JP2011100023A

JP2011100023A - 有機ｅｌ装置

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Publication number: JP2011100023A
Application number: JP2009255269A
Authority: JP
Inventors: Shiro Sumida; 祉朗炭田; Shuhei Yokoyama; 周平横山; Masuyuki Ota; 益幸太田
Original assignee: Toshiba Mobile Display Co Ltd
Current assignee: Japan Display Central Inc
Priority date: 2009-11-06
Filing date: 2009-11-06
Publication date: 2011-05-19
Anticipated expiration: 2029-11-06
Also published as: JP5117472B2

Abstract

【課題】有機ＥＬ素子の水分による劣化を抑制することを可能とする有機ＥＬ装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板の上方に配置された第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子と、第１スイッチング素子に到達する第１コンタクトホール及び第２スイッチング素子に到達する第２コンタクトホールが形成された絶縁膜と、絶縁膜の上に配置され第１コンタクトホール内に延在し第１スイッチング素子に接続された第１コンタクト部を有する第１画素電極と、絶縁膜の上において第１画素電極から離間して配置され第２コンタクトホール内に延在し第２スイッチング素子に接続された第２コンタクト部を有する第２画素電極と、第１コンタクト部及び第２コンタクト部をそれぞれカバーするカバー部材と、第１乃至第２画素電極、カバー部材及び第１画素電極と第２画素電極との間の絶縁膜の上に延在した有機層と、有機層の上に配置された対向電極と、を備えた有機ＥＬ装置。
【選択図】図１

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置に関する。

近年、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラストの特徴を有し、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。

この有機ＥＬ素子は、正孔注入電極（陽極）から正孔を注入するとともに、電子注入電極（陰極）から電子を注入し、発光層で正孔と電子とを再結合させて発光を得るものである。フルカラー表示を得るためには、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）にそれぞれ発光する画素を構成する必要がある。赤、緑、青の各画素を構成する有機ＥＬ素子の発光層には、赤色、緑色、青色といったそれぞれ異なる発光スペクトルで発光する発光材料を塗り分ける必要がある。このような発光材料を塗り分ける方法として、真空蒸着法がある。このような真空蒸着法によって低分子系の有機ＥＬ材料を成膜する場合、各色の画素毎に開口した金属性のファインマスクを用いてそれぞれ独立にマスク蒸着する方法がある（例えば、特許文献１参照）。

特開２００３−１５７９７３号公報

本発明は、有機ＥＬ素子の水分による劣化を抑制することを可能とする有機ＥＬ装置を提供することにある。

本発明の一態様によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置された第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子の上方に配置され、前記第１スイッチング素子に到達する第１コンタクトホール及び前記第２スイッチング素子に到達する第２コンタクトホールが形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され、前記第１コンタクトホール内に延在し前記第１スイッチング素子に電気的に接続された第１コンタクト部を有する第１画素電極と、前記絶縁膜の上において前記第１画素電極から離間して配置され、前記第２コンタクトホール内に延在し前記第２スイッチング素子に電気的に接続された第２コンタクト部を有する第２画素電極と、前記第１コンタクト部及び前記第２コンタクト部をそれぞれカバーする絶縁材料によって形成されたカバー部材と、前記第１画素電極、前記第２画素電極、前記カバー部材、及び、前記第１画素電極と前記第２画素電極との間の前記絶縁膜の上に延在した有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。

本発明の他の態様によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の上方に配置され、前記スイッチング素子に到達するコンタクトホールが形成された第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜の上に配置され、前記第１層間絶縁膜及び前記コンタクトホールを露出する枠状の溝によって囲まれた側面を有する第２層間絶縁膜と、前記第２層間絶縁膜の上に配置され、前記第２層間絶縁膜の前記側面を経由して前記コンタクトホール内に延在し前記スイッチング素子に電気的に接続されたコンタクト部を有する画素電極と、前記コンタクト部をカバーする絶縁材料によって形成されたカバー部材と、前記画素電極、前記カバー部材、及び、前記溝に延在した有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。

本発明によれば、有機ＥＬ素子の水分による劣化を抑制することを可能とする有機ＥＬ装置を提供することができる。

図１は、第１実施態様における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子及び第１乃至第３有機ＥＬ素子を含む表示パネルの構造を概略的に示す断面図である。図２は、図１に示した第１乃至第３有機ＥＬ素子の上面図である。図３は、図２に示した第３有機ＥＬ素子をＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断した構造を示す断面図である。図４は、第２実施形態における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子及び第１乃至第３有機ＥＬ素子を含む表示パネルの構造を概略的に示す断面図である。図５は、図４に示した第１乃至第３有機ＥＬ素子の上面図である。図６は、図５に示した第３有機ＥＬ素子をＶＩ−ＶＩ線で切断した構造を示す断面図である。図７は、第２実施形態の変形例における第３有機ＥＬ素子の断面図である。図８は、第３実施形態における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子及び第１乃至第３有機ＥＬ素子を含む表示パネルの構造を概略的に示す断面図である。図９は、図８に示した第１乃至第３有機ＥＬ素子の上面図である。図１０は、第３実施形態の第１変形例における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子及び第１乃至第３有機ＥＬ素子を含む表示パネルの構造を概略的に示す断面図である。図１１は、第３実施形態の第２変形例における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子及び第１乃至第３有機ＥＬ素子を含む表示パネルの構造を概略的に示す断面図である。図１２は、第３実施形態の第３変形例における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子及び第１乃至第３有機ＥＬ素子を含む表示パネルの構造を概略的に示す断面図である。図１３は、有機ＥＬ素子の水分による耐久性を比較する実験の結果を示す図である。

以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

本実施形態では、有機ＥＬ装置の一例として、アクティブマトリクス駆動方式を採用した有機ＥＬ表示装置について説明する。

図１は、第１実施形態における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子ＳＷ及び第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を含む表示パネル１の断面図である。なお、ここに示した第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、封止基板２００の側から光を放射するトップエミッションタイプであるが、本実施形態においては、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、アレイ基板１００の側から光を放射するボトムエミッションタイプであっても良い。

アレイ基板１００は、ガラス基板やプラスチック基板などの光透過性を有する絶縁基板１０１を備えている。スイッチング素子ＳＷ、及び、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、絶縁基板１０１の上方において、画像を表示するアクティブエリア１０２にそれぞれ配置されている。

絶縁基板１０１の上には、第１絶縁膜１１１が配置されている。このような第１絶縁膜１１１は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第１絶縁膜１１１は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物によって形成されている。

第１絶縁膜１１１の上には、スイッチング素子ＳＷの半導体層ＳＣが配置されている。この半導体層ＳＣは、例えばポリシリコンによって形成されている。この半導体層ＳＣには、チャネル領域ＳＣＣを挟んでソース領域ＳＣＳ及びドレイン領域ＳＣＤが形成されている。

半導体層ＳＣは、第２絶縁膜１１２によって被覆されている。また、この第２絶縁膜１１２は、第１絶縁膜１１１の上にも配置されている。このような第２絶縁膜１１２は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第２絶縁膜１１２は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物によって形成されている。

第２絶縁膜１１２の上には、チャネル領域ＳＣＣの直上にスイッチング素子ＳＷのゲート電極Ｇが配置されている。この例では、スイッチング素子ＳＷは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。ゲート電極Ｇは、第３絶縁膜１１３によって被覆されている。また、この第３絶縁膜１１３は、第２絶縁膜１１２の上にも配置されている。このような第３絶縁膜１１３は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第３絶縁膜１１３は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物によって形成されている。

第３絶縁膜１１３の上には、スイッチング素子ＳＷのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄが配置されている。ソース電極Ｓは、半導体層ＳＣのソース領域ＳＣＳにコンタクトしている。ドレイン電極Ｄは、半導体層ＳＣのドレイン領域ＳＣＤにコンタクトしている。スイッチング素子ＳＷのゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、及び、ドレイン電極Ｄは、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）などの導電材料を用いて形成されている。

これらのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、第１層間絶縁膜１１４によって被覆されている。また、この第１層間絶縁膜１１４は、第３絶縁膜１１３の上にも配置されている。このような第１層間絶縁膜１１４は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第１層間絶縁膜１１４は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物によって形成されている。このような第１層間絶縁膜１１４は、スイッチング素子ＳＷの上方に配置されたパッシベーション膜として機能する。

第１層間絶縁膜１１４の上には、第２層間絶縁膜１１５が配置されている。このような第２層間絶縁膜１１５は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第２層間絶縁膜１１５は、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機化合物によって形成されている。

これらの第１層間絶縁膜１１４及び第２層間絶縁膜１１５は、スイッチング素子ＳＷの上方に配置された絶縁膜に相当する。つまり、第１層間絶縁膜１１４及び第２層間絶縁膜１１５は、スイッチング素子ＳＷと第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３との間に配置されている。また、これらの第１層間絶縁膜１１４及び第２層間絶縁膜１１５には、スイッチング素子ＳＷに到達するコンタクトホールＣＨが形成されている。つまり、スイッチング素子ＳＷのドレイン電極Ｄの一部は、コンタクトホールＣＨから露出している。

第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を構成する各々の画素電極ＰＥは、第２層間絶縁膜１１５の上に配置されている。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ内に延在し、コンタクトホールＣＨから露出していたスイッチング素子ＳＷのドレイン電極Ｄに電気的に接続されている。これらの画素電極ＰＥは、例えば陽極に相当する。各画素電極ＰＥは互いに離間しており、隣接する画素電極ＰＥの間から第２層間絶縁膜１１５が露出している。

各画素電極ＰＥのうち、スイッチング素子ＳＷと接続される部分については、カバー部材ＣＶによって覆われている。すなわち、カバー部材ＣＶは、各画素電極ＰＥに対応して個別に配置され、島状に形成されている。つまり、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の画素電極ＰＥをカバーするカバー部材ＣＶと、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥをカバーするカバー部材ＣＶと、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥをカバーするカバー部材ＣＶとは、互いに離間しており、接していない。

なお、画素電極ＰＥとスイッチング素子ＳＷとの接続構造及びその周辺構造については後に詳述する。

このような画素電極ＰＥの構造については、特に制限はないが、ここに示した例では、画素電極ＰＥは、反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴが積層された２層構造である。反射層ＰＥＲは、第２層間絶縁膜１１５の上に配置されている。透過層ＰＥＴは、反射層ＰＥＲの上に積層されている。反射層ＰＥＲは、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する導電材料によって形成されている。透過層ＰＥＴは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。

なお、画素電極ＰＥは、反射層単層、あるいは、透過層単層であっても良いし、さらには、３層以上の積層構造であっても良い。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３が封止基板２００の側から光を放射するトップエミッションタイプの場合には、画素電極ＰＥは少なくとも反射層ＰＥＲを含んでいる。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３が絶縁基板１０１の側から光を放射するボトムエミッションタイプの場合には、画素電極ＰＥは、反射層ＰＥＲを含んでいない。

第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を構成する有機層ＯＲＧは、各画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在している。つまり、有機層ＯＲＧは、各画素電極ＰＥ及び各カバー部材ＣＶを被覆するとともに、画素電極ＰＥの間から露出した第２層間絶縁膜１１５も被覆している。この有機層ＯＲＧは、少なくとも図示を省略した発光層を含んでいる。

なお、有機層ＯＲＧは、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などを含んでいても良い。また、有機層ＯＲＧを構成する発光層は、蛍光材料によって形成されていても良いし、燐光材料によって形成されていても良い。

第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を構成する対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この例では、対向電極ＣＥは、陰極に相当する。この対向電極ＣＥは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、有機層ＯＲＧを被覆している。

このような対向電極ＣＥは、例えば半透過層によって形成されている。半透過層は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）・銀（Ａｇ）などの導電材料によって形成されている。なお、対向電極ＣＥは、半透過層及び透過層が積層された２層構造であっても良いし、透過層単層構造、または、半透過層単層構造であっても良い。透過層は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの光透過性を有する導電材料によって形成可能である。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３が絶縁基板１０１の側から光を放射する下面発光型の場合には、対向電極ＣＥは少なくとも反射層あるいは半透過層を含んでいる。

封止基板２００は、アレイ基板１００に形成された第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の上方に配置されている。この封止基板２００は、ガラス基板やプラスチック基板などの光透過性を有する絶縁基板である。

図示した例では、アレイ基板１００と封止基板２００とが離間し、両者の間に空間が形成されているが、アレイ基板１００と封止基板２００との間には、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を被覆する保護膜や樹脂層が配置されても良い。保護膜は、光透過性を有し且つ水分が浸透しにくい絶縁材料、例えば、シリコン窒化物やシリコン酸窒化物などの無機化合物によって形成され、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を覆い、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３への水分の浸透を防止する水分バリア膜として機能する。樹脂層は、光透過性を有する熱硬化型樹脂あるいは紫外線硬化型樹脂などの有機化合物によって形成され、アレイ基板１００と封止基板２００との間に充填される充填層あるいはアレイ基板１００と封止基板２００とを接着する接着層として機能する。

本実施形態においては、発光層を含む有機層ＯＲＧが第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在した連続膜でありながら、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の発光色は、互いに異なるように構成されている。ここに示した例では、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光色は赤色であり、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の発光色は緑色であり、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光色は青色である。

ここでは、主波長が５９５ｎｍ乃至８００ｎｍの範囲を第１波長範囲と定義し、この第１波長範囲内にある色を赤色とする。また、主波長が４９０ｎｍより長く且つ５９５ｎｍよりも短い範囲を第２波長範囲と定義し、この第２波長範囲内にある色を緑色とする。さらに、主波長が４００ｎｍ乃至４９０ｎｍの範囲を第３波長範囲と定義し、この第３波長範囲内にある色を青色とする。

このような構成は、例えば、以下のような構成で実現可能である。すなわち、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の有機層ＯＲＧは、例えば、発光色が赤色の第１ドーパント材料、発光色が緑色の第２ドーパント材料、及び、発光色が青色の第３ドーパント材料を含でいる。第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１については、第１ドーパント材料が発光し、赤色を呈する。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２については、第１ドーパント材料が消光しており、第２ドーパント材料が発光し、緑色を呈する。第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３については、第１ドーパント材料及び第２ドーパント材料が消光しており、第３ドーパント材料が発光し、青色を呈する。

なお、有機層ＯＲＧの形態は、特に制限はなく、第１ドーパント材料を含む第１発光層、第２ドーパント材料を含む第２発光層、及び、第３ドーパント材料を含む第３発光層を積層した３層構造であっても良いし、第１発光層及び第２発光層を積層した２層構造であっても良いし、第１発光層のみからなる単層構造であっても良い。２層構造の場合、第１発光層は、第１ドーパント材料のみならず、第２ドーパント材料や第３ドーパント材料を含んでいても良いし、第２発光層は、第２ドーパント材料のみならず、第１ドーパント材料や第３ドーパント材料を含んでいても良い。単層構造の場合、第１発光層は、第１ドーパント材料、第２ドーパント材料、及び、第３ドーパント材料を含んでいても良い。

また、第１乃至第３ドーパント材料としては、光照射によって発光性能が変化する材料として、消光する材料を適用した場合について説明したが、消光に限らず、紫外線などの光照射によって発光色が変化するなどの発光性能が変化する材料が適用可能である。

例えば、光照射によって分子の立体構造が変化して発光色が変化するあるいは消光する材料が適用可能である。例えば、一方のドーパント材料が他方のドーパント材料の異性体である場合がこの例に相当する。異性体の一種として、シス体及びトランス体の例について簡単説明する。シス体とは、主骨格に対して２つの側鎖（あるいは原子団）が同じ側にある分子の立体構造を示し、トランス体とは、主骨格に対して２つの側鎖（あるいは原子団）が互いに反対側にある分子の立体構造を示している。このようなドーパント材料は、紫外光などの光照射により、シス体からトランス体に変化する、あるいは、トランス体からシス体に変化する材料から選択され、このような材料として、例えば、フォトクロミック材料が挙げられる。

また、他の異性体の例としては、光変換型タンパク質あるいは蛍光タンパク質などと称される材料も挙げられる。例えば、蛍光タンパク質の中には、紫外光の照射により、消光状態から活性化されて発光するようになる材料や、ある発光波長から別の発光波長に変換される材料などがあり、これらも本実施形態のドーパント材料として適用可能である。

また、光照射によって発光層に含まれるドーパント材料と添加剤あるいはホスト材料とが化学結合して発光色が変化するあるいは消光する材料も適用可能である。

本実施形態における表示パネル１は、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を区画するための隔壁を省略した構成を採用している。

図２は、図１に示した第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の上面図である。なお、この図においては、有機層ＯＲＧ及び対向電極ＣＥについては第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の共通層であるため図示を省略し、画素電極ＰＥ及びコンタクトホールＣＨ周辺の構造を図示している。

第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、基本的には同一構造であり、Ｘ方向に並んでいる。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥは、互いに離間して配置されている。第２層間絶縁膜１１５は、隣接する画素電極ＰＥの間から露出している。各画素電極ＰＥは、略長方形状の反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴを有している。

コンタクトホールＣＨは、図示しないスイッチング素子ＳＷまで貫通している。このコンタクトホールＣＨは、略長方形状の画素電極ＰＥの１つの角部付近に形成されている。コンタクトホールＣＨ及びその周辺においては、反射層ＰＥＲは欠落している。透過層ＰＥＴは、反射層ＰＥＲに重なるとともに、コンタクトホールＣＨ及びその周辺に延在している。コンタクトホールＣＨの略全体は、透過層ＰＥＴによって覆われている。この透過層ＰＥＴは、図示しないスイッチング素子ＳＷに接続されたコンタクト部ＰＥＣを有している。

カバー部材ＣＶは、少なくとも画素電極ＰＥのコンタクト部ＰＥＣをカバーしている。図示した例では、カバー部材ＣＶは、コンタクト部ＰＥＣのみならず、コンタクトホールＣＨの直上に位置する透過層ＰＥＴ及びコンタクトホールＣＨの周辺に延在した透過層ＰＥＴもカバーしており、画素電極ＰＥの周辺で、第２層間絶縁膜１１５に重なっている。このカバー部材ＣＶは、例えば、シリコン窒化物などの無機化合物からなる絶縁材料によって形成されている。

図３は、図２に示した第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３をＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断した構造を示す断面図である。なお、この図においては、説明に必要な主要部のみを図示している。

スイッチング素子のドレイン電極Ｄと画素電極ＰＥとの間には、第１層間絶縁膜１１４及び第２層間絶縁膜１１５が積層されている。これらの第１層間絶縁膜１１４及び第２層間絶縁膜１１５には、ドレイン電極Ｄまで貫通したコンタクトホールＣＨが形成されている。

第２層間絶縁膜１１５の上に配置された反射層ＰＥＲは、コンタクトホールＣＨに到達していない。反射層ＰＥＲの上に配置された透過層ＰＥＴは、コンタクトホールＣＨ内に延在し、第１層間絶縁膜１１４の側面１１４Ｓ及び第２層間絶縁膜１１５の側面１１５Ｓをそれぞれ覆うとともに、コンタクトホールＣＨから露出したドレイン電極Ｄにコンタクトしている。透過層ＰＥＴのうち、ドレイン電極Ｄにコンタクトしている部分がコンタクト部ＰＥＣに相当する。

カバー部材ＣＶは、透過層ＰＥＴのうち、コンタクト部ＰＥＣを覆っている。図示した例では、カバー部材ＣＶは、透過層ＰＥＴのコンタクトホールＣＨ内に延在した部分の全体を覆っている。このようなカバー部材ＣＶは、各画素電極ＰＥのコンタクト部ＰＥＣを個別に覆っている。

有機層ＯＲＧは、透過層ＰＥＴの上及びカバー部材ＣＶの上に配置されている。対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。図示したように、コンタクトホールＣＨの近傍では、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間には、有機層ＯＲＧのみならず、カバー部材ＣＶが介在している。

このような第１実施形態によれば、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を区画するための隔壁を省略したため、樹脂材料によって格子状に隔壁を形成した構成と比較して、水分の拡散を抑制することが可能となる。このため、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の水分による劣化を抑制することができる。

また、第１実施形態によれば、画素電極ＰＥのうち、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されるコンタクト部ＰＥＣは、カバー部材ＣＶによって覆われている。このため、コンタクトホールＣＨの段差の影響により、画素電極ＰＥの上の有機層ＯＲＧが途切れたとしても、画素電極ＰＥがカバー部材ＣＶによって覆われているため、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとのショートを防止することができる。

さらに、第１実施形態によれば、画素電極ＰＥの全体に有機層ＯＲＧが重なり、さらにこの有機層ＯＲＧの上に対向電極ＣＥが配置されているため、画素電極ＰＥの略全体が発光に寄与する領域となる。このため、画素電極ＰＥの周縁の一部に重なるように配置され有機ＥＬ素子を区画する隔壁を形成した構成と比較して、発光に寄与する領域の面積（あるいは開口率）を向上することができる。

また、第１実施形態によれば、有機層ＯＲＧが第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在した連続膜でありながら、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の発光色は、互いに異なるように構成されている。このような構成によれば、発光層を塗り分けるための金属性のファインマスクが不要であり、このようなファインマスクを支持するための受けとしての隔壁、あるいは、発光層を塗り分ける際の混色を防止するための隔壁が不要となる。

さらに、第１実施形態によれば、カバー部材ＣＶは、無機化合物の絶縁材料によって形成されているため、有機化合物によって形成された第２層間絶縁膜１１５と接していたとしても、カバー部材ＣＶを介した水分拡散のパスが形成されない。このため、カバー部材ＣＶは、必ずしも画素電極ＰＥの上に留まっている必要はなく、十分に広いマージンで形成することが可能である。しかも、カバー部材ＣＶと第２層間絶縁膜１１５との接触面積を拡大することにより、第２層間絶縁膜１１５と有機層ＯＲＧとの接触面積を低減することが可能であり、第２層間絶縁膜１１５を介した有機層ＯＲＧへの水分拡散のパスを低減することが可能である。このため、カバー部材ＣＶは、隣接する画素電極ＰＥの間で、露出した第２層間絶縁膜１１５の表面の略全体を覆っていても良い。

なお、第１実施形態においては、スイッチング素子ＳＷと画素電極ＰＥとの間に配置される絶縁膜のうち、第１層間絶縁膜１１４は省略しても良い。この場合、第２層間絶縁膜１１５がスイッチング素子ＳＷと画素電極ＰＥとの間に配置された絶縁膜に相当する。

次に、第２実施形態について説明する。

図４は、第２実施形態における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子ＳＷ及び第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を含む表示パネル１の断面図である。図４に示した例は、図１に示した例と比較して、カバー部材ＣＶが画素電極ＰＥよりも上方に向かって突出したドーム型である点で相違している。なお、図１に示した例と同一構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。

アレイ基板１００の絶縁基板１０１と第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３との間には、第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第１層間絶縁膜１１４、第２層間絶縁膜１１５、スイッチング素子ＳＷなどが配置されている。これらの第１層間絶縁膜１１４及び第２層間絶縁膜１１５には、スイッチング素子ＳＷのドレイン電極Ｄに到達するコンタクトホールＣＨが形成されている。

第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を構成する各々の画素電極ＰＥは、第２層間絶縁膜１１５の上に配置されている。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ内に延在し、コンタクトホールＣＨから露出していたスイッチング素子ＳＷのドレイン電極Ｄに電気的に接続されている。

各画素電極ＰＥのうち、スイッチング素子ＳＷと接続される部分については、カバー部材ＣＶによって覆われている。すなわち、カバー部材ＣＶは、各画素電極ＰＥに対応して個別に配置され、島状に形成されている。このカバー部材ＣＶは、画素電極ＰＥの上に配置され、画素電極ＰＥの周辺に露出した第２層間絶縁膜１１５には接していない。このようなカバー部材ＣＶは、コンタクトホールＣＨによって形成された凹所に充填されるとともに、画素電極ＰＥよりも上方つまり封止基板２００の側に向かって突出したドーム型である。

第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を構成する有機層ＯＲＧは、各画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在している。つまり、有機層ＯＲＧは、各画素電極ＰＥ及び各カバー部材ＣＶを被覆するとともに、画素電極ＰＥの間から露出した第２層間絶縁膜１１５も被覆している。

第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を構成する対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この対向電極ＣＥは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、有機層ＯＲＧを被覆している。

図５は、図４に示した第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の上面図である。なお、この図においては、有機層ＯＲＧ及び対向電極ＣＥについては第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の共通層であるため図示を省略し、画素電極ＰＥ及びコンタクトホールＣＨ周辺の構造を図示している。

コンタクトホールＣＨは、図示しないスイッチング素子ＳＷまで貫通している。このコンタクトホールＣＨは、略長方形状の画素電極ＰＥの１つの角部よりも内側に形成されている。反射層ＰＥＲは、コンタクトホールＣＨ及びその周辺において欠落しており、略円形の開口ＰＥＨを有している。透過層ＰＥＴは、反射層ＰＥＲ及び開口ＰＥＨに重なるとともに、コンタクトホールＣＨ及びその周辺に延在している。コンタクトホールＣＨの略全体は、透過層ＰＥＴによって覆われている。この透過層ＰＥＴは、図示しないスイッチング素子ＳＷに接続されたコンタクト部ＰＥＣを有している。

カバー部材ＣＶは、少なくとも画素電極ＰＥのコンタクト部ＰＥＣをカバーしている。図示した例では、カバー部材ＣＶは、コンタクト部ＰＥＣのみならず、コンタクトホールＣＨの直上に位置する透過層ＰＥＴ及びコンタクトホールＣＨの周辺に延在した透過層ＰＥＴもカバーしているが、透過層ＰＥＴのエッジよりも内側に配置され、透過層ＰＥＴのエッジよりも外側の第２層間絶縁膜１１５には接していない。このようなカバー部材ＣＶは、例えば、各種樹脂材料などの有機化合物からなる絶縁材料によって形成され、その製法としては、例えばフォトリソグラフィプロセスやインクジェット方式などの各種手法を適用可能である。

図６は、図５に示した第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３をＶＩ−ＶＩ線で切断した構造を示す断面図である。なお、この図においては、説明に必要な主要部のみを図示している。

第２層間絶縁膜１１５の上に配置された反射層ＰＥＲは、コンタクトホールＣＨに到達していない。このコンタクトホールＣＨの直上には、反射層ＰＥＲに形成された開口ＰＥＨが位置している。反射層ＰＥＲの上に配置された透過層ＰＥＴは、コンタクトホールＣＨ内に延在し、第１層間絶縁膜１１４の側面１１４Ｓ及び第２層間絶縁膜１１５の側面１１５Ｓをそれぞれ覆うとともに、コンタクトホールＣＨから露出したドレイン電極Ｄにコンタクトしている。透過層ＰＥＴのうち、ドレイン電極Ｄにコンタクトしている部分がコンタクト部ＰＥＣに相当する。

カバー部材ＣＶは、透過層ＰＥＴのうち、コンタクト部ＰＥＣの上に充填されている。つまり、コンタクトホールＣＨによって形成された凹所は、カバー部材ＣＶにより埋められている。また、このカバー部材ＣＶは、コンタクトホールＣＨによって形成された凹所から溢れ、画素電極ＰＥよりも上方に向かって突出している。カバー部材ＣＶの表面ＣＶＳは、画素電極ＰＥに接している近傍で略垂直に立ち上がり、滑らかに湾曲し、ドーム型をなしている。

有機層ＯＲＧは、透過層ＰＥＴの上及びカバー部材ＣＶの表面ＣＶＳ上に配置されている。対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。図示したように、コンタクトホールＣＨの近傍では、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間には、有機層ＯＲＧのみならず、カバー部材ＣＶが介在している。

このような第２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。

加えて、この第２実施形態によれば、カバー部材ＣＶは、有機化合物の絶縁材料によって形成されているが、有機化合物によって形成された第２層間絶縁膜１１５と接していないため、カバー部材ＣＶを介した水分拡散のパスが形成されない。また、カバー部材ＣＶの表面ＣＶＳが滑らかに湾曲したドーム型であるため、カバー部材ＣＶの上に形成された有機層ＯＲＧのカバー部材ＣＶへの密着性が向上し、有機層ＯＲＧの剥がれや、下地の凹凸の影響による有機層ＯＲＧの途切れなどを防止することが可能となる。

なお、この第２実施形態においても、スイッチング素子ＳＷと画素電極ＰＥとの間に配置される絶縁膜のうち、第１層間絶縁膜１１４は省略しても良い。この場合、第２層間絶縁膜１１５がスイッチング素子ＳＷと画素電極ＰＥとの間に配置された絶縁膜に相当する。

次に、第２実施形態の変形例について説明する。

図７は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の断面図である。この図７に示した例では、図６に示した例と比較して、カバー部材ＣＶが第２層間絶縁膜１１５に接している点で相違している。なお、このような構成の上面図は、図２と同様であるので省略する。

すなわち、カバー部材ＣＶは、透過層ＰＥＴのうち、コンタクト部ＰＥＣの上に充填され、コンタクトホールＣＨによって形成された凹所を埋めている。このようなカバー部材ＣＶは、凹所から溢れ、画素電極ＰＥよりも上方に向かって突出している。このカバー部材ＣＶは、画素電極ＰＥの外側で露出している第２層間絶縁膜１１５に接している。カバー部材ＣＶの表面ＣＶＳは、画素電極ＰＥ及び第２層間絶縁膜１１５に接している近傍で略垂直に立ち上がり、滑らかに湾曲し、ドーム型をなしている。

このようなカバー部材ＣＶは、例えば、各種樹脂材料などの有機化合物からなる絶縁材料によって形成され、その製法としては、例えばフォトリソグラフィプロセスやインクジェット方式などの各種手法を適用可能である。

このような変形例においても、上述した第２実施形態と同様の効果が得られる。なお、カバー部材ＣＶが有機化合物の絶縁材料によって形成されているため、有機化合物によって形成された第２層間絶縁膜１１５と接している箇所で水分拡散のパスが形成されるおそれがあるが、カバー部材ＣＶと第２層間絶縁膜１１５との接している面積は、極僅かであり、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化をもたらすほどの影響はない。

なお、この第２実施形態の変形例においても、スイッチング素子ＳＷと画素電極ＰＥとの間に配置される絶縁膜のうち、第１層間絶縁膜１１４は省略しても良い。この場合、第２層間絶縁膜１１５がスイッチング素子ＳＷと画素電極ＰＥとの間に配置された絶縁膜に相当する。

なお、この第２実施形態において、カバー部材ＣＶは、ドーム型に限らず、テーパー状であっても良いし、コンタクトホールＣＨによって形成された凹所をカバーするすり鉢状であっても良い。

次に、第３実施形態について説明する。

図８は、第３実施形態における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子ＳＷ及び第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を含む表示パネル１の断面図である。図８に示した例は、図１に示した例と比較して、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３のそれぞれの下地となる第２層間絶縁膜１１５が島状に形成されている点で相違している。なお、図１に示した例と同一構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。

アレイ基板１００の絶縁基板１０１と第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３との間には、第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第１層間絶縁膜１１４、第２層間絶縁膜１１５、スイッチング素子ＳＷなどが配置されている。第１層間絶縁膜１１４には、スイッチング素子ＳＷのドレイン電極Ｄに到達するコンタクトホールＣＨが形成されている。

第２層間絶縁膜１１５は、第１層間絶縁膜１１４の上に配置されている。この第２層間絶縁膜１１５には、第１層間絶縁膜１１４及びコンタクトホールＣＨを露出する溝ＧＲが形成されている。この溝ＧＲは、図中のＹ方向に延出しており、しかも、この図では示されていないが、Ｘ方向にも延出し、格子状に形成されている。このため、第２層間絶縁膜１１５の側面１１５Ｓは、詳細な図示を省略するが、Ｙ方向のみならずＸ方向にも延出している。

第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を構成する各々の画素電極ＰＥは、島状の第２層間絶縁膜１１５の各々の上に配置されている。つまり、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の画素電極ＰＥが配置された第２層間絶縁膜１１５と、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥが配置された第２層間絶縁膜１１５と、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが配置された第２層間絶縁膜１１５とは、溝ＧＲを挟んで離間しており、互いに分離されている。

第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥは、溝ＧＲに向かって延在し、第２層間絶縁膜１１５の側面１１５Ｓを経由して第１層間絶縁膜１１４に形成されたコンタクトホールＣＨ内に延在し、コンタクトホールＣＨから露出していたスイッチング素子ＳＷのドレイン電極Ｄに電気的に接続されている。

各画素電極ＰＥのうち、スイッチング素子ＳＷと接続される部分については、カバー部材ＣＶによって覆われている。すなわち、カバー部材ＣＶは、各画素電極ＰＥに対応して個別に配置され、島状に形成されている。このカバー部材ＣＶは、画素電極ＰＥの上に配置されている。図示した例では、カバー部材ＣＶは、溝ＧＲにより露出した第１層間絶縁膜１１４には接しているが、第１層間絶縁膜１１４が無機化合物によって形成されたパッシベーション膜である場合には、カバー部材ＣＶは第１層間絶縁膜１１４に接していても水分拡散のパスを形成することはない。なお、カバー部材ＣＶは、第１層間絶縁膜１１４に接していなくても良い。

このようなカバー部材ＣＶは、第１実施形態と同様に無機化合物からなる絶縁材料によって形成されても良いし、第２実施形態と同様に有機化合物からなる絶縁材料によって形成されても良い。

第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を構成する有機層ＯＲＧは、各画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在している。つまり、有機層ＯＲＧは、各画素電極ＰＥ及び各カバー部材ＣＶを被覆するとともに、溝ＧＲにも延在し、画素電極ＰＥの間から露出した第１層間絶縁膜１１４も被覆している。

図９は、図８に示した第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の上面図である。なお、この図においては、有機層ＯＲＧ及び対向電極ＣＥについては第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の共通層であるため図示を省略し、画素電極ＰＥ及びコンタクトホールＣＨ周辺の構造を図示している。

第１層間絶縁膜１１４には、図示しないスイッチング素子ＳＷまで貫通したコンタクトホールＣＨが形成されている。このような第１層間絶縁膜１１４の上には、島状の第２層間絶縁膜１１５が配置されている。第２層間絶縁膜１１５の各々は、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の下地となる。

すなわち、第２層間絶縁膜１１５には、第１層間絶縁膜１１４及びコンタクトホールＣＨを露出する溝ＧＲが形成されている。溝ＧＲは、Ｘ方向及びＹ方向に延出し、格子状に形成されている。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の下地となる第２層間絶縁膜１１５に着目すると、四方に延出した枠状の溝ＧＲによって囲まれている。このような第２層間絶縁膜１１５は、溝ＧＲによって囲まれた四方に側面１１５Ｓを有している。このような側面１１５Ｓは、Ｘ方向及びＹ方向にそれぞれ延在している。

このような島状の第２層間絶縁膜１１５は、第１層間絶縁膜１１４の上において、Ｘ方向及びＹ方向にマトリクス状に配置されている。隣接する第２層間絶縁膜１１５の間からは、第１層間絶縁膜１１４及びコンタクトホールＣＨが露出している。

第２層間絶縁膜１１５の上に配置された第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、基本的には同一構造であり、Ｘ方向に並んでいる。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥは、島状の第２層間絶縁膜１１５の上に個別に配置され、互いに離間している。

各画素電極ＰＥは、略長方形状の反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴを有している。反射層ＰＥＲは、第２層間絶縁膜１１５の上に配置され、側面１１５Ｓには延在していない。透過層ＰＥＴは、反射層ＰＥＲに重なるとともに、その一部が側面１１５Ｓを経由してコンタクトホールＣＨ及びその周辺に延在している。コンタクトホールＣＨの略全体は、透過層ＰＥＴによって覆われている。この透過層ＰＥＴは、図示しないスイッチング素子ＳＷに接続されたコンタクト部ＰＥＣを有している。

カバー部材ＣＶは、少なくとも画素電極ＰＥのコンタクト部ＰＥＣをカバーしている。図示した例では、カバー部材ＣＶは、コンタクト部ＰＥＣのみならず、コンタクトホールＣＨの直上に位置する透過層ＰＥＴ及びコンタクトホールＣＨの周辺に延在した透過層ＰＥＴもカバーしており、さらに、透過層ＰＥＴよりも外側の第１層間絶縁膜１１４に接している。

このような第３実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。

加えて、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の下地となる第２層間絶縁膜１１５は、溝ＧＲによって分離されている。溝ＧＲは、第２層間絶縁膜１１５の下地である第１層間絶縁膜１１４まで貫通している。第１層間絶縁膜１１４は、無機化合物の絶縁材料によって形成されている。このため、第２層間絶縁膜１１５を介した水分拡散のパスが形成されないため、第１実施形態及び第２実施形態よりもさらに水分の拡散を抑制することが可能となる。これにより、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の水分による劣化を抑制することができる。

次に、この第３実施形態の変形例について説明する。

図８に示した例では、画素電極ＰＥを構成する反射層ＰＥＲは第２層間絶縁膜１１５の上にのみ配置され、透過層ＰＥＴは反射層ＰＥＲの上に配置されるとともに透過層ＰＥＴの一部が側面１１５Ｓを経由してコンタクトホールＣＨまで延在していたが、以下に説明する変形例では、画素電極ＰＥは、第２層間絶縁膜１１５の側面１１５Ｓをカバーし、溝ＧＲにおいて第１層間絶縁膜１１４に接している。なお、図１に示した例と同一構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。

図１０は、第３実施形態の第１変形例における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子ＳＷ及び第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を含む表示パネル１の断面図である。図１０に示した例は、図８に示した例と比較して、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３のそれぞれの下地となる第２層間絶縁膜１１５が画素電極ＰＥを構成する反射層ＰＥＲによって被覆されている点で相違している。

すなわち、画素電極ＰＥを構成する反射層ＰＥＲは、第２層間絶縁膜１１５の上に配置されるとともに側面１１５Ｓも覆っている。図示した例では、第２層間絶縁膜１１５の側面１１５Ｓのうち、Ｙ方向に延出した側面１１５Ｓのみが反射層ＰＥＲによって覆われているが、図示しないＸ方向に延出した側面１１５Ｓについても反射層ＰＥＲによって覆われている。側面１１５Ｓを覆った反射層ＰＥＲは、溝ＧＲから露出した第１層間絶縁膜１１４に接している。

画素電極ＰＥを構成する透過層ＰＥＴは、第２層間絶縁膜１１５の直上に位置する反射層ＰＥＲの上に配置され、その一部のみがコンタクトホールＣＨまで延在し、スイッチング素子ＳＷのドレイン電極Ｄに電気的に接続されている。

有機層ＯＲＧは、透過層ＰＥＴ及びカバー部材ＣＶの上に配置されるとともに、溝ＧＲから露出した第１層間絶縁膜１１４の上にも配置されている。この有機層ＯＲＧは、第２層間絶縁膜１１５の側面１１５Ｓには接していない。すなわち、有機層ＯＲＧと側面１１５Ｓとの間には、反射層ＰＥＲが介在している。対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。

図１１は、第３実施形態の第２変形例における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子ＳＷ及び第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を含む表示パネル１の断面図である。図１１に示した例は、図８に示した例と比較して、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３のそれぞれの下地となる第２層間絶縁膜１１５が画素電極ＰＥを構成する透過層ＰＥＴによって被覆されている点で相違している。

すなわち、画素電極ＰＥを構成する反射層ＰＥＲは、第２層間絶縁膜１１５の上に配置されている。画素電極ＰＥを構成する透過層ＰＥＴは、第２層間絶縁膜１１５の直上に位置する反射層ＰＥＲの上に配置されるとともに第２層間絶縁膜１１５の側面１１５Ｓも覆っている。図示した例では、第２層間絶縁膜１１５の側面１１５Ｓのうち、Ｙ方向に延出した側面１１５Ｓのみが透過層ＰＥＴによって覆われているが、図示しないＸ方向に延出した側面１１５Ｓについても透過層ＰＥＴによって覆われている。側面１１５Ｓを覆った透過層ＰＥＴは、溝ＧＲから露出した第１層間絶縁膜１１４に接している。この透過層ＰＥＴは、さらにその一部がコンタクトホールＣＨまで延在し、スイッチング素子ＳＷのドレイン電極Ｄに電気的に接続されている。

有機層ＯＲＧは、透過層ＰＥＴ及びカバー部材ＣＶの上に配置されるとともに、溝ＧＲから露出した第１層間絶縁膜１１４の上にも配置されている。この有機層ＯＲＧと側面１１５Ｓとの間には透過層ＰＥＴが介在し、有機層ＯＲＧが第２層間絶縁膜１１５の側面１１５Ｓに接することはない。対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。

図１２は、第３実施形態の第３変形例における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子ＳＷ及び第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を含む表示パネル１の断面図である。図１２に示した例は、図８に示した例と比較して、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３のそれぞれの下地となる第２層間絶縁膜１１５が画素電極ＰＥを構成する反射層ＰＥＲによって被覆されるとともにこの反射層ＰＥＲがさらに透過層ＰＥＴによって被覆されている点で相違している。

画素電極ＰＥを構成する透過層ＰＥＴは、第２層間絶縁膜１１５の直上に位置する反射層ＰＥＲの上に配置されるとともに側面１１５Ｓを覆っている反射層ＰＥＲもカバーし、その一部がコンタクトホールＣＨまで延在して、スイッチング素子ＳＷのドレイン電極Ｄに電気的に接続されている。

有機層ＯＲＧは、透過層ＰＥＴ及びカバー部材ＣＶの上に配置されるとともに、溝ＧＲから露出した第１層間絶縁膜１１４の上にも配置されている。この有機層ＯＲＧと側面１１５Ｓとの間には、反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴが介在しており、有機層ＯＲＧが第２層間絶縁膜１１５の側面１１５Ｓに接することはない。対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。

このような第１乃至第３変形例においても、上述した第３実施形態と同様の効果が得られる。

さらに、これらの第１乃至第３変形例によれば、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の下地となる第２層間絶縁膜１１５は、その側面１１５Ｓが画素電極ＰＥを構成する反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴの少なくとも一方によって覆われている。このため、第２層間絶縁膜１１５と有機層ＯＲＧとが接することはない。これにより、第２層間絶縁膜１１５への水分の拡散、あるいは、第２層間絶縁膜１１５から有機層ＯＲＧへの水分の拡散を抑制することができる。

次に、本実施形態における有機ＥＬ表示装置について、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの水分による耐久性を比較する実験を行った。

４００ｍｍ×５００ｍｍの長方形状のガラス基板からなる第１マザー基板の上にスイッチング素子ＳＷ、第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３などを形成した。この第１マザー基板には、アクティブエリア１０２の対角寸法が３．５型となるアレイ基板１００を形成するための領域が２４箇所形成される。なお、スイッチング素子ＳＷは、半導体層としてポリシリコン薄膜を備えた低温ポリシリコンＴＦＴとして構成されている。このような第１マザー基板を１１枚（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋ）準備した。

続いて、Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｅ、Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋの各第１マザー基板については、第３絶縁膜１１３の上にパッシベーション膜である第１層間絶縁膜１１４を形成し、さらに、この第１層間絶縁膜１１４の上に第２層間絶縁膜１１５を形成した。一方、Ｃ、Ｆ、Ｇの各第１マザー基板については、第３絶縁膜１１３の上には、パッシベーション膜を形成することなく第２層間絶縁膜１１５を形成した。なお、第１層間絶縁膜１１４は無機化合物によって形成し、第２層間絶縁膜１１５は有機化合物によって形成した。

Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｅの各第１マザー基板については、第１層間絶縁膜１１４及び第２層間絶縁膜１１５には、スイッチング素子ＳＷまで貫通したコンタクトホールＣＨが形成されている。Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋの各第１マザー基板については、第１層間絶縁膜１１４には、スイッチング素子ＳＷまで貫通したコンタクトホールＣＨが形成されており、第２層間絶縁膜１１５には、コンタクトホールＣＨ及び第１層間絶縁膜１１４を露出する溝ＧＲが格子状に形成され、第２層間絶縁膜１１５が島状に分離されている。Ｃ、Ｆ、Ｇの各第１マザー基板については、第２層間絶縁膜１１５には、スイッチング素子ＳＷまで貫通したコンタクトホールＣＨが形成されている。

続いて、Ａ乃至Ｋの１１枚の各第１マザー基板について、第２層間絶縁膜１１５の上に画素電極ＰＥを形成した。画素電極ＰＥは、２層積層構造であり、第２層間絶縁膜１１５の上に反射層ＰＥＲを形成し、この反射層ＰＥＲの上にＩＴＯからなる透過層ＰＥＴを積層した。各透過層ＰＥＴは、コンタクトホールＣＨ内に延在し、スイッチング素子ＳＷと画素電極ＰＥとが電気的に接続されている。

Ｈの第１マザー基板については、反射層ＰＥＲは、第２層間絶縁膜１１５の外周よりも内側に配置され、透過層ＰＥＴは、スイッチング素子ＳＷと導通する部分を除いて第２層間絶縁膜１１５の外周よりも内側に配置されている（図８に示した構成例に相当する）。

Ｉの第１マザー基板については、反射層ＰＥＲは、第２層間絶縁膜１１５の外周よりも外側まで延在し側面１１５Ｓをカバーするように配置され、透過層ＰＥＴは、スイッチング素子ＳＷと導通する部分を除いて第２層間絶縁膜１１５の外周よりも内側に配置されている（図１０に示した構成例に相当する）。

Ｊの第１マザー基板については、反射層ＰＥＲは、第２層間絶縁膜１１５の外周よりも内側に配置され、透過層ＰＥＴは、スイッチング素子ＳＷと導通する部分のみならず第２層間絶縁膜１１５の外周よりも外側まで延在し側面１１５Ｓをカバーするように配置されている（図１１に示した構成例に相当する）。

Ｋの第１マザー基板については、反射層ＰＥＲは、第２層間絶縁膜１１５の外周よりも外側まで延在し側面１１５Ｓをカバーするように配置され、透過層ＰＥＴも同様に、スイッチング素子ＳＷと導通する部分のみならず第２層間絶縁膜１１５の外周よりも外側まで延在し側面１１５Ｓをカバーするように配置されている（図１２に示した構成例に相当する）。

続いて、Ａの第１マザー基板には、画素電極ＰＥの周囲を取り囲むように格子状に厚さ２μｍの隔壁を形成した。この隔壁は、樹脂材料によって形成され、画素電極ＰＥとスイッチング素子ＳＷとが導通する画素電極ＰＥのコンタクト部ＰＥＣを覆っている。

一方、Ｂ乃至Ｋの１０枚の第１マザー基板については、隔壁を形成することなく、画素電極ＰＥとスイッチング素子ＳＷとが導通する画素電極ＰＥのコンタクト部ＰＥＣは、カバー部材ＣＶによってカバーした。

Ｂ及びＣの各第１マザー基板については、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコン（ＳｉＮ）の薄膜を形成した後に、フォトリソグラフィプロセスを経て薄膜を島状にパターニングし、コンタクト部ＰＥＣをカバーするカバー部材ＣＶを形成した（第１層間絶縁膜１１４を有するＢが図１に示した構成例に相当する）。

Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇの各第１マザー基板については、インクジェット方式によりコンタクトホールＣＨによって形成された凹所を樹脂材料により穴埋めし、コンタクト部ＰＥＣをカバーするカバー部材ＣＶを形成した。なお、Ｄ及びＦの各第１マザー基板については、カバー部材ＣＶは、画素電極ＰＥの外周よりも外側に広がり、第２層間絶縁膜１１５と接している（第１層間絶縁膜１１４を有するＤが図７に示した構成例に相当する）。また、Ｅ及びＧの各第１マザー基板については、カバー部材ＣＶは、画素電極ＰＥの外周よりも内側に留まり、第２層間絶縁膜１１５とは接していない（第１層間絶縁膜１１４を有するＤが図４及び図６に示した構成例に相当する）。

Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋの各第１マザー基板については、インクジェット方式によりコンタクトホールＣＨによって形成された凹所を樹脂材料により穴埋めし、コンタクト部ＰＥＣをカバーするカバー部材ＣＶを形成した。

続いて、Ａの第１マザー基板を抵抗加熱方式の有機ＥＬ成膜装置にセットし、画素電極ＰＥの上に有機ＥＬ材料として、ホール輸送層を形成し、このホール輸送層の上に発光層を形成し、発光層の上に電子輸送層を形成し、さらに、電子輸送層の上に電子注入層を形成し、この電子注入層の上にマグネシウム・銀を用いて対向電極ＣＥを形成した。なお、発光層を形成する際には、高精度のメタルマスクを用いて、塗りわけを行い、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１については赤色に発光する赤色発光層を形成し、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２については緑色に発光する赤色発光層を形成し、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３については青色に発光する赤色発光層を形成した。

一方で、Ｂ乃至Ｋの１０枚の第１マザー基板については、それぞれ抵抗加熱方式の有機ＥＬ成膜装置にセットし、画素電極ＰＥの上に有機ＥＬ材料として、ホール輸送層を形成し、このホール輸送層の上に、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３が各々形成される領域の全面に亘って赤色に発光する第１ドーパント材料を含む赤色発光層を形成した後、一旦有機ＥＬ成膜装置から取り出し、フォトマスクを介して第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３が形成される領域に主波長が３６５ｎｍの紫外光を照射し、これらの領域に形成された赤色発光層に含まれる第１ドーパント材料が発光しないようにした。

その後、Ｂ乃至Ｋの１０枚の第１マザー基板のそれぞれを再び有機ＥＬ成膜装置にセットして、赤色発光層の上に、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３が各々形成される領域の全面に亘って緑色に発光する第２ドーパント材料を含む緑色発光層を形成した後、一旦有機ＥＬ成膜装置から取り出し、フォトマスクを介して第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３が形成される領域に主波長が３６５ｎｍの紫外光を照射し、この領域に形成された緑色発光層に含まれる第２ドーパント材料が発光しないようにした。

さらに、Ｂ乃至Ｋの１０枚の第１マザー基板のそれぞれを再び有機ＥＬ成膜装置にセットして、緑色発光層の上に、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３が各々形成される領域の全面に亘って青色に発光する第３ドーパント材料を含む青色発光層を形成した後、青色発光層の上に電子輸送層を形成し、さらに、電子輸送層の上に電子注入層を形成し、その後、この電子注入層の上にマグネシウム・銀を用いて対向電極ＣＥを形成した。

一方、封止基板２００として、ガラス基板からなる第２マザー基板を用意した。この第２マザー基板の上には、シール材としてディスペンサーを用いて紫外線硬化型樹脂を塗布した。この第２マザー基板は、第１マザー基板に貼りあわせられる。その後、シール材となる紫外線硬化型樹脂に紫外線が照射され、紫外線硬化型樹脂を硬化させた。なお、第１マザー基板と第２マザー基板との間には、乾燥剤は設置していない。

そして、第１マザー基板と第２マザー基板とが貼り合わせられた基板対について、２４個の表示パネル１に割断した後、各表示パネル１に信号供給源を実装した。

Ａの第１マザー基板から取り出された２４個の表示パネル１をＡグループとし、同様に、Ｂ乃至Ｋの各第１マザー基板から取り出された各々２４個の表示パネル１をそれぞれＢ乃至Ｋグループとした。

続いて、Ａ乃至Ｋの各グループの全ての表示パネルを高温高湿槽（温度；８５℃、相対湿度；８５％）の中に投入して放置し、所定時間が経過する毎に取り出して点灯検査を施した。点灯検査としては、これらの各表示パネルに電源を供給して点灯させ、それぞれの点灯状態を目視にて観察して、ダークスポットが発生したパネル枚数を計数した。この結果を図１３に示す。

第１層間絶縁膜１１４を有し、カバー部材を形成する代わりに画素電極ＰＥを囲む格子状の隔壁を備えたＡグループについては、２０時間経過後に２４枚のうちの７枚の表示パネルでダークスポットが発生し、２５時間経過後には２４枚のうちの２３枚の表示パネルでダークスポットが発生し、３０時間経過後には２４枚すべての表示パネルでダークスポットが発生した。

隔壁を省略し、無機化合物によって形成したカバー部材ＣＶを備えたＢグループ及びＣグループについては、Ａグループよりも水分拡散が抑制され、ダークスポットの成長の抑制が可能であることを確認できた。

すなわち、第１層間絶縁膜１１４を有し、無機化合物からなるカバー部材ＣＶがコンタクトホールＣＨの上をカバーするＢグループについては、３０時間経過後に２４枚のうちの１枚の表示パネルでダークスポットが発生し、３５時間経過後に２４枚のうちの４枚、４０時間経過後に２４枚のうちの１０枚、４５時間経過後に２４枚のうちの２０枚、５０時間経過後に２４枚すべての表示パネルでダークスポットが発生した。

また、第１層間絶縁膜１１４を省略し、無機化合物からなるカバー部材ＣＶがコンタクトホールＣＨの上をカバーするＣグループについては、３０時間経過後に２４枚のうちの１枚の表示パネルでダークスポットが発生し、３５時間経過後に２４枚のうちの５枚、４０時間経過後に２４枚のうちの１３枚、４５時間経過後に２４枚のうちの２１枚、５０時間経過後に２４枚すべての表示パネルでダークスポットが発生した。このように、隔壁を省略し、無機化合物からなるカバー部材ＣＶを備えたことにより、パッシベーション膜である第１層間絶縁膜１１４の有無にかかわらず、有機ＥＬ素子の水分による劣化が抑制できた。

隔壁を省略し、有機化合物によって形成したカバー部材ＣＶを備えたＤグループ、Ｅグループ、Ｆグループ、及び、Ｇグループの各々についても、Ａグループよりも水分拡散が抑制され、ダークスポットの成長の抑制が可能であることを確認できた。

すなわち、第１層間絶縁膜１１４を有し、有機化合物からなるカバー部材ＣＶがコンタクトホールＣＨの上をカバーするとともにカバー部材ＣＶの一部が第２層間絶縁膜１１５に接触しているＤグループについては、３０時間経過後に２４枚のうちの２枚の表示パネルでダークスポットが発生し、３５時間経過後に２４枚のうちの７枚、４０時間経過後に２４枚のうちの１５枚、４５時間経過後に２４枚のうちの２２枚、５０時間経過後に２４枚すべての表示パネルでダークスポットが発生した。

また、第１層間絶縁膜１１４を有し、有機化合物からなるカバー部材ＣＶがコンタクトホールＣＨの上をカバーするとともにカバー部材ＣＶが第２層間絶縁膜１１５に非接触のＥグループについては、３５時間経過後に２４枚のうちの２枚の表示パネルでダークスポットが発生し、４５時間経過後に２４枚のうちの７枚、５０時間経過後に２４枚のうちの１６枚の表示パネルでダークスポットが発生した。

また、第１層間絶縁膜１１４を省略し、有機化合物からなるカバー部材ＣＶがコンタクトホールＣＨの上をカバーするとともにカバー部材ＣＶの一部が第２層間絶縁膜１１５に接触しているＦグループについては、３０時間経過後に２４枚のうちの１枚の表示パネルでダークスポットが発生し、３５時間経過後に２４枚のうちの６枚、４０時間経過後に２４枚のうちの１３枚、４５時間経過後に２４枚のうちの２２枚、５０時間経過後に２４枚すべての表示パネルでダークスポットが発生した。

また、第１層間絶縁膜１１４を省略し、有機化合物からなるカバー部材ＣＶがコンタクトホールＣＨの上をカバーするとともにカバー部材ＣＶが第２層間絶縁膜１１５に非接触のＧグループについては、３５時間経過後に２４枚のうちの１枚の表示パネルでダークスポットが発生し、４０時間経過後に２４枚のうちの２枚、４５時間経過後に２４枚のうちの６枚、５０時間経過後に２４枚のうちの１５枚の表示パネルでダークスポットが発生した。

このように、隔壁を省略し、有機化合物からなるカバー部材ＣＶを備えたことにより、パッシベーション膜である第１層間絶縁膜１１４の有無にかかわらず、有機ＥＬ素子の水分による劣化が抑制できた。また、特に、カバー部材ＣＶが第２層間絶縁膜１１５と接していないＥグループ及びＧグループについては、カバー部材ＣＶが第２層間絶縁膜１１５と接しているＤグループ及びＦグループよりも、水分の拡散が抑制され、より有機ＥＬ素子の劣化が抑制できることが確認された。

隔壁を省略し、第１層間絶縁膜１１４を有するとともに第２層間絶縁膜１１５を溝ＧＲによって分離し、有機化合物によって形成したカバー部材ＣＶを備えたＨグループ、Ｉグループ、Ｊグループ、及び、Ｋグループの各々についても、Ａグループよりも水分拡散が抑制され、ダークスポットの成長の抑制が可能であることを確認できた。

すなわち、反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴが第２層間絶縁膜１１５の外周よりも内側に配置されたＨグループについては、４０時間経過後に２４枚のうちの３枚の表示パネルでダークスポットが発生し、４５時間経過後に２４枚のうちの５枚、５０時間経過後に２４枚うちの７枚の表示パネルでダークスポットが発生した。

また、反射層ＰＥＲが第２層間絶縁膜１１５をカバーし、透過層ＰＥＴが第２層間絶縁膜１１５の外周よりも内側に配置されたＩグループについては、４５時間経過後に２４枚のうちの２枚の表示パネルでダークスポットが発生し、５０時間経過後に２４枚のうちの５枚の表示パネルでダークスポットが発生した。

また、反射層ＰＥＲが第２層間絶縁膜１１５の外周よりも内側に配置され、透過層ＰＥＴが第２層間絶縁膜１１５をカバーするＪグループについては、４５時間経過後に２４枚のうちの２枚の表示パネルでダークスポットが発生し、５０時間経過後に２４枚のうちの４枚の表示パネルでダークスポットが発生した。

また、反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴが第２層間絶縁膜１１５をカバーするＫグループについては、４５時間経過後に２４枚のうちの１枚の表示パネルでダークスポットが発生し、５０時間経過後に２４枚のうちの３枚の表示パネルでダークスポットが発生した。

このように、隔壁を省略し、第２層間絶縁膜１１５を溝ＧＲによって分離し、有機化合物からなるカバー部材ＣＶを備えたことにより、水分の拡散経路が遮断され、第２層間絶縁膜１１５を溝によって分離していないＡ乃至Ｇの各グループよりも、水分の拡散が抑制され、より有機ＥＬ素子の劣化が抑制できることが確認された。

また、特に、画素電極ＰＥを構成する反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴの少なくとも一方により島状の第２層間絶縁膜１１５の側面１１５ＳまでカバーしたＩ乃至Ｋの各グループについては、第２層間絶縁膜１１５の側面１１５Ｓが画素電極ＰＥによってカバーされることなく有機層ＯＲＧが接するＨグループと比較して、さらに水分の拡散が抑制され、より有機ＥＬ素子の劣化が抑制できることが確認された。

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

本実施形態は、有機ＥＬ装置として、有機ＥＬ表示装置について説明したが、有機ＥＬ照明や有機ＥＬプリンターヘッドなどにも利用可能である。

また、本実施形態では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが反射層ＰＥＲを含むトップエミッションタイプである場合について説明したが、反射層を含まない画素電極ＰＥを備えたボトムエミッションタイプの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを適用しても良い。

１…表示パネル
ＯＬＥＤ１…第１有機ＥＬ素子
ＯＬＥＤ２…第２有機ＥＬ素子
ＯＬＥＤ３…第３有機ＥＬ素子
１０１…絶縁基板
１１１…第１絶縁膜１１２…第２絶縁膜１１３…第３絶縁膜
１１４…第１層間絶縁膜１１５…第２層間絶縁膜ＣＨ…コンタクトホール
ＳＷ…スイッチング素子
ＰＥ…画素電極ＰＥＣ…コンタクト部ＰＥＲ…反射層ＰＥＴ…透過層
ＯＲＧ…有機層ＣＥ…対向電極
ＣＶ…カバー部材

Claims

絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置された第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子と、
前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子の上方に配置され、前記第１スイッチング素子に到達する第１コンタクトホール及び前記第２スイッチング素子に到達する第２コンタクトホールが形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に配置され、前記第１コンタクトホール内に延在し前記第１スイッチング素子に電気的に接続された第１コンタクト部を有する第１画素電極と、
前記絶縁膜の上において前記第１画素電極から離間して配置され、前記第２コンタクトホール内に延在し前記第２スイッチング素子に電気的に接続された第２コンタクト部を有する第２画素電極と、
前記第１コンタクト部及び前記第２コンタクト部をそれぞれカバーする絶縁材料によって形成されたカバー部材と、
前記第１画素電極、前記第２画素電極、前記カバー部材、及び、前記第１画素電極と前記第２画素電極との間の前記絶縁膜の上に延在した有機層と、
前記有機層の上に配置された対向電極と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
前記カバー部材は、前記第１コンタクト部及び前記第２コンタクト部の上に充填された有機化合物によって形成され、前記第１画素電極及び前記第２画素電極の各々よりも上方に向かって突出したドーム型であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
前記カバー部材は、それぞれ前記第１画素電極の上及び前記第２画素電極の上に留まり、前記絶縁膜に接していないことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の上方に配置され、前記スイッチング素子に到達するコンタクトホールが形成された第１層間絶縁膜と、
前記第１層間絶縁膜の上に配置され、前記第１層間絶縁膜及び前記コンタクトホールを露出する枠状の溝によって囲まれた側面を有する第２層間絶縁膜と、
前記第２層間絶縁膜の上に配置され、前記第２層間絶縁膜の前記側面から前記コンタクトホール内に延在し前記スイッチング素子に電気的に接続されたコンタクト部を有する画素電極と、
前記コンタクト部をカバーする絶縁材料によって形成されたカバー部材と、
前記画素電極、前記カバー部材、及び、前記溝に延在した有機層と、
前記有機層の上に配置された対向電極と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
前記画素電極は、前記第２層間絶縁膜の側面をカバーし、前記溝において前記第１層間絶縁膜に接していることを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ装置。