it is also called an optical adhesive layer.
The electromagnetic wave shielding layer of the present invention serves to absorb or cancel electromagnetic waves emitted from the liquid crystal display and prevent noise from being generated on the touch panel. When the electromagnetic wave is absorbed by the electromagnetic wave shielding layer, it is necessary to connect the electromagnetic wave shielding layer and an electric member having a ground potential. Further, when the electromagnetic wave is canceled by the electromagnetic wave shield layer, it is necessary to connect the electromagnetic wave shield layer and a power source for the electromagnetic wave for cancellation. Therefore, a lead-out wiring member (which may be a part of the electromagnetic shielding member or another electrical member) for connection between the electromagnetic shielding layer and the other electrical member is required.
本発明に係る電磁波シールド部材の好ましい層構造を説明する。
図３７は、本発明に係る電磁波シールド部材の好ましい層構造を示す模式的断面図である。
図３７（ａ）は、電磁波シールド層５１と粘着剤層５５の積層物が第１の剥離性基材５８と第２の剥離性基材５９に挟まれた層構造を有する。図３７（ｂ）は、同様に電磁波シールド層５１と粘着剤層５５の積層物が第１の剥離性基材５８と第２の剥離性基材５９に挟まれた層構造を有するが、図３７（ａ）とは、第１の剥離性基材５８と第２の剥離性基材５９とが逆になっている。図３７（ｃ）では、電磁波シールド層５１が粘着剤層５５と粘着剤層５６に挾まれた積層物が第１の剥離性基材５８と第２の剥離性基材５９にさらに挟まれた層構造を有する。図３７（ａ）および（ｂ）において、電磁波シールド層５１は、前記した導体層パターンからなり、この導体層（電磁波シールド層）は、粘着剤層５５に前記したように埋設されており、電磁波シールド層５１の開口部内に粘着剤層が進入している。また、図３７（ｃ）における電磁波シールド層５１は、前記した導体層パターンからなり、この導体層（電磁波シールド層）は、粘着剤層５５と粘着剤５６のどちらかに埋設されているか、両方に埋設されている。両方に埋設されているとは、電磁波シールド層の開口部に両方の粘着剤層が進入し、その境界が電磁波シールド層の開口部内に存在する場合である。なお、粘着剤層５５と粘着剤５６は全く同一のものでものよく、この場合には、粘着剤層５５と粘着剤５６は、一つの粘着剤層であって、この中に電磁波シールド層が完全に埋没している場合である、
これらの場合において、剥離性基材５８を剥離して、その露出面を液晶ディスプレイに、剥離性基材５９を剥離してその露出面をタッチパネルに貼り合わせるようにする。
剥離性基材５８または５９を剥離して網目状の電磁波シールド層５１が露出しても、その開口部には、粘着剤層が進入し、十分に粘着性を有する。粘着剤層が電磁波シールド層の開口部から突出していない場合でも、圧着するなどして粘着剤層を流動させることにより粘着力を発揮させることが好ましい。粘着剤層は、透明性を有するものであるが、特別な光学的機能を担わせた光学部材とすることができる。
また、予めこの電磁波シールド層の端部の一部に取出配線部材を貼り付けておくことにより、上記の貼着によって電磁波シールド層の形成とともに電磁波シールド層との配線接続部材との接続を完了させることができる。これの詳細については、次に説明する。
A preferred layer structure of the electromagnetic wave shielding member according to the present invention will be described.
FIG. 37 is a schematic cross-sectional view showing a preferred layer structure of the electromagnetic wave shielding member according to the present invention.
FIG. 37A has a layer structure in which a laminate of the electromagnetic
In these cases, the
Even if the
Further, by previously attaching the extraction wiring member to a part of the end of the electromagnetic wave shielding layer, the electromagnetic wave shielding layer is formed and the connection with the electromagnetic wave shielding layer and the wiring connection member is completed by the above adhesion. be able to. Details of this will be described next.
図３８は、液晶ディスプレイパネル５０、本発明に係る電磁波シールド部材、タッチパネル５２および取出配線部材５７の構成の詳細な例を示す断面図である。
取出配線部材は、基材６０とその上に積層されている配線層６１からなる。また、電磁波シールド層５１は、網目状の導体層からなるが、図３８では、格子状メッシュ形態からなる連続した導体層として、導体層の紙面に垂直な方向に延びる線の断面のみを示す。図３８では、電磁波シールド層５１の開口部に粘着剤が進入している様子がみえる。
図３８（ａ）は、図３６（ａ）における態様の詳細、図３８（ｂ）は、図３６（ｂ）における態様の詳細、そして、図３８（ｃ）は、図３６（ｃ）における態様の詳細を示す。いずれの場合も、電磁波シールド層５１の端部で、取出配線部材の配線層と接触し導通しており、粘着剤層５５または５６により貼着されている。図３８（ａ）では、取出配線部材が電磁波シールド層５１とタッチパネル５２の間、図３８（ｂ）では、取出配線部材が電磁波シールド層５１と液晶ディスプレイパネル５０の間に位置させ、図３８（ｃ）では、粘着剤層５５の欠切部において、取出配線部材が粘着剤層５６により貼着されている。
図３８（ｄ）は、図３８（ａ）の変形であって、取出配線部材がタッチパネル欠切部（例えば、タッチパネルが液晶ディスプレイパネルより小さい場合などに起こりうる部分である）において、配線層６１が電磁波シールド層５１と導通するように取出配線部材が粘着剤層５５により貼着されている。
また、図３８（ｅ）は、図３８（ｂ）の変形であって、取出配線部材が液晶ディスプレイパネル欠切部（例えば、液晶ディスプレイパネルがタッチパネルより小さい場合などに起こりうる部分である）において、配線層６１が電磁波シールド層５１と導通するように取出配線部材が粘着剤層５６により貼着されている。
取出配線基材の基材６０としては、ポリイミド、ポリエステルのフィルムが代表的に使用され、配線層６１としては、銅箔等の金属箔が代表的に使用される。
FIG. 38 is a cross-sectional view showing a detailed example of the configuration of the liquid
The lead-out wiring member includes a
FIG. 38 (a) shows details of the embodiment in FIG. 36 (a), FIG. 38 (b) shows details of the embodiment in FIG. 36 (b), and FIG. 38 (c) shows an embodiment in FIG. 36 (c). Details are shown. In either case, the end portion of the electromagnetic
FIG. 38 (d) is a modification of FIG. 38 (a), and the
FIG. 38 (e) is a modification of FIG. 38 (b), in which the extraction wiring member is a liquid crystal display panel cutout portion (for example, a portion that may occur when the liquid crystal display panel is smaller than the touch panel). The take-out wiring member is adhered by the
A polyimide or polyester film is typically used as the
本発明に係る電磁波シールド部材と取出配線部材とは直接接触して接続する場合には限らない。
電磁波シールド層の断面は電磁波シールド部材の端部から露出しているため、Ａｇペーストやはんだ等の接続時に流動性を有する導電性材料を電磁波シールド層の断面に接触することで電気接続を可能とする。そのため、流動性を有する導電性材料を介して、電磁波シールド層と取出配線部材とを電気的に接続することができ、その一例を図３９に示す。図３９（ａ）では、図３８（ｅ）の構成を得た後に、Ａｇペースト等の導電性材料６２を塗布・乾燥させると得ることができる。電磁波シールド層と配線層とが電気的な接続がより確実になる。しかし、この導電性材料６２による電気的な接続は補助的なだけではなく、図３９（ｂ）に示すように導電性材料を介して電磁波シールド層と配線層とを電気的に接続することもできる。図３９（ｂ）では、電磁波シールド部材を液晶ディスプレイ５０及びタッチパネル５２の間に積層した後に、取出配線部材（基材６０及び配線層６１からなる）を配線層６１を上にして粘着剤６３で固定し、さらに電磁波シールド層５１（端部の導体層断面）と配線層６１とを接続するようにＡｇペースト等の導電性材料６２を塗布・乾燥させると得ることができる。なお、取出配線部材の固定する場所は液晶ディスプレイ及びタッチパネルに限定されず、その固定方法も粘着剤に限定されない。
The electromagnetic wave shielding member and the lead-out wiring member according to the present invention are not limited to direct contact and connection.
Since the cross section of the electromagnetic wave shielding layer is exposed from the end of the electromagnetic wave shielding member, electrical connection is possible by contacting a conductive material having fluidity with the cross section of the electromagnetic wave shielding layer when connecting an Ag paste or solder. To do. Therefore, the electromagnetic wave shielding layer and the extraction wiring member can be electrically connected through the conductive material having fluidity, and an example thereof is shown in FIG. In FIG. 39A, after obtaining the configuration of FIG. 38E, the
タッチパネルの層構成の一例を説明する。タッチパネルの中心には透明基材としてガラス板が配置され、ガラス板の両面には透明導電膜としてスパッタ法等によりＩＴＯ膜が成膜される。この透明導電膜には一般的に２００Ω／□以下の表面抵抗率が望まれる。次いで、各ＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ技術によりエッチングし、タッチパネルとして必要なパターニングが与えられる。各ＩＴＯ膜の存在する面には、スパッタ法等によりＡｌやＭｏの金属薄膜が成膜され、フォトリソグラフィ技術によりエッチングされ、周辺部部分に額縁状に引き出し電極線が形成される。あるいは、Ａｇペーストの印刷により同様に引き出し電極線が形成される。次いで、透明導電膜や引き出し電極線の両表面には保護膜としてスパッタ法等により５０〜１００ｎｍ厚のＳｉＯ２膜が成膜される。
An example of the layer configuration of the touch panel will be described. A glass plate is disposed as a transparent substrate in the center of the touch panel, and an ITO film is formed on both surfaces of the glass plate by a sputtering method or the like as a transparent conductive film. The transparent conductive film is generally desired to have a surface resistivity of 200Ω / □ or less. Next, each ITO film is etched by a photolithography technique, and patterning necessary for a touch panel is given. On the surface on which each ITO film exists, a metal thin film of Al or Mo is formed by sputtering or the like, and is etched by a photolithography technique to form a lead-out electrode line in a frame shape in the peripheral portion. Alternatively, lead electrode lines are similarly formed by printing Ag paste. Next, a
液晶ディスプレイの層構成の一例を説明する。液晶ディスプレイの視認面の最も反対側にバックライトユニットが配置され、その上に偏光フィルターが配置され、その上に液晶ユニットが配置され、その上に偏光フィルターが配置されている。液晶ユニットは、ガラス基板上に順次、パターニングされた透明導電膜および配向膜が積層された部材と、ガラス基板上に順次にカラーフィルター、パターニングされた透明導電膜および配向膜が形成された部材とが、配向膜が向かい合うように液晶層を挟んだものである。この液晶層にはビーズ等のスペーサが含まれる。この液晶ユニットのカラーフィルターが形成されている面が視認面側に配置される。 An example of the layer structure of the liquid crystal display will be described. A backlight unit is disposed on the most opposite side of the viewing surface of the liquid crystal display, a polarizing filter is disposed thereon, a liquid crystal unit is disposed thereon, and a polarizing filter is disposed thereon. The liquid crystal unit includes a member in which a patterned transparent conductive film and an alignment film are sequentially stacked on a glass substrate, and a member in which a color filter, a patterned transparent conductive film and an alignment film are sequentially formed on the glass substrate, However, the liquid crystal layer is sandwiched so that the alignment films face each other. This liquid crystal layer includes spacers such as beads. The surface on which the color filter of the liquid crystal unit is formed is disposed on the viewing surface side.
＜めっき用導電基材の作製＞
まず、めっき用導電基材を作製した。
（パターン仕様１）
以下の仕様で、パターン形成用のネガフィルムを作製した。光透過部のライン幅が９μｍ、ラインピッチが２５０μｍ、バイアス角度が４５°（正四角形のなかに、ラインが正四角形の辺に対して４５度の角度になるように配されている）で、格子状にパターンを１２０ｍｍ角のサイズで形成した。
<Preparation of conductive substrate for plating>
First, a conductive substrate for plating was produced.
(Pattern specification 1)
A negative film for pattern formation was produced with the following specifications. The light transmission part has a line width of 9 μm, a line pitch of 250 μm, and a bias angle of 45 ° (in the regular square, the line is arranged at an angle of 45 degrees with respect to the side of the regular square) A pattern was formed in a grid shape with a size of 120 mm square.
（凸状パターンの形成）
レジストフィルム（フォテックＲＹ３３１５、日立化成工業株式会社製）を１５０ｍｍ角のステンレス板（ＳＵＳ３１６Ｌ、＃４００研磨仕上げ、厚さ５００μｍ、日新製鋼（株）製）の両面に貼り合わせた（図１１（ａ）に対応するが同一ではない）。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、パターン仕様１のネガフィルムを、ステンレス板の片面に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムを載置したステンレス板の上下から、紫外線を２５０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに、１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、ＳＵＳ板の上にライン幅９〜１１μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５度の突起部レジスト膜（突起部；高さ１５μｍ）を得た。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため、現像されず、全面にレジスト膜が形成されている（図１１（ｂ）に対応するが同一ではない）。
(Formation of convex pattern)
A resist film (Photech RY3315, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was bonded to both sides of a 150 mm square stainless steel plate (SUS316L, # 400 polished finish, thickness 500 μm, manufactured by Nisshin Steel Co., Ltd.) (FIG. 11 (a ) But not the same). The bonding conditions were a roll temperature of 105 ° C., a pressure of 0.5 MPa, and a line speed of 1 m / min. Subsequently, the negative film of the
（絶縁層の形成）
ＰＢＩＩ／Ｄ装置（ＴｙｐｅＩＩＩ、株式会社栗田製作所製）によりＤＬＣ膜を形成する。チャンバー内にレジスト膜が付いたままのステンレス基板を入れ、チャンバー内を真空状態にした後、アルゴンガスで基板表面のクリーニングを行った。次いで、チャンバー内にヘキサメチルジシロキサンを導入し、膜厚０．１μｍとなるように中間層を成膜した。次いで、トルエン、メタン、アセチレンガスを導入し、膜厚が２〜３μｍとなるように、中間層の上にＤＬＣ層を形成した（図１１（ｃ）に対応するが同一ではない）。
(Formation of insulating layer)
A DLC film is formed by a PBII / D apparatus (Type III, manufactured by Kurita Manufacturing Co., Ltd.). A stainless steel substrate with a resist film attached thereto was placed in the chamber, the inside of the chamber was evacuated, and the substrate surface was cleaned with argon gas. Next, hexamethyldisiloxane was introduced into the chamber, and an intermediate layer was formed to a thickness of 0.1 μm. Next, toluene, methane, and acetylene gas were introduced, and a DLC layer was formed on the intermediate layer so as to have a film thickness of 2 to 3 μm (corresponding to FIG. 11C, but not the same).
（凹部の形成；絶縁層の付着した凸状パターンの除去）
絶縁層が付着したステンレス基板を水酸化ナトリウム水溶液（１０％、５０℃）に浸漬し、時々揺動を加えながら８時間放置した。凸状パターンを形成するレジスト膜とそれに付着したＤＬＣ膜が剥離してきた。一部剥がれにくい部分があったため、布で軽くこすることにより全面剥離し、めっき用導電性基材を得た（図１１（ｄ）に対応するが同一ではない）。
凹部の形状は、開口方向に向かって幅広になっており、その凹部側面の傾斜角は、前記境界面の角度と同じであった。凹部の深さは２〜３μｍであった。また、凹部の底部での幅は、９〜１１μｍ、開口部での幅（最大幅）は１３〜１６μｍ、であった。凹部のラインピッチは２５０μｍであった。
(Concavity formation; removal of convex pattern with insulating layer attached)
The stainless steel substrate with the insulating layer attached was immersed in an aqueous sodium hydroxide solution (10%, 50 ° C.) and left for 8 hours with occasional rocking. The resist film forming the convex pattern and the DLC film adhering thereto have been peeled off. Since there was a part that was difficult to peel off, the entire surface was peeled off by lightly rubbing with a cloth to obtain a conductive substrate for plating (corresponding to FIG. 11 (d), but not the same).
The shape of the recess was wider toward the opening direction, and the inclination angle of the side surface of the recess was the same as the angle of the boundary surface. The depth of the recess was 2 to 3 μm. Moreover, the width | variety in the bottom part of a recessed part was 9-11 micrometers, and the width | variety (maximum width) in an opening part was 13-16 micrometers. The line pitch of the recesses was 250 μm.
＜導体層のパターンの形成＞
（銅めっき）
さらに、上記で得られためっき用導電性基材のパターンが形成されていない面（裏面）に粘着フィルム（ヒタレックスＫ−３９４０Ｂ、日立化成工業（株）製）を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）２５０ｇ／Ｌ、硫酸７０ｇ／Ｌ、キューブライトＡＲ（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）４ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を１０Ａ／ｄｍ２として、めっき用導電性基材の凹部に析出した金属の厚さがほぼ３μｍになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部の中とそれからあふれるようにめっきが形成された。
さらに、電流密度を５０Ａ／ｄｍ２に増加し、引き続き５秒間めっきすることでめっき表面を黒化処理した。
<Formation of conductor layer pattern>
(Copper plating)
Furthermore, an adhesive film (Hitalex K-3940B, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was attached to the surface (back surface) where the pattern of the conductive substrate for plating obtained above was not formed. Electrolytic bath for electrolytic copper plating (copper sulfate (pentahydrate) 250 g / L, sulfuric acid 70 g / L, sulfuric acid 70 g / L, cube) using the conductive substrate for plating with the adhesive film attached as a cathode and phosphorous copper as an anode light AR (Ebara-Udylite Co., additive) solution of 4 ml / L, immersed in 30 ° C.), a current density over voltage as 10A / dm 2 in both electrodes, the recess of the plating conductive substrate Plating was performed until the deposited metal thickness was approximately 3 μm. The plating was formed so as to overflow in and out of the recess of the conductive substrate for plating.
Furthermore, the current density was increased to 50 A / dm 2 and the plating surface was blackened by subsequent plating for 5 seconds.
＜転写用基材の作製＞
（配合組成物１）
２−エチルヘキシルメタクリレート ７０重量部
ブチルアクリレート １５重量部
２−ヒドロキシエチルメタクリレート １０重量部
アクリル酸 ５重量部
アゾビスイソブチロニトリル ０．１重量部
トルエン ６０重量部
酢酸エチル ６０重量部
温度計、冷却管、窒素導入管を備えた５００ｃｍ３の三つ口フラスコに、上記した配合組成物１を投入し、穏やかに撹拌しながら、６０℃に加熱して重合を開始させ、窒素でバブリングさせながら、６０℃で８時間、還流中で攪拌を行い、側鎖にヒドロキシル基を有するアクリル樹脂を得た。その後、カレンズ ＭＯＩ（２−イソシアナトエチルメタクリレート；昭和電工（株）製）５重量部を添加し、穏やかに撹拌しながら５０℃で反応させ、側鎖に光重合性官能基を有する反応性ポリマーの溶液１を得た。
得られた反応性ポリマー１は、側鎖にメタクリロイル基を有しており、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにて測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は８００，０００であった。反応性ポリマーの溶液１を１００重量部（固形分）に光重合開始剤として２−メチル−１［４−メチルチオ］フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン（商品名イルガキュア９０７、チバガイギー（株））を１重量部、イソシアネート系架橋剤（商品名コロネートＬ−３８ＥＴ、日本ポリウレタン（株）製）を３重量部、トルエンを５０重量部添加し、樹脂組成物１とした。
得られた樹脂組成物１を、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の表面に、１００℃乾燥後の膜厚が ３μｍになるように塗布して、支持基材上に粘着剤層を形成して、転写用基材を作製した。乾燥条件は、１００℃１０分間であった。
<Preparation of transfer substrate>
(Composition composition 1)
2-ethylhexyl methacrylate 70 parts by
Into a 500 cm3 three-necked flask equipped with a thermometer, a cooling pipe, and a nitrogen introduction pipe, the above-mentioned
The obtained
The obtained
＜導体層のパターンの転写＞
次いで、上記転写用基材の粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた（図１４（ｇ）に対応）。ラミネート条件は、ロール温度３０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた転写用基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が転写用基材の粘着剤層に転写されていた（図１４（ｈ）に対応）。次いで、この銅が転写された転写用基材に、紫外線を１０００ｍＪ／ｃｍ２照射し、転写用基材の粘着剤層の硬化をすすめ、その粘着剤層の粘着性を低下させた。
<Transfer of conductor layer pattern>
Next, the surface of the pressure-sensitive adhesive layer of the transfer substrate and the surface of the conductive substrate for plating that had been subjected to copper plating were bonded using a roll laminator (corresponding to FIG. 14G). Lamination conditions were a roll temperature of 30 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a line speed of 1.0 m / min. Subsequently, when the transfer substrate bonded to the conductive substrate for plating was peeled off, the copper deposited on the conductive substrate for plating was transferred to the adhesive layer of the transfer substrate (FIG. 14). Corresponding to (h)). Next, the transfer base material to which the copper was transferred was irradiated with ultraviolet rays of 1000 mJ / cm 2 to promote curing of the pressure-sensitive adhesive layer of the transfer base material, thereby reducing the adhesiveness of the pressure-sensitive adhesive layer.
＜保持用基材の作製＞
感圧型の粘着剤層厚みが５０μｍである両面粘着フィルム（ヒタレックスＤＡ３０５０、日立化成工業株式会社製）の片面のセパレータフィルムを剥離し、粘着剤層がセパレータフィルム上に形成された保持用基材を得た。
<Preparation of holding substrate>
A holding substrate in which the pressure-sensitive adhesive layer has a thickness of 50 μm and a double-sided adhesive film (Hitalex DA3050, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is peeled off, and the adhesive layer is formed on the separator film. Obtained.
＜導体層パターン付き基材の作製＞
（保持用基材への転写）
保持用基材の粘着剤層と上記の導体層のパターンを有する転写用基材を粘着剤同士が接触するように貼り合わせの準備をした（図１５（ａ）に対応）。貼り合わせは、ロール温度３０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎのラミネート条件でおこない、積層物を得た。
（支持基材の交換）
その後、上記積層物に組み込まれた保持用基材のセパレータフィルムを剥離し、露出した感圧型の粘着剤層が接触するようにガラスに、ロール温度１００℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎのラミネート条件で貼り合せた（図２１に対応）。
（導体層が露出した導体層パターン付き基材の作製）
次いで、転写用基材（紫外線を照射して硬化させた粘着剤層と支持基材）を剥離したところ、導電性パターンはガラス上に形成された感圧型の粘着剤層に転写されており、導体層パターン付き基材（図２０に相当のもの）を得た。
<Preparation of substrate with conductor layer pattern>
(Transfer to holding substrate)
The transfer substrate having the adhesive layer of the holding substrate and the above-described conductor layer pattern was prepared for bonding so that the adhesives were in contact with each other (corresponding to FIG. 15A). Bonding was performed under the lamination conditions of a roll temperature of 30 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a line speed of 0.5 m / min to obtain a laminate.
(Replacement of support substrate)
Thereafter, the separator film of the holding substrate incorporated in the laminate is peeled off, and the glass is rolled at a roll temperature of 100 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a line speed of 1. so that the exposed pressure-sensitive adhesive layer contacts. Bonding was performed under a laminating condition of 0 m / min (corresponding to FIG. 21).
(Preparation of a substrate with a conductor layer pattern in which the conductor layer is exposed)
Next, when the transfer substrate (the adhesive layer cured by irradiating ultraviolet rays and the support substrate) was peeled off, the conductive pattern was transferred to the pressure-sensitive adhesive layer formed on the glass, A substrate with a conductor layer pattern (corresponding to FIG. 20) was obtained.
得られた導体層パターン付き基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状は、図５（ａ）のような形状であり、上部層の厚みＴ２は０〜１μｍ、下部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、全体の厚みＴは３〜４μｍ、最大幅Ｌは１０〜１２μｍ、下部の上底の幅Ｌ１は９〜１０μｍ、下底の幅Ｌ２は１０〜１２μｍ、上部層の断面両端には曲率の比較的大きな彎曲があり、上部層の断面中央部の彎曲の曲率は非常に小さく、ほぼ平坦であり、角度αは４５°であった。導体層パターンのラインピッチ２５０μｍであった。このような導体層の格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、導体層の上部層の断面中央部の表面も両端部の湾曲部の一部の表面も露出していた。導体層パターンが樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）は２〜３μｍであり、導体層パターンの最大幅の部分は埋没していた。このｆの導体層パターン全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）は０．５０〜１．０であった。また、上部層の厚みＴ２の導体層パターンの最大幅Ｌに対する割合（Ｔ２／Ｌ）は０．０〜０．１０であった。 A part of the obtained base material with a conductor layer pattern was cut out, and the cross section was observed on a scanning electron micrograph (magnification 2000 times). 5 points are selected arbitrarily, and the cross-sectional shape of the conductor layer pattern is as shown in FIG. 5A. The upper layer thickness T2 is 0 to 1 μm, the lower layer thickness T1 is 2 to 3 μm, and the overall thickness. T is 3 to 4 μm, maximum width L is 10 to 12 μm, lower upper base width L1 is 9 to 10 μm, lower base width L2 is 10 to 12 μm, and the upper layer has a relatively large curvature at both ends of the cross section. The curvature of the curvature at the center of the cross section of the upper layer was very small, almost flat, and the angle α was 45 °. The line pitch of the conductor layer pattern was 250 μm. It confirmed that the base material with a conductor layer pattern which consists of a grid-like metal pattern of such a conductor layer was obtained. In addition, the surface of the central portion of the cross section of the upper layer of the conductor layer and the surfaces of the curved portions at both ends were exposed. The maximum thickness (f) of the portion where the conductor layer pattern was embedded in the resin layer was 2 to 3 μm, and the maximum width portion of the conductor layer pattern was embedded. The ratio (f / T) to the thickness (T) of the entire conductor layer pattern of f was 0.50 to 1.0. The ratio (T2 / L) of the thickness T2 of the upper layer to the maximum width L of the conductor layer pattern was 0.0 to 0.10.
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．１Ω／□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターＧＰ ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学）製を用いて、サンプルサイズ５０ｍｍ角で測定した。
＜配線接続＞
導体層パターン付き基材の導体層を４０ｍｍ×７０ｍｍの長方形にカットした。次いで、露出した導体層の２つの短辺に、厚さ１８μｍ、４０ｍｍ×５０ｍｍの銅箔２枚を導体層パターンと４０ｍｍ×１ｍｍだけ重なるようにそれぞれ仮貼りした。
＜両面接着＞
次いで、導体層が露出している粘接着剤面にＰＥＴフィルムを、ロール温度５０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎのラミネート条件で貼り合せた。
これにより、銅箔が接続された導体層パターンを有する粘接着剤により貼り合わされたガラスとＰＥＴフィルムの両面接着積層体が得られた。（図３８（ｄ）に近いが、一致しているわけではない）
The surface resistance of the obtained base material with a conductor layer pattern was 0.1Ω / □. The surface resistance was measured at a sample size of 50 mm square using a four-probe method surface resistance measuring device Lorester GP MCP-T600 (Mitsubishi Chemical).
<Wiring connection>
The conductor layer of the substrate with a conductor layer pattern was cut into a 40 mm × 70 mm rectangle. Next, two copper foils having a thickness of 18 μm and 40 mm × 50 mm were temporarily attached to the two short sides of the exposed conductor layer so as to overlap the conductor layer pattern by 40 mm × 1 mm, respectively.
<Double-sided adhesive>
Subsequently, the PET film was bonded to the adhesive layer surface where the conductor layer was exposed under the lamination conditions of a roll temperature of 50 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a line speed of 0.5 m / min.
Thereby, the double-sided adhesion laminated body of the glass and PET film which were bonded together by the adhesive which has the conductor layer pattern to which the copper foil was connected was obtained. (Similar to FIG. 38 (d), but not consistent)
（繰り返し使用）
上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして１００回繰り返した結果、銅めっきの析出性及び転写性に変化が無く、絶縁層の剥離箇所も観測されなかった。また、１００回使用後にめっき用導電性基材を切り取って絶縁層（ＤＬＣ層）の表面形状を電子顕微鏡で観察したが、形状に変化は見られなかった。
(Repeated use)
Using the conductive substrate for plating described above, the copper plating-transfer process was repeated 100 times in the same manner as described above. As a result, there was no change in the precipitation and transferability of the copper plating, and the peeling portion of the insulating layer was also observed. Was not. Moreover, the electroconductive base material for plating was cut off after 100 times of use, and the surface shape of the insulating layer (DLC layer) was observed with an electron microscope, but no change was observed in the shape.
＜熱衝撃試験＞
※接続信頼性試験としては高温高湿試験よりも熱衝撃試験のほうが厳しい試験であるため。
まず、ガラスとＰＥＴフィルムの両面接着積層体の導体層パターンと接続された２枚の銅箔の間の抵抗を測定し、熱衝撃試験前の抵抗とした。その後、両面接着積層体の導体層パターンを温度サイクル試験機（−４０℃で３０分経過後、−４０℃から１００℃まで１０分で昇温させ、１００℃で３０分間経過後、１００℃から−４０℃まで１０分で降温させ、これを１サイクルとして繰り返した。）に２００サイクル保管し、その後に２枚の銅箔の間の抵抗を測定し、熱衝撃試験後の抵抗とした。
熱衝撃試験前の抵抗は０．３Ωであり、熱衝撃試験後の抵抗は０．４Ωであったことから、両面接着積層体の導体層パターンと銅箔の接続信頼性が高いことが確認された。
<Thermal shock test>
* As the connection reliability test, the thermal shock test is more severe than the high temperature and high humidity test.
First, the resistance between the two copper foils connected to the conductor layer pattern of the double-sided adhesive laminate of glass and PET film was measured and used as the resistance before the thermal shock test. Thereafter, the conductive layer pattern of the double-sided adhesive laminate was heated in a temperature cycle tester (after 30 minutes at -40 ° C, from -40 ° C to 100 ° C in 10 minutes, after 30 minutes at 100 ° C, from 100 ° C The temperature was lowered to −40 ° C. in 10 minutes, and this was repeated as one cycle.) Was stored for 200 cycles, and then the resistance between the two copper foils was measured to obtain the resistance after the thermal shock test.
Since the resistance before the thermal shock test was 0.3Ω and the resistance after the thermal shock test was 0.4Ω, it was confirmed that the connection reliability between the conductive layer pattern of the double-sided adhesive laminate and the copper foil was high. It was.
実施例１と同様に、＜めっき用導電基材の作製＞、＜導体層パターンの形成＞、＜転写用基材の作製＞、＜導体層のパターンの転写＞を行った。 In the same manner as in Example 1, <Preparation of Plating Conductive Base Material>, <Formation of Conductor Layer Pattern>, <Preparation of Transfer Base Material>, and <Transfer of Conductor Layer Pattern> were performed.
＜保持用基材の作製＞
感圧型の粘着剤層厚みが２５μｍである両面粘着フィルム（ヒタレックスＤＡ３０２５、日立化成工業株式会社製）の片面のセパレータフィルムを剥離し、粘着剤層がセパレータフィルム上に形成された保持用基材を得た。
実施例１と同様に、＜導体層パターン付き基材の作製＞を行った。
導体層パターン付き基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図５（ａ）のような形状であり、上部層の厚みＴ２は０〜１μｍ、下部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、全体の厚みＴは３〜４μｍ、最大幅Ｌは１０〜１２μｍ、下部の上底の幅Ｌ１は９〜１０μｍ、下底の幅Ｌ２は１０〜１２μｍ、上部層の断面両端には曲率の比較的大きな彎曲があり、上部層の断面中央部の彎曲の曲率は非常に小さく、ほぼ平坦であり、角度αは４５°であった。導体層パターンのラインピッチ２５０μｍであった。このような導体層の格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、導体層の上部層の断面中央部の表面も両端部の湾曲部の一部の表面も露出していた。導体層パターンが樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）は２〜３μｍであり、導体層パターンの最大幅の部分は埋没していた。このｆの導体層パターン全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）は０．５０〜１．０であった。また、上部層の厚みＴ２の導体層パターンの最大幅Ｌに対する割合（Ｔ２／Ｌ）は０．０〜０．１０であった。
<Preparation of holding substrate>
A holding substrate in which a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 25 μm and having a double-sided adhesive film (Hitalex DA3025, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is peeled off and the adhesive layer is formed on the separator film Obtained.
As in Example 1, <Preparation of substrate with conductor layer pattern> was performed.
A portion of the substrate with the conductor layer pattern was cut out and the cross section was observed on a scanning electron micrograph (magnification 2000 times). 5 points are selected arbitrarily, and the cross-sectional shape of the conductor layer pattern is as shown in FIG. 5A, the upper layer thickness T2 is 0 to 1 μm, the lower layer thickness T1 is 2 to 3 μm, and the overall thickness T Is 3 to 4 μm, the maximum width L is 10 to 12 μm, the lower base width L1 is 9 to 10 μm, the lower base width L2 is 10 to 12 μm, and there is a relatively large curvature at both ends of the upper layer cross section. The curvature of the curvature at the center of the cross section of the upper layer was very small, almost flat, and the angle α was 45 °. The line pitch of the conductor layer pattern was 250 μm. It confirmed that the base material with a conductor layer pattern which consists of a grid-like metal pattern of such a conductor layer was obtained. In addition, the surface of the central portion of the cross section of the upper layer of the conductor layer and the surfaces of the curved portions at both ends were exposed. The maximum thickness (f) of the portion where the conductor layer pattern was embedded in the resin layer was 2 to 3 μm, and the maximum width portion of the conductor layer pattern was embedded. The ratio (f / T) to the thickness (T) of the entire conductor layer pattern of f was 0.50 to 1.0. The ratio (T2 / L) of the thickness T2 of the upper layer to the maximum width L of the conductor layer pattern was 0.0 to 0.10.
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．１Ω／□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターＧＰ ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学）製を用いて、サンプルサイズ５０ｍｍ角で測定した。 The surface resistance of the obtained base material with a conductor layer pattern was 0.1Ω / □. The surface resistance was measured at a sample size of 50 mm square using a four-probe method surface resistance measuring device Lorester GP MCP-T600 (Mitsubishi Chemical).
＜配線接続＞
導体層パターン付き基材の導体層を４０ｍｍ×７０ｍｍの長方形にカットした。次いで、露出した導体層の２つの短辺に、厚さ１８μｍ、４０ｍｍ×５０ｍｍの銅箔２枚を導体層パターンと４０ｍｍ×１ｍｍだけ重なるようにそれぞれ仮貼りした。
<Wiring connection>
The conductor layer of the substrate with a conductor layer pattern was cut into a 40 mm × 70 mm rectangle. Next, two copper foils having a thickness of 18 μm and 40 mm × 50 mm were temporarily attached to the two short sides of the exposed conductor layer so as to overlap the conductor layer pattern by 40 mm × 1 mm, respectively.
＜両面接着＞
次いで、感圧型の粘着剤層厚みが２５μｍである両面粘着フィルム（ヒタレックスＤＡ３０２５、日立化成工業株式会社製）の片面のセパレータフィルムを剥離し、導体層が露出している粘接着剤面に、ロール温度５０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎのラミネート条件で貼り合せた。次いで、両面粘着フィルムの片側のセパレータフィルムを剥離した。次いで、導体層パターン付き基材の粘接着剤のみが露出した面にガラスをガラス−ガラス貼合装置にてロール温度５０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード０．１ｍ／ｍｉｎの条件で貼り合わせた。
これにより、銅箔が接続された導体層パターンを有する粘接着剤により貼り合わされたガラスとガラスの両面接着積層体が得られた。（図３８（ｃ）に近いが、一致しているわけではない）
<Double-sided adhesive>
Next, the separator film on one side of the double-sided pressure-sensitive adhesive film (Hitalex DA3025, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) having a pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive layer thickness of 25 μm is peeled off, and the adhesive layer on which the conductor layer is exposed, Bonding was performed under lamination conditions of a roll temperature of 50 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a line speed of 0.5 m / min. Next, the separator film on one side of the double-sided pressure-sensitive adhesive film was peeled off. Next, the glass is pasted on the surface of the substrate with the conductor layer pattern on which only the adhesive is exposed under the conditions of a roll temperature of 50 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a line speed of 0.1 m / min. Combined.
Thereby, the double-sided adhesion laminated body of glass and glass bonded together by the adhesive which has the conductor layer pattern to which copper foil was connected was obtained. (Similar to FIG. 38 (c), but not consistent)
＜繰り返し使用＞
上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして１００回繰り返した結果、銅めっきの析出性及び転写性に変化が無く、絶縁層の剥離箇所も観測されなかった。また、１００回使用後にめっき用導電性基材を切り取って絶縁層（ＤＬＣ層）の表面形状を電子顕微鏡で観察したが、形状に変化は見られなかった。
<Repeated use>
Using the conductive substrate for plating described above, the copper plating-transfer process was repeated 100 times in the same manner as described above. As a result, there was no change in the precipitation and transferability of the copper plating, and the peeling portion of the insulating layer was also observed. Was not. Moreover, the electroconductive base material for plating was cut off after 100 times of use, and the surface shape of the insulating layer (DLC layer) was observed with an electron microscope, but no change was observed in the shape.
＜熱衝撃試験＞
実施例１と同様に熱衝撃試験前後の抵抗を測定した。
熱衝撃試験前の抵抗は０．３Ωであり、熱衝撃試験後の抵抗は０．４Ωであったことから、両面接着積層体の導体層パターンと銅箔の接続信頼性が高いことが確認された。
<Thermal shock test>
Similarly to Example 1, the resistance before and after the thermal shock test was measured.
Since the resistance before the thermal shock test was 0.3Ω and the resistance after the thermal shock test was 0.4Ω, it was confirmed that the connection reliability between the conductive layer pattern of the double-sided adhesive laminate and the copper foil was high. It was.
＜めっき用導電基材の作製＞から＜導体層パターンの形成＞まで実施例１と同様に行った。 It carried out similarly to Example 1 from <manufacture of the electroconductive base material for plating> to <formation of a conductor layer pattern>.
＜転写用基材の作製＞
感圧型の粘着剤層厚みが５０μｍである両面粘着フィルム（ヒタレックスＤＡ３０５０、日立化成工業株式会社製）の片面のセパレータフィルムを剥離し、その面に５０μｍ厚のポリプロピレン（ＰＰ）フィルムをロールラミネータにより貼り合せた。ラミネート条件は、ロール温度３０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎとした。次いで、ＰＰフィルムと反対面のセパレータフィルムをはく離し、粘着剤層がＰＰフィルム上に形成された保持用基材を得た。
＜導体層のパターンの転写＞
次いで、上記転写用基材の粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた（図１４（ｇ）に対応）。ラミネート条件は、ロール温度３０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた転写用基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が転写用基材の粘着剤層に転写されていた（図１４（ｈ）に対応）。
<Preparation of transfer substrate>
A separator film on one side of a double-sided pressure-sensitive adhesive film (Hitalex DA3050, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) with a pressure-sensitive adhesive layer thickness of 50 μm is peeled off, and a polypropylene (PP) film with a thickness of 50 μm is pasted on the surface with a roll laminator Combined. Lamination conditions were a roll temperature of 30 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a line speed of 1.0 m / min. Next, the separator film opposite to the PP film was peeled off to obtain a holding base material in which an adhesive layer was formed on the PP film.
<Transfer of conductor layer pattern>
Next, the surface of the pressure-sensitive adhesive layer of the transfer substrate and the surface of the conductive substrate for plating that had been subjected to copper plating were bonded using a roll laminator (corresponding to FIG. 14G). Lamination conditions were a roll temperature of 30 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a line speed of 1.0 m / min. Subsequently, when the transfer substrate bonded to the conductive substrate for plating was peeled off, the copper deposited on the conductive substrate for plating was transferred to the adhesive layer of the transfer substrate (FIG. 14). Corresponding to (h)).
得られた導体層パターン付き基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状は、図５（ａ）のような形状であり、上部層の厚みＴ２は０〜１μｍ、下部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、全体の厚みＴは３〜４μｍ、最大幅Ｌは１０〜１２μｍ、下部の上底の幅Ｌ１は９〜１０μｍ、下底の幅Ｌ２は１０〜１２μｍ、上部層の断面両端には曲率の比較的大きな彎曲があり、上部層の断面中央部の彎曲の曲率は非常に小さく、ほぼ平坦であり、角度αは４５°であった。導体層パターンのラインピッチ２５０μｍであった。このような導体層の格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、導体層の上部層の断面中央部の表面も両端部の湾曲部の一部の表面も露出していた。導体層パターンが樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）は２〜３μｍであり、導体層パターンの最大幅の部分は埋没していた。このｆの導体層パターン全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）は０．５０〜１．０であった。また、上部層の厚みＴ２の導体層パターンの最大幅Ｌに対する割合（Ｔ２／Ｌ）は０．０〜０．１０であった。 A part of the obtained base material with a conductor layer pattern was cut out, and the cross section was observed on a scanning electron micrograph (magnification 2000 times). 5 points are selected arbitrarily, and the cross-sectional shape of the conductor layer pattern is as shown in FIG. 5A. The upper layer thickness T2 is 0 to 1 μm, the lower layer thickness T1 is 2 to 3 μm, and the overall thickness. T is 3 to 4 μm, maximum width L is 10 to 12 μm, lower upper base width L1 is 9 to 10 μm, lower base width L2 is 10 to 12 μm, and the upper layer has a relatively large curvature at both ends of the cross section. The curvature of the curvature at the center of the cross section of the upper layer was very small, almost flat, and the angle α was 45 °. The line pitch of the conductor layer pattern was 250 μm. It confirmed that the base material with a conductor layer pattern which consists of a grid-like metal pattern of such a conductor layer was obtained. In addition, the surface of the central portion of the cross section of the upper layer of the conductor layer and the surfaces of the curved portions at both ends were exposed. The maximum thickness (f) of the portion where the conductor layer pattern was embedded in the resin layer was 2 to 3 μm, and the maximum width portion of the conductor layer pattern was embedded. The ratio (f / T) to the thickness (T) of the entire conductor layer pattern of f was 0.50 to 1.0. The ratio (T2 / L) of the thickness T2 of the upper layer to the maximum width L of the conductor layer pattern was 0.0 to 0.10.
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．１Ω／□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターＧＰ ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学）製を用いて、サンプルサイズ５０ｍｍ角で測定した。
＜導体層パターン付き基材の作製＞
導体層が転写された転写用基材を４０ｍｍ×７０ｍｍの長方形にカットした。次いで、転写用基材の粘着剤層の導体層が露出した面をガラスに、ロール温度５０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎのラミネート条件で貼り合せた。次いで、粘着剤層からＰＰフィルムを剥離し、粘着剤層を露出させ、導体層パターン付き基材を得た。
＜両面接着＞
次いで、導体層パターン付き基材の粘接着剤のみが露出した面にガラスをガラス−ガラス貼合装置にてロール温度５０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード０．１ｍ／ｍｉｎの条件で貼り合わせた。
＜配線接続＞
次いで、導体層パターンの短辺の端部２箇所にて、すなわち導体層パターンが露出している部分にＡｇペーストを滴下し、乾燥させた。
これにより、Ａｇが接続された導体層パターンを有する粘接着剤により貼り合わされたガラスとガラスの両面接着積層体が得られた。（図０１０ｂに近いが、一致しているわけではない）
（繰り返し使用）
上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして１００回繰り返した結果、銅めっきの析出性及び転写性に変化が無く、絶縁層の剥離箇所も観測されなかった。また、１００回使用後にめっき用導電性基材を切り取って絶縁層（ＤＬＣ層）の表面形状を電子顕微鏡で観察したが、形状に変化は見られなかった。
＜熱衝撃試験＞
実施例１と同様に熱衝撃試験前後の抵抗を測定した。
熱衝撃試験前の抵抗は０．３Ωであり、熱衝撃試験後の抵抗は０．４Ωであったことから、両面接着積層体の導体層パターンとＡｇの接続信頼性が高いことが確認された。
The surface resistance of the obtained base material with a conductor layer pattern was 0.1Ω / □. The surface resistance was measured at a sample size of 50 mm square using a four-probe method surface resistance measuring device Lorester GP MCP-T600 (Mitsubishi Chemical).
<Preparation of substrate with conductor layer pattern>
The transfer substrate onto which the conductor layer was transferred was cut into a 40 mm × 70 mm rectangle. Next, the surface of the transfer base material on which the conductor layer of the pressure-sensitive adhesive layer was exposed was bonded to glass under the lamination conditions of a roll temperature of 50 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a line speed of 0.5 m / min. Subsequently, the PP film was peeled from the pressure-sensitive adhesive layer to expose the pressure-sensitive adhesive layer, thereby obtaining a substrate with a conductor layer pattern.
<Double-sided adhesive>
Next, the glass is pasted on the surface of the substrate with the conductor layer pattern on which only the adhesive is exposed under the conditions of a roll temperature of 50 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a line speed of 0.1 m / min. Combined.
<Wiring connection>
Next, the Ag paste was dropped at two positions on the short side of the conductor layer pattern, that is, the portion where the conductor layer pattern was exposed, and dried.
Thereby, the double-sided adhesion laminated body of glass and glass bonded together by the adhesive which has the conductor layer pattern to which Ag was connected was obtained. (Similar to Figure 010b but not consistent)
(Repeated use)
Using the conductive substrate for plating described above, the copper plating-transfer process was repeated 100 times in the same manner as described above. As a result, there was no change in the precipitation and transferability of the copper plating, and the peeling portion of the insulating layer was also observed. Was not. Moreover, the electroconductive base material for plating was cut off after 100 times of use, and the surface shape of the insulating layer (DLC layer) was observed with an electron microscope, but no change was observed in the shape.
<Thermal shock test>
Similarly to Example 1, the resistance before and after the thermal shock test was measured.
Since the resistance before the thermal shock test was 0.3Ω and the resistance after the thermal shock test was 0.4Ω, it was confirmed that the connection reliability of the conductor layer pattern of the double-sided adhesive laminate and Ag was high. .
ガラスの代わりに液晶ディスプレイパネルを用い、ＰＥＴフィルムの代わりに静電容量式タッチパネルを用いた以外は、実施例１と同様に両面接着積層体を作製した。
次いで、導体層パターンを有する両面粘接着剤層により液晶ディスプレイパネルと静電容量式タッチパネルとが貼り合わされた両面接着積層体を、５０℃、０．５ＭＰａ、２０分の条件でオートクレープ処理を施した。
タッチパネルの動作を行った結果、導体層パターンの電磁波シールド機能により、タッチパネル部材のノイズが低減することが確認できた。
A double-sided adhesive laminate was prepared in the same manner as in Example 1 except that a liquid crystal display panel was used instead of glass and a capacitive touch panel was used instead of the PET film.
Next, the autoclave treatment is performed on the double-sided adhesive laminate in which the liquid crystal display panel and the capacitive touch panel are bonded with the double-sided adhesive layer having the conductor layer pattern under the conditions of 50 ° C., 0.5 MPa, and 20 minutes. gave.
As a result of the operation of the touch panel, it was confirmed that the noise of the touch panel member was reduced by the electromagnetic wave shielding function of the conductor layer pattern.
１：導体層パターン付基材
２：支持基材
３：樹脂層
４：基材
５：導体層
６：上部
７：下部
８：肩部
１１：めっき用導電性基材
１２：導電性基材
１３：絶縁層
１４：凹部
１５：感光性レジスト層（感光性樹脂層）
１６：突起部
１７：ＤＬＣ膜
１８：中間層
１９：導体層
２０：転写用基材
２１：支持基材
２２：樹脂層（粘着剤層）
２３：導体層パターン付き基材
２４：保護層（保護基材）
２５：表面保護された導体層パターン付き基材
２６：導体層パターン付き基材（少なくとも最大幅部分埋設）
２７：導体層パターン付き樹脂層
２８：透明導電膜
２９：表面に透明導電膜を有する導体層パターン付き基材
３０：支持基材２１が剥離された表面保護された導体層パターン付き基材
３１：新しい支持基材
３２：保護基材を有する新しい導体層パターン付き基材
３３：上面は樹脂層から露出している導体層が積層された導体層パターン付き基材
３４：粘着剤層
３５：上面は樹脂層２２から露出している導体層が積層された導体層パターン付き基材
３６：支持基材
３７：樹脂層
３８：保持用基材
３９：積層物
４０：導体層パターン付き保持用基材
４１：保護基材
４２：表面保護された導体層パターン付き基材
４３：露出した導体層パターン付き基材
４４：露出した導体層パターン付き基材（支持基材を含まない）導体層パターン付き樹脂層
４５：積層物
４６：別の支持基材
４７：表面保護された導体層パターン付き基材
４８：新しい導体層パターン付き基材
４９：積層物（導体層パターン付き基材）
５０：液晶ディスプレイパネル
５１：電磁波シールド層
５２：タッチパネル
５３：透明基板
５４、５５、５６：粘着剤層
５７：取出配線部材
５８、５９：剥離性基材
６０：基材
６１：配線層
６２：導電性材料
６３：粘着剤
1: Substrate with conductor layer pattern 2: Support base material 3: Resin layer 4: Base material 5: Conductive layer 6: Upper part 7: Lower part 8: Shoulder part 11: Conductive base material for plating 12: Conductive base material 13 : Insulating layer 14: Concave portion 15: Photosensitive resist layer (photosensitive resin layer)
16: Projection 17: DLC film 18: Intermediate layer 19: Conductive layer 20: Transfer base material 21: Support base material 22: Resin layer (adhesive layer)
23: Substrate with conductor layer pattern 24: Protective layer (protective substrate)
25: Substrate with a conductor layer pattern whose surface is protected 26: Substrate with a conductor layer pattern (at least part of the maximum width embedded)
27: Resin layer with a conductor layer pattern 28: Transparent conductive film 29: Substrate with a conductor layer pattern having a transparent conductive film on the surface 30: Substrate with a conductor layer pattern with a surface protection from which the
50: Liquid crystal display panel 51: Electromagnetic wave shielding layer 52: Touch panel 53:
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