JP2011100898A - 半導体デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】データ入出力パッドとテストパッド間の経路や当該経路途中の回路の不良を検出することを可能とする方法を提供する。
【解決手段】半導体装置のテストのためのテストパッド(第2パッド22)と内部回路23との接続経路に、データ入出力のためのマイクロバンプパッド(第1パッド21)が配置されている。このため、前記第2パッド22を用いたテスト時に、前記内部回路23までの全経路の段線不良、回路不良が検出できる。
【選択図】図2
【解決手段】半導体装置のテストのためのテストパッド(第2パッド22)と内部回路23との接続経路に、データ入出力のためのマイクロバンプパッド(第1パッド21)が配置されている。このため、前記第2パッド22を用いたテスト時に、前記内部回路23までの全経路の段線不良、回路不良が検出できる。
【選択図】図2
Description
本発明は、データ入出力用の第1パッドとテスト用の第2パッドとを有する半導体デバイスに関する。
データの入出力端子を、マイクロバンプなどを用いて形成するために、微小で狭ピッチのパッド(端子)を有する半導体メモリが知られている(例えば、特許文献1参照)。
このような半導体メモリでは、ウェハ試験用のプローブカードがマイクロバンプの狭ピッチに対応できない。このため、特許文献1では、微小で狭ピッチのパッドとは別にプローブ用の検査パッドを用意し、そこから制御して半導体メモリの試験を行うための構成が開示されている。
このような半導体メモリでは、ウェハ試験用のプローブカードがマイクロバンプの狭ピッチに対応できない。このため、特許文献1では、微小で狭ピッチのパッドとは別にプローブ用の検査パッドを用意し、そこから制御して半導体メモリの試験を行うための構成が開示されている。
具体的に、上記特許文献1に記載の半導体メモリでは、内部回路に対し、信号の入出経路を、微小で狭ピッチのパッド側と検査パッド側とで切り換えるスイッチング回路部とその制御回路(ロジック制御部)を有する。検査時には、通常動作に使用される微小で狭ピッチのパッドに本来なら入力される所定数の信号が検査パッドを経由して内部回路(出力回路部)に伝達するように、スイッチング回路部の動作が制御される。通常動作時には、所定数の信号の入出力経路を検査パッド側と遮断し、微小で狭ピッチのパッド側と接続するように上記スイッチング回路部が制御される。
この切り換え制御回路の構成では、ウェハテスト時に、制御回路がスイッチング回路部を制御することによって、検査パッドを内部回路と接続し、検査パッドを介して外部テスタが内部回路の各種テストを行うことが可能である。
一般に、製造時のテストでは、内部回路自身の動作確認の他に、信号入出力経路の良否を調べる経路テストも重要である。
一般に、製造時のテストでは、内部回路自身の動作確認の他に、信号入出力経路の良否を調べる経路テストも重要である。
ところが、上記特許文献1に記載の構成では、微小で狭ピッチのパッド(例えばマイクロバンプ対応のパッド)からスイッチング回路部までの経路に不良があっても、その経路の不良は検出できないという不都合がある。
この場合、微小で狭ピッチのパッドから切り換え回路までの経路不良は、微小で狭ピッチのパッドを他のチップ等と接続させた完成品に近い形態でしか判定できない。マイクロバンプパッドの経路で不良が検出された場合、このときはチップを積層した状態、または、これをパッケージに収容した状態である。このため、不良チップを廃棄する際に、積層した正常品の他のチップ、さらには、これに加えてパッケージ部材も廃棄されてしまう。その結果、不良品廃棄に伴う材料コストが増大し、それまでに費やされた製造コスト(工数)が無駄となり、このことが製品コストを高くしている。
本発明は、データ入出力用の第1パッド以外にテスト用の第2パッドを有する場合に、特に第1,第2パッド間経路や当該経路途中の回路の不良を検出することが可能であり、不良品をチップ状態で排除可能な構成の半導体デバイスを提供するものである。
本発明に関わる半導体デバイスは、半導体基板と、複数の第2パッドと、複数の第1パッドとを有する。
前記複数の第2パッドは、前記半導体基板に形成されたテストのためのパッドである。
前記複数の第1パッドは、前記半導体基板に形成され、対応する第2パッドと前記内部回路との接続経路に各々が配置された、データ入出力のためのパッドである。
前記複数の第2パッドは、前記半導体基板に形成されたテストのためのパッドである。
前記複数の第1パッドは、前記半導体基板に形成され、対応する第2パッドと前記内部回路との接続経路に各々が配置された、データ入出力のためのパッドである。
かかる構成では、テスト時に前記複数の第2パッドを用いて前記内部回路にデータ(またはテスト)信号を入力する。あるいは、前記複数の第2パッドを用いて内部回路からのデータ(または、入力したテスト信号の応答を示す)信号を外部に出力する。
テスト時の信号入力時に、データ(またはテスト)信号を複数の第2パッドから入力すると、当該信号が、第2パッドから第1パッドを経て内部回路に送られる。テスト時の信号出力時では、これとは逆に内部回路から第1パッドを経由して、第2パッドから信号を取り出す。
テスト時の信号入力時に、データ(またはテスト)信号を複数の第2パッドから入力すると、当該信号が、第2パッドから第1パッドを経て内部回路に送られる。テスト時の信号出力時では、これとは逆に内部回路から第1パッドを経由して、第2パッドから信号を取り出す。
信号の入力と出力のいずれの場合でも、信号がパッド間経路、すなわち第1,第2パッド間の経路を通過する。このパッド間経路に接続不良あるいは抵抗異常不良があると、このことが信号波形等に現れるため、これらの不良が検出される。
なお、パッド間経路に信号処理回路が存在する場合、このような接続不良および抵抗異常不良とともに、信号処理回路の良否も検出される。また、かかる接続や回路の不良は、第1パッドと内部回路の経路間についても同時に検出される。
なお、パッド間経路に信号処理回路が存在する場合、このような接続不良および抵抗異常不良とともに、信号処理回路の良否も検出される。また、かかる接続や回路の不良は、第1パッドと内部回路の経路間についても同時に検出される。
本発明によれば、データ入出力用の第1パッド以外にテスト用の第2パッドを有する場合に、特に第1,第2パッド間経路や当該経路途中の回路の不良を検出することが可能であり、不良品をチップ状態で排除可能な構成の半導体デバイスを提供することができる。
本発明の実施形態を、図面を参照して、以下の順に説明する。
1.第1の実施の形態:パッドの接続態様の種類を示す実施形態である。
2.第2の実施の形態:IF回路の詳細まで含めた、より具体的な実施形態である。
3.第1変形例:IF回路のチップ内配置に関する変形例である。
4.第2変形例:その他の変形例である。
1.第1の実施の形態:パッドの接続態様の種類を示す実施形態である。
2.第2の実施の形態:IF回路の詳細まで含めた、より具体的な実施形態である。
3.第1変形例:IF回路のチップ内配置に関する変形例である。
4.第2変形例:その他の変形例である。
<1.第1の実施の形態>
[チップ積層構造]
図1に、第1の実施形態に関わるチップ積層型の半導体デバイスにおいて、そのチップの積層と各チップのパッド配置の説明図を示す。
本実施形態に関わる半導体デバイスは、第1半導体デバイスと、第1半導体デバイスの一方の主面に載置されて、第1半導体デバイスと電気的に接続されている第2半導体デバイスとを有する。このため図1は、チップ積層型の半導体デバイスの構成例を開示する。ここで、例えば上層の第2半導体チップが、単一チップ型の半導体デバイスの構成例を開示する。
後述する変形例で言及するように、チップの積層数(積み重ねる段数)やデバイス全体に含まれるチップ数に限定はない。
[チップ積層構造]
図1に、第1の実施形態に関わるチップ積層型の半導体デバイスにおいて、そのチップの積層と各チップのパッド配置の説明図を示す。
本実施形態に関わる半導体デバイスは、第1半導体デバイスと、第1半導体デバイスの一方の主面に載置されて、第1半導体デバイスと電気的に接続されている第2半導体デバイスとを有する。このため図1は、チップ積層型の半導体デバイスの構成例を開示する。ここで、例えば上層の第2半導体チップが、単一チップ型の半導体デバイスの構成例を開示する。
後述する変形例で言及するように、チップの積層数(積み重ねる段数)やデバイス全体に含まれるチップ数に限定はない。
以下、図1に基づいて2チップ積層型のマルチチップモジュールを例として、本発明の実施の形態を説明する。ここでは、ロジックチップの上にメモリチップを搭載する場合を例とするが、後述する変形例にも言及するようにロジック、メモリの別は本質的なものでない。
図1(B)は、モジュール全体の積層構造を側面から透視して見た図である。図1(A)は、メモリチップ2の下面(ロジックチップ3との対向接続面)に設けられたパッドの種類を示す図である。図1(C)は、ロジックチップ3の上面(メモリチップ2との対向接続面)に設けられたパッドの種類を示す図である。なお、図1(A)と図1(C)はパッドの種類を示すのみで、その配置、大きさ(面積)あるいは数を限定するものではない。
図1に図解するチップ積層型の半導体デバイス1は、第1半導体チップとしてのロジックチップ3と、ロジックチップ3の上に載置された第2半導体チップとしてのメモリチップ2とを有する。
この半導体デバイス1は、例えばシステムLSIを構成する際に、システムコントローラ等の制御部やロジック部が集積化されたロジックチップ3に、メモリが集積化されたメモリチップ2が積層されることで形成されている。
この半導体デバイス1は、例えばシステムLSIを構成する際に、システムコントローラ等の制御部やロジック部が集積化されたロジックチップ3に、メモリが集積化されたメモリチップ2が積層されることで形成されている。
メモリチップ2は、ロジックチップ3により制御されることを想定している。このため、メモリチップ2とロジックチップ3は、以下のようなパッド接続構造を採っている。
半導体デバイス1は、モジュール基板11を有し、モジュール基板11の上に、ロジックチップ3が既存のダイボンド接続手法で固定されている。
ロジックチップ3の一方の主面に、メモリチップ2に対して、書き込まれ或いは読み出されるデータ信号のほかに、クロック、コマンド、アドレスといった制御のための信号を入出力するための複数の比較的小面積のパッド(以下、積層接続パッド31)が配置されている。積層接続パッド31の数や配置位置に限定はないが、少なくともメモリチップ2が積層される領域に積層接続パッド31がまとめて配置されている。積層接続パッド31は、本例の場合、マイクロバンプ構造となっている。
ロジックチップ3の一方の主面に、メモリチップ2に対して、書き込まれ或いは読み出されるデータ信号のほかに、クロック、コマンド、アドレスといった制御のための信号を入出力するための複数の比較的小面積のパッド(以下、積層接続パッド31)が配置されている。積層接続パッド31の数や配置位置に限定はないが、少なくともメモリチップ2が積層される領域に積層接続パッド31がまとめて配置されている。積層接続パッド31は、本例の場合、マイクロバンプ構造となっている。
また、ロジックチップ3の積層接続パッド31が設けられた面と同じ面において、たとえばその周縁に近い領域に、ワイヤボンディングのための比較的大面積のボンディングパッド32が配置されている。ボンディングパッド32の数や配置位置に限定はないが、少なくとも要求される特性を満足してワイヤボンディングが可能な位置、例えば図示のように周縁の近くにボンディングパッド32が配置されている。各ボンディングパッド32は、ワイヤ33によって積層接続パッド31の配線部(不図示)と電気的に接続されている。
一方、メモリチップ2の一方の主面に、データ信号や上記制御信号を入出力のために複数の第1パッド21が多数配置されている。また、この第1パッド21が形成されている面と同一のメモリチップ面の周縁部には、テストのための第2パッド22が所定数、配置されている。図1では図示していないメモリアレイは、これら第1パッド21や第2パッド22が形成された面側に半導体プロセスによって形成されている。
望ましくは、第1パッド21は、第2パッド22より小さく、高密度配置可能なパッドである。また、本例のように第1パッド21をメモリデバイスのデータ信号や制御信号の入出力用、第2パッド22をテスト用と想定すると、第1パッド21は第2パッド22より多く配置されることが望ましい。第1パッド21は、ロジックチップ3の表面(素子形成面)に形成されたパッド31と電気的、機械的に接続される。
第1パッド21の配置には基本的に限定はないが、少なくとも、接続対象であるロジックチップ3の積層接続パッド31と数や配置が対応している。
また、第2パッド22も配置や数に限定はないが、テスト用の場合、その仕様に応じて、その配置や数が決められる。
また、第2パッド22も配置や数に限定はないが、テスト用の場合、その仕様に応じて、その配置や数が決められる。
このようなチップ積層接続のための第1パッド21と積層接続パッド31は、例えば、その一方が半田等からなるバンプ、他方が配線層と同様に形成されるランドで構成できる。或いは、両方をバンプ構造としてもよい。
なお、半田バンプは半円形状でもよいし、ほぼ球状のボールバンプでもよい。また、バンプ以外で第1パッド21と積層接続パッド31が採り得る形態は、導電性接着層(圧着により導電粒子が導通状態を確保するもの)等の種々の接続端子体をバンプに代えて用い、この接続端子体を、ランドに圧着し電気的接続をとる構成も採用可能である。
図1の図示例では比較的大きなサイズとなっている第2パッド22は、第1パッド21の複数個に1個の割合で設けられる。また、第2パッド22は、図1に示す例では、テスト時にプローブやテストピンが接触するため、ある程度大きなピッチで配置され、そのパッドサイズもある程度大きくする必要がある。
なお、第2パッド22は、テスト時にプローブやテストピンが接触することから、その下に素子が形成されないことが望ましい。第2パッド22の下層にトランジスタ等の素子が形成されていると、プローブやテストピンを第2パッド22に押し当てたときに、素子にダメージが入るおそれがある。このようなダメージ導入を避ける意味で第2パッド22の配置位置は、ある程度制限される。
第1パッド21は、第2パッド22と異なり、チップの主面の任意の領域に形成されることと、プローブやテストピンが接触することがなく、素子にダメージを導入することがない。そのため、第1パッド21は任意の領域に形成可能であり、その結果、これをパッド数も周縁部に配置する場合より多く配置できる。
メモリチップ2は、これが直接、外部と信号をやり取りすることはない。そのため、外部と信号をやり取りする外部接続用のパッドは、ボンディングパッド32のようにロジックチップ3にのみ設けられていればよい。
そのため、メモリチップ2はロジックチップ3とは、マイクロバンプ(第1パッド21と積層接続パッド31)で接続されている。
そのため、メモリチップ2はロジックチップ3とは、マイクロバンプ(第1パッド21と積層接続パッド31)で接続されている。
ロジックチップ3に対し、メモリチップ2を積層した状態でワイヤボンディングのときにワイヤ33が接続される。そのため、ワイヤボンディングのときにメモリチップ2が邪魔にならないようにスペースが必要になる。したがって、本例では、ロジックチップ3が、メモリチップ2より平面視の面積(フットプリント)が大きい。なお、チップ間の接続をSi貫通ビア(いわゆるTSV)で行うこともできるが、その場合、チップ面積の制約はない。但し、一般的には、下に配置されるモジュール基板11側のチップの面積が、その上に積層されるチップの面積より大きい。
図1に示すように、ロジックチップ3の上にメモリチップ2が積層され、ロジックチップ3とワイヤ33を介して接続されたモジュール基板11の側が、パッケージ部材12で封止されている。パッケージ部材12の外面には、図示しない箇所に外部端子が設けられている。
[パッド接続形態]
図2〜図4は、メモリチップ2(またはロジックチップ3)において本実施形態で採用可能な、内部回路に対するパッドの接続形態を示す図である。このパッドの接続形態はロジックチップ3においても採用可能であるが、以下、メモリチップ2において採用された場合を前提とする。
図2〜図4は、メモリチップ2(またはロジックチップ3)において本実施形態で採用可能な、内部回路に対するパッドの接続形態を示す図である。このパッドの接続形態はロジックチップ3においても採用可能であるが、以下、メモリチップ2において採用された場合を前提とする。
図2に示す第1のパッド接続形態は、第2パッド22(ロジックチップ3の場合はボンディングパッド32)と、メモリアレイ等の内部回路23(ロジックチップ3の場合はロジック部等)との間の信号の経路を示すものである。
この形態では、第2パッド22と内部回路23との間に、第1のIF回路(IF回路1)4、第1パッド21、第2のIF回路(IF回路2)5が、この順で直列に接続されている。
この形態では、第2パッド22と内部回路23との間に、第1のIF回路(IF回路1)4、第1パッド21、第2のIF回路(IF回路2)5が、この順で直列に接続されている。
第1のIF回路4は、使用と未使用の状態を切り替える機能をもつテストのための信号処理回路の一例を構成するものである。第1のIF回路4に、例えばドライバやレシーバといった入出力のための機能を、さらにもたせることもできる。
第1パッド21は、本例ではマイクロバンプ構造を有する。
第2のIF回路5は、例えばドライバやレシーバなど、増幅や信号波形整形との入出力のための機能をもつ回路などであり、そのような機能が必要でない場合は省略も可能である。入出力のための機能は、第1のIF回路4から省略することも可能である。
第1パッド21は、本例ではマイクロバンプ構造を有する。
第2のIF回路5は、例えばドライバやレシーバなど、増幅や信号波形整形との入出力のための機能をもつ回路などであり、そのような機能が必要でない場合は省略も可能である。入出力のための機能は、第1のIF回路4から省略することも可能である。
このように、本実施形態の半導体デバイス1は、比較的サイズが大きな第2パッド22と内部回路23との間に、比較的サイズが小さい第1パッド21が直列接続されていることが回路構成上の特徴である。この構成によって、特に第2パッド22と第1のIF回路4との間の接続経路がテスト時に信号経路として含まれるため、その接続経路の段線不良または高抵抗不良、さらにはテスト回路の不良が検出できる。
なお、ここでは第2パッド22がテスト用を想定しているため第1のIF回路4が必須であるが、テスト用以外の場合、第1のIF回路4の省略も可能である。第1のIF回路4を省略した場合でも、第2パッド22と第1のIF回路4の接続経路を、第2パッド22を使って調べることが可能というメリットがある。
なお、第1のIF回路4および第2のIF回路5は、1ビットの入出力、1ビットの入力、1ビットの出力といった3種類の入出力のうち、いずれも可能である。
図3に、第2のバッド接続形態を示す。
図3に示す第2のパッド接続形態は、1つのプローブパッド(第2パッド22)に対して2つのマイクロバンプパッド(第1パッド21)がそれぞれ直列に接続されている。第1のIF回路(IF回路1)4はテストのための信号処理や入出力の機能を有する。2つの第2のIF回路(IF回路2,3)5は入出力のための機能を有する。入出力のための機能が不要な場合、その機能を第1のIF回路4から省略できること、2つの第2のIF回路5そのものを省略できることは、前記第1のパッド接続形態と同様である。
図3に示す第2のパッド接続形態は、1つのプローブパッド(第2パッド22)に対して2つのマイクロバンプパッド(第1パッド21)がそれぞれ直列に接続されている。第1のIF回路(IF回路1)4はテストのための信号処理や入出力の機能を有する。2つの第2のIF回路(IF回路2,3)5は入出力のための機能を有する。入出力のための機能が不要な場合、その機能を第1のIF回路4から省略できること、2つの第2のIF回路5そのものを省略できることは、前記第1のパッド接続形態と同様である。
第2のパッド接続形態によれば、例えば、第2のIF回路(IF回路2)5を信号入力用とし、もう1つの第2のIF回路(IF回路3)5を信号出力用に役割を割り振ることができる。この場合、信号入力経路と信号出力経路の回路や経路のテストを、1つのプローブパッド(第2パッド22)から試験できる。
このとき第1パッド21と第2パッド22の間の経路テストを、2系統のそれぞれで行うことが可能である。
このとき第1パッド21と第2パッド22の間の経路テストを、2系統のそれぞれで行うことが可能である。
図4に、第3のバッド接続形態を示す。
図4に示す第3のパッド接続形態は、1つのプローブパッド(第2パッド22)に対して、N(≧3)個のマイクロバンプパッド(第1パッド21)がそれぞれ直列に接続されている。第1のIF回路(IF回路1)4はテストのための信号処理や入出力の機能を有する。2つの第2のIF回路(IF回路2,3)5は入出力のための機能を有する。入出力のための機能が不要な場合、その機能を第1のIF回路4から省略できること、2つの第2のIF回路5そのものを省略できることは、前記第1のパッド接続形態と同様である。
図4に示す第3のパッド接続形態は、1つのプローブパッド(第2パッド22)に対して、N(≧3)個のマイクロバンプパッド(第1パッド21)がそれぞれ直列に接続されている。第1のIF回路(IF回路1)4はテストのための信号処理や入出力の機能を有する。2つの第2のIF回路(IF回路2,3)5は入出力のための機能を有する。入出力のための機能が不要な場合、その機能を第1のIF回路4から省略できること、2つの第2のIF回路5そのものを省略できることは、前記第1のパッド接続形態と同様である。
第3のパッド接続形態によれば、例えば、N個の第2のIF回路(IF回路2)5のそれぞれを信号入出力用としてもよいし、その幾つかを信号入力用、残りを信号出力用としてもよい。
いずれにしても、信号の入力時、出力時または入出力時のテストを、1つのプローブパッドから実行できる。なお、このような構成が必要になる場合としては、後述する他の実施形態で述べるようにテスト時にはデータ信号を圧縮または伸張してテスト信号に変換する場合が好適である。この構成は、テスタ等によるチップの一括テスト数を増やして、テストのタクトタイムの削減、試験装置のハードウェハ資源の有効利用を通してテストコストを下げたい場合に有用である。
いずれにしても、信号の入力時、出力時または入出力時のテストを、1つのプローブパッドから実行できる。なお、このような構成が必要になる場合としては、後述する他の実施形態で述べるようにテスト時にはデータ信号を圧縮または伸張してテスト信号に変換する場合が好適である。この構成は、テスタ等によるチップの一括テスト数を増やして、テストのタクトタイムの削減、試験装置のハードウェハ資源の有効利用を通してテストコストを下げたい場合に有用である。
以上の本実施形態によれば、1つの第2パッド22と内部回路23との間に第1パッド21が必ず1つは直列に接続されている。このため、実動作時には第1パッド21を介した内部回路23への信号の授受が可能である。その一方で、テスト時には、第2パッド22から第1パッド21までの経路(本例の場合、第1のIF回路4)、第1パッド21から内部回路23までの経路8(本例の場合、第2のIF回路5)の経路テストが、第2パッド22から一括して行える。
したがって、経路テストの対象とならない箇所がないため、テストの信頼性が増す。また、テストの信頼性が高いため、テストで合格したチップが結局不良であることが組み立てた後に分かるようなことがなく、その分、資材を無駄にしないでコスト低減が図れる。
したがって、経路テストの対象とならない箇所がないため、テストの信頼性が増す。また、テストの信頼性が高いため、テストで合格したチップが結局不良であることが組み立てた後に分かるようなことがなく、その分、資材を無駄にしないでコスト低減が図れる。
<2.第2の実施形態>
本実施形態は、図3や図4といった形態と図2の形態を併せもつ、より具体的な回路を開示する実施形態である。
図5(A)に、データの圧縮・伸張機能をもつ第1および第2のIF回路の詳細な構成を含む半導体デバイスの回路ブロック図を示す。また、図5(B)に、メモリチップ2におけるIF回路の配置箇所の例を示す。
本実施形態は、図3や図4といった形態と図2の形態を併せもつ、より具体的な回路を開示する実施形態である。
図5(A)に、データの圧縮・伸張機能をもつ第1および第2のIF回路の詳細な構成を含む半導体デバイスの回路ブロック図を示す。また、図5(B)に、メモリチップ2におけるIF回路の配置箇所の例を示す。
図5(B)に示すように、半導体デバイス1はメモリアレイを任意数もつ。メモリアレイの数に限定はなく、ここでは2つとしている。2つのメモリアレイが、図2〜図4における内部回路23に該当する。
図5(A)では、この内部回路(メモリアレイ)との接続経路を7系統だけ示す。この接続経路は図5(A)において符号“RT1〜RT7”により示す。実際のメモリアレイとIF回路の接続経路はもっと多いが、ここでは代表して、図2の1:1接続型を最初の経路R1〜RT3で示し、図4の1対多型を残る経路RT4〜RT7で示す。
ここで3つ存在する1:1型経路RT1〜RT3は、RT1がクロックCLK用、RT2がコマンドCMD用、RT3がアドレスADD用である。これらの1:1型経路R1〜R3の各々は、メモリアレイ(内部回路23)が複数ある場合は、少なくとも、その数だけ必要である。これらの1:1型経路を、以下、クロック経路RT1、コマンド経路RT2、アドレス経路RT3という呼び方をする。
クロック経路RT1に、第2パッド22としてのクロックパッド22CKと、第1パッド21(マイクロバンプパッド)が設けられている。クロックパッド22CKと第1パッド21との間に、レシーバ51、リピータバッファ41、ドライバ42、および、スイッチ回路43が、この順で直列接続されている。また、第1パッド21のメモリセルアレイ側にレシーバ44が接続されている。
ここでスイッチ回路43は、本発明の“スイッチ”の一例である。また、リピータバッファ41は、配線による信号劣化が軽微な場合は省略可能である。
ここでスイッチ回路43は、本発明の“スイッチ”の一例である。また、リピータバッファ41は、配線による信号劣化が軽微な場合は省略可能である。
クロックパッド22CKとレシーバ51の接続箇所にESD保護素子52が配置されている。同様に、第2パッド22とレシーバ44の接続箇所にESD保護素子45が配置されている。ESD保護素子52,45は、静電放電(ESD)を行うことでパッド入力される静電気から内部回路側を保護する素子である。ESD保護素子としては、ダイオード、ダイオード接続トランジスタ、GGMOS(Gate Grounded MOS FET)、或いは、これらの組み合わせが用いられる。
スイッチ回路43は、第1パッド21を用いる通常動作時に、第1パッド21からクロックパッド22CKまでの回路や配線が余分な負荷となるため、動作負荷を軽減したい場合に、これらを切り離す回路である。スイッチ回路43を設けることは、この意味で好ましいが、負荷軽減が特性的に不要な場合はスイッチ回路43を省略してよい。
スイッチ回路43は、1つのトランジスタから構成してもよいが、ここでは、PMOSトランジスタとNMOSトランジスタを、ドレイン同士、ソース同士を接続した、いわゆるトランスファーゲートスイッチが、スイッチ回路43に含まれる。スイッチ回路43は、このほかに、上記NMOSトランジスタとPMOSトランジスタを同一の制御信号で駆動するためのインバータを有している。
スイッチ回路43は、1つのトランジスタから構成してもよいが、ここでは、PMOSトランジスタとNMOSトランジスタを、ドレイン同士、ソース同士を接続した、いわゆるトランスファーゲートスイッチが、スイッチ回路43に含まれる。スイッチ回路43は、このほかに、上記NMOSトランジスタとPMOSトランジスタを同一の制御信号で駆動するためのインバータを有している。
以上の経路構成は、コマンドパッド2CMを第2パッドとするコマンド経路RT2、アドレスパッド2ADを第2パッドとするアドレス経路RT3においても同様である。
一方、残る4つの経路RT4〜RT7は、全体で1つの1対多型経路(図4参照)を構成しており、経路RT4とRT5がデータ入力用に、経路RT6とRT7がデータ出力用に機能が割り振られている。
第2パッド22の一例である1つのデータパッド22DTに対し、2つの入力経路共通のレシーバ53と、2つの出力経路共通のドライバ54が並列接続されている。また、データパッド22DTの入出力経路に、他の経路と同様なESD保護素子52が接続されている。
第2パッド22の一例である1つのデータパッド22DTに対し、2つの入力経路共通のレシーバ53と、2つの出力経路共通のドライバ54が並列接続されている。また、データパッド22DTの入出力経路に、他の経路と同様なESD保護素子52が接続されている。
レシーバ53の出力に対し、経路RT4とRT5を構成する回路部が並列接続されている。
この回路部は、レシーバ53側から、データ伸張回路46、ドライバ42、スイッチ回路43、ESD保護素子45、レシーバ44を含んで構成される。基本的には、この回路部は、1:1型経路RT1〜RT3のリピータバッファ41がデータ伸張回路46と置き換わったものである。
ドライバ54の入力にデータ圧縮回路47が接続されている。データ圧縮回路47は、データ幅を8ビットとすると、8ビットのデータ信号を1ビットのテスト信号に変換する“データ信号変換回路”の一例である。
この回路部は、レシーバ53側から、データ伸張回路46、ドライバ42、スイッチ回路43、ESD保護素子45、レシーバ44を含んで構成される。基本的には、この回路部は、1:1型経路RT1〜RT3のリピータバッファ41がデータ伸張回路46と置き換わったものである。
ドライバ54の入力にデータ圧縮回路47が接続されている。データ圧縮回路47は、データ幅を8ビットとすると、8ビットのデータ信号を1ビットのテスト信号に変換する“データ信号変換回路”の一例である。
データ圧縮回路47の入力側は、それぞれ1ビットのデータを入力する経路RT6とRT7の回路部となっている。
この回路部は、データ圧縮回路47の入力をリセットするためのリセットトランジスタRTと、他の経路と同様なスイッチ回路43、第1パッド21、ESD保護素子45およびレシーバ48を含んで構成されている。
リセットトランジスタRTは、例えば1つのNMOSトランジスタで構成され、そのドレインがデータ圧縮回路47の入力に接続され、ソースが接地されている。リセットトランジスタRTのゲートは、本例ではスイッチ回路43を一括制御する制御信号(選択信号SEL)の反転信号で駆動される。
この回路部は、データ圧縮回路47の入力をリセットするためのリセットトランジスタRTと、他の経路と同様なスイッチ回路43、第1パッド21、ESD保護素子45およびレシーバ48を含んで構成されている。
リセットトランジスタRTは、例えば1つのNMOSトランジスタで構成され、そのドレインがデータ圧縮回路47の入力に接続され、ソースが接地されている。リセットトランジスタRTのゲートは、本例ではスイッチ回路43を一括制御する制御信号(選択信号SEL)の反転信号で駆動される。
図6に、データ圧縮回路47の回路構成例を示す。
図6に図示したデータ圧縮回路47は、初段の排他的論理和ゲートの否定(XNOR)がスイッチ回路43からの出力に接続されている。排他的論理和ゲートの否定(XNOR)は出力ビット数に対応して8個設けられている。2段目、3段目、・・・、最終段にかけては、アンド回路ANDで出力数が縮小されて、最終的に1本のテストデータTDQに集約される。
初段の排他的論理和ゲートの否定(XNOR)には期待値が与えられるため、読み出しデータにおいて、期待値と論理が1ビットでも異なれば、テストデータTDQがテスト不合格を示す例えば“0”、全ビットが一致すればテスト合格を示す例えば“1”の論理が出力される。
図6に図示したデータ圧縮回路47は、初段の排他的論理和ゲートの否定(XNOR)がスイッチ回路43からの出力に接続されている。排他的論理和ゲートの否定(XNOR)は出力ビット数に対応して8個設けられている。2段目、3段目、・・・、最終段にかけては、アンド回路ANDで出力数が縮小されて、最終的に1本のテストデータTDQに集約される。
初段の排他的論理和ゲートの否定(XNOR)には期待値が与えられるため、読み出しデータにおいて、期待値と論理が1ビットでも異なれば、テストデータTDQがテスト不合格を示す例えば“0”、全ビットが一致すればテスト合格を示す例えば“1”の論理が出力される。
このようなデータ圧縮回路47は、本発明の適用に際して必須ではない。但し、第1パッド21を多数配置したため、その第2パッド22を、同じ数だけ配置できない場合を鑑みると、このようなデータ圧縮でテスト結果を出力する構成が望ましい。
一方、データ伸張回路46の詳細は省略するが、この回路は、スクランブル信号と排他的論理和をとる排他的論理和ゲートの否定(XNOR)を含んで構成される。これは、メモリアレイの隣り合う列でデータパターンの論理“1”と“0”を入れ替えるスクランブルテストに適合した構成である。メモリではランダムなデータパターンが実使用時に入力され、あるいは出力されるが、テストパターンで全ての組み合わせで行うとテストの負荷が増大する。スクランブルテストは論理を入れ替える構成によって、テスト負荷を軽減するものである。
なお、このようなデータ伸張回路46は、本発明の適用に際しては必須ではない。但し、第2パッド22の数を第1パッド21に比べて減らす構成では、テスト負荷軽減に貢献するため、データ伸張回路46を内蔵させることが望ましい。
なお、このようなデータ伸張回路46は、本発明の適用に際しては必須ではない。但し、第2パッド22の数を第1パッド21に比べて減らす構成では、テスト負荷軽減に貢献するため、データ伸張回路46を内蔵させることが望ましい。
以上のように、第2の実施形態では、クロック、コマンド、アドレスの入力経路は、マイクロバンプ(第1パッド21)とプローブパッド(第2パッド22)を組みとして含む。一方、データのテストのための構成は、データ入出力用として共通な1つのデータパッド22DT(第2パッド22)に対して並列に接続させることで、プローブカードのピン数の削減を実現することができる。
具体的に、データパッド22DTをテスト時の入出力共通パッドとし、データ入力経路RT4とRT5では、2つの第1パッド21を通常動作時に個別のデータD0とD1が供給される独立したパッドとしている。
通常動作時に入力される個別の入力データD0とD1に代えて、テスト時には、データパッド22DTから入力されるテストデータ信号と、不図示の第2パッドから入力されるスクランブル信号とのXNORをとり伸張された信号を内部回路に供給する。これにより、1つのテストパッドを用いて、メモリアレイの2列のテストが可能になっている。なお、データ伸張回路46を図6の圧縮回路と同様に多段構成にすることで、例えば8、16、…といった多数ビットの列テストを1つの入出力共通パッドで実行可能である。
通常動作時に入力される個別の入力データD0とD1に代えて、テスト時には、データパッド22DTから入力されるテストデータ信号と、不図示の第2パッドから入力されるスクランブル信号とのXNORをとり伸張された信号を内部回路に供給する。これにより、1つのテストパッドを用いて、メモリアレイの2列のテストが可能になっている。なお、データ伸張回路46を図6の圧縮回路と同様に多段構成にすることで、例えば8、16、…といった多数ビットの列テストを1つの入出力共通パッドで実行可能である。
同様に、データ出力経路RT6とRT7では、データパッド22DTをテスト時の入出力共通パッドとし、2つの第1パッド21を、通常動作時に個別の出力データQ0とQ1を出力する独立したパッドとしている。
通常動作時に出力される個別のデータQ0とD1に代えて、テスト時には、メモリアレイから出力される出力データQ0,Q1,…を、不図示の第2パッドから入力する期待値と比較し、比較結果を圧縮してテストデータを発生する。発生したテストデータは、データパッド22DTから、外部のテスタ等に出力できるようにしている。
以上の構成と動作から分かるように、本実施形態では、4つのマイクロバンプパッドを1つのプローブパッドで代替可能としている。
通常動作時に出力される個別のデータQ0とD1に代えて、テスト時には、メモリアレイから出力される出力データQ0,Q1,…を、不図示の第2パッドから入力する期待値と比較し、比較結果を圧縮してテストデータを発生する。発生したテストデータは、データパッド22DTから、外部のテスタ等に出力できるようにしている。
以上の構成と動作から分かるように、本実施形態では、4つのマイクロバンプパッドを1つのプローブパッドで代替可能としている。
次に、第1パッド21を、第2パッド22と内部回路の直列接続経路の途中に挿入するように設けたことの利点を、この利点が得られない比較例と比べることで、より一層明らかにする。
[比較例]
図7と図8に、比較例のブロック間の接続経路図と、より詳細なIF回路例を示す回路ブロック図とを示す。図7が、本発明が適用された図2〜図4に対応し、図8が図5(A)に対応する。
図7と図8に、比較例のブロック間の接続経路図と、より詳細なIF回路例を示す回路ブロック図とを示す。図7が、本発明が適用された図2〜図4に対応し、図8が図5(A)に対応する。
図7の比較例の接続経路図は、基本的には図2と比較すると明らかなように、プローブパッド(第1パッド21)が第2パッド22(マイクロバンプパッド)と内部回路23との経路途中ではなく、IF回路40に対し同列(並列)に接続されている。IF回路40は、特許文献1にもあるように(経路)選択スイッチの役目を必ず有し、その選択された信号が、内部回路との入出力が許可される。そのため、プローブパッドからマイクロバンプパッドの経路を試験することが出来なかった。
図8は、図5(A)と同一構成は同一符号を付している。
図5(A)では経路の接続と遮断を制御するためスイッチ回路43が設けられているが、図8では、これに代わって経路選択スイッチとしてセレクタ49が配置される。なお、セレクタ49は、入力セレクタを回路ブロックで示し、出力セレクタをアンド回路で示しているが、入力側を切り換えるか出力側を切り換えるかの違いであり、基本的な機能としては同じものである。
図5(A)では経路の接続と遮断を制御するためスイッチ回路43が設けられているが、図8では、これに代わって経路選択スイッチとしてセレクタ49が配置される。なお、セレクタ49は、入力セレクタを回路ブロックで示し、出力セレクタをアンド回路で示しているが、入力側を切り換えるか出力側を切り換えるかの違いであり、基本的な機能としては同じものである。
経路RT1〜RT5に設けられた(入力)セレクタ49は、その第1入力に、レシーバ44、ESD保護素子45および第1パッド21が直列に接続されている。また、第2入力には、ドライバ42の出力が接続されている。(入力)セレクタ49は、与えられる選択信号SELの論理に応じて出力に対し、第1入力側と第2入力側を排他的に接続する。
経路RT6とRT7に設けられた(出力)セレクタは、その第1出力に、レシーバ48、ESD保護素子45および第1パッド21が直列に接続されている。また、第2出力は、データ圧縮回路47のデータ入力端子に接続されている。(出力)セレクタ49は、与えられる選択信号SELの論理に応じて入力に対し、第1出力側と第2出力側を排他的に接続する。
なお、その他の構成は図8と図5(A)で共通する。
経路RT6とRT7に設けられた(出力)セレクタは、その第1出力に、レシーバ48、ESD保護素子45および第1パッド21が直列に接続されている。また、第2出力は、データ圧縮回路47のデータ入力端子に接続されている。(出力)セレクタ49は、与えられる選択信号SELの論理に応じて入力に対し、第1出力側と第2出力側を排他的に接続する。
なお、その他の構成は図8と図5(A)で共通する。
図8の比較例では、プローブパッド(データパッド22DT等の第2パッド)から試験を行う際、マイクロバンプの経路の第1パッド21からセレクタ49までの間を経路テストできない。このため、パッドの断線、ドライバ、レシーバの不具合、セレクタの片側部分の不具合などを発見することができない。
これに対し、図2〜図4および図5(A)に開示する本実施形態の構成では、プローブパッドからの経路とマイクロバンプパッドからの経路を直列に繋ぐことで、この不具合の発生がない。
これに対し、図2〜図4および図5(A)に開示する本実施形態の構成では、プローブパッドからの経路とマイクロバンプパッドからの経路を直列に繋ぐことで、この不具合の発生がない。
以上の第1および第2の実施形態において、以下の変形例が実施できる。
<第1変形例>
第1変形例は、テスト回路(IF回路)のチップ配置位置に関する。
第1変形例は、テスト回路(IF回路)のチップ配置位置に関する。
マイクロバンプパッド(第1パッド21)は比較的小さいため、配置の自由度が高い。よって、マイクロバンプパッドはチップ内の任意の場所に配置してよい。そのため、マイクロバンプパッドはマイクロバンプ経由に付く寄生容量を削減するために、インターフェース回路(レシーバ、ドライバ、ESD保護回路など)と、プローブパッド(第2パッド22)の経路との切り離し回路の近くに配置することが望まれる。
但し、テスト回路の機能を含むインターフェース回路自体は、フロアプランの都合で任意の場所に配置してよい。
プローブパッドは比較的大きくテスト環境(プローブカードの針の本数や同時測定数)に依存した配置の制約があるため、必ずしもマイクロバンプの経路の近くに配置できるとは限らない。
プローブパッドは比較的大きくテスト環境(プローブカードの針の本数や同時測定数)に依存した配置の制約があるため、必ずしもマイクロバンプの経路の近くに配置できるとは限らない。
以上の制約は、内部回路の種類や数、顧客の要望や設計方針で種々であるため、その制約を満たすインターフェース回路およびテスト回路の配置も種々存在する。
図9(A)〜図9(D)は、図5(B)に代えて採用可能な配置図である。
マイクロバンプパッド(第1パッド21)を含む経路のIF回路と、プローブパッド(第2パッド22)を含む経路のIF回路は、図9(A)のようにT字型配置としてよい。このIF回路配置により区分けされる2つの領域(図9(A)の空白領域)に内部回路を分割して配置する。
または、この2つのIF回路を図9(B)のように十字型配置として、それにより区分けされる4つの領域に内部回路を分割して配置してもよい。
内部回路を2分割する場合は、図5(B)や図9(A)の他に、図9(D)のようにしてもよい。この場合、マイクロバンプパッド(第1パッド21)を含む経路のIF回路と、プローブパッド(第2パッド22)を含む経路のIF回路が隣接して配置される。
さらに、2つのIF回路を、図9(C)のようにチップの片側に寄せて配置することもできる。
マイクロバンプパッド(第1パッド21)を含む経路のIF回路と、プローブパッド(第2パッド22)を含む経路のIF回路は、図9(A)のようにT字型配置としてよい。このIF回路配置により区分けされる2つの領域(図9(A)の空白領域)に内部回路を分割して配置する。
または、この2つのIF回路を図9(B)のように十字型配置として、それにより区分けされる4つの領域に内部回路を分割して配置してもよい。
内部回路を2分割する場合は、図5(B)や図9(A)の他に、図9(D)のようにしてもよい。この場合、マイクロバンプパッド(第1パッド21)を含む経路のIF回路と、プローブパッド(第2パッド22)を含む経路のIF回路が隣接して配置される。
さらに、2つのIF回路を、図9(C)のようにチップの片側に寄せて配置することもできる。
<第2変形例(その他の変形例)>
上記第1および第2の実施形態では、2チップ積層型の半導体デバイスにおいて、本発明の実施形態を説明している。
但し、チップの積層数に限定はなく、3チップ以上の積層でもよい。その場合、3層以上に重ねてもよいし、1つのベースとなるチップの異なる領域に、それぞれ1つ、または、複数のチップを重ねた構成でもよい。
いずれにしても、上記第1および第2の実施形態で説明したテストが行えない経路をなくすパッド接続構造が、何れか1以上のチップに適用されていればよい。また、内部回路はメモリアレイである必要はない。本発明が適用されたチップを載置するチップがロジックチップ3である必要もない。
上記第1および第2の実施形態では、2チップ積層型の半導体デバイスにおいて、本発明の実施形態を説明している。
但し、チップの積層数に限定はなく、3チップ以上の積層でもよい。その場合、3層以上に重ねてもよいし、1つのベースとなるチップの異なる領域に、それぞれ1つ、または、複数のチップを重ねた構成でもよい。
いずれにしても、上記第1および第2の実施形態で説明したテストが行えない経路をなくすパッド接続構造が、何れか1以上のチップに適用されていればよい。また、内部回路はメモリアレイである必要はない。本発明が適用されたチップを載置するチップがロジックチップ3である必要もない。
図1においては、ロジックチップ3が面積としてメモリチップ2より大きい場合を例示するが、面積の大小関係は、これと逆でもよい。
また、ロジックチップ3のパッドから、ワイヤ33により外部端子を取り出す必要は必ずしもない。例えば、ロジックチップ3の裏面BGAまたはSi貫通ビア等によって外部接続を達成してもよい。
また、ロジックチップ3のパッドから、ワイヤ33により外部端子を取り出す必要は必ずしもない。例えば、ロジックチップ3の裏面BGAまたはSi貫通ビア等によって外部接続を達成してもよい。
また、図1はモールド樹脂封入や中空パッケージ構造を想定するが、ロジックチップ3の上にメモリチップ2を、その逆に、メモリチップ2の上にロジックチップ3をベアチップ実装するようにしてもよい。
メモリチップを搭載する場合、そのメモリアレイの記憶素子は、DRAM、SRAM、不揮発性メモリ、その他メモリの何れであってもよい。不揮発性メモリは、電荷蓄積能力を有するメモリトランジスタを記憶素子とするもの、抵抗変化素子を記憶素子とするもの、磁気素子を記憶素子とするものなど、どのようなものでもよい。
1対多のインターフェースを要請するメモリ方式はDDR方式など種々存在し、そのメモリ方式に限定はない。
1対多のインターフェースを要請するメモリ方式はDDR方式など種々存在し、そのメモリ方式に限定はない。
以上の第1および第2の実施形態、並びに、第1および第2変形例によれば、以下の利点が得られる。
ウェハ状態でプローブパッドからマイクロバンプパッドの経路をテストできるため、マイクロバンプで別チップと組み立て後の動作状態をウェハ状態で模すことができる。これにより、本発明が非適用の場合に組み立て後にしか確認できない不良チップ領域をウェハ状態で発見することができ、不良品廃棄に伴うコストを削減することができる。
積層後は、プローブパッドの経路を切り離し回路で切り離すことができるので、マイクロバンプ経由で使用した際の特性にほとんど影響を与えない。
また、プローブパッドとマイクロバンプ用パッドの間にIF回路やテスト回路を挿入することができるので、例えば圧縮・伸張回路を挿入し、プローブパッド数を削減したり、リピータバッファを挿入して、プローブパッドをチップ端に配置したりすることができる。
なお、マイクロバンプパッドからの経路(切り離し回路からマイクロバンプパッド用のレシーバやドライバまでの間)にSi貫通電極を具備している場合にも上記の効果を得ることができる。
積層後は、プローブパッドの経路を切り離し回路で切り離すことができるので、マイクロバンプ経由で使用した際の特性にほとんど影響を与えない。
また、プローブパッドとマイクロバンプ用パッドの間にIF回路やテスト回路を挿入することができるので、例えば圧縮・伸張回路を挿入し、プローブパッド数を削減したり、リピータバッファを挿入して、プローブパッドをチップ端に配置したりすることができる。
なお、マイクロバンプパッドからの経路(切り離し回路からマイクロバンプパッド用のレシーバやドライバまでの間)にSi貫通電極を具備している場合にも上記の効果を得ることができる。
1…半導体デバイス、2…メモリチップ、3…ロジックチップ、4…第1のIF回路、5…第2のIF回路、11…モジュール基板、12…パッケージ部材、21…第1パッド(マイクロバンプパッド)、22…第2パッド(プローブパッド)、23…内部回路、40…IF回路、41…リピータバッファ、43…スイッチ回路、45…ESD保護素子、46…データ伸張回路、47…データ圧縮回路、49…セレクタ。
Claims (11)
- 半導体基板と、
前記半導体基板に形成された内部回路と、
前記半導体基板に形成されたテストのための複数の第2パッドと、
前記半導体基板に形成され、対応する第2パッドと前記内部回路との接続経路に各々が配置された、データ入出力のための複数の第1パッドと、
を有する半導体デバイス。 - 前記複数の第1パッドの各々を、対応する第2パッドと電気的に切断または導通させるスイッチが、前記複数の第1パッドと前記複数の第2パッドとの間に複数配置されている
請求項1に記載の半導体デバイス。 - 複数の前記スイッチと、前記複数の第2パッドとの間にテストのための信号処理回路が配置されている
請求項2に記載の半導体デバイス。 - 前記第1パッドは、前記第2パッドの数以上、設けられている
請求項3に記載の半導体デバイス。 - 前記信号処理回路は、前記内部回路に入出力されるデータ信号と、テスト時に、より少ない数のテストデータ信号とを変換するデータ信号変換回路を含む
請求項4に記載の半導体デバイス。 - 前記第1パッドは、前記第2パッドより面積が小さい
請求項5に記載の半導体デバイス。 - 前記第1パッドがマイクロバンプ用のパッドであり、前記第2パッドがテストプローブ用のパッドである
請求項6に記載の半導体デバイス。 - 前記第1パッドは、前記第2パッドの数以上、設けられている
請求項1に記載の半導体デバイス。 - 前記第1パッドは、前記第2パッドより面積が小さい
請求項1に記載の半導体デバイス。 - 複数の内部接続パッドと、複数の外部接続パッドとを一方の主面に有する第1半導体チップと、
前記第1半導体チップの前記一方の主面に載置されて、当該第1半導体チップと電気的に接続されている第2半導体チップと、
を有し、
前記第2半導体チップは、
半導体基板と、
前記半導体基板に形成された内部回路と、
前記半導体基板に形成されたテストのための複数の第2パッドと、
前記半導体基板の前記第1半導体チップとの対向する主面に形成されて前記複数の内部接続パッドと接続し、かつ、対応する第2パッドと前記内部回路との接続経路に各々が配置された、データ入出力のための複数の第1パッドと、
を有する半導体デバイス。 - 前記内部回路はメモリアレイを含む
請求項10に記載の半導体デバイス。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013005355A1 (ja) * | 2011-07-01 | 2013-01-10 | パナソニック株式会社 | メモリアクセス制御装置、及び製造方法 |
US10840159B2 (en) | 2015-07-09 | 2020-11-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor chip including chip pad, redistribution wiring test pad, and redistribution wiring connection pad |
US11127713B2 (en) | 2019-12-20 | 2021-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High bandwidth memories and systems including the same |
CN113933683A (zh) * | 2021-09-23 | 2022-01-14 | 洛晶半导体(上海)有限公司 | 芯片测试***及方法 |
-
2009
- 2009-11-06 JP JP2009255325A patent/JP2011100898A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013005355A1 (ja) * | 2011-07-01 | 2013-01-10 | パナソニック株式会社 | メモリアクセス制御装置、及び製造方法 |
CN103052946A (zh) * | 2011-07-01 | 2013-04-17 | 松下电器产业株式会社 | 存储器访问控制装置及制造方法 |
US8824236B2 (en) | 2011-07-01 | 2014-09-02 | Panasonic Corporation | Memory access control device and manufacturing method |
US10840159B2 (en) | 2015-07-09 | 2020-11-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor chip including chip pad, redistribution wiring test pad, and redistribution wiring connection pad |
US11189535B2 (en) | 2015-07-09 | 2021-11-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor chip including chip pad, redistribution wiring test pad, and redistribution wiring connection pad |
US11705376B2 (en) | 2015-07-09 | 2023-07-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor chip including chip pad, redistribution wiring test pad, and redistribution wiring connection pad |
US11127713B2 (en) | 2019-12-20 | 2021-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High bandwidth memories and systems including the same |
CN113933683A (zh) * | 2021-09-23 | 2022-01-14 | 洛晶半导体(上海)有限公司 | 芯片测试***及方法 |
CN113933683B (zh) * | 2021-09-23 | 2024-04-23 | 洛晶半导体(上海)有限公司 | 芯片测试***及方法 |
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