JP2011135063A - 半導体装置およびその作製方法 - Google Patents
半導体装置およびその作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011135063A JP2011135063A JP2010262376A JP2010262376A JP2011135063A JP 2011135063 A JP2011135063 A JP 2011135063A JP 2010262376 A JP2010262376 A JP 2010262376A JP 2010262376 A JP2010262376 A JP 2010262376A JP 2011135063 A JP2011135063 A JP 2011135063A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide semiconductor
- layer
- semiconductor layer
- electrode layer
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 912
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 88
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 38
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 235
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 161
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 159
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 claims description 112
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 76
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 72
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 72
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 56
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 45
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 29
- 229910019092 Mg-O Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910019395 Mg—O Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 17
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910018137 Al-Zn Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910018573 Al—Zn Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1002
- 239000010408 film Substances 0.000 description 143
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 69
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 69
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 68
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 66
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 49
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 49
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 45
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 44
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 42
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 40
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 40
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 40
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 38
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 37
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 35
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 32
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 31
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 30
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 28
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 26
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 23
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 23
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 23
- 230000006870 function Effects 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 22
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 20
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 19
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 17
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 14
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 10
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 8
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 8
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 8
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 7
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 7
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 7
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 4
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 and the like Substances 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 4
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 4
- 150000002736 metal compounds Chemical group 0.000 description 4
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 4
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 4
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 4
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical class [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 3
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 3
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- 240000005020 Acaciella glauca Species 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001849 group 12 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018120 Al-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N copper molybdenum Chemical compound [Cu].[Mo] WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
- H01L21/02554—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
- H01L29/045—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes by their particular orientation of crystalline planes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/22—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIBVI compounds
- H01L29/2206—Amorphous materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/22—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIBVI compounds
- H01L29/221—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIBVI compounds including two or more compounds, e.g. alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/26—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, elements provided for in two or more of the groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22, H01L29/24, e.g. alloys
- H01L29/263—Amorphous materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78645—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
- H01L29/78648—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate arranged on opposing sides of the channel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
- H01L29/78693—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate the semiconducting oxide being amorphous
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Dram (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】絶縁表面を有する基板上の、第1の酸化物半導体層の表面から内部に向かって成長させた結晶領域を有する第1の酸化物半導体層と、第1の酸化物半導体層上の第2の酸化物半導体層と、第2の酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層と、第2の酸化物半導体層、ソース電極層、およびドレイン電極層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上の、第2の酸化物半導体層と重畳する領域のゲート電極層と、を有し、第2の酸化物半導体層は、結晶領域から成長させた結晶を有する層である半導体装置である。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、開示する発明の一態様に係る半導体装置の構成および作製方法について、図1乃至図4を参照して説明する。
図1は、半導体装置の構成の一例であるトランジスタ150を示す断面図である。なお、トランジスタ150は、キャリアが電子であるnチャネル型IGFET(Insulated Gate Field Effect Transistor)であるものとして説明するが、pチャネル型IGFETを作製することも可能である。
酸化物半導体において、DOS(density of state)等の物性研究は多くなされているが、これらの研究は、欠陥の準位そのものを十分に減らすという思想を含まない。開示する発明の一態様では、DOS増大の原因たり得る水や水素を酸化物半導体中より除去することで、高純度化し、真性化(i型化)した酸化物半導体を作製する。これは、DOSそのものを十分に減らすという思想に立脚するものである。そして、これによって極めて優れた工業製品の製造を可能とするものである。
酸化物半導体との比較対象たり得る半導体材料としては、炭化珪素(例えば、4H−SiC)などがある。酸化物半導体と4H−SiCはいくつかの共通点を有している。キャリア密度はその一例である。フェルミ・ディラック分布に従えば、酸化物半導体の少数キャリアは10−7/cm3程度と見積もられるが、これは、4H−SiCにおける6.7×10−11/cm3と同様、極めて低い値である。シリコンの真性キャリア密度(1.4×1010/cm3程度)と比較すれば、その程度が並はずれていることが良く理解できる。
酸化物半導体を用いたトランジスタの電導機構につき、図18乃至図21を用いて説明する。なお、以下の説明では、理解の容易のため理想的な状況を仮定しており、そのすべてが現実の様子を反映しているとは限らない。また、以下の説明はあくまでも一考察に過ぎないことを付記する。
次に、酸化物半導体を用いたトランジスタのホットキャリア劣化耐性につき、図22及び図23を用いて説明する。なお、以下の説明では、理解の容易のため理想的な状況を仮定しており、そのすべてが現実の様子を反映しているとは限らない。また、以下の説明はあくまでも一考察に過ぎないことを付記する。
次に、酸化物半導体を用いたトランジスタにおける短チャネル効果に関し、図24を用いて説明する。なお、以下の説明では、理解の容易のため理想的な状況を仮定しており、そのすべてが現実の様子を反映しているとは限らない。また、以下の説明はあくまでも一考察に過ぎないことを付記する。
開示する発明に係る技術思想の一は、酸化物半導体層におけるキャリア密度を十分に小さくし、できる限り真性(i型)に近づけようとするものである。以下、キャリア密度の求め方、および、酸化物半導体層において測定したキャリア密度に関し、図26および図27を参照して説明する。
次に、トランジスタ150の作製方法について図2乃至図3を参照して説明する。
次に、図1乃至図3において示した半導体装置の変形例について、図4乃至図6を参照して説明する。なお、図4乃至図6に示す半導体装置の構成要素の多くは、図1乃至図3において示した半導体装置と共通であるため、ここでは、相違点についてのみ説明する。
本実施の形態では、先の実施の形態に係る半導体装置とは異なる構成の半導体装置およびその作製方法について、図7乃至図12を参照して説明する。なお、本実施の形態に示す構成は、先の実施の形態において示す構成と多くの点で共通するから、以下では主として相違点についてのみ説明する。
図7は、半導体装置の構成の一例であるトランジスタ150を示す断面図である。
次に、半導体装置の構成の一例であるトランジスタ150の作製方法について図8乃至図10を参照して説明する。
次に、図7乃至図10において示した半導体装置の変形例について、図11乃至図13を参照して説明する。なお、図11乃至図13に示す半導体装置の構成要素の多くは、図7乃至図10において示した半導体装置と共通であるため、ここでは、相違点についてのみ説明する。
本実施の形態では、先の実施の形態で得られる半導体装置を搭載した電子機器の例について図30を用いて説明する。先の実施の形態で得られる半導体装置は、従来にない優れた特性を有するものである。このため、当該半導体装置を用いて新たな構成の電子機器を提供することが可能である。
101 導電層
101a ゲート電極層
102 絶縁層
104 酸化物半導体層
104a 酸化物半導体層
104aa 非晶質領域
104ab 結晶領域
105 酸化物半導体層
106 酸化物半導体層
106a 酸化物半導体層
107a 導電層
107b 導電層
108 導電層
108a ソース電極層またはドレイン電極層
108b ソース電極層またはドレイン電極層
109a 絶縁層
109b 絶縁層
110 高純度結晶領域
112 ゲート絶縁層
114 ゲート電極層
116 層間絶縁層
118 層間絶縁層
150 トランジスタ
200 基板
206 素子分離絶縁層
208a ゲート絶縁層
210a ゲート電極層
214 不純物領域
216 チャネル形成領域
218 サイドウォール絶縁層
220 高濃度不純物領域
224 金属化合物領域
226 層間絶縁層
228 層間絶縁層
230a ソース電極層またはドレイン電極層
230b ソース電極層またはドレイン電極層
230c 電極
230c 電極
234 絶縁層
236a 電極
236b 電極
236c 電極
250 トランジスタ
254a 電極
254b 電極
254c 電極
254d 電極
254e 電極
256 絶縁層
258a 電極
258b 電極
258c 電極
258d 電極
301 本体
302 筐体
303 表示部
304 キーボード
311 本体
312 スタイラス
313 表示部
314 操作ボタン
315 外部インターフェイス
320 電子書籍
321 筐体
323 筐体
325 表示部
327 表示部
331 電源
333 操作キー
335 スピーカー
337 軸部
340 筐体
341 筐体
342 表示パネル
343 スピーカー
344 マイクロフォン
345 操作キー
346 ポインティングデバイス
347 カメラ用レンズ
348 外部接続端子
349 太陽電池セル
350 外部メモリスロット
361 本体
363 接眼部
364 操作スイッチ
365 表示部(B)
366 バッテリー
367 表示部(A)
370 テレビジョン装置
371 筐体
373 表示部
375 スタンド
377 表示部
379 操作キー
380 リモコン操作機
500 下地部材
501 酸化物結晶層
502 酸化物半導体層
503a 酸化物結晶層
503b 酸化物結晶層
Claims (34)
- 絶縁表面を有する基板上の、第1の酸化物半導体層の表面から内部に向かって成長させた結晶領域を有する第1の酸化物半導体層と、
前記第1の酸化物半導体層上の第2の酸化物半導体層と、
前記第2の酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層と、
前記第2の酸化物半導体層、前記ソース電極層、および前記ドレイン電極層を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、前記第2の酸化物半導体層と重畳する領域のゲート電極層と、
を有し、
前記第2の酸化物半導体層は、前記結晶領域から成長させた結晶を有する層である半導体装置。 - 請求項1において、
第2の酸化物半導体層表面の高低差は、前記ゲート電極層と重畳する領域において1nm以下である半導体装置。 - 絶縁表面を有する基板上の第1のゲート電極層と、
前記第1のゲート電極層を覆う第1のゲート絶縁層と、
前記第1のゲート絶縁層上の、第1の酸化物半導体層の表面から内部に向かって成長させた結晶領域を有する第1の酸化物半導体層と、
前記第1の酸化物半導体層上の第2の酸化物半導体層と、
前記第2の酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層と、
前記第2の酸化物半導体層、前記ソース電極層、および前記ドレイン電極層を覆う第2のゲート絶縁層と、
前記第2のゲート絶縁層上の、前記第2の酸化物半導体層と重畳する領域のゲート電極層と、
を有し、
前記第2の酸化物半導体層は、前記結晶領域から成長させた結晶を有する層である半導体装置。 - 請求項3において、
第2の酸化物半導体層表面の高低差は、前記第2のゲート電極層と重畳する領域において1nm以下である半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記結晶領域は、前記第1の酸化物半導体層の前記第2の酸化物半導体層と接する界面を含む領域であって、該界面に略垂直な方向にc軸が配向する結晶を有する領域である半導体装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記絶縁表面を有する基板は、酸化物または窒化物を有する半導体装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、
前記第1の酸化物半導体層の有する結晶領域は、2nm以上10nm以下の平均膜厚を有する半導体装置。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一において、
前記第1の酸化物半導体層または前記第2の酸化物半導体層は、In−Sn−Ga−Zn−O、In−Ga−Zn−O、In−Sn−Zn−O、In−Al−Zn−O、Sn−Ga−Zn−O、Al−Ga−Zn−O、Sn−Al−Zn−Oや、In−Zn−O、Sn−Zn−O、Al−Zn−O、Zn−Mg−O、Sn−Mg−O、In−Mg−Oや、In−O、Sn−O、Zn−Oから選択されたいずれか一である半導体装置。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一において、
前記第1の酸化物半導体層または前記第2の酸化物半導体層は、高純度化された酸化物半導体層である半導体装置。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一において、
前記第1の酸化物半導体層または前記第2の酸化物半導体層のキャリア密度は、1.0×1012cm−3未満である半導体装置。 - 請求項1乃至請求項10のいずれか一において、
前記第1の酸化物半導体層または前記第2の酸化物半導体層のキャリア密度は、1.45×1010cm−3未満である半導体装置。 - 請求項1乃至請求項11のいずれか一において、
前記第1の酸化物半導体層の前記結晶領域は、多結晶の酸化物半導体材料でなる半導体装置。 - 請求項1乃至請求項12のいずれか一において、
前記第2の酸化物半導体層は、多結晶の酸化物半導体材料でなる半導体装置。 - 請求項1乃至請求項13のいずれか一において、
前記第1の酸化物半導体層および前記第2の酸化物半導体層は、いずれも多結晶の酸化物半導体材料でなる半導体装置。 - 請求項1乃至請求項14のいずれか一において、
前記第1の酸化物半導体層と前記第2の酸化物半導体層の厚さの和は、3nm以上50nm以下である半導体装置。 - 請求項1乃至請求項15のいずれか一において、
前記第1の酸化物半導体層の結晶領域と前記第2の酸化物半導体層の結晶の電子親和力は同じである半導体装置。 - 請求項1乃至請求項16のいずれか一において、
前記第2の酸化物半導体層は凹部を有する半導体装置。 - 請求項1乃至請求項17のいずれか一において、
前記第2の酸化物半導体層は高純度結晶領域を有する半導体装置。 - 請求項1乃至請求項18のいずれか一において、
前記第1の酸化物半導体層と前記第2の酸化物半導体層とは、同一主成分を含む材料である半導体装置。 - 請求項1乃至請求項18のいずれか一において、
前記第1の酸化物半導体層と前記第2の酸化物半導体層とは、異なる材料からなる半導体装置。 - 請求項1乃至請求項20のいずれか一において、
前記ソース電極層および前記ドレイン電極層の上に、前記ソース電極層および前記ドレイン電極層と略同一形状の絶縁層を有する半導体装置。 - 請求項1乃至請求項21のいずれか一において、
前記第2の酸化物半導体層と接する部分に酸素との親和性が低い材料を用いた前記ソース電極層および前記ドレイン電極層を有する半導体装置。 - 絶縁表面を有する基板上に第1の酸化物半導体層を形成し、
第1の熱処理を行うことにより、前記第1の酸化物半導体層の表面から内部に向かって成長し、該表面と略垂直な方向にc軸が配向する結晶領域を形成し、
前記第1の酸化物半導体層上に第2の酸化物半導体層を形成し、
第2の熱処理を行うことにより、前記結晶領域から結晶成長させて前記第2の酸化物半導体層を結晶化し、
前記第2の酸化物半導体層上に導電層を形成し、
前記導電層をエッチングすることにより、ソース電極層およびドレイン電極層を形成し、
前記第2の酸化物半導体層、前記ソース電極層、および前記ドレイン電極層を覆うようにゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上の前記第2の酸化物半導体層と重畳する領域にゲート電極層を形成する、半導体装置の作製方法。 - 絶縁表面を有する基板上に第1のゲート電極層を形成し、
前記第1のゲート電極層を覆うように第1のゲート絶縁層を形成し、
前記第1のゲート絶縁層上に第1の酸化物半導体層を形成し、
第1の熱処理を行うことにより、前記第1の酸化物半導体層の表面から内部に向かって成長し、該表面と略垂直な方向にc軸が配向する結晶領域を形成し、
前記第1の酸化物半導体層上に第2の酸化物半導体層を形成し、
第2の熱処理を行うことにより、前記結晶領域から結晶成長させて前記第2の酸化物半導体層を結晶化し、
前記第2の酸化物半導体層上に導電層を形成し、
前記導電層をエッチングすることにより、ソース電極層およびドレイン電極層を形成し、
前記第2の酸化物半導体層、前記ソース電極層、および前記ドレイン電極層を覆うように第2のゲート絶縁層を形成し、
前記第2のゲート絶縁層上の前記第2の酸化物半導体層と重畳する領域に第2のゲート電極層を形成する、半導体装置の作製方法。 - 請求項23または請求項24において、
前記第1の酸化物半導体層の膜厚を3nm以上15nm以下とする半導体装置の作製方法。 - 請求項23乃至請求項25のいずれか一において、
前記第1の酸化物半導体層の前記結晶領域として、多結晶の領域を形成する半導体装置の作製方法。 - 請求項23乃至請求項26のいずれか一において、
前記第2の熱処理によって、前記第2の酸化物半導体層を多結晶化する半導体装置の作製方法。 - 請求項23乃至請求項27のいずれか一において、
前記第1の熱処理および前記第2の熱処理によって、前記第1の酸化物半導体層および前記第2の酸化物半導体層を、いずれも多結晶化する半導体装置の作製方法。 - 請求項23乃至請求項28のいずれか一において、
第2の熱処理によって、第2の酸化物半導体層の表面と略垂直な方向にc軸が配向するように結晶成長させる半導体装置の作製方法。 - 請求項23乃至請求項29のいずれか一において、
前記第2の酸化物半導体層は、スパッタ法を用いて形成され、その金属酸化物ターゲットの組成比は、In:Ga:Zn=1:x:y(xは0以上2以下、yは1以上5以下)である半導体装置の作製方法。 - 請求項23乃至請求項30のいずれか一において、
前記金属酸化物ターゲットの組成は、In:Ga:Zn=1:x:y(x=1、y=1)である半導体装置の作製方法。 - 請求項23乃至請求項30のいずれか一において、
前記金属酸化物ターゲットの組成は、In:Ga:Zn=1:x:y(x=0、y=1)である半導体装置の作製方法。 - 請求項23乃至請求項32のいずれか一において、
前記ソース電極層および前記ドレイン電極層の上に、前記ソース電極層および前記ドレイン電極層と略同一形状の絶縁層を形成する半導体装置の作製方法。 - 請求項23乃至請求項32のいずれか一において、
前記第2の酸化物半導体層と接する部分に酸素との親和性が低い材料を用いて前記ソース電極層および前記ドレイン電極層を形成する半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010262376A JP5116830B2 (ja) | 2009-11-28 | 2010-11-25 | 半導体装置およびその作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009270857 | 2009-11-28 | ||
JP2009270857 | 2009-11-28 | ||
JP2010262376A JP5116830B2 (ja) | 2009-11-28 | 2010-11-25 | 半導体装置およびその作製方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012165300A Division JP5612032B2 (ja) | 2009-11-28 | 2012-07-26 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011135063A true JP2011135063A (ja) | 2011-07-07 |
JP2011135063A5 JP2011135063A5 (ja) | 2012-09-13 |
JP5116830B2 JP5116830B2 (ja) | 2013-01-09 |
Family
ID=44066348
Family Applications (11)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010262376A Active JP5116830B2 (ja) | 2009-11-28 | 2010-11-25 | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2012165300A Active JP5612032B2 (ja) | 2009-11-28 | 2012-07-26 | 半導体装置 |
JP2014178666A Active JP5926781B2 (ja) | 2009-11-28 | 2014-09-03 | 半導体装置 |
JP2016085903A Active JP6246852B2 (ja) | 2009-11-28 | 2016-04-22 | 半導体装置 |
JP2017049692A Expired - Fee Related JP6281005B2 (ja) | 2009-11-28 | 2017-03-15 | 半導体装置の作製方法および液晶表示パネルの作製方法 |
JP2017057728A Withdrawn JP2017123491A (ja) | 2009-11-28 | 2017-03-23 | 液晶表示パネルの作製方法 |
JP2017229896A Active JP6419933B2 (ja) | 2009-11-28 | 2017-11-30 | 液晶表示パネルの作製方法 |
JP2018191888A Active JP6689343B2 (ja) | 2009-11-28 | 2018-10-10 | 半導体装置の作製方法 |
JP2019020346A Withdrawn JP2019071493A (ja) | 2009-11-28 | 2019-02-07 | トランジスタ |
JP2020069046A Active JP7090117B2 (ja) | 2009-11-28 | 2020-04-07 | 半導体装置 |
JP2022095188A Withdrawn JP2022111377A (ja) | 2009-11-28 | 2022-06-13 | 半導体装置 |
Family Applications After (10)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012165300A Active JP5612032B2 (ja) | 2009-11-28 | 2012-07-26 | 半導体装置 |
JP2014178666A Active JP5926781B2 (ja) | 2009-11-28 | 2014-09-03 | 半導体装置 |
JP2016085903A Active JP6246852B2 (ja) | 2009-11-28 | 2016-04-22 | 半導体装置 |
JP2017049692A Expired - Fee Related JP6281005B2 (ja) | 2009-11-28 | 2017-03-15 | 半導体装置の作製方法および液晶表示パネルの作製方法 |
JP2017057728A Withdrawn JP2017123491A (ja) | 2009-11-28 | 2017-03-23 | 液晶表示パネルの作製方法 |
JP2017229896A Active JP6419933B2 (ja) | 2009-11-28 | 2017-11-30 | 液晶表示パネルの作製方法 |
JP2018191888A Active JP6689343B2 (ja) | 2009-11-28 | 2018-10-10 | 半導体装置の作製方法 |
JP2019020346A Withdrawn JP2019071493A (ja) | 2009-11-28 | 2019-02-07 | トランジスタ |
JP2020069046A Active JP7090117B2 (ja) | 2009-11-28 | 2020-04-07 | 半導体装置 |
JP2022095188A Withdrawn JP2022111377A (ja) | 2009-11-28 | 2022-06-13 | 半導体装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (9) | US8748881B2 (ja) |
JP (11) | JP5116830B2 (ja) |
KR (8) | KR101396015B1 (ja) |
TW (10) | TWI587522B (ja) |
WO (1) | WO2011065243A1 (ja) |
Cited By (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013021317A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2013128105A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体素子、及び半導体素子の作製方法、並びに半導体素子を用いた半導体装置 |
JP2013149965A (ja) * | 2011-12-23 | 2013-08-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2013175715A (ja) * | 2012-01-26 | 2013-09-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
JP2013211840A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-10-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサ、カメラ、監視システムおよびイメージセンサの駆動方法 |
JP2013236072A (ja) * | 2012-04-13 | 2013-11-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2013247142A (ja) * | 2012-05-23 | 2013-12-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体膜の形成方法、半導体装置の作製方法、及び半導体装置 |
KR20140020749A (ko) * | 2012-08-10 | 2014-02-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
WO2014065389A1 (en) * | 2012-10-25 | 2014-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Central control system |
JP2014099602A (ja) * | 2012-10-17 | 2014-05-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014099429A (ja) * | 2012-10-17 | 2014-05-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014116596A (ja) * | 2012-11-15 | 2014-06-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014116597A (ja) * | 2012-11-15 | 2014-06-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014132646A (ja) * | 2012-12-03 | 2014-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2014143408A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び測定装置 |
JP2014212312A (ja) * | 2013-04-01 | 2014-11-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2014232868A (ja) * | 2013-05-03 | 2014-12-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015079946A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2015165597A (ja) * | 2009-12-18 | 2015-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9166055B2 (en) | 2011-06-17 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2015195384A (ja) * | 2011-07-08 | 2015-11-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015216367A (ja) * | 2014-04-25 | 2015-12-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
KR20160012156A (ko) * | 2013-05-20 | 2016-02-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2016178299A (ja) * | 2015-03-17 | 2016-10-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、該半導体装置の作製方法、または該半導体装置を有する表示装置 |
JP2016219851A (ja) * | 2016-09-27 | 2016-12-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2017022410A (ja) * | 2012-10-17 | 2017-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017069572A (ja) * | 2016-12-09 | 2017-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2017126781A (ja) * | 2011-10-27 | 2017-07-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017130647A (ja) * | 2015-12-11 | 2017-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ、半導体装置、および電子機器 |
JP2017135395A (ja) * | 2011-07-15 | 2017-08-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の作製方法 |
JP2017135425A (ja) * | 2017-05-02 | 2017-08-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017145510A (ja) * | 2013-02-28 | 2017-08-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物膜の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
JP2017157839A (ja) * | 2011-09-29 | 2017-09-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017183731A (ja) * | 2011-09-13 | 2017-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2017201721A (ja) * | 2012-02-08 | 2017-11-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US20170323974A1 (en) | 2012-04-30 | 2017-11-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9852904B2 (en) | 2012-10-17 | 2017-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2018164107A (ja) * | 2013-04-12 | 2018-10-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
JP2018170516A (ja) * | 2011-07-08 | 2018-11-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2018186301A (ja) * | 2011-07-08 | 2018-11-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20190016611A (ko) * | 2012-05-31 | 2019-02-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2019047134A (ja) * | 2011-11-25 | 2019-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2020053695A (ja) * | 2012-04-13 | 2020-04-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2021040148A (ja) * | 2011-11-30 | 2021-03-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2021082832A (ja) * | 2012-08-10 | 2021-05-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20220075204A (ko) * | 2011-04-13 | 2022-06-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막 및 반도체 장치 |
JP2022095660A (ja) * | 2012-01-20 | 2022-06-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11949021B2 (en) | 2013-05-20 | 2024-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP7493573B2 (ja) | 2013-05-20 | 2024-05-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
Families Citing this family (100)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100043117A1 (en) * | 2008-08-19 | 2010-02-25 | Mary Elizabeth Hildebrandt | Convertible Head And Neck Supporting Apparel |
JP5504008B2 (ja) * | 2009-03-06 | 2014-05-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101291395B1 (ko) * | 2009-06-30 | 2013-07-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제조 방법 |
KR101820972B1 (ko) | 2009-10-09 | 2018-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR101669476B1 (ko) | 2009-10-30 | 2016-10-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 논리 회로 및 반도체 장치 |
CN102598282B (zh) | 2009-11-06 | 2015-09-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
KR101506304B1 (ko) | 2009-11-27 | 2015-03-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법 |
KR101396015B1 (ko) * | 2009-11-28 | 2014-05-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011065210A1 (en) | 2009-11-28 | 2011-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device |
KR101945306B1 (ko) | 2009-11-28 | 2019-02-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 적층 산화물 재료, 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
WO2011065244A1 (en) | 2009-11-28 | 2011-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2011068032A1 (en) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
KR20120099475A (ko) | 2009-12-04 | 2012-09-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
KR101481398B1 (ko) * | 2009-12-11 | 2015-01-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 래치 회로 및 cpu |
WO2011074407A1 (en) * | 2009-12-18 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101921619B1 (ko) | 2009-12-28 | 2018-11-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101878206B1 (ko) * | 2010-03-05 | 2018-07-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막의 제작 방법 및 트랜지스터의 제작 방법 |
US8629438B2 (en) | 2010-05-21 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8685787B2 (en) | 2010-08-25 | 2014-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US8629496B2 (en) | 2010-11-30 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8809852B2 (en) | 2010-11-30 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor film, semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
US8823092B2 (en) | 2010-11-30 | 2014-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TWI525818B (zh) | 2010-11-30 | 2016-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置之製造方法 |
KR101345535B1 (ko) * | 2010-12-08 | 2013-12-26 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 표시 장치 |
US8912080B2 (en) | 2011-01-12 | 2014-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of the semiconductor device |
US9082860B2 (en) * | 2011-03-31 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8878288B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8932913B2 (en) | 2011-04-22 | 2015-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US8916868B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US8809854B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8847233B2 (en) | 2011-05-12 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a trenched insulating layer coated with an oxide semiconductor film |
US8679905B2 (en) * | 2011-06-08 | 2014-03-25 | Cbrite Inc. | Metal oxide TFT with improved source/drain contacts |
US9412623B2 (en) * | 2011-06-08 | 2016-08-09 | Cbrite Inc. | Metal oxide TFT with improved source/drain contacts and reliability |
US8748886B2 (en) * | 2011-07-08 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
CN107068766B (zh) | 2011-09-29 | 2020-12-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
JP5917385B2 (ja) * | 2011-12-27 | 2016-05-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9419146B2 (en) | 2012-01-26 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9553201B2 (en) * | 2012-04-02 | 2017-01-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor, thin film transistor array panel, and manufacturing method of thin film transistor |
US8999773B2 (en) * | 2012-04-05 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Processing method of stacked-layer film and manufacturing method of semiconductor device |
US9153699B2 (en) * | 2012-06-15 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor with multiple oxide semiconductor layers |
JP2014042004A (ja) * | 2012-07-26 | 2014-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
US20140027762A1 (en) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Semiconductor device |
US9245958B2 (en) | 2012-08-10 | 2016-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2014046222A1 (en) | 2012-09-24 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
TWI821777B (zh) * | 2012-09-24 | 2023-11-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
CN102856392B (zh) * | 2012-10-09 | 2015-12-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管主动装置及其制作方法 |
KR102094568B1 (ko) | 2012-10-17 | 2020-03-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그의 제작 방법 |
JP6283191B2 (ja) | 2012-10-17 | 2018-02-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI661553B (zh) | 2012-11-16 | 2019-06-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
TWI624949B (zh) | 2012-11-30 | 2018-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
DE112013006219T5 (de) * | 2012-12-25 | 2015-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren |
KR102370239B1 (ko) | 2012-12-28 | 2022-03-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9076825B2 (en) * | 2013-01-30 | 2015-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
TWI473164B (zh) * | 2013-02-22 | 2015-02-11 | Ritedia Corp | 介電材料及使用其之電晶體裝置 |
US20140306219A1 (en) * | 2013-04-10 | 2014-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI664731B (zh) * | 2013-05-20 | 2019-07-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6400336B2 (ja) | 2013-06-05 | 2018-10-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US20150008428A1 (en) | 2013-07-08 | 2015-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
JP6322503B2 (ja) | 2013-07-16 | 2018-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015053477A (ja) | 2013-08-05 | 2015-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
KR102304824B1 (ko) | 2013-08-09 | 2021-09-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102294507B1 (ko) * | 2013-09-06 | 2021-08-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20220047897A (ko) * | 2013-12-02 | 2022-04-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
US20150177311A1 (en) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | Intermolecular, Inc. | Methods and Systems for Evaluating IGZO with Respect to NBIS |
US9722049B2 (en) | 2013-12-23 | 2017-08-01 | Intermolecular, Inc. | Methods for forming crystalline IGZO with a seed layer |
JP6488124B2 (ja) | 2013-12-27 | 2019-03-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI658597B (zh) | 2014-02-07 | 2019-05-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
CN106030806B (zh) * | 2014-03-18 | 2020-01-21 | 英特尔公司 | 具有柔性衬底的半导体组件 |
WO2015145292A1 (en) | 2014-03-28 | 2015-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and semiconductor device |
TWI672804B (zh) * | 2014-05-23 | 2019-09-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
US20160005871A1 (en) * | 2014-07-04 | 2016-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9705004B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10032888B2 (en) * | 2014-08-22 | 2018-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic appliance having semiconductor device |
TWI669819B (zh) | 2014-11-28 | 2019-08-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置、模組以及電子裝置 |
US20160155803A1 (en) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor Device, Method for Manufacturing the Semiconductor Device, and Display Device Including the Semiconductor Device |
JP2016119465A (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 結晶性半導体膜の作成方法、および半導体装置 |
US9818880B2 (en) * | 2015-02-12 | 2017-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
DE112016001033T5 (de) * | 2015-03-03 | 2017-12-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen derselben oder Anzeigevorrichtung mit derselben |
WO2016139560A1 (en) | 2015-03-03 | 2016-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film, semiconductor device including the oxide semiconductor film, and display device including the semiconductor device |
JP6705663B2 (ja) * | 2015-03-06 | 2020-06-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
DE112016001703T5 (de) | 2015-04-13 | 2017-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren derselben |
US9837547B2 (en) * | 2015-05-22 | 2017-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device |
US11024725B2 (en) | 2015-07-24 | 2021-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including metal oxide film |
CN105185695A (zh) * | 2015-08-21 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 氧化物半导体薄膜的制备方法和薄膜晶体管的制备方法 |
US10714633B2 (en) * | 2015-12-15 | 2020-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
US9576984B1 (en) * | 2016-01-14 | 2017-02-21 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and conducting structure |
JP6985812B2 (ja) * | 2016-05-04 | 2021-12-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタの作製方法 |
JP7078354B2 (ja) * | 2016-05-04 | 2022-05-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
TWI718208B (zh) | 2016-06-30 | 2021-02-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及其工作方法以及電子裝置 |
TW201804613A (zh) * | 2016-07-26 | 2018-02-01 | 聯華電子股份有限公司 | 氧化物半導體裝置 |
CN110998863A (zh) | 2017-07-31 | 2020-04-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
KR102446301B1 (ko) * | 2017-12-11 | 2022-09-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 지지층을 갖는 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 이를 포함하는 표시장치 |
TWI658587B (zh) * | 2018-01-25 | 2019-05-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置之薄膜電晶體及其形成方法 |
CN111819670B (zh) * | 2018-03-06 | 2024-04-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 叠层体及半导体装置 |
JP7397789B2 (ja) * | 2018-03-23 | 2023-12-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
GB201819570D0 (en) * | 2018-11-30 | 2019-01-16 | Univ Surrey | Multiple-gate transistor |
JP7124727B2 (ja) | 2019-01-23 | 2022-08-24 | いすゞ自動車株式会社 | 内燃機関の排気浄化装置、及び車両 |
KR20200138522A (ko) * | 2019-05-30 | 2020-12-10 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
CN113506831A (zh) * | 2021-06-21 | 2021-10-15 | 武汉大学 | 一种短沟道ZnO薄膜晶体管及其制备方法 |
KR102481855B1 (ko) | 2021-07-07 | 2022-12-27 | 고려대학교 산학협력단 | 피드백 전계효과 전자소자를 이용한 로직 인 메모리 인버터 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003298062A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2006313776A (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Seiko Epson Corp | 薄膜半導体装置、電子機器、および薄膜半導体装置の製造方法 |
JP2007103918A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-04-19 | Canon Inc | アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタ、アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタの製造方法及びアモルファス酸化物膜の製造方法 |
JP2009021612A (ja) * | 2005-09-29 | 2009-01-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2009218562A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Samsung Electronics Co Ltd | トランジスタ及びその製造方法 |
JP2009246362A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Samsung Electronics Co Ltd | インバータ及びそれを含む論理回路 |
JP2009278115A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-26 | Samsung Electronics Co Ltd | トランジスタとこれを含む半導体素子及びそれらの製造方法 |
Family Cites Families (232)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2009102A (en) | 1932-04-21 | 1935-07-23 | Harry A Bern | Pressure balancer |
US2008102A (en) | 1934-05-14 | 1935-07-16 | Velsicol Corp | Rubber plasticizer |
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH04300292A (ja) * | 1991-03-26 | 1992-10-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 複合酸化物超電導薄膜の成膜方法 |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3181692B2 (ja) | 1992-06-26 | 2001-07-03 | 富士通株式会社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP3128364B2 (ja) * | 1992-11-13 | 2001-01-29 | 新日本製鐵株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
IT1264381B1 (it) | 1993-05-07 | 1996-09-23 | M & G Ricerche Spa | Articoli formati da resine poliestere |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
EP0820644B1 (en) * | 1995-08-03 | 2005-08-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
TW367564B (en) * | 1995-09-25 | 1999-08-21 | Toshiba Corp | Forming method for polycrystalline silicon, thin film transistor containing the polycrystalline silicon and manufacturing method thereof, and the liquid crystal display containing the thin film transistor |
JP3625598B2 (ja) * | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
US6238808B1 (en) * | 1998-01-23 | 2001-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate with zinc oxide layer, method for producing zinc oxide layer, photovoltaic device, and method for producing photovoltaic device |
JP3436487B2 (ja) | 1998-05-18 | 2003-08-11 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP2000026119A (ja) | 1998-07-09 | 2000-01-25 | Hoya Corp | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) * | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
JP2000174282A (ja) * | 1998-12-03 | 2000-06-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2000294880A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Fuji Electric Co Ltd | Iii族窒化物半導体薄膜およびその製造方法 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4592209B2 (ja) * | 2000-04-28 | 2010-12-01 | 株式会社豊田中央研究所 | 結晶配向バルクZnO系焼結体材料の製造方法およびそれにより製造された熱電変換デバイス |
WO2002016679A1 (fr) * | 2000-08-18 | 2002-02-28 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Matiere semi-conductrice polycristalline |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3992922B2 (ja) | 2000-11-27 | 2007-10-17 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置 |
JP2002252353A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタおよびアクティブマトリクス型液晶表示装置 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
KR100532080B1 (ko) * | 2001-05-07 | 2005-11-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 비정질 인듐 틴 옥사이드 식각용액 및 이를 이용한 액정표시소자의 제조방법 |
JP3694737B2 (ja) | 2001-07-27 | 2005-09-14 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 酸化亜鉛基ホモロガス化合物薄膜の製造法 |
JP4920836B2 (ja) | 2001-07-30 | 2012-04-18 | シャープ株式会社 | 半導体素子 |
US7528274B2 (en) * | 2001-08-03 | 2009-05-05 | The United States Of America As Represented By The Department Of Health And Human Services | Acylthiols and component thiol compositions as anti-HIV and anti-retroviral agents |
JP2003085000A (ja) | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Mitsubishi Electric Corp | トレース情報生成装置およびその方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
EP1443130B1 (en) * | 2001-11-05 | 2011-09-28 | Japan Science and Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
KR100415617B1 (ko) | 2001-12-06 | 2004-01-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 에천트와 이를 이용한 금속배선 제조방법 및박막트랜지스터의 제조방법 |
JP4083486B2 (ja) * | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
US7049190B2 (en) * | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
WO2003089206A1 (fr) | 2002-04-19 | 2003-10-30 | Max Co., Ltd. | Agrafeuse motorisee |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) * | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4519423B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2010-08-04 | 創世理工株式会社 | 半導体を用いた光デバイス |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7727366B2 (en) * | 2003-10-22 | 2010-06-01 | Nexx Systems, Inc. | Balancing pressure to improve a fluid seal |
JP2005217385A (ja) | 2004-01-31 | 2005-08-11 | National Institute For Materials Science | 亜鉛含有金属酸化物半導体およびその製造方法 |
WO2005086180A1 (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタ基板及びこれらの製造方法及びこれらを用いた液晶表示装置及び関連する装置及び方法、並びに、スパッタリングターゲット及びこれを用いて成膜した透明導電膜及び透明電極及び関連する装置及び方法 |
CN102856390B (zh) | 2004-03-12 | 2015-11-25 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 包含薄膜晶体管的lcd或有机el显示器的转换组件 |
US7282782B2 (en) * | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
GB0409439D0 (en) | 2004-04-28 | 2004-06-02 | Koninkl Philips Electronics Nv | Thin film transistor |
US7211825B2 (en) * | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) * | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) * | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7829444B2 (en) * | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
JP5138163B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-02-06 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
US7868326B2 (en) * | 2004-11-10 | 2011-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor |
US7453065B2 (en) * | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
EP2453480A2 (en) * | 2004-11-10 | 2012-05-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous oxide and field effect transistor |
EP1810335B1 (en) * | 2004-11-10 | 2020-05-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7863611B2 (en) * | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7579224B2 (en) * | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
US7608531B2 (en) * | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
TWI562380B (en) * | 2005-01-28 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
US7858451B2 (en) * | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) * | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US8330202B2 (en) * | 2005-02-23 | 2012-12-11 | Micron Technology, Inc. | Germanium-silicon-carbide floating gates in memories |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
US7544967B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-06-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) * | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) * | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP2007073705A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
WO2007058698A2 (en) * | 2005-09-13 | 2007-05-24 | Rasirc | Method of producing high purity steam |
JP5006598B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2012-08-22 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
JP5064747B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
JP5037808B2 (ja) * | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN101667544B (zh) * | 2005-11-15 | 2012-09-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
US8263977B2 (en) | 2005-12-02 | 2012-09-11 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | TFT substrate and TFT substrate manufacturing method |
TWI292281B (en) * | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) * | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) * | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) * | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
JP5015473B2 (ja) * | 2006-02-15 | 2012-08-29 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタアレイ及びその製法 |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
IL175107A (en) | 2006-04-23 | 2010-12-30 | Eliezer Krausz | Seal profile for pipe coupling |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP2009528670A (ja) * | 2006-06-02 | 2009-08-06 | 財団法人高知県産業振興センター | 半導体機器及びその製法 |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
KR101257811B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-04-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법 |
US7906415B2 (en) * | 2006-07-28 | 2011-03-15 | Xerox Corporation | Device having zinc oxide semiconductor and indium/zinc electrode |
US7491575B2 (en) * | 2006-08-02 | 2009-02-17 | Xerox Corporation | Fabricating zinc oxide semiconductor using hydrolysis |
JP4999400B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
TWM307806U (en) * | 2006-08-09 | 2007-03-11 | Chuan-Chao Tseng | Multi-media projector |
JP4404881B2 (ja) | 2006-08-09 | 2010-01-27 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び液晶表示装置 |
JP5145676B2 (ja) | 2006-09-15 | 2013-02-20 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) * | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7511343B2 (en) | 2006-10-12 | 2009-03-31 | Xerox Corporation | Thin film transistor |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
KR101425635B1 (ko) * | 2006-11-29 | 2014-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 산화물 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 산화물 박막트랜지스터 기판 |
JP2008140684A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
JP5105842B2 (ja) * | 2006-12-05 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法 |
KR20080052107A (ko) * | 2006-12-07 | 2008-06-11 | 엘지전자 주식회사 | 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터 |
KR101303578B1 (ko) * | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) * | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR101312259B1 (ko) | 2007-02-09 | 2013-09-25 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
TWI478347B (zh) * | 2007-02-09 | 2015-03-21 | Idemitsu Kosan Co | A thin film transistor, a thin film transistor substrate, and an image display device, and an image display device, and a semiconductor device |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
WO2008117739A1 (ja) | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 半導体デバイス、多結晶半導体薄膜、多結晶半導体薄膜の製造方法、電界効果型トランジスタ、及び、電界効果型トランジスタの製造方法 |
JP2008241978A (ja) | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP5320746B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2013-10-23 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ |
US8530891B2 (en) | 2007-04-05 | 2013-09-10 | Idemitsu Kosan Co., Ltd | Field-effect transistor, and process for producing field-effect transistor |
US8173487B2 (en) * | 2007-04-06 | 2012-05-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor element, method for manufacturing same, and electronic device including same |
WO2008126879A1 (en) | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus and production method thereof |
JP5197058B2 (ja) | 2007-04-09 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | 発光装置とその作製方法 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
CN101663762B (zh) | 2007-04-25 | 2011-09-21 | 佳能株式会社 | 氧氮化物半导体 |
US20080268136A1 (en) * | 2007-04-27 | 2008-10-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing organic light emitting apparatus |
JP2008293957A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-12-04 | Canon Inc | 有機発光装置の製造方法 |
JP5043499B2 (ja) | 2007-05-02 | 2012-10-10 | 財団法人高知県産業振興センター | 電子素子及び電子素子の製造方法 |
KR101334182B1 (ko) * | 2007-05-28 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조방법 |
KR101345376B1 (ko) * | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
ATE490560T1 (de) * | 2007-05-31 | 2010-12-15 | Canon Kk | Verfahren zur herstellung eines dünnschichttransistors mit einem oxidhalbleiter |
JP5303119B2 (ja) * | 2007-06-05 | 2013-10-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
US7935964B2 (en) * | 2007-06-19 | 2011-05-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same |
KR20090002841A (ko) | 2007-07-04 | 2009-01-09 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP4836085B2 (ja) | 2007-07-27 | 2011-12-14 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | スタンプ式製膜法 |
KR101536101B1 (ko) | 2007-08-02 | 2015-07-13 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 박막 반도체 물질들을 이용하는 박막 트랜지스터들 |
KR100907400B1 (ko) * | 2007-08-28 | 2009-07-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 발광표시장치 |
JP4537434B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2010-09-01 | 株式会社日立製作所 | 酸化亜鉛薄膜、及びそれを用いた透明導電膜、及び表示素子 |
TWI453915B (zh) * | 2007-09-10 | 2014-09-21 | Idemitsu Kosan Co | Thin film transistor |
US8232598B2 (en) * | 2007-09-20 | 2012-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US8044464B2 (en) | 2007-09-21 | 2011-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8008627B2 (en) * | 2007-09-21 | 2011-08-30 | Fujifilm Corporation | Radiation imaging element |
US20090090915A1 (en) * | 2007-10-05 | 2009-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, display device having thin film transistor, and method for manufacturing the same |
US8501585B2 (en) * | 2007-10-10 | 2013-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
JP5377940B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2013-12-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8202365B2 (en) * | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
JP5292805B2 (ja) | 2007-12-26 | 2013-09-18 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法 |
KR20090069806A (ko) * | 2007-12-26 | 2009-07-01 | 삼성전자주식회사 | 표시 기판, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 기판의 제조방법 |
JP5213458B2 (ja) | 2008-01-08 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物及び電界効果型トランジスタ |
KR101425131B1 (ko) | 2008-01-15 | 2014-07-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 및 이를 포함하는 표시 장치 |
JP5264197B2 (ja) | 2008-01-23 | 2013-08-14 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ |
US8586979B2 (en) | 2008-02-01 | 2013-11-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Oxide semiconductor transistor and method of manufacturing the same |
KR101512818B1 (ko) | 2008-02-01 | 2015-05-20 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 트랜지스터 및 그 제조방법 |
EP2086013B1 (en) | 2008-02-01 | 2018-05-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Oxide semiconductor transistor |
JP4555358B2 (ja) | 2008-03-24 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置 |
JP5017161B2 (ja) | 2008-03-27 | 2012-09-05 | 株式会社東芝 | 酸化物超電導体 |
KR100941850B1 (ko) | 2008-04-03 | 2010-02-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
JP5416460B2 (ja) * | 2008-04-18 | 2014-02-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの作製方法 |
JP5704790B2 (ja) | 2008-05-07 | 2015-04-22 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ、および、表示装置 |
US9041202B2 (en) | 2008-05-16 | 2015-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
KR100963026B1 (ko) | 2008-06-30 | 2010-06-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
KR100963027B1 (ko) * | 2008-06-30 | 2010-06-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
KR100975204B1 (ko) * | 2008-08-04 | 2010-08-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
JP5345456B2 (ja) * | 2008-08-14 | 2013-11-20 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタ |
KR101497425B1 (ko) * | 2008-08-28 | 2015-03-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101489652B1 (ko) * | 2008-09-02 | 2015-02-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
JP5258467B2 (ja) * | 2008-09-11 | 2013-08-07 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
JP4623179B2 (ja) * | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5430113B2 (ja) * | 2008-10-08 | 2014-02-26 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) * | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
US8106400B2 (en) * | 2008-10-24 | 2012-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI496295B (zh) * | 2008-10-31 | 2015-08-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
KR20100062544A (ko) * | 2008-12-02 | 2010-06-10 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
JP5538797B2 (ja) * | 2008-12-12 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及び表示装置 |
KR101609727B1 (ko) * | 2008-12-17 | 2016-04-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법 |
TWI654689B (zh) * | 2008-12-26 | 2019-03-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
KR101627728B1 (ko) * | 2008-12-30 | 2016-06-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
JP5185838B2 (ja) * | 2009-01-05 | 2013-04-17 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
KR101034686B1 (ko) * | 2009-01-12 | 2011-05-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
KR101048965B1 (ko) * | 2009-01-22 | 2011-07-12 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 |
JP5606682B2 (ja) | 2009-01-29 | 2014-10-15 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタ、多結晶酸化物半導体薄膜の製造方法、及び薄膜トランジスタの製造方法 |
JP4752927B2 (ja) * | 2009-02-09 | 2011-08-17 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
WO2010110571A2 (en) * | 2009-03-23 | 2010-09-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Oxide semiconductor and thin film transistor including the same |
JP5322787B2 (ja) * | 2009-06-11 | 2013-10-23 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、電気光学装置、並びにセンサー |
JP4415062B1 (ja) | 2009-06-22 | 2010-02-17 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
JP4571221B1 (ja) | 2009-06-22 | 2010-10-27 | 富士フイルム株式会社 | Igzo系酸化物材料及びigzo系酸化物材料の製造方法 |
JP2011071476A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-04-07 | Canon Inc | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを用いた表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法 |
EP3217435A1 (en) * | 2009-09-16 | 2017-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and display device |
CN102549757A (zh) * | 2009-09-30 | 2012-07-04 | 佳能株式会社 | 薄膜晶体管 |
KR101652790B1 (ko) * | 2009-11-09 | 2016-08-31 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
KR20230107711A (ko) * | 2009-11-13 | 2023-07-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기 |
KR101638977B1 (ko) | 2009-11-13 | 2016-07-12 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
KR101396015B1 (ko) * | 2009-11-28 | 2014-05-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101945306B1 (ko) * | 2009-11-28 | 2019-02-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 적층 산화물 재료, 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
WO2011065210A1 (en) * | 2009-11-28 | 2011-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device |
WO2011065244A1 (en) * | 2009-11-28 | 2011-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2011138934A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器 |
KR101623956B1 (ko) * | 2010-01-15 | 2016-05-24 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
KR101636998B1 (ko) * | 2010-02-12 | 2016-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
JP2011187506A (ja) | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置 |
KR101104210B1 (ko) | 2010-03-05 | 2012-01-10 | 삼성전기주식회사 | 전자소자 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
TWI562285B (en) * | 2010-08-06 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2012160679A (ja) | 2011-02-03 | 2012-08-23 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器 |
KR101874992B1 (ko) | 2011-12-30 | 2018-07-06 | 삼성전기주식회사 | 부품 내장형 인쇄회로기판 및 이의 제조방법 |
KR102186148B1 (ko) | 2014-02-28 | 2020-12-03 | 삼성전기주식회사 | 임베디드 기판 및 임베디드 기판의 제조 방법 |
NL2019471B1 (nl) * | 2017-08-31 | 2019-03-11 | Mci Mirror Controls Int Netherlands B V | Verstelinrichting voor een luchtbeïnvloedingselement, werkwijze voor het verstellen van een luchtbeïnvloedingselement met een verstelinrichting, motorvoertuig voorzien van een luchtbeïnvloedingselement met een verstelinrichting |
-
2010
- 2010-11-08 KR KR1020127022039A patent/KR101396015B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-08 KR KR1020197024456A patent/KR20190100462A/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-11-08 KR KR1020187024790A patent/KR102089200B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-08 KR KR1020217029579A patent/KR102426613B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-08 KR KR1020137010527A patent/KR101329849B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-08 KR KR1020137031370A patent/KR101714831B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-08 WO PCT/JP2010/070246 patent/WO2011065243A1/en active Application Filing
- 2010-11-08 KR KR1020127014554A patent/KR101895080B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-08 KR KR1020207030847A patent/KR102304078B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-22 US US12/951,249 patent/US8748881B2/en active Active
- 2010-11-25 JP JP2010262376A patent/JP5116830B2/ja active Active
- 2010-11-26 TW TW105123898A patent/TWI587522B/zh active
- 2010-11-26 TW TW107128643A patent/TWI677102B/zh active
- 2010-11-26 TW TW111143784A patent/TWI830500B/zh active
- 2010-11-26 TW TW108130300A patent/TWI698023B/zh active
- 2010-11-26 TW TW106106834A patent/TWI640096B/zh active
- 2010-11-26 TW TW099141020A patent/TWI527221B/zh active
- 2010-11-26 TW TW101136780A patent/TWI557912B/zh active
- 2010-11-26 TW TW104132156A patent/TWI555211B/zh active
- 2010-11-26 TW TW110137828A patent/TWI785839B/zh active
- 2010-11-26 TW TW109120998A patent/TWI744959B/zh active
-
2012
- 2012-07-26 JP JP2012165300A patent/JP5612032B2/ja active Active
- 2012-11-23 US US13/684,290 patent/US8779420B2/en active Active
-
2014
- 2014-07-14 US US14/330,597 patent/US9214520B2/en active Active
- 2014-09-03 JP JP2014178666A patent/JP5926781B2/ja active Active
-
2015
- 2015-12-10 US US14/964,950 patent/US9887298B2/en active Active
-
2016
- 2016-04-22 JP JP2016085903A patent/JP6246852B2/ja active Active
-
2017
- 2017-03-15 JP JP2017049692A patent/JP6281005B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2017-03-23 JP JP2017057728A patent/JP2017123491A/ja not_active Withdrawn
- 2017-11-30 JP JP2017229896A patent/JP6419933B2/ja active Active
-
2018
- 2018-01-29 US US15/882,139 patent/US10263120B2/en active Active
- 2018-10-10 JP JP2018191888A patent/JP6689343B2/ja active Active
-
2019
- 2019-02-07 JP JP2019020346A patent/JP2019071493A/ja not_active Withdrawn
- 2019-02-11 US US16/272,287 patent/US10608118B2/en active Active
-
2020
- 2020-03-09 US US16/812,546 patent/US11133419B2/en active Active
- 2020-04-07 JP JP2020069046A patent/JP7090117B2/ja active Active
-
2021
- 2021-02-24 US US17/183,670 patent/US11710795B2/en active Active
-
2022
- 2022-06-13 JP JP2022095188A patent/JP2022111377A/ja not_active Withdrawn
-
2023
- 2023-05-25 US US18/201,815 patent/US20230299207A1/en active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003298062A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2006313776A (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Seiko Epson Corp | 薄膜半導体装置、電子機器、および薄膜半導体装置の製造方法 |
JP2007103918A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-04-19 | Canon Inc | アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタ、アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタの製造方法及びアモルファス酸化物膜の製造方法 |
JP2009021612A (ja) * | 2005-09-29 | 2009-01-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2009218562A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Samsung Electronics Co Ltd | トランジスタ及びその製造方法 |
JP2009246362A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Samsung Electronics Co Ltd | インバータ及びそれを含む論理回路 |
JP2009278115A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-26 | Samsung Electronics Co Ltd | トランジスタとこれを含む半導体素子及びそれらの製造方法 |
Cited By (115)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015165597A (ja) * | 2009-12-18 | 2015-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US11799033B2 (en) | 2011-04-13 | 2023-10-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
KR20220075204A (ko) * | 2011-04-13 | 2022-06-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막 및 반도체 장치 |
KR102501951B1 (ko) | 2011-04-13 | 2023-02-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막 및 반도체 장치 |
JP2013021317A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
US9166055B2 (en) | 2011-06-17 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US10439072B2 (en) | 2011-07-08 | 2019-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10658522B2 (en) | 2011-07-08 | 2020-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9530897B2 (en) | 2011-07-08 | 2016-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10043918B2 (en) | 2011-07-08 | 2018-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2018170516A (ja) * | 2011-07-08 | 2018-11-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11588058B2 (en) | 2011-07-08 | 2023-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US11011652B2 (en) | 2011-07-08 | 2021-05-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2015195384A (ja) * | 2011-07-08 | 2015-11-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2018186301A (ja) * | 2011-07-08 | 2018-11-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017135395A (ja) * | 2011-07-15 | 2017-08-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の作製方法 |
US9911782B2 (en) | 2011-07-15 | 2018-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
JP2017183731A (ja) * | 2011-09-13 | 2017-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2017157839A (ja) * | 2011-09-29 | 2017-09-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017126781A (ja) * | 2011-10-27 | 2017-07-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017152720A (ja) * | 2011-11-18 | 2017-08-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10026847B2 (en) | 2011-11-18 | 2018-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element, method for manufacturing semiconductor element, and semiconductor device including semiconductor element |
JP2013128105A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体素子、及び半導体素子の作製方法、並びに半導体素子を用いた半導体装置 |
JP2020038988A (ja) * | 2011-11-25 | 2020-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2019047134A (ja) * | 2011-11-25 | 2019-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP7079308B2 (ja) | 2011-11-30 | 2022-06-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2021040148A (ja) * | 2011-11-30 | 2021-03-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9559213B2 (en) | 2011-12-23 | 2017-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2013149965A (ja) * | 2011-12-23 | 2013-08-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
CN109065630A (zh) * | 2011-12-23 | 2018-12-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
CN109065630B (zh) * | 2011-12-23 | 2021-07-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
JP2022095660A (ja) * | 2012-01-20 | 2022-06-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10243064B2 (en) | 2012-01-26 | 2019-03-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2013175715A (ja) * | 2012-01-26 | 2013-09-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
JP2017201721A (ja) * | 2012-02-08 | 2017-11-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2013211840A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-10-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサ、カメラ、監視システムおよびイメージセンサの駆動方法 |
JP2020053695A (ja) * | 2012-04-13 | 2020-04-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10559699B2 (en) | 2012-04-13 | 2020-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10872981B2 (en) | 2012-04-13 | 2020-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an oxide semiconductor |
US9472679B2 (en) | 2012-04-13 | 2016-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP7075975B2 (ja) | 2012-04-13 | 2022-05-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11355645B2 (en) | 2012-04-13 | 2022-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising stacked oxide semiconductor layers |
KR20210145310A (ko) * | 2012-04-13 | 2021-12-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102330543B1 (ko) * | 2012-04-13 | 2021-11-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20210059042A (ko) * | 2012-04-13 | 2021-05-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20200051065A (ko) * | 2012-04-13 | 2020-05-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2016201560A (ja) * | 2012-04-13 | 2016-12-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102479944B1 (ko) * | 2012-04-13 | 2022-12-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US10158026B2 (en) | 2012-04-13 | 2018-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including oxide semiconductor stacked layers |
JP2021010019A (ja) * | 2012-04-13 | 2021-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2018093227A (ja) * | 2012-04-13 | 2018-06-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11929437B2 (en) | 2012-04-13 | 2024-03-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising various thin-film transistors |
KR102254731B1 (ko) * | 2012-04-13 | 2021-05-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2013236072A (ja) * | 2012-04-13 | 2013-11-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2019216260A (ja) * | 2012-04-13 | 2019-12-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2018139315A (ja) * | 2012-04-30 | 2018-09-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2020014009A (ja) * | 2012-04-30 | 2020-01-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11837666B2 (en) | 2012-04-30 | 2023-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10403762B2 (en) | 2012-04-30 | 2019-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US20170323974A1 (en) | 2012-04-30 | 2017-11-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US11217699B2 (en) | 2012-04-30 | 2022-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2013247142A (ja) * | 2012-05-23 | 2013-12-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体膜の形成方法、半導体装置の作製方法、及び半導体装置 |
KR102316107B1 (ko) * | 2012-05-31 | 2021-10-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20190016611A (ko) * | 2012-05-31 | 2019-02-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2021082832A (ja) * | 2012-08-10 | 2021-05-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP7199458B2 (ja) | 2012-08-10 | 2023-01-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20140020749A (ko) * | 2012-08-10 | 2014-02-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
JP2014057056A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
KR102171650B1 (ko) * | 2012-08-10 | 2020-10-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
US9660104B2 (en) | 2012-08-10 | 2017-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2014099602A (ja) * | 2012-10-17 | 2014-05-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2018085544A (ja) * | 2012-10-17 | 2018-05-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2014099429A (ja) * | 2012-10-17 | 2014-05-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US9852904B2 (en) | 2012-10-17 | 2017-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9812467B2 (en) | 2012-10-17 | 2017-11-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an oxide semiconductor |
JP2016058751A (ja) * | 2012-10-17 | 2016-04-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017022410A (ja) * | 2012-10-17 | 2017-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10630176B2 (en) | 2012-10-25 | 2020-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Central control system |
US9819261B2 (en) | 2012-10-25 | 2017-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Central control system |
WO2014065389A1 (en) * | 2012-10-25 | 2014-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Central control system |
JP2022008385A (ja) * | 2012-10-25 | 2022-01-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 集中管理システム |
JP2014116596A (ja) * | 2012-11-15 | 2014-06-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014116597A (ja) * | 2012-11-15 | 2014-06-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US9905703B2 (en) | 2012-12-03 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2014132646A (ja) * | 2012-12-03 | 2014-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2014143408A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び測定装置 |
JP2019176174A (ja) * | 2012-12-28 | 2019-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2018152572A (ja) * | 2012-12-28 | 2018-09-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11637015B2 (en) | 2013-02-28 | 2023-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing sputtering target, method for forming oxide film, and transistor |
US11139166B2 (en) | 2013-02-28 | 2021-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing sputtering target, method for forming oxide film, and transistor |
US11967505B2 (en) | 2013-02-28 | 2024-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing sputtering target, method for forming oxide film, and transistor |
US10522347B2 (en) | 2013-02-28 | 2019-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing sputtering target, method for forming oxide film, and transistor |
JP2017145510A (ja) * | 2013-02-28 | 2017-08-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物膜の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
US10043914B2 (en) | 2013-04-01 | 2018-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising a plurality of oxide semiconductor layers |
JP2014212312A (ja) * | 2013-04-01 | 2014-11-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2018164107A (ja) * | 2013-04-12 | 2018-10-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
US11843004B2 (en) | 2013-04-12 | 2023-12-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having specified relative material concentration between In—Ga—Zn—O films |
US11063066B2 (en) | 2013-04-12 | 2021-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | C-axis alignment of an oxide film over an oxide semiconductor film |
US10304859B2 (en) | 2013-04-12 | 2019-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film |
JP2014232868A (ja) * | 2013-05-03 | 2014-12-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11430894B2 (en) | 2013-05-20 | 2022-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including a oxide semiconductor transistor |
KR20160012156A (ko) * | 2013-05-20 | 2016-02-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP7493573B2 (ja) | 2013-05-20 | 2024-05-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
KR20210069738A (ko) * | 2013-05-20 | 2021-06-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102358739B1 (ko) * | 2013-05-20 | 2022-02-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US11961917B2 (en) | 2013-05-20 | 2024-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising stacked transistors |
US11949021B2 (en) | 2013-05-20 | 2024-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102264971B1 (ko) * | 2013-05-20 | 2021-06-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2015079946A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2015216367A (ja) * | 2014-04-25 | 2015-12-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2016178299A (ja) * | 2015-03-17 | 2016-10-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、該半導体装置の作製方法、または該半導体装置を有する表示装置 |
JP2017130647A (ja) * | 2015-12-11 | 2017-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ、半導体装置、および電子機器 |
JP2016219851A (ja) * | 2016-09-27 | 2016-12-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2017069572A (ja) * | 2016-12-09 | 2017-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2017135425A (ja) * | 2017-05-02 | 2017-08-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6419933B2 (ja) | 液晶表示パネルの作製方法 | |
JP2024075661A (ja) | 半導体装置 | |
KR102667809B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120726 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120726 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20120726 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20121001 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121009 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121016 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5116830 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151026 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151026 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |