JP2012156513A - 高性能サブシステムの設計および組立体 - Google Patents
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Abstract
【課題】ESD保護回路および入出力回路を持たない構造の集積回路チップ間のチップ間通信を行う多重集積回路チップ構造を提供する。
【解決手段】多重集積回路チップ構造は、テストおよびバーン・イン手順中に外部テスト・システムと通信するためのESD保護回路387および入出力回路389を有するインターフェース回路385をテストするため集積回路の内部回路を選択的に接続するチップ間インターフェース回路360を有する。多重配線集積回路チップ構造は、集積回路チップを相互に物理的かつ電気的に接続するため1つ以上の第2の集積回路チップ310へ取付けられた第1の集積回路チップ305を有する。
【選択図】図4
【解決手段】多重集積回路チップ構造は、テストおよびバーン・イン手順中に外部テスト・システムと通信するためのESD保護回路387および入出力回路389を有するインターフェース回路385をテストするため集積回路の内部回路を選択的に接続するチップ間インターフェース回路360を有する。多重配線集積回路チップ構造は、集積回路チップを相互に物理的かつ電気的に接続するため1つ以上の第2の集積回路チップ310へ取付けられた第1の集積回路チップ305を有する。
【選択図】図4
Description
本願は、現在米国特許第6,180,426号として発行された1999年3月1日出願の米国特許出願第09/258,911号の分割出願である2000年12月4日出願の同第09/729,152号の一部継続出願である。
本発明は、相互接続された複数のチップ・モジュールへICチップを組立てる組立て構造および方法に関する。特に、本発明は、物理的かつ電気的に接続された多重チップ構造に関する。
埋設されるダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)の製造は、半導体チップ上に個々に形成されるならば、DRAMが同じ半導体チップ上の論理ゲート・アレイへ埋設されるときは、ロジックまたはDRAMの性能を強化するプロセス・パラメータに妥協を要求する。このような妥協は、埋設型DRAMの用途を制限してきた。ロジックまたは埋設型DRAMの性能を強化するプロセス・パラメータにおける妥協がなければ、製造プロセスは非常に複雑になりかつコスト高になる。更に、埋設型DRAMおよびロジックの構造のゆえに、埋設型DRAMのバーン・インは不可能であり、かつロジックと共にDRAMを埋設することは信頼性のある設計解決法ではない。
多重チップ・モジュール構造は、埋設型DRAMに役立つ代替策である。密着状態で接続される多重チップでは、DRAMチップおよび論理ゲートの性能を最大化するプロセス・パラメータを製造中に適用することができる。「チップ・オン・チップ」構造100の記述については、図1を参照されたい。このようなチップ・オン・チップ構造は、米国特許第4,434,465号(Frye等)に記載されている。第1の集積回路チップ105は、ソルダ・バンプ(solderbump)115のエリア・アレイにより、第2の集積回路チップ110に対し物理的かつ電気的に取付けられる。ソルダ・バンプ115のエリア・アレイを形成するプロセスは、当技術において周知であり、Frye等の米国特許第4,434,465号において論述されている。第2の集積回路チップ110は、基板120へ物理的に固定される。第2の集積回路チップ110と外部回路(図示せず)間の電気的接続部125は、ワイヤ・ボンディング部あるいは自動テープ・ボンディング部のいずれかとして形成される。このモジュールは更に、構造体を外部回路を含む次のパッケージ・レベルに固定するボール・グリッド・アレイ130を有する。一般に、外装材135は、「チップ・オン・チップ」構造100に対する環境保護を供するため「チップ・オン・チップ」構造100に載置される。
米国特許第5,481,205号(Frye等)は、「ソルダ・バンプ」をもつ集積回路チップに対する一時的接続あるいはボール・グリッド・アレイなどの接続構造に対するマスキング構造について教示している。一時的接続は、集積回路チップのテスト中に集積回路チップの一時的な接触を許容する。
集積回路チップが形成されるウェーハの取扱いおよび集積回路チップ自体の取扱いは、集積回路チップを静電気放電(ESD)電圧に曝させる。第1の集積回路チップ105と第2の集積回路チップ110との間の接続が比較的短く、正常動作中ESD電圧を受けなくても、バーン・インその他の製造中の監視プロセスにおいて第1の集積回路チップ105および第2の集積回路チップ110に対し保護および必要な駆動容量を提供するために、ESD保護回路がチップ間回路内に形成されることが要求される。
米国特許第5,731,945号および同第5,807,791号(Bertin等)は、多重チップ半導体構造に対するプログラム可能なESD保護回路を製造する方法について教示している。各集積回路チップ上の前記チップ間インターフェース回路は、ESD保護回路と、ESD保護回路を入出力パッドへ選択的に接続するスイッチとで形成される。これにより、複数の同じチップを相互接続し余剰なESD防護を除去することを可能にする。
集積回路チップの周辺回路は一般に、標準仕様の要件を満たすように専用化される。これら回路は、比較的長い線路媒体で通信するための比較的高電流および電圧のドライバおよびレシーバを含む。あるいはまた、米国特許第5,461,333号(Condon等)に示されるように、インターフェースは線路媒体における比較的低電圧を許容するように差動的である。このため、信号の伝送のため2つの入出力パッドを必要とする。
米国特許第5,818,748号(Bertin等)は、個々の集積回路チップへのチップ機能の分割を示している。これにより、回路の最適化を可能にする。この場合、EEPROMは1つの集積回路チップ上にあり、ドライバおよびデコーダは別の集積回路チップ上にある。これらチップは、対面関係に配置されて圧力応答自己インターロック型のマイクロ・コネクタで固定される。
図2および図3は、ウェーハ上に構成された複数の「チップ・オン・チップ」構造100を示している。シリコン・ウェーハ上の第1の集積回路チップの形成は示されない。第1の集積回路チップは、ウェーハ上でテストされ、機能しないチップが見つけられる。ウェーハは、個々のチップへ分けられる。機能する第1の集積回路チップ105は、ウェーハ200上の第2の集積回路チップ110に載置された「フリップ・チップ」である。ウェーハ200は次に「チップ・オン・チップ」構造100へ分けられる。この「チップ・オン・チップ」構造100は次に、先に述べたようにマイクロに載置される。
本発明の目的は、構造体の集積回路チップ間の通信がESD保護回路および入出力回路を持たない多重集積回路チップ構造を提供することにある。このチップ間通信は、最小限の電気負荷を持つ内部回路間である。
本発明の別の目的は、組立ておよびテスト中にテスト・システムと通信するよう設計されたESD保護回路および入出力回路を有するインターフェース回路をテストするため集積回路の内部回路を選択的に接続する回路を提供することにある。
本発明の他の目的は、単一チップ・モード動作あるいは多チップ・モード動作のいずれかの2つの経路の1つに集積回路チップの内部回路を選択的に接続する回路を提供することにある。
上記および他の目的を達成するため、多重接続集積回路チップ構造は、1つ以上の集積回路チップに物理的かつ電気的に接続された第1の集積回路チップを有する。集積回路チップは、ソルダ・バンプのエリア・アレイによって相互に接続される。第1の集積回路チップは、第1および第2の集積回路チップの内部回路とテスト回路間に通信する1つ以上の第2の集積回路チップに接続されたチップ間インターフェース回路を有する。テスト回路は、第1の集積回路チップの内部回路に接続されて、テスト手順の間刺激を与え内部回路に応答する。更に、第1の集積回路チップは、必要に応じて、1つのチップ・モードで動作させられるように設定することができる。
第2の集積回路チップは、第2の集積回路チップに接続された外部回路と通信しかつこの第2の集積回路チップを静電気放電電圧から保護する入出力インターフェース回路を有する。更に、第2の集積回路チップは、チップの内部回路間およびテスト回路と通信する第1の集積回路チップおよび相互に接続されたチップ間インターフェース回路を有する。テスト回路は、第2の集積回路チップの内部回路に接続されてテストおよびバーン・イン手順の間内部回路へ刺激を与えかつこの内部回路からの応答を与える。
チップ間インターフェース回路は、1つの集積回路チップの内部回路間の電気信号を別の集積回路チップへ伝送するチップ間インターフェース回路を有する。このチップ間インターフェース回路は更に、1つの集積回路チップと別の集積回路チップの内部回路間を選択的に接続し、あるいはスタンドアロン動作またはインターフェース回路をテストする接続を含む1つのチップ・モードで動作するモード選択スイッチを有する。モード・スイッチに対するモード選択信号は、チップに対し外部のものである。この信号は、集積回路チップの別の1つ、あるいは基板、あるいはテスト・インターフェース、あるいは他の外部ソースからのものである。モード・スイッチは、3つの端子と1つの制御端子とを有する。第1の端子は、内部インターフェース回路の1つの出力と、内部回路に接続された第2の端子と、入出力端子に接続された第3の端子とに接続される。モード・セレクタの状態は、第1の端子と内部インターフェース回路の出力、第2の端子と内部回路、および第3の端子とテスト・インターフェースまたは他のインターフェース間の接続を決定する。多重チップ・モード動作の間、第1の端子は、2つの集積回路の内部回路がそれらの各内部インターフェースを介して接続されるように第2の端子に接続される。1つのチップ・モード動作の間、内部回路は入出力インターフェースに接続される。例えば、テストとバーン・インの間、入出力インターフェースが外部のテスト回路に接続する。
第1の集積回路チップは、第1の種類の半導体プロセスを用いて作ることができ、第2の集積回路チップは第1の種類の半導体プロセスと互換し得ない第2の種類の半導体プロセスで作られ、、、などである。一例として、第1の集積回路チップはメモリのアレイであり得、第2の集積回路チップは、メモリ・セルのアレイのプロセスと互換でないプロセスで形成された電子回路を含むことになる。あるいはまた、第2の集積回路チップはメモリ・セルのアレイであり、第1の集積回路チップは、メモリ・セルのアレイのプロセスと互換でないプロセスで形成された電子回路を含む。他の集積回路チップは、他の方法で作ることもできる。第1の集積回路チップをその最適な半導体プロセスを用いて作り、第2の集積回路チップをその最適な半導体プロセスを用いて作り、次に第1および第2の集積回路チップを本発明により接合することで、最小のコストで最大の性能を持つ多重チップ集積回路構造を生成する。
本発明のプロセスおよび構造は、多重チップ・モジュールの任意の形式のフォーマットまで拡張することができる。例えば、2つないしは少数のチップ72および74が、図15に示されるように、ボール・グリッド・アレイ基板76の同じ側に実装される。ボール・グリッド・アレイ76は、基板78へ取付けられた状態で示される。この基板は、積層状の印刷回路ボードでよく、あるいはセラミック、ガラス、アルミニウム、銅または任意の種類の基板でよい。図16ないし図18は、多重チップの他の形態例を示している。これら事例の全てにおいて、図示された2つ以上のチップを一緒に接続することができる。下記の図面は、「チップ・オン・チップ」構造を示している。当業者には、本発明が示されるいずれの事例にも限定されるべきでなく、多重チップ・モジュールの任意の形式のフォーマットへ拡張され応用され得ることが理解されよう。
「チップ・オン・チップ」構造300が図4に示される。第1の集積回路チップ305は、例えば先に述べたように、ソルダ・バンプ315のエリア・アレイにより第2の集積回路チップ310へ取付けられる。第2の集積回路チップ310は、モジュール320へ物理的に固定される。電気的接続325は、ワイヤ・ボンドあるいはTABボンドのいずれかである。モジュール320は、モジュール内の「チップ・オン・チップ」構造を次にレベルの電子的パッケージへ取付けるボール・グリッド・アレイ330を有する。2つ以上のチップがこのように接続されること、およびチップがボール・グリッド・アレイ330の同じ側あるいは反対側に接続されることが理解されよう。
第1の集積回路チップ305は、この第1の集積回路チップ305の電子機能素子である内部回路335を有する。内部回路335は、DRAM、ロジック、その他の集積回路でよい。同様に、第2の集積回路チップ310は内部回路365を有する。この内部回路365は、第2の集積回路チップ310の電子機能素子である。これらの内部回路もまた、DRAM、ロジック、その他の集積回路でよい。第1の集積回路チップ305の内部回路335と第2の集積回路チップ310の内部回路365間に、あるいは外部テスト・システムへ信号を送るため、内部回路335はチップ間インターフェース回路340へ接続される。このチップ間インターフェース回路340は、入出力パッド345を介してソルダ・バンプ315のエリア・アレイへ、またこれにより第2のチップ310へ接続される。このような接続は、第1の集積回路チップ305が第2の集積回路チップ310に対して実装されるとき、多重チップ・モード動作の間機能する。これら入出力パッド345は、静電気放電(ESD)回路あるいは駆動回路を含まない。この入出力パッド345は、他のチップ、基板あるいは他の配線媒体へボンディングするため多重チップにおいて使用される。
単一チップ動作モードの場合、チップ間インターフェース回路340は、スタンドアロン性能のためのESD回路と駆動回路とを有する入出力パッド355へボンディングされる。このボンディングは、基板または任意の他の第2レベルのチップ・キャリアに対するワイヤ・ボンディング、ソルダ・ボンディング、あるいは他の任意の配線手段による。入出力パッド355は、入出力またはテスト・インターフェース350へ接続する。
第1の集積回路チップ305に対するモード・セレクト線390は、モード・セレクト入出力パッド391および392に適切な論理レベルを置くことによって得られる。第1の集積回路チップ305が単一チップ・モードで動作しているとき、モード・セレクト入出力パッド391はスタンドアロン性能に対する第1の論理レベルにされる。システムの設計者は、モード・セレクタを論理レベル(0)を生じ得る(印刷回路ボードなどからの)外部ソースへ接続することもできる。
第1の集積回路チップ305が多重チップ動作のため第2の集積回路チップ310へ実装されるとき、モード・セレクト線390がモード・セレクト入出力パッド392を介して第2の論理レベル(1)にされる。この第2の論理レベル(1)は、供給電源電圧ソースVDDに等しい電圧であり、モード・セレクト入出力パッド392をソルダ・ボール394を介して第2の集積回路チップ310におけるモード・セレクト入出力パッド393へ接続することによって得られる。このモード・セレクト入出力パッド393は、供給電源電圧ソースVDDへ直接接続されて第2の論理レベル(1)を得る。モード・セレクト線390が第2の論理レベル(1)にあるとき、チップ間インターフェース回路340は、先に述べたように、内部回路335の信号を第2の集積回路チップ310に対する入出力パッド345へ伝送する。
モード・セレクト信号がチップに対し外部であることを強調しなければならない。テストおよびバーン・インのような単一チップ・モードの間、モード・セレクト信号はそれぞれテスト・プローブおよびバーン・イン・ソケットからのものである。モード・セレクト入出力パッドに対するこれら信号は、先に述べたように、パッドを第1の論理レベル(1)にさせる。組立て後、回路が動作状態にあるとき、モード・セレクト信号は、内部回路の信号を例えば他のチップの1つに対する出力パッドへ伝送させるように直接他のチップあるいは基板から入り得る。あるいはまた、単一チップ動作は、モード・セレクタを単一チップ・モードへ設定することにより、組立て後も依然として選択され得る。このような概念の利点は、本発明の設計を有するチップの用途を多くの目的に供するように広げることである。このことは、設計の商業的価値およびコスト効率を強化する。
第2の集積回路チップ310の内部回路365もまた、チップ間インターフェース回路360へ接続される。チップ間インターフェース回路360は、入出力パッド370へ、従ってソルダ・バンプ315のエリア・アレイを介して第2の集積回路チップ310へ接続される。チップ間インターフェース回路360は、I/Oまたはテスト・インターフェース回路375へ接続される。
第2の集積回路チップ310の内部回路365は、入出力インターフェース385へ接続される。この入出力インターフェースは、ボンド・ワイヤ325を介してモジュール320へ接続される入出力パッド395へ接続される。この入出力インターフェースは、内部回路365と、ボール・グリッド・アレイ330に対し、従ってワイヤ・ボンド325に対して次のパッケージ・レベルを介して取付けられた外部回路との間に信号を伝送する回路を提供する。
第2の集積回路チップ310は、テスト・システムのテスト・プローブまたはニードルを入出力パッド395およびテスト入出力パッド377と接触させることにより、第2の集積回路チップ310を含むウェーハの分離に先立ってテストされる。ウェーハを個々の第2の集積回路チップ310へ切断した後、個々の第2の集積回路チップ310はバーン・イン装置において実装される。このバーン・イン装置は再び、入出力パッド395およびテスト入出力パッド377と接触させられて第2の集積回路チップ310の回路に対してストレス信号(stressingsignal)を生じる。次に、第1の集積回路チップ305が第2の集積回路チップ310に実装されるとき、「チップ・オン・チップ」組立体300全体の動作が、テスト・プローブすなわち接点をボール・グリッド・アレイ330へ当てることによって検証される。テスト・プローブからの信号は、入出力パッド395に対するボンド・ワイヤ325を介して「チップ・オン・チップ」組立体300全体の回路間へ送られる。
第2の集積回路チップ310のモード・セレクト線380は、モード・セレクト入出力パッド381および382に適切な論理レベルを置くことによって得られる。第2の集積回路チップ310がウェーハのテストあるいはバーン・イン中のダイ・テストの間テスト・システムと接触状態にあるとき、モード・セレクト入出力パッド381が第1の論理レベル(0)にさせられて、チップ間インターフェース回路360に内部回路365とI/Oまたはテスト・インターフェース回路375との間に信号を伝送させる。テスト信号は、次に、先に述べたように、I/Oまたはテスト・インターフェース回路375とテスト入出力パッド377との間へ送られる。再び、モード・セレクト信号がチップ外部から、すなわち、例えばテスト・フェーズにおけるテスト・プローブまたはバーン・イン・ソケットからのものであることが判る。
第1の集積回路チップ305が第2の集積回路チップ310へ実装され多重チップ・モードが要求されるとき、モード・セレクト線380はモード・セレクト入出力パッド382を介して第2の論理レベル(1)にされる。この第2の論理レベル(1)は、モード・セレクト入出力パッド382をソルダ・ボール384を介して第2の集積回路チップ310のモード・セレクト入出力パッド383へ接続することによって得られる。モード・セレクト入出力パッド383は、供給電源電圧ソースへ直接接続されて第2の論理レベル(1)を得る。モード・セレクト線380が第2の論理レベル(1)にあるとき、チップ間インターフェース回路360は、先に述べたように、内部回路365の信号を第1の集積回路チップ305に対する入出力パッド370へ送る。このモード・セレクト信号は、回路の動作の間中基板からあるいは他のチップからのものである。
入出力インターフェース385は、内部回路365に接続された入出力バッファ389を有する。入出力バッファ389は、内部回路365の信号レベルを外部回路の信号レベルへ、また外部回路の信号レベルを内部回路365の信号レベルへ変換するのに必要なドライバまたはレシーバのいずれかである。この入出力バッファは、入出力パッド395へ、およびESD保護回路387へ接続される。ESD保護回路387は、過剰のESD電圧をクランプして、外部環境から入出力パッド395と接触させられるESD電圧からの入出力バッファ389および内部回路365に対する破壊を防止する。
図5ないし図6は、本発明の主要な特徴、すなわち2つの代替的な入出力経路を提供することを示している。1つのI/O経路は、静電気放電(ESD)保護回路と駆動回路とを有し、他の経路は余計な負荷を持たない。この2つの経路の一方はモード・スイッチにより選択される。
図5および図8は、図4の第1の集積回路チップ305のチップ間インターフェース回路340と入出力またはテスト・インターフェース350の接続を略図的に示している。図5は、第1の集積回路チップの内部回路400内に生じる信号の経路を示し、図8は外部で生じ第1の集積回路チップの内部回路462により受取られる信号の経路を示している。
次に図5において、チップ間インターフェース回路340は、モード・スイッチ402とモード・セレクタ404とからなる。第1の集積回路チップの内部回路から生じる信号400は、モード・スイッチ402の第1の端子へ接続される。モード・スイッチ402の第2の端子は、先に述べたように、第1の集積回路チップの入出力パッドへ、従って第2の集積回路チップの内部回路あるいは他の外部回路へ直接接続される。モード・スイッチ402の第3の端子は、入出力またはテスト・インターフェース350へ接続される。入出力またはテスト・インターフェース350は、入出力パッド412へ、次いでテスト・プローブまたはバーン・イン・ソケット、あるいは他の外部プローブおよびESD保護回路414へ接続された駆動回路410からなっている。ESD保護回路414は、図4のESD保護回路387として動作し、過剰ESD電圧をクランプして、製造、組立て、テストおよびスタンドアロン動作のための第1の集積回路チップを含むウェーハの処理中の破損から入出力またはテスト・インターフェース回路350を保護する。
モード・スイッチ402の制御端子は、モード・セレクタ404へ接続されてチップ間インターフェース回路340の機能を制御する。モード・セレクタに対する信号は、基板、第2の集積回路チップ、テスト・プローブ、バーン・イン・ソケット、その他の外部ソースからのものである。モード・セレクタ404が第1の論理レベル(0)にあるとき、第1の集積回路チップの内部回路400は入出力またはテスト・インターフェース350へ接続される。モード・セレクタ404が第2の論理レベル(1)にあるとき、第1の集積回路チップの内部回路400は、入出力408へ、従って第2の集積回路チップの内部回路へ接続される。モード・セレクタ404は、第1の集積回路チップを含むウェーハのテスト手順の間、あるいはスタンドアロン動作の間、第1の状態へ設定される。反対に、モード・セレクタ404が「チップ・オン・チップ」構造の多重チップ・モードの間は第2の論理状態へ設定される。
図8において、第2の集積回路チップの内部回路または他の外部ソースで生じる信号は、第1の集積回路のチップ・パッド454へ送られる。チップ・パッド454は、モード・スイッチ456の第1の端子へ接続される。入出力またはテスト・インターフェース350は、モード・スイッチ456の第2の端子へ接続される。モード・スイッチ456の第3の端子は、第1の集積回路チップの内部回路462へ接続される。モード・スイッチ456の制御端子は、モード・スイッチ458へ接続されてチップ間インターフェース回路340の機能を制御する。モード・スイッチに対する信号は、基板、第2の集積回路チップ、テスト・プローブまたはバーン・イン・ソケット、あるいは他の外部ソースからのものである。モード・スイッチ458の制御端子が第1の論理状態(0)にあるならば、入出力またはテスト・インターフェース350は第1の集積回路チップの内部回路へ接続される。反対に、モード・セレクタ458の制御端子が第2の論理状態(1)にあるならば、第1の集積回路チップのチップ・パッド454と、従って第2の集積回路チップの内部回路とは、第1の集積回路チップの内部回路へ接続される。
先に述べたように、モード・セレクタ458は、第1の集積回路チップを含むウェーハのテスト手順の間、あるいはスタンドアロン動作の間は第1の論理状態へ設定され、「チップ・オン・チップ」構造の多重チップ動作の間は第2の論理状態へ設定される。
図6および図7は、図4のチップ間インターフェース回路360と、第2の集積回路チップ310のI/Oまたはテスト・インターフェース回路375との接続を略図的に示している。図7は、第2の集積回路チップの内部回路430内で生じた信号の経路を示し、図6は、外部で生じて第2の集積回路チップの内部回路432により受取られる信号の経路を示している。
図6は、信号が第1の集積回路チップまたは他の外部ソースで生じて第2の集積回路チップの入出力パッド422へ送られる事例を示している。入出力パッド422は、モード・スイッチ424の第1の端子へ接続される。I/Oまたはテスト・インターフェース回路375は、モード・スイッチ424の第2の端子へ接続される。モード・スイッチ424の第3の端子は、第2の集積回路チップの内部回路430へ接続される。モード・スイッチ424の制御端子は、先に述べたように動作するモード・セレクタ426へ接続される。モード・セレクタに対する信号は、基板、第1の集積回路チップ、テスト・プローブまたはバーン・イン・ソケット、その他のソースからのものである。モード・セレクタが第1の論理状態(0)にあるならば、外部のテスト・システムまたは他のI/Oソースからのテスト信号は、I/Oまたはテスト・インターフェース回路375を介して第2の集積回路チップの内部回路430へ送られる。あるいはまた、モード・セレクタ426が第2の論理状態(1)にあるならば、第1の集積回路チップの内部回路からの信号は、入出力パッド422を介して第2の集積回路チップの内部回路430へ接続される。再び、先に述べたように、モード・セレクタ426は、テスト手順あるいは単一チップ・モードの間は第1の論理状態へ設定され、多重チップ・モード動作の間は第2の論理状態へ設定される。
I/Oまたはテスト・インターフェース回路は、図8において述べたものと類似している。テスト・プローブまたはバーン・イン・ソケットのような外部のテスト・システムで生じるテストまたはI/O信号は、テストまたは入出力パッド416へ印加される。テストまたは入出力パッド416は、レシーバ420とESD保護回路418とに接続される。レシーバ420は、テスト信号を第2の集積回路チップの内部回路430により受入れ得る信号レベルへ変換する。ESD保護回路418は、入出力またはテスト・パッド416へ印加されるESD電圧をクランプして第2の集積回路チップに対する破損を防止する。
図7は、信号が第2の集積回路チップの内部回路432に生じてチップ・パッド438を介して第1の集積回路チップへ送られる事例を示している。モード・スイッチ436の第1の端子は、第2の集積回路チップの内部回路432から信号を受取る。モード・スイッチ436の第2の端子はチップ・パッド438へ接続される。第3の端子はI/Oまたはテスト・インターフェース回路375へ接続される。制御端子はモード・セレクタ434へ接続される。
先に述べたように、第1の集積回路チップ、基板、テスト・プローブまたはバーン・イン・ソケット、あるいは他の外部ソースからの入力を有するモード・セレクタ434は、チップ・パッド438またはI/Oまたはテスト・インターフェース回路375のいずれかへの内部回路432の接続を決定する。モード・セレクタ434が第1の論理状態(0)へ設定されるならば、内部回路432は、単一チップ・モードになるようにI/Oまたはテスト・インターフェース回路375、テスト・プローブあるいは他の外部ソースへ接続される。あるいはまた、モード・セレクタ434が第2の論理状態にあるならば、内部回路432は、多重チップ・モードになるように、チップ・パッド438を介して第1の集積回路チップの内部回路か、あるいは他の外部の場所へ接続される。
モード・セレクタ434は、テスト手順を含む単一チップ動作の間は第1の論理状態へ設定され、多重チップ・システム動作の間は第2の論理状態へ設定される。
図9および図10は、図4および図5ないし図8に示されたモード・スイッチおよびモード・セレクタの実施の形態見本の構造を示している。当業者には、本発明のモード・スイッチが図9ないし図12に示される事例に限定されないことが理解されよう。どんな数の形態でもモード・スイッチを作れることが理解されよう。本発明の要点は、選択可能なI/O経路の設計概念である。
図9は、第1または第2の集積回路チップあるいは他の集積回路チップからの内部回路508から生じた信号に対するモード・スイッチ500およびモード・セレクタ520を示している。あるいはまた、図10は、外部で生じ、第1または第2の集積回路チップあるいは他の集積回路チップの内部回路508へ送られる信号に対するモード・スイッチ500およびモード・セレクタ520を示している。
まず図9において、モード・スイッチ500の第1の端子は内部回路508へ接続され、モード・スイッチ500の第2の端子はI/Oまたはテスト・インターフェース回路510へ接続され、モード・スイッチ500の第3の端子は入出力パッド530へ接続される。このため、2つの経路の一方がモード・スイッチにより選択される。モード・スイッチの第2の端子は、単一チップ動作のため使用される駆動回路514およびESD保護回路516を含む経路へ接続する。第3の端子は、多重チップ動作に用いられる余計な負荷のないチップ・パッド530に対する経路へ接続する。
前記モード・スイッチは、通過スイッチ502、504とインバータ506とからなる。通過スイッチ502は、n−チャネル金属酸化膜半導体(NMOS)トランジスタ502aと、p−チャネル金属酸化膜半導体(PMOS)トランジスタ502bの並列組合わせである。同様に、通過スイッチ504は、NMOSトランジスタ504aとPMOSトランジスタ504bの並列組合わせである。モード・スイッチ500の第1の端子、従って内部回路508は、通過スイッチ502、504のドレーンへ接続される。通過スイッチ502のソースは、モード・スイッチ500の第3の端子、従ってチップ間入出力パッド530へ接続される。通過スイッチ504のソースは、モード・スイッチ500の第2の端子へ、従ってI/Oまたはテスト・インターフェース回路510へ接続される。NMOSトランジスタ504aおよびPMOSトランジスタ504bのゲートは、インバータ506の出力へ接続される。NMOSトランジスタ502a、PMOSトランジスタ504bのゲートおよびインバータ506の入力は、モード・スイッチ500の制御端子へ、従ってモード・セレクタ520へ接続される。
ESD保護回路507は、テストおよび組立て中にモード・スイッチに対する破損を防止するために付加される。チップが組立てられた後は、ESD保護回路はチップの性能に影響を及ぼすことはない。
モード・スイッチ500の制御端子が第1の論理状態(0)にあるとき、この場合電圧レベルが基板のバイアス電圧ソースVssのレベルに近づき、通過スイッチ504はオンされ、通過スイッチ502はオフされる。内部回路は、この時単一チップ動作に設定され、例えば、内部回路はI/Oまたはテスト・インターフェース回路510へ有効に接続される。反対に、モード・スイッチ500の制御端子が第2の論理状態にあるとき、この場合電圧レベルは供給電源電圧ソースVDDのレベルに近づき、通過スイッチ502はオンされ、通過スイッチ504はオフされる。この状態は、内部回路508をチップ間入出力パッド530へ有効に接続する。このような論理状態においては、余計な電気的負荷は通過スイッチ502および通過スイッチ504のドレーンから生じる。このような電気的負荷は非常に小さく、従って従来技術より非常に改善された性能が期待できる。
I/Oまたはテスト・インターフェース回路510は、駆動回路514とESD保護回路516とからなる。I/Oまたはテスト・インターフェース回路は、図5および図7において述べたように機能する。
モード選択回路は、チップ間入出力パッド522と、相互にかつモード・スイッチ500の制御端子に接続されたI/Oまたはテスト・インターフェース回路524とである。チップ間入出力パッド522は、図4において述べたように、ソルダ・バンプ(solderbump)またはボール(ball)により接合される組合わせるチップ間入出力パッド562へ接続される。組合わせチップ間入出力パッド562は、組合わせチップ560上にあり、供給電源電圧ソースVDDへ接続されて、多重チップ・モード動作の間モード・スイッチ500の制御端子へ第2の論理状態を生じる。I/Oまたはテスト入出力パッドは、単一チップ動作の間、外部ソース550へ接続される。例えば、テストの間、テスト・プローブまたはニードル552は、テスト入出力パッドと接触状態にされる。テスト・プローブまたはニードル552は、テスト・システム550内のプローブ・カード554上で基板バイアス電圧ソースVssへ接続されて、第1の論理状態をモード・スイッチ500の制御端子へ与える。外部ソース550はまた、基板または印刷回路ボードなどからのものであり得る。
図10に示された機能的接続については、I/O信号が入出力パッド540に取付けた外部システムから生じることを除いて、図9に述べたとおりである。この場合、I/Oまたはテスト・インターフェース回路510は、レシーバ518とESD保護回路とからなり、図6および図8において述べたように機能する。
外部回路から生じる信号は、チップ間入出力パッド530へ印加され、多重チップ・モード動作中は通過スイッチ502を介して内部回路508へ送られる。同様に、外部信号は、単一チップ動作中は、I/Oまたはテスト・インターフェース回路510から通過スイッチ504を介して内部回路508へ送られる。
ESD負荷が組立て後チップ性能に大きな影響を及ぼすことになるゆえに、入出力パッド530へ接続された回路のノード3にはESD保護が生じないことが望ましい。しかし、ESDは、例えば、テストおよび組立て中はこのノードに衝撃を与えるおそれがある。従って、図11(図9に対応)および図12(図10に対応)に示されるように、小さなESD保護回路532をこのノードに付設してもよい。
図13は、テスト入出力パッド605およびチップ間入出力パッド610の配置を示す第1の集積回路チップ600の平面図を示している。チップ間入出力パッド610は、図4のソルダ・ボールまたはバンプ315のエリア・アレイを形成する。I/Oまたはテスト入出力パッド605は、テスト・システムのテスト・プローブまたはニードルがテスト入出力パッド605と有効に接触するように周辺に構成される。
図14は、チップ間入出力パッド625および外部入出力パッド620の配置を示す第2の集積回路チップ615の平面図を示している。チップ間入出力パッド625は、図9のチップ間入出力パッド610と組合わせるエリア・アレイを形成する。第1の集積回路チップ600は、第2の集積回路チップ615に対し「対面」状態で実装される。テスト入出力パッド605は、第2の集積回路チップ625の表面に、シャドウ(shadow)の状態でなにも有してはならない。
テスト入出力パッド630および外部入出力パッド620は、第2の集積回路チップ615の周辺に形成される。外部入出力パッド620は、第1の集積回路チップ600のシャドウ外に配置されねばならない。テスト入出力パッド630は、テスト・システムのテスト・プローブまたはニードルがテスト入出力パッド630と接触し得るように有効に配置される。テスト入出力パッド605、630は、図9および図10に示されるようにI/Oまたはテスト・インターフェース回路510へ接続される。テスト入出力パッド605、630は、テスト・システム550と、第1の集積回路チップ600または第2の集積回路チップ615との間に刺激および応答信号を伝送する。
本発明についてはその望ましい実施の形態に関して示し記述したが、当業者には、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく形態および細部における種々の変更が可能であることを理解されよう。
以下、本発明の態様を例示しておく。
〔態様1〕第1の集積回路チップと1つ以上の第2の集積回路チップとを含む多重配線集積回路チップ構造において、前記第1の集積回路チップが、前記1つ以上の第2の集積回路チップへ物理的かつ電気的に接続され、前記内部回路へ刺激を与えて応答するため、前記第1および第2の集積回路チップの内部回路と前記第1の集積回路チップの内部回路へ接続された入出力回路との間で選択的に通信するように、前記第1の集積回路チップが、前記1つ以上の第2の集積回路チップへ接続されたチップ間インターフェース回路を持ち、前記第2の集積回路チップの各々が、前記第2の集積回路チップへ接続された外部回路と通信しかつ前記第2の集積回路チップを静電気放電電圧から保護する入出力インターフェース回路を有し、前記チップ間インターフェース回路が、前記第2の集積回路チップと前記第1の集積回路チップとの各々間に電気信号を伝送する内部インターフェース回路と、入出力パッドへ接続された第1の端子と前記第1の集積回路チップの内部回路へ接続された第2の端子と入出力回路へ接続された第3の端子とを持つモード選択スイッチと、多重チップ動作中は前記内部インターフェース回路の出力を前記第1の集積回路チップの内部回路へ選択的に接続し、かつ単一チップ動作中は前記内部インターフェース回路の出力を前記入出力回路へ接続するモード・セレクタと、を備えるチップ構造。
〔態様2〕前記第2の集積回路チップの各々が、前記内部回路へ刺激を与えて応答するように前記第1および第2の集積回路チップの内部回路と及び前記第2の集積回路チップの内部回路へ接続された入出力回路との間で選択的に通信するように前記第1の集積回路チップへ接続されたチップ間インターフェース回路を、更に有する態様1記載のチップ構造。
〔態様3〕前記第2の集積回路チップの各々の内部回路と、各々の第2の集積回路チップの各内部回路へ接続された入出力回路との間に選択的に通信して前記内部回路へ刺激を与え応答するように、前記第2の集積回路チップの各々が、他の前記第2の集積回路チップの各々へ接続されたチップ間インターフェース回路を更に有する態様1記載のチップ構造。
〔態様4〕前記第1の集積回路チップが配線手段により前記第2の集積回路チップの各々へ物理的に接続され、前記第1および第2の集積回路チップが、前記配線手段の同じ側および前記配線手段の反対側の1つ以上に実装される態様1記載のチップ構造。
〔態様5〕前記入出力回路が、外部の入出力ソースへに対する接続と、前記第1および第2の集積回路チップを静電気放電電圧から保護するESD保護回路と、を含む態様1記載のチップ構造。
〔態様6〕前記外部入出力ソースが、テストおよびバーン・インの間、一時的に接続される外部テスト回路を含む態様5記載のチップ構造。
〔態様7〕前記チップ間インターフェース回路が、静電気放電保護回路を持たない態様1記載のチップ構造。
〔態様8〕前記チップ間インターフェース回路が、静電気放電保護回路を持つ態様1記載のチップ構造。
〔態様9〕前記モード・スイッチが、内部回路へ接続されたドレーン端子と、取付けられた集積回路チップへ接続された入出力パッドへ接続されたソース端子と、前記モード・セレクタへ接続された第1のゲート端子と、第2のゲート端子と、を持つ第1の通過スイッチと、内部回路へ接続されたドレーン端子と、前記取付けられた集積回路チップへ接続された入出力パッドへ接続されたソース端子と、第1のゲート端子と、前記モード・セレクタへ接続された第2のゲート端子と、を持つ第2の通過スイッチと、前記モード・セレクタへ接続された入力端子と、前記第1の通過スイッチの第2のゲート端子と前記第2の通過スイッチの第1のゲート端子とへ接続された出力端子と、を持つインバータ回路と、静電気放電保護回路と、を含む態様1記載のチップ構造。
〔態様10〕前記第1および第2の通過スイッチが、前記第1および第2の通過スイッチの第1のゲート端子であるNMOSトランジスタのゲートと、前記第1および第2の通過スイッチの第2のゲート端子であるPMOSトランジスタのゲートとに並列に接続されたNMOSトランジスタとPMOSトランジスタとからなる態様9記載のチップ構造。
〔態様11〕前記モード・スイッチが、前記内部回路へ接続されたドレーン端子と、取付けられた集積回路チップへ接続された入出力パッドへ接続されたソース端子と、前記モード・セレクタへ接続された第1のゲート端子と、第2のゲート端子と、を持つ第1の通過スイッチと、前記内部回路へ接続されたドレーン端子と、前記取付けられた集積回路チップへ接続された入出力パッドへ接続されたソース端子と、前記入出力パッドへ取付けられた静電気放電保護回路と、第1のゲート端子と、前記モード・セレクタへ接続された第2のゲート端子と、を持つ第2の通過スイッチと、前記モード・セレクタへ接続された入力端子と、前記第1の通過スイッチの第2のゲート端子および前記第2の通過スイッチの第1のゲート端子とに接続された出力端子と、を持つインバータ回路と、静電気放電保護回路と、を含む態様1記載のチップ構造。
〔態様12〕前記第1および第2の通過スイッチが、前記第1および第2の通過スイッチの第1のゲート端子であるNMOSトランジスタのゲートと、前記第1および第2の通過スイッチの第2のゲート端子であるPMOSトランジスタのゲートとに並列に接続されたNMOSトランジスタとPMOSトランジスタとからなる態様11記載のチップ構造。
〔態様13〕前記モード・スイッチが、単一チップ動作中は第1の論理状態ジェネレータへ接続された入出力パッドと、多重チップ動作中は第2の論理状態ジェネレータへ接続されたチップ間入出力パッドと、を含む態様1記載のチップ構造。
〔態様14〕前記単一チップ動作がテスト動作であり、前記入出力パッドがテスト入出力パッドである態様13記載のチップ構造。
〔態様15〕前記第1の集積回路チップ、複数の前記第2の集積回路チップの1つ、テスト・インターフェース、および別の外部ソースの1つから、モード選択信号が前記モード・セレクタへ入力される態様1記載のチップ構造。
〔態様16〕前記第1および第2の集積回路チップの各々が、前記モード・セレクタを介して単一チップ動作あるいは多重チップ・モードにおいて動作するよう設定することができる態様1記載のチップ構造。
〔態様17〕複数の集積回路チップの内部回路間で通信するように複数の集積回路チップ上に多層において形成されるチップ間インターフェース回路であって、これにより、複数の前記集積回路チップが、相互に物理的かつ電気的に取付けられ、これにより、各チップ間インターフェース回路が、前記集積回路チップの1つと該集積回路チップの他の1つとの間に電気信号を伝送する内部インターフェース回路と、前記内部インターフェース回路の出力へ接続された第1の端子と、前記集積回路チップの前記1つの内部回路へ接続された第2の端子と、I/O回路へ接続された第3の端子と、制御端子とを持つモード選択スイッチと、前記制御端子へ接続されて、多重チップ動作中は、前記内部インターフェース回路の出力を前記集積回路チップの前記1つの内部回路へ選択的に接続し、単一チップ動作中は、前記内部インターフェース回路の出力をI/Oインターフェース回路へ接続するモード・セレクタと、を含むインターフェース回路。
〔態様18〕複数の前記集積回路チップが、配線手段により1つ以上の基板へ取付けられる態様17記載のインターフェース回路。
〔態様19〕前記基板が、印刷回路ボード、セラミック基板、ガラス基板、アルミニウム基板、および銅基板からなるグループから選択され、複数の前記集積回路チップが前記配線手段の一方の側あるいは反対側に取付けられる態様18記載のインターフェース回路。
〔態様20〕前記I/Oインターフェース回路が、外部テスト回路へ接続されて該外部テスト回路と通信するテスト・インターフェース回路と、複数の前記集積回路チップを静電気放電電圧から保護するESD保護回路と、を含む態様17記載のインターフェース回路。
〔態様21〕テストおよびバーン・インの間、前記テスト・インターフェース回路が、前記外部テスト回路へ一時的に接続された入出力パッドを介して外部テスト回路へ接続される態様20記載のインターフェース回路。
〔態様22〕前記I/Oインターフェース回路が、外部I/Oソースに対する接続と、複数の前記集積回路チップを静電気放電電圧から保護するESD保護回路と、含む態様17記載のインターフェース回路。
〔態様23〕前記チップ間インターフェース回路が、静電気放電保護回路を持たない態様17記載のインターフェース回路。
〔態様24〕前記チップ間インターフェース回路が静電気放電保護回路を持つ態様17記載のインターフェース回路。
〔態様25〕前記モード・スイッチが、前記内部回路へ接続されたドレーン端子と、取付けられた集積回路チップへ接続された入出力パッドへ接続されたソース端子と、前記モード・セレクタへ接続された第1のゲート端子と、第2のゲート端子と、を持つ第1の通過スイッチと、前記内部回路へ接続されたドレーン端子と、取付けられた前記集積回路チップへ接続された入出力パッドへ接続されたソース端子と、第1のゲート端子と、前記モード・セレクタへ接続された第2のゲート端子と、を持つ第2の通過スイッチと、前記モード・セレクタへ接続された入力端子と、前記第1の通過スイッチの第2のゲート端子と前記第2の通過スイッチの第1のゲートとへ接続された出力端子とを持つインバータ回路と、静電気放電保護回路と、を含む態様17記載のインターフェース回路。
〔態様26〕前記第1および第2の通過スイッチが、該第1および第2の通過スイッチの第1のゲート端子であるNMOSトランジスタのゲートと、前記第1および第2の通過スイッチの第2のゲート端子であるPMOSトランジスタのゲートとに並列に接続されたNMOSトランジスタとPMOSトランジスタとからなる態様25記載のインターフェース回路。
〔態様27〕前記モード・スイッチが、前記内部回路へ接続されたドレーン端子と、取付けられた前記集積回路チップへ接続された入出力パッドへ接続されたソース端子と、前記モード・セレクタへ接続された第1のゲート端子と、第2のゲート端子と、を持つ第1の通過スイッチと、前記内部回路へ接続されたドレーン端子と、取付けられた前記集積回路チップへ接続された入出力パッドへ接続されたソース端子と、前記入出力パッドへ取付けられた静電気放電保護回路と、第1のゲート端子と、前記モード・セレクタへ接続された第2のゲート端子と、を持つ第2の通過スイッチと、前記モード・セレクタへ接続された入力端子と、前記第1の通過スイッチの第2のゲート端子と前記第2の通過スイッチの第1のゲートとへ接続された出力端子と、を持つインバータ回路と、静電気放電保護回路と、を含む態様17記載のインターフェース回路。
〔態様28〕前記第1および第2の通過スイッチが、該第1および第2の通過スイッチの第1のゲート端子であるNMOSトランジスタのゲートと、前記第1および第2の通過スイッチの第2のゲート端子であるPMOSトランジスタのゲート端子とに並列に接続されたNMOSトランジスタとPMOSトランジスタとからなる態様27記載のインターフェース回路。
〔態様29〕前記モード・スイッチにおいて、単一チップ動作中は第1の論理状態ジェネレータへ接続されるI/Oまたはテスト入出力パッドと、多重チップなるモード動作中は第2の論理状態ジェネレータへ接続されるチップ間入出力パッドと、を含む態様17記載のインターフェース回路。
〔態様30〕モード選択信号が、前記第1の集積回路チップ、複数の前記第2の集積回路チップの1つ、テスト・インターフェース、および別の外部ソースの1つから前記モード・セレクタへ入力される態様17記載のモード・セレクタ。
〔態様31〕多重集積回路チップ構造を形成する方法であって、複数の集積回路チップを含む複数の半導体ウェーハ上に内部回路を同時にしかも個々に形成するステップと、複数の前記半導体ウェーハ上に入出力回路を同時に形成するステップと、複数の前記半導体ウェーハ上にチップ間インターフェース回路を同時に形成することにより、前記チップ間インターフェース回路の形成ステップが、複数の前記集積回路チップの各々の集積カイロチップ間の電気信号を前記集積回路チップの相互の集積回路チップに伝送する内部インターフェース回路を形成することと、前記集積回路チップの出力へ接続された第1の端子と複数の前記集積回路チップの1つの内部回路へ接続された第2の端子とを持つモード選択スイッチを形成することと、多重チップ動作中は前記内部インターフェース回路の出力を前記集積回路チップの前記1つの内部回路に選択的に接続し、単一チップ動作中は前記内部インターフェース回路の出力を前記入出力回路に選択的に接続するモード・セレクタを形成することを含み、単一チップ動作中は、複数の前記ウェーハ上の前記入出力回路と入出力インターフェース回路とへ接続されたテスト回路に接触し、刺激を与えかつ該テスト回路の応答を調べるステップと、複数の前記半導体ウェーハを複数の分離された集積回路チップへ分離するステップと、ソケットと接触し、複数の前記分離された集積回路チップに長期間にわたり刺激を与えてバーン・インするステップと、複数の前記分離された集積回路チップと接触し、刺激を与え、調べるステップと、欠陥のある集積回路チップを廃棄するステップと、前記半導体ウェーハの1つの各機能チップを他の1つ以上の複数の前記半導体ウェーハの1つ以上の機能チップへ取付けるステップと、前記入出力インターフェース回路と接触し、これに刺激を与え、形成された多重集積回路チップ構造の応答を調べるステップと、を含む方法。
〔態様32〕複数の前記半導体ウェーハの前記他のウェーハの前記1つ以上の前記1つ以上のチップに対する前記半導体ウェーハの1つの前記集積回路チップの各々の取付けが、複数の前記集積回路チップの各々の間に配線手段を形成することにより行われ、複数の前記集積回路チップが、前記配線手段の片側および(または)両側に取付けられる態様31記載の方法。
〔態様33〕前記入出力回路を形成する前記ステップが、外部I/Oソースに接続されたI/Oまたはテスト・インターフェース回路を形成するステップと、前記第1および第2の集積回路チップを静電気放電電圧から保護するESD保護回路を形成するステップと、を含む態様31記載の方法。
〔態様34〕複数の前記半導体ウェーハの各々における複数の前記集積回路チップが、異なる種類の半導体プロセスを用いて作られる態様31記載の方法。
〔態様35〕前記I/Oまたはテスト・インターフェース回路との接触が、外部テスト回路を入出力パッドを介して前記I/Oまたはテスト・インターフェース回路へ一時的に接続することを含む態様33記載の方法。
〔態様36〕前記チップ間インターフェース回路に静電気放電保護回路が形成されない態様31記載の方法。
〔態様37〕前記チップ間インターフェース回路に静電気放電保護回路が形成される態様31記載の方法。
〔態様38〕前記モード・スイッチが、前記内部回路へ接続されたドレーン端子と、取付けられた集積回路チップへ接続された入出力パッドへ接続されたソース端子と、前記モード・セレクタへ接続された第1のゲート端子と、第2のゲート端子と、を持つ第1の通過スイッチと、前記内部回路へ接続されたドレーン端子と、取付けられた前記集積回路チップへ接続された入出力パッドへ接続されたソース端子と、第1のゲート端子と、前記モード・セレクタへ接続された第2のゲート端子とを持つ第2の通過スイッチと、前記モード・セレクタへ接続された入力端子と、前記第1の通過スイッチの第2のゲート端子と前記第2の通過スイッチの第1のゲートとに接続された出力端子とを持つインバータ回路と、静電気放電保護回路と、を含む態様31記載の方法。
〔態様39〕前記第1および第2の通過スイッチが、該第1および第2の通過スイッチの第1のゲート端子であるNMOSトランジスタのゲートと、前記第1および第2の通過スイッチの第2のゲート端子であるPMOSトランジスタのゲートとに並列で接続されたNMOSトランジスタとPMOSトランジスタとからなる態様38記載の方法。
〔態様40〕前記モード・スイッチが、前記内部回路に接続されたドレーン端子と、取付けられた前記集積回路チップに接続された入出力パッドに接続されたソース端子と、前記モード・セレクタに接続された第1のゲート端子と、第2のゲート端子とを持つ第1の通過スイッチと、前記内部回路に接続されたドレーン端子と、取付けられた前記集積回路チップに接続された入出力パッドに接続されたソース端子と、前記入出力パッドへ取付けられた静電気放電保護回路と、第1のゲート端子と、前記モード・セレクタへ接続された第2のゲート端子と、を持つ第2の通過スイッチと、前記モード・セレクタへ接続された入力端子と、前記第1の通過スイッチの第2のゲート端子と前記第2の通過スイッチの第1のゲートとへ接続された出力端子と、を持つインバータ回路と、静電気放電保護回路と、を含む態様31記載の方法。
〔態様41〕前記第1および第2の通過スイッチが、該第1および第2の通過スイッチの第1のゲート端子であるNMOSトランジスタのゲートと、前記第1および第2の通過スイッチの第2のゲート端子であるPMOSトランジスタのゲートとに並列に接続されたNMOSトランジスタとPMOSトランジスタとからなる態様40記載の方法。
〔態様42〕前記モード・スイッチにおいて、単一チップ・モード動作中は第1の論理状態ジェネレータへ接続されるI/Oまたはテスト入出力パッドと、多重チップ・モード動作中は第2の論理状態ジェネレータへ接続されるチップ間入出力パッドと、を含む態様31記載の方法。
〔態様43〕モード選択信号が、前記第1の集積回路チップ、複数の前記第2の集積回路チップの1つ、テスト・インターフェース、および別の外部ソースの1つから前記モード・セレクタへ入力される態様31記載の方法。
以下、本発明の態様を例示しておく。
〔態様1〕第1の集積回路チップと1つ以上の第2の集積回路チップとを含む多重配線集積回路チップ構造において、前記第1の集積回路チップが、前記1つ以上の第2の集積回路チップへ物理的かつ電気的に接続され、前記内部回路へ刺激を与えて応答するため、前記第1および第2の集積回路チップの内部回路と前記第1の集積回路チップの内部回路へ接続された入出力回路との間で選択的に通信するように、前記第1の集積回路チップが、前記1つ以上の第2の集積回路チップへ接続されたチップ間インターフェース回路を持ち、前記第2の集積回路チップの各々が、前記第2の集積回路チップへ接続された外部回路と通信しかつ前記第2の集積回路チップを静電気放電電圧から保護する入出力インターフェース回路を有し、前記チップ間インターフェース回路が、前記第2の集積回路チップと前記第1の集積回路チップとの各々間に電気信号を伝送する内部インターフェース回路と、入出力パッドへ接続された第1の端子と前記第1の集積回路チップの内部回路へ接続された第2の端子と入出力回路へ接続された第3の端子とを持つモード選択スイッチと、多重チップ動作中は前記内部インターフェース回路の出力を前記第1の集積回路チップの内部回路へ選択的に接続し、かつ単一チップ動作中は前記内部インターフェース回路の出力を前記入出力回路へ接続するモード・セレクタと、を備えるチップ構造。
〔態様2〕前記第2の集積回路チップの各々が、前記内部回路へ刺激を与えて応答するように前記第1および第2の集積回路チップの内部回路と及び前記第2の集積回路チップの内部回路へ接続された入出力回路との間で選択的に通信するように前記第1の集積回路チップへ接続されたチップ間インターフェース回路を、更に有する態様1記載のチップ構造。
〔態様3〕前記第2の集積回路チップの各々の内部回路と、各々の第2の集積回路チップの各内部回路へ接続された入出力回路との間に選択的に通信して前記内部回路へ刺激を与え応答するように、前記第2の集積回路チップの各々が、他の前記第2の集積回路チップの各々へ接続されたチップ間インターフェース回路を更に有する態様1記載のチップ構造。
〔態様4〕前記第1の集積回路チップが配線手段により前記第2の集積回路チップの各々へ物理的に接続され、前記第1および第2の集積回路チップが、前記配線手段の同じ側および前記配線手段の反対側の1つ以上に実装される態様1記載のチップ構造。
〔態様5〕前記入出力回路が、外部の入出力ソースへに対する接続と、前記第1および第2の集積回路チップを静電気放電電圧から保護するESD保護回路と、を含む態様1記載のチップ構造。
〔態様6〕前記外部入出力ソースが、テストおよびバーン・インの間、一時的に接続される外部テスト回路を含む態様5記載のチップ構造。
〔態様7〕前記チップ間インターフェース回路が、静電気放電保護回路を持たない態様1記載のチップ構造。
〔態様8〕前記チップ間インターフェース回路が、静電気放電保護回路を持つ態様1記載のチップ構造。
〔態様9〕前記モード・スイッチが、内部回路へ接続されたドレーン端子と、取付けられた集積回路チップへ接続された入出力パッドへ接続されたソース端子と、前記モード・セレクタへ接続された第1のゲート端子と、第2のゲート端子と、を持つ第1の通過スイッチと、内部回路へ接続されたドレーン端子と、前記取付けられた集積回路チップへ接続された入出力パッドへ接続されたソース端子と、第1のゲート端子と、前記モード・セレクタへ接続された第2のゲート端子と、を持つ第2の通過スイッチと、前記モード・セレクタへ接続された入力端子と、前記第1の通過スイッチの第2のゲート端子と前記第2の通過スイッチの第1のゲート端子とへ接続された出力端子と、を持つインバータ回路と、静電気放電保護回路と、を含む態様1記載のチップ構造。
〔態様10〕前記第1および第2の通過スイッチが、前記第1および第2の通過スイッチの第1のゲート端子であるNMOSトランジスタのゲートと、前記第1および第2の通過スイッチの第2のゲート端子であるPMOSトランジスタのゲートとに並列に接続されたNMOSトランジスタとPMOSトランジスタとからなる態様9記載のチップ構造。
〔態様11〕前記モード・スイッチが、前記内部回路へ接続されたドレーン端子と、取付けられた集積回路チップへ接続された入出力パッドへ接続されたソース端子と、前記モード・セレクタへ接続された第1のゲート端子と、第2のゲート端子と、を持つ第1の通過スイッチと、前記内部回路へ接続されたドレーン端子と、前記取付けられた集積回路チップへ接続された入出力パッドへ接続されたソース端子と、前記入出力パッドへ取付けられた静電気放電保護回路と、第1のゲート端子と、前記モード・セレクタへ接続された第2のゲート端子と、を持つ第2の通過スイッチと、前記モード・セレクタへ接続された入力端子と、前記第1の通過スイッチの第2のゲート端子および前記第2の通過スイッチの第1のゲート端子とに接続された出力端子と、を持つインバータ回路と、静電気放電保護回路と、を含む態様1記載のチップ構造。
〔態様12〕前記第1および第2の通過スイッチが、前記第1および第2の通過スイッチの第1のゲート端子であるNMOSトランジスタのゲートと、前記第1および第2の通過スイッチの第2のゲート端子であるPMOSトランジスタのゲートとに並列に接続されたNMOSトランジスタとPMOSトランジスタとからなる態様11記載のチップ構造。
〔態様13〕前記モード・スイッチが、単一チップ動作中は第1の論理状態ジェネレータへ接続された入出力パッドと、多重チップ動作中は第2の論理状態ジェネレータへ接続されたチップ間入出力パッドと、を含む態様1記載のチップ構造。
〔態様14〕前記単一チップ動作がテスト動作であり、前記入出力パッドがテスト入出力パッドである態様13記載のチップ構造。
〔態様15〕前記第1の集積回路チップ、複数の前記第2の集積回路チップの1つ、テスト・インターフェース、および別の外部ソースの1つから、モード選択信号が前記モード・セレクタへ入力される態様1記載のチップ構造。
〔態様16〕前記第1および第2の集積回路チップの各々が、前記モード・セレクタを介して単一チップ動作あるいは多重チップ・モードにおいて動作するよう設定することができる態様1記載のチップ構造。
〔態様17〕複数の集積回路チップの内部回路間で通信するように複数の集積回路チップ上に多層において形成されるチップ間インターフェース回路であって、これにより、複数の前記集積回路チップが、相互に物理的かつ電気的に取付けられ、これにより、各チップ間インターフェース回路が、前記集積回路チップの1つと該集積回路チップの他の1つとの間に電気信号を伝送する内部インターフェース回路と、前記内部インターフェース回路の出力へ接続された第1の端子と、前記集積回路チップの前記1つの内部回路へ接続された第2の端子と、I/O回路へ接続された第3の端子と、制御端子とを持つモード選択スイッチと、前記制御端子へ接続されて、多重チップ動作中は、前記内部インターフェース回路の出力を前記集積回路チップの前記1つの内部回路へ選択的に接続し、単一チップ動作中は、前記内部インターフェース回路の出力をI/Oインターフェース回路へ接続するモード・セレクタと、を含むインターフェース回路。
〔態様18〕複数の前記集積回路チップが、配線手段により1つ以上の基板へ取付けられる態様17記載のインターフェース回路。
〔態様19〕前記基板が、印刷回路ボード、セラミック基板、ガラス基板、アルミニウム基板、および銅基板からなるグループから選択され、複数の前記集積回路チップが前記配線手段の一方の側あるいは反対側に取付けられる態様18記載のインターフェース回路。
〔態様20〕前記I/Oインターフェース回路が、外部テスト回路へ接続されて該外部テスト回路と通信するテスト・インターフェース回路と、複数の前記集積回路チップを静電気放電電圧から保護するESD保護回路と、を含む態様17記載のインターフェース回路。
〔態様21〕テストおよびバーン・インの間、前記テスト・インターフェース回路が、前記外部テスト回路へ一時的に接続された入出力パッドを介して外部テスト回路へ接続される態様20記載のインターフェース回路。
〔態様22〕前記I/Oインターフェース回路が、外部I/Oソースに対する接続と、複数の前記集積回路チップを静電気放電電圧から保護するESD保護回路と、含む態様17記載のインターフェース回路。
〔態様23〕前記チップ間インターフェース回路が、静電気放電保護回路を持たない態様17記載のインターフェース回路。
〔態様24〕前記チップ間インターフェース回路が静電気放電保護回路を持つ態様17記載のインターフェース回路。
〔態様25〕前記モード・スイッチが、前記内部回路へ接続されたドレーン端子と、取付けられた集積回路チップへ接続された入出力パッドへ接続されたソース端子と、前記モード・セレクタへ接続された第1のゲート端子と、第2のゲート端子と、を持つ第1の通過スイッチと、前記内部回路へ接続されたドレーン端子と、取付けられた前記集積回路チップへ接続された入出力パッドへ接続されたソース端子と、第1のゲート端子と、前記モード・セレクタへ接続された第2のゲート端子と、を持つ第2の通過スイッチと、前記モード・セレクタへ接続された入力端子と、前記第1の通過スイッチの第2のゲート端子と前記第2の通過スイッチの第1のゲートとへ接続された出力端子とを持つインバータ回路と、静電気放電保護回路と、を含む態様17記載のインターフェース回路。
〔態様26〕前記第1および第2の通過スイッチが、該第1および第2の通過スイッチの第1のゲート端子であるNMOSトランジスタのゲートと、前記第1および第2の通過スイッチの第2のゲート端子であるPMOSトランジスタのゲートとに並列に接続されたNMOSトランジスタとPMOSトランジスタとからなる態様25記載のインターフェース回路。
〔態様27〕前記モード・スイッチが、前記内部回路へ接続されたドレーン端子と、取付けられた前記集積回路チップへ接続された入出力パッドへ接続されたソース端子と、前記モード・セレクタへ接続された第1のゲート端子と、第2のゲート端子と、を持つ第1の通過スイッチと、前記内部回路へ接続されたドレーン端子と、取付けられた前記集積回路チップへ接続された入出力パッドへ接続されたソース端子と、前記入出力パッドへ取付けられた静電気放電保護回路と、第1のゲート端子と、前記モード・セレクタへ接続された第2のゲート端子と、を持つ第2の通過スイッチと、前記モード・セレクタへ接続された入力端子と、前記第1の通過スイッチの第2のゲート端子と前記第2の通過スイッチの第1のゲートとへ接続された出力端子と、を持つインバータ回路と、静電気放電保護回路と、を含む態様17記載のインターフェース回路。
〔態様28〕前記第1および第2の通過スイッチが、該第1および第2の通過スイッチの第1のゲート端子であるNMOSトランジスタのゲートと、前記第1および第2の通過スイッチの第2のゲート端子であるPMOSトランジスタのゲート端子とに並列に接続されたNMOSトランジスタとPMOSトランジスタとからなる態様27記載のインターフェース回路。
〔態様29〕前記モード・スイッチにおいて、単一チップ動作中は第1の論理状態ジェネレータへ接続されるI/Oまたはテスト入出力パッドと、多重チップなるモード動作中は第2の論理状態ジェネレータへ接続されるチップ間入出力パッドと、を含む態様17記載のインターフェース回路。
〔態様30〕モード選択信号が、前記第1の集積回路チップ、複数の前記第2の集積回路チップの1つ、テスト・インターフェース、および別の外部ソースの1つから前記モード・セレクタへ入力される態様17記載のモード・セレクタ。
〔態様31〕多重集積回路チップ構造を形成する方法であって、複数の集積回路チップを含む複数の半導体ウェーハ上に内部回路を同時にしかも個々に形成するステップと、複数の前記半導体ウェーハ上に入出力回路を同時に形成するステップと、複数の前記半導体ウェーハ上にチップ間インターフェース回路を同時に形成することにより、前記チップ間インターフェース回路の形成ステップが、複数の前記集積回路チップの各々の集積カイロチップ間の電気信号を前記集積回路チップの相互の集積回路チップに伝送する内部インターフェース回路を形成することと、前記集積回路チップの出力へ接続された第1の端子と複数の前記集積回路チップの1つの内部回路へ接続された第2の端子とを持つモード選択スイッチを形成することと、多重チップ動作中は前記内部インターフェース回路の出力を前記集積回路チップの前記1つの内部回路に選択的に接続し、単一チップ動作中は前記内部インターフェース回路の出力を前記入出力回路に選択的に接続するモード・セレクタを形成することを含み、単一チップ動作中は、複数の前記ウェーハ上の前記入出力回路と入出力インターフェース回路とへ接続されたテスト回路に接触し、刺激を与えかつ該テスト回路の応答を調べるステップと、複数の前記半導体ウェーハを複数の分離された集積回路チップへ分離するステップと、ソケットと接触し、複数の前記分離された集積回路チップに長期間にわたり刺激を与えてバーン・インするステップと、複数の前記分離された集積回路チップと接触し、刺激を与え、調べるステップと、欠陥のある集積回路チップを廃棄するステップと、前記半導体ウェーハの1つの各機能チップを他の1つ以上の複数の前記半導体ウェーハの1つ以上の機能チップへ取付けるステップと、前記入出力インターフェース回路と接触し、これに刺激を与え、形成された多重集積回路チップ構造の応答を調べるステップと、を含む方法。
〔態様32〕複数の前記半導体ウェーハの前記他のウェーハの前記1つ以上の前記1つ以上のチップに対する前記半導体ウェーハの1つの前記集積回路チップの各々の取付けが、複数の前記集積回路チップの各々の間に配線手段を形成することにより行われ、複数の前記集積回路チップが、前記配線手段の片側および(または)両側に取付けられる態様31記載の方法。
〔態様33〕前記入出力回路を形成する前記ステップが、外部I/Oソースに接続されたI/Oまたはテスト・インターフェース回路を形成するステップと、前記第1および第2の集積回路チップを静電気放電電圧から保護するESD保護回路を形成するステップと、を含む態様31記載の方法。
〔態様34〕複数の前記半導体ウェーハの各々における複数の前記集積回路チップが、異なる種類の半導体プロセスを用いて作られる態様31記載の方法。
〔態様35〕前記I/Oまたはテスト・インターフェース回路との接触が、外部テスト回路を入出力パッドを介して前記I/Oまたはテスト・インターフェース回路へ一時的に接続することを含む態様33記載の方法。
〔態様36〕前記チップ間インターフェース回路に静電気放電保護回路が形成されない態様31記載の方法。
〔態様37〕前記チップ間インターフェース回路に静電気放電保護回路が形成される態様31記載の方法。
〔態様38〕前記モード・スイッチが、前記内部回路へ接続されたドレーン端子と、取付けられた集積回路チップへ接続された入出力パッドへ接続されたソース端子と、前記モード・セレクタへ接続された第1のゲート端子と、第2のゲート端子と、を持つ第1の通過スイッチと、前記内部回路へ接続されたドレーン端子と、取付けられた前記集積回路チップへ接続された入出力パッドへ接続されたソース端子と、第1のゲート端子と、前記モード・セレクタへ接続された第2のゲート端子とを持つ第2の通過スイッチと、前記モード・セレクタへ接続された入力端子と、前記第1の通過スイッチの第2のゲート端子と前記第2の通過スイッチの第1のゲートとに接続された出力端子とを持つインバータ回路と、静電気放電保護回路と、を含む態様31記載の方法。
〔態様39〕前記第1および第2の通過スイッチが、該第1および第2の通過スイッチの第1のゲート端子であるNMOSトランジスタのゲートと、前記第1および第2の通過スイッチの第2のゲート端子であるPMOSトランジスタのゲートとに並列で接続されたNMOSトランジスタとPMOSトランジスタとからなる態様38記載の方法。
〔態様40〕前記モード・スイッチが、前記内部回路に接続されたドレーン端子と、取付けられた前記集積回路チップに接続された入出力パッドに接続されたソース端子と、前記モード・セレクタに接続された第1のゲート端子と、第2のゲート端子とを持つ第1の通過スイッチと、前記内部回路に接続されたドレーン端子と、取付けられた前記集積回路チップに接続された入出力パッドに接続されたソース端子と、前記入出力パッドへ取付けられた静電気放電保護回路と、第1のゲート端子と、前記モード・セレクタへ接続された第2のゲート端子と、を持つ第2の通過スイッチと、前記モード・セレクタへ接続された入力端子と、前記第1の通過スイッチの第2のゲート端子と前記第2の通過スイッチの第1のゲートとへ接続された出力端子と、を持つインバータ回路と、静電気放電保護回路と、を含む態様31記載の方法。
〔態様41〕前記第1および第2の通過スイッチが、該第1および第2の通過スイッチの第1のゲート端子であるNMOSトランジスタのゲートと、前記第1および第2の通過スイッチの第2のゲート端子であるPMOSトランジスタのゲートとに並列に接続されたNMOSトランジスタとPMOSトランジスタとからなる態様40記載の方法。
〔態様42〕前記モード・スイッチにおいて、単一チップ・モード動作中は第1の論理状態ジェネレータへ接続されるI/Oまたはテスト入出力パッドと、多重チップ・モード動作中は第2の論理状態ジェネレータへ接続されるチップ間入出力パッドと、を含む態様31記載の方法。
〔態様43〕モード選択信号が、前記第1の集積回路チップ、複数の前記第2の集積回路チップの1つ、テスト・インターフェース、および別の外部ソースの1つから前記モード・セレクタへ入力される態様31記載の方法。
72、74 チップ
76 ボール・グリッド・アレイ基板
78 基板
300 「チップ・オン・チップ」構造
305 第1の集積回路チップ
310 第2の集積回路チップ
315 ソルダ・バンプ
320 モジュール
325 ボンド・ワイヤ
330 ボール・グリッド・アレイ
335 内部回路
340 チップ間インターフェース回路
345 入出力パッド
350 入出力またはテスト・インターフェース
355 入出力パッド
360 チップ間インターフェース回路
365 内部回路
370 入出力パッド
375 I/Oまたはテスト・インターフェース回路
377 テスト入出力パッド
380 モード・セレクト線
381 モード・セレクト入出力パッド
382 モード・セレクト入出力パッド
383 モード・セレクト入出力パッド
384 ソルダ・ボール
385 入出力インターフェース
387 ESD保護回路
389 入出力バッファ
390 モード・セレクト線
391 モード・セレクト入出力パッド
392 モード・セレクト入出力パッド
393 モード・セレクト入出力パッド
395 入出力パッド
400 内部回路
402 モード・スイッチ
404 モード・セレクタ
410 駆動回路
414 ESD保護回路
416 テストまたは入出力パッド
418 ESD保護回路
420 レシーバ
422 入出力パッド
424 モード・スイッチ
426 モード・セレクタ
430 内部回路
432 内部回路
434 モード・セレクタ
436 モード・スイッチ
438 チップ・パッド
454 チップ・パッド
456 モード・スイッチ
458 モード・セレクタ
462 内部回路
500 モード・スイッチ
502 通過スイッチ
504 通過スイッチ
506 インバータ
507 ESD保護回路
508 内部回路
510 I/Oまたはテスト・インターフェース回路
514 駆動回路
516 ESD保護回路
520 モード・セレクタ
522 チップ間入出力パッド
524 I/Oまたはテスト・インターフェース回路
530 チップ間入出力パッド
532 ESD保護回路
540 入出力パッド
550 外部ソース
552 テスト・プローブまたはニードル
554 プローブ・カード
560 組合わせチップ
562 組合わせチップ間入出力パッド
600 第1の集積回路チップ
605 I/Oまたはテスト入出力パッド
610 チップ間入出力パッド
615 第2の集積回路チップ
620 外部入出力パッド
625 チップ間入出力パッド
630 テスト入出力パッド
76 ボール・グリッド・アレイ基板
78 基板
300 「チップ・オン・チップ」構造
305 第1の集積回路チップ
310 第2の集積回路チップ
315 ソルダ・バンプ
320 モジュール
325 ボンド・ワイヤ
330 ボール・グリッド・アレイ
335 内部回路
340 チップ間インターフェース回路
345 入出力パッド
350 入出力またはテスト・インターフェース
355 入出力パッド
360 チップ間インターフェース回路
365 内部回路
370 入出力パッド
375 I/Oまたはテスト・インターフェース回路
377 テスト入出力パッド
380 モード・セレクト線
381 モード・セレクト入出力パッド
382 モード・セレクト入出力パッド
383 モード・セレクト入出力パッド
384 ソルダ・ボール
385 入出力インターフェース
387 ESD保護回路
389 入出力バッファ
390 モード・セレクト線
391 モード・セレクト入出力パッド
392 モード・セレクト入出力パッド
393 モード・セレクト入出力パッド
395 入出力パッド
400 内部回路
402 モード・スイッチ
404 モード・セレクタ
410 駆動回路
414 ESD保護回路
416 テストまたは入出力パッド
418 ESD保護回路
420 レシーバ
422 入出力パッド
424 モード・スイッチ
426 モード・セレクタ
430 内部回路
432 内部回路
434 モード・セレクタ
436 モード・スイッチ
438 チップ・パッド
454 チップ・パッド
456 モード・スイッチ
458 モード・セレクタ
462 内部回路
500 モード・スイッチ
502 通過スイッチ
504 通過スイッチ
506 インバータ
507 ESD保護回路
508 内部回路
510 I/Oまたはテスト・インターフェース回路
514 駆動回路
516 ESD保護回路
520 モード・セレクタ
522 チップ間入出力パッド
524 I/Oまたはテスト・インターフェース回路
530 チップ間入出力パッド
532 ESD保護回路
540 入出力パッド
550 外部ソース
552 テスト・プローブまたはニードル
554 プローブ・カード
560 組合わせチップ
562 組合わせチップ間入出力パッド
600 第1の集積回路チップ
605 I/Oまたはテスト入出力パッド
610 チップ間入出力パッド
615 第2の集積回路チップ
620 外部入出力パッド
625 チップ間入出力パッド
630 テスト入出力パッド
Claims (20)
- 第1の内部回路を備える第1のチップと、
第2のチップと
を備える多重チップパッケージであって、
前記第2のチップは、
レシーバと該レシーバの第1の端子に接続された第1の静電気放電保護回路とを備えるテスト・インターフェース回路と、
前記レシーバの第1の端子に接続された第1の信号入出力パッドと、
前記第1の内部回路に接続された第2の内部回路であって、テスト・インターフェース回路が、前記第1の内部回路と第2の内部回路との間の信号経路中に直接的には入っていない、第2の内部回路と、
前記信号経路に接続された第2の静電気放電保護回路であって、該第2の静電気放電保護回路が前記第1の静電気放電保護回路よりも小さい、第2の静電気放電保護回路と、
を備える、多重チップパッケージ。 - 請求項1に記載の多重チップパッケージであって、前記第1のチップと第2のチップとの間にメタル・バンプを更に備え、前記信号経路が該メタル・バンプを通る、多重チップパッケージ。
- 請求項1に記載の多重チップパッケージであって、前記第1のチップと第2のチップとの間にソルダを更に備え、前記信号経路が該ソルダを通る、多重チップパッケージ。
- 請求項1に記載の多重チップパッケージにおいて、前記第2のチップは、前記レシーバの第2の端子と接続された第1の端子と前記信号経路に接続された第2の端子とを有する通過スイッチを更に備える、多重チップパッケージ。
- 請求項1に記載の多重チップパッケージであって、前記第2のチップの第2の信号入出力パッドに接続されたモジュールを更に備え、前記第2のチップは、入出力バッファと該入出力バッファの端子に接続された第3の静電気放電保護回路とを更に備え、前記第2の信号入出力パッドは、前記入出力バッファの前記端子に接続される、多重チップパッケージ。
- 請求項5に記載の多重チップパッケージであって、前記第2の信号入出力パッドを前記モジュールに接続するボンド・ワイヤを更に備える、多重チップパッケージ。
- 請求項5に記載の多重チップパッケージであって、前記モジュールの下にボール・グリッド・アレイを更に備え、前記第1のチップと第2のチップが前記モジュールの上にある、多重チップパッケージ。
- 請求項1に記載の多重チップパッケージであって、前記第1のチップの第2の信号入出力パッドに接続されたモジュールを更に備え、前記第1のチップは、入出力バッファと該入出力バッファの端子に接続された第3の静電気放電保護回路とを更に備え、前記第2の信号入出力パッドは、前記入出力バッファの前記端子に接続される、多重チップパッケージ。
- 請求項8に記載の多重チップパッケージであって、前記第2の信号入出力パッドを前記モジュールに接続するボンド・ワイヤを更に備える、多重チップパッケージ。
- 請求項8に記載の多重チップパッケージであって、前記モジュールの下にボール・グリッド・アレイを更に備え、前記第1のチップと第2のチップが前記モジュールの上にある、多重チップパッケージ。
- 第1の内部回路を備える第1のチップと、
第2のチップと
を備える多重チップパッケージであって、
前記第2のチップは、
ドライバと該ドライバの第1の端子に接続された第1の静電気放電保護回路とを備えるテスト・インターフェース回路と、
前記ドライバの第1の端子に接続された第1の信号入出力パッドと、
前記第1の内部回路に接続された第2の内部回路であって、テスト・インターフェース回路が、前記第1の内部回路と第2の内部回路との間の信号経路中に直接的には入っていない、第2の内部回路と、
前記信号経路に接続された第2の静電気放電保護回路であって、該第2の静電気放電保護回路が前記第1の静電気放電保護回路よりも小さい、第2の静電気放電保護回路と、
を備える、多重チップパッケージ。 - 請求項11に記載の多重チップパッケージであって、前記第1のチップと第2のチップとの間にメタル・バンプを更に備え、前記信号経路が該メタル・バンプを通る、多重チップパッケージ。
- 請求項11に記載の多重チップパッケージであって、前記第1のチップと第2のチップとの間にソルダを更に備え、前記信号経路が該ソルダを通る、多重チップパッケージ。
- 請求項11に記載の多重チップパッケージにおいて、前記第2のチップは、前記ドライバの第2の端子と接続された第1の端子と前記信号経路に接続された第2の端子とを有する通過スイッチを更に備える、多重チップパッケージ。
- 請求項11に記載の多重チップパッケージであって、前記第2のチップの第2の信号入出力パッドに接続されたモジュールを更に備え、前記第2のチップは、入出力バッファと該入出力バッファの端子に接続された第3の静電気放電保護回路とを更に備え、前記第2の信号入出力パッドは、前記入出力バッファの前記端子に接続される、多重チップパッケージ。
- 請求項15に記載の多重チップパッケージであって、前記第2の信号入出力パッドを前記モジュールに接続するボンド・ワイヤを更に備える、多重チップパッケージ。
- 請求項15に記載の多重チップパッケージであって、前記モジュールの下にボール・グリッド・アレイを更に備え、前記第1のチップと第2のチップが前記モジュールの上にある、多重チップパッケージ。
- 請求項11に記載の多重チップパッケージであって、前記第1のチップの第2の信号入出力パッドに接続されたモジュールを更に備え、前記第1のチップは、入出力バッファと該入出力バッファの端子に接続された第3の静電気放電保護回路とを更に備え、前記第2の信号入出力パッドは、前記入出力バッファの前記端子に接続される、多重チップパッケージ。
- 請求項18に記載の多重チップパッケージであって、前記第2の信号入出力パッドを前記モジュールに接続するボンド・ワイヤを更に備える、多重チップパッケージ。
- 請求項18に記載の多重チップパッケージであって、前記モジュールの下にボール・グリッド・アレイを更に備え、前記第1のチップと第2のチップが前記モジュールの上にある、多重チップパッケージ。
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JP2012034385A JP2012156513A (ja) | 2012-02-20 | 2012-02-20 | 高性能サブシステムの設計および組立体 |
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JP2010097554A Division JP2010239137A (ja) | 2010-04-21 | 2010-04-21 | 高性能サブシステムの設計および組立体 |
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Family Applications (1)
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JP2012034385A Withdrawn JP2012156513A (ja) | 2012-02-20 | 2012-02-20 | 高性能サブシステムの設計および組立体 |
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- 2012-02-20 JP JP2012034385A patent/JP2012156513A/ja not_active Withdrawn
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