JP2011098667A - 状態検出装置及びそれを用いたバックル装置 - Google Patents

Abstract

【課題】外部磁場を受けた場合でもその影響を相殺して状態検出を行なうことができる状態検出装置及びそれを用いたバックル装置を提供する。
【解決手段】状態検出装置であるバックルスイッチ２は、筐体であるハウジング２０１と、このハウジング２０１により移動可能に支持されるスライド部２０２と、スライド部２０２に連動して移動する永久磁石であるマグネット２０３と、マグネット２０３の第１の移動位置に対応して配置された第１の磁気検出器としてのＧＭＲセンサ２１０Ａと、マグネット２０３の第２の移動位置に対応して配置され、ＧＭＲセンサ２１０Ａと直列に接続された第２の磁気検出器としてのＧＭＲセンサ２１０Ｂと、この第１及び第２の磁気検出器にバイアス磁界を与えるバイアス磁石２１２と、を有し、ＧＭＲセンサ２１０ＡとＧＭＲセンサ２１０Ｂの接続部での出力をマグネット２０３の移動する位置状態として検出する構成とする。
【選択図】図３

Description

本発明は、状態検出装置及びそれを用いたバックル装置に関する。

車両には、着座した乗員の身体を安全のために拘束するシートベルト装置が設けられている。シートベルト装置のウエビング巻取装置から引き出されたウエビングは車両のセンターピラー上方に設けられたスルーアンカに形成されたスリット状の挿通孔を貫通して車両下方側へ折り返され、その先端部はウエビング巻取装置の近傍に設けられたアンカに固定される。また、アンカに固定されたウエビングの先端部と、スルーアンカでの折り返し部分との間でウエビングにはタングが設けられている。このタングのタングプレートは、バックル装置の装置本体に挿入され保持されることにより乗員の身体を拘束する。

ここで、バックル装置には、上記タングプレートが装置本体に挿入され保持されたことを検出するための状態検出装置が設けられている。この状態検出装置は、タングプレートのバックル本体内でのスライド位置状態を検出するもので、バックルスイッチと呼ばれる。例えば、バックル本体に、ホールＩＣを有する第１及び第２スイッチ回路が実装されたプリント基板と、この第１及び第２スイッチ回路に接触又は非接触で対向するマグネットが取り付けられたスライダーとを設け、バックルにタングプレートが挿入されたときに、タングプレートに押されてスライダーがバックル内方に移動し、マグネットが第２スイッチ回路に接触又は近接した後、第１スイッチ回路に近接するとタングプレートがバックルにラッチされるよう構成されている状態検出装置を備えたバックル装置がある（例えば、特許文献１参照）。

このバックル装置によれば、タングプレートをバックル本体に挿入する前の状態から挿入中でラッチ前の状態を経て、ラッチ後の状態までの動作やその反対の動作を確実に検出できるとされている。

特開２００１−２６０８１７号公報

しかし、上記示したバックル装置は、状態検出装置が外部磁場を受けた場合に磁界の向きや磁束密度が変化して出力異常を起こす心配があり、その結果としてタングプレートの挿入状態を正確に検知できないという問題があった。

従って、本発明の目的は、外部磁場を受けた場合でもその影響を相殺して状態検出を行なうことができる状態検出装置及びそれを用いたバックル装置を提供することにある。

［１］本発明は、上記目的を達成するため、筐体と、前記筐体により移動可能に支持されるスライド部と、前記スライド部に連動して移動する永久磁石と、前記永久磁石の第１の移動位置に対応して配置された第１の磁気検出器と、前記永久磁石の第２の移動位置に対応して配置され、前記第１の磁気検出器と直列に接続された第２の磁気検出器と、前記第１及び第２の磁気検出器にバイアス磁界を与えるバイアス磁石と、を有し、前記第１の磁気検出器と前記第２の磁気検出器の前記接続部での出力を前記永久磁石の移動する位置状態として検出することを特徴とする状態検出装置を提供する。

［２］前記第１及び第２の磁気検出器は、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistance：巨大磁気抵抗素子）センサであることを特徴とする上記［１］に記載の状態検出装置であってもよい。

［３］本発明は、上記目的を達成するため、車両のシートベルト装置のウエビングに設けられたタングプレートの挿入及び保持が可能な装置本体と、前記装置本体内に載置される上記［１］又は［２］の状態検出装置と、を有することを特徴とするバックル装置を提供する。

［４］また、本発明は、上記目的を達成するため、車両のシートベルト装置のウエビングに設けられたタングプレートの挿入及び保持が可能な装置本体と、前記装置本体において移動可能に支持されるスライド部と、前記スライド部に連動して移動する永久磁石と、前記永久磁石の第１の移動位置に対応して配置された第１の磁気検出器と、前記永久磁石の第２の移動位置に対応して配置され、前記第１の磁気検出器と直列に接続された第２の磁気検出器と、前記第１及び第２の磁気検出器にバイアス磁界を与えるバイアス磁石と、を有し、前記第１の磁気検出器と前記第２の磁気検出器の前記接続部での出力を前記永久磁石の移動する位置状態として検出することを特徴とするバックル装置を提供する。

［５］前記第１及び第２の磁気検出器は、ＧＭＲセンサであることを特徴とする上記［４］に記載のバックル装置であってもよい。

本発明の一形態によれば、外部磁場を受けた場合でもその影響を相殺して状態検出を行なうことができる状態検出装置及びそれを用いたバックル装置を提供することができる。

図１は、本発明の実施の形態に係るバックル装置の分解斜視図である。 図２は、タングプレートがバックル本体に挿入される前の状態を示すバックル装置の断面図である。 図３（ａ）は、タングプレートがバックル本体に挿入される前の状態を示す状態検出装置の断面図であり、（ｂ）は、タングプレートがバックル本体に挿入され、マグネットがロック位置までスライドした状態を示す状態検出装置の断面図である。 図４（ａ）は、タングプレートがバックル本体に挿入される前の状態を示す状態検出装置の断面図であり、（ｂ）は、ＧＭＲセンサの接続状態を示す回路図であって、マグネットとＧＭＲセンサとの位置関係が図４（ａ）の場合の抵抗値を示す図であり、（ｃ）は、磁束密度ＢとＧＭＲセンサの抵抗値との関係を示す特性図であり、マグネットとＧＭＲセンサとの位置関係が図４（ａ）の場合の各ＧＭＲセンサの抵抗値Ｒをグラフ上にプロットした図である。 図５（ａ）は、タングプレートがバックル本体に挿入された後の状態を示す状態検出装置の断面図であり、（ｂ）は、ＧＭＲセンサの接続状態を示す回路図であって、マグネットとＧＭＲセンサとの位置関係が図５（ａ）の場合の抵抗値を示す図であり、（ｃ）は、磁束密度ＢとＧＭＲセンサの抵抗値との関係を示す特性図であり、マグネットとＧＭＲセンサとの位置関係が図５（ａ）の場合の各ＧＭＲセンサの抵抗値をグラフ上にプロットした図である。 図６（ａ）は、タングプレートがバックル本体に挿入される前の状態を示す状態検出装置の断面図であって、上から下方向に外部磁場が作用している場合を示す図であり、（ｂ）は、磁束密度ＢとＧＭＲセンサの抵抗値との関係を示す特性図であり、上から下方向に外部磁場が作用している図６（ａ）の場合の各ＧＭＲセンサの抵抗値Ｒをグラフ上にプロットした図である。 図７（ａ）は、タングプレートがバックル本体に挿入される前の状態を示す状態検出装置の断面図であって、下から上方向に外部磁場が作用している場合を示す図であり、（ｂ）は、磁束密度ＢとＧＭＲセンサの抵抗値との関係を示す特性図であり、下から上方向に外部磁場が作用している図７（ａ）の場合の各ＧＭＲセンサの抵抗値をグラフ上にプロットした図である。 図８（ａ）、図８（ｂ）は、各ＧＭＲセンサにそれぞれバイアス磁石を設けた別構成例であり、それぞれ図３（ａ）図３（ｂ）相当図である。

（本発明の実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態に係るバックル装置１の分解斜視図である。バックル装置１は、車両のシートベルト装置のウエビングに設けられたタングプレート１３０の挿入及び保持が可能な装置本体と、この装置本体内に配置され、スライド位置の状態を検出する状態検出装置としてのバックルスイッチ２と、を有する。この状態検出装置であるバックルスイッチ２は、筐体であるハウジング２０１と、このハウジング２０１により移動可能に支持されるスライド部２０２と、スライド部２０２に連動して移動する永久磁石であるマグネット２０３と、マグネット２０３の第１の移動位置に対応して配置された第１の磁気検出器としてのＧＭＲセンサ２１０Ａと、マグネット２０３の第２の移動位置に対応して配置され、ＧＭＲセンサ２１０Ａと直列に接続された第２の磁気検出器としてのＧＭＲセンサ２１０Ｂと、この第１及び第２の磁気検出器にバイアス磁界を与えるバイアス磁石２１２と、を有し、ＧＭＲセンサ２１０ＡとＧＭＲセンサ２１０Ｂの接続部での出力をマグネット２０３の移動する位置状態として検出する構成とされている。

図２は、タングプレートがバックル本体に挿入される前の状態を示すバックル装置１の断面図である。バックル装置１は装置本体を構成するケース１４を備えている。ケース１４は長手方向両端が開口した箱形の筒状部材とされており、その長手方向一端側の開口はアンカ挿入口１６とされ、長手方向他端側の開口はタング挿入口１８とされている。また、ケース１４の内側にはケースと共に装置本体を構成するベース２０が収容されている。

図１及び図２に示されるように、ベース２０はケース１４の長手方向に沿って長手とされた平板状の底板２２を備えている。底板２２の長手方向一端側にはアンカ部材としての略板状のアンカプレート２４が重ね合わされており、図示しないリベットにより底板２２とアンカプレート２４とが機械的に連結されている。アンカプレート２４はその他端側が車両の座席の側方で車体（図示省略）に固定されており、これによりバックル装置１が車両に取り付けられている。

一方、底板２２の幅方向両端部からは底板２２の厚さ方向に側壁３２が立設されており、側壁３２の間には移動体としてのイジェクタ３４が配置されている。イジェクタ３４の一部は底板２２に形成されたガイド孔３６に係合しており、ガイド孔３６に沿って底板２２の長手方向に所定の範囲だけスライド可能とされている。このイジェクタ３４は、イジェクタ用スプリング２０６を介してハウジング２０１側から底板２２の長手方向他端側へ付勢されている。

また、底板２２には、バックルスイッチ２が取り付けられ、図２に示すように、ハウジング２０１の開口部側に位置するスライド部２０２の端面はイジェクタ３４の押圧突起部３４ａと当接した状態で取り付けられている。従って、イジェクタ３４は、ストローク用スプリング２０４及びイジェクタ用スプリング２０６により底板２２の長手方向他端側へ付勢されている。

図３（ａ）は、タングプレート１３０がバックル本体に挿入される前の状態を示すバックルスイッチ２の断面図である。本バックル装置１は状態検出装置としてのバックルスイッチ２を備えている。バックルスイッチ２は、筐体としてのハウジング２０１と、このハウジング２０１により直線的に移動可能に支持されるスライド部２０２と、スライド部２０２に連動して直線移動する永久磁石であるマグネット２０３と、マグネット２０３とハウジング２０１の間に介在する弾性部材としてのストローク用スプリング２０４、及び、マグネット２０３からの磁束密度の変化を検出する磁気検出器としてのＧＭＲ（Giant Magneto Resistance：巨大磁気抵抗素子）センサ２１０Ａ、２１０Ｂを有して構成されている。

ハウジング２０１は、例えば、樹脂等の非磁性材料により形成される。一端に開口部２０１ａを有する円筒、角筒等の筒形状であって、内空部に、スライド部２０２及びマグネット２０３をスライド可能に収容する。マグネット２０３とハウジング２０１の底部２０１ｂとの間にはストローク用スプリング２０４が伸長状態で配置されている。

ここで、ストローク用スプリング２０４は、コイルスプリングであり、その近傍にマグネット２０３が配置されることから、オーステナイト系ステンレス等の非磁性材料を使用するのが好ましい。また、上記したコイルスプリング以外にゴム等の弾性部材を使用することも可能である。尚、イジェクタ用スプリング２０６よりもストローク用スプリング２０４のバネ定数を小さく設定すれば、バックル装着動作時は従来と同様の装着動作が可能となり、良好なバックル装着感が得られる。

マグネット２０３は、スライド部２０２に固定されてスライド部２０２の移動に伴い連動してスライドする。材質としては、フェライト、希土類、ネオジウム系等の種々の永久磁石が使用可能である。また、その外周は樹脂モールドにより被覆することができる。このマグネット２０３は、タングプレート１３０の移動を検知するため、タングプレート１３０、スライド部２０２の移動に連動したマグネット２０３の磁界変化により、近傍に配置される磁気検出器に磁束密度の変化を与える。着磁方向は、スライド方向又はこれと直交する方向のどちらでも使用可能であるが、本実施の形態では、図３（ａ）に示すように、スライド方向と直交する方向、すなわち、上下方向に着磁方向が設定されている。

また、後述するＧＭＲセンサ２１０Ａ、２１０Ｂに対してバイアス磁界をかけるためのバイアス磁石２１２を備える。このバイアス磁石２１２は、図１〜３等に示すように、ＧＭＲセンサ２１０Ａ、２１０Ｂの下方に配置され、ケース１４に固定されている。着磁方向は、上記したマグネット２０３と同方向であり、図３等に示すように、ＧＭＲセンサ２１０Ａ、２１０Ｂ側がＳ極とされており、従って、ＧＭＲセンサ２１０Ａ、２１０Ｂには、マグネット２０３とバイアス磁石２１２から同じ方向に磁束が通過する構成となっている。

バイアス磁石２１２は、図３等に示すように、イジェクタ３４、スライド部２０２の移動に伴うマグネット２０３のスライド移動による位置状態を検出するように配置されたＧＭＲセンサ２１０Ａ、２１０Ｂの検出領域に対してバイアス磁界をかける様に、所定の大きさに設定されている。すなわち、バイアス磁石２１２は、例えば、図３（ａ）に示すような長尺状（棒状）で、配置されたＧＭＲセンサ２１０Ａ、２１０Ｂの両方の検出領域を覆う程度の長さに形成されている。

ＧＭＲセンサ２１０Ａ、２１０Ｂは、磁場の向きの変化、あるいは、磁束密度の変化を検出する。このＧＭＲセンサ２１０Ａ、２１０Ｂは、ＧＭＲセンサを構成する抵抗チップの面方向の磁場の変化により抵抗値が変化する。従って、図１〜３等に示すように、ＧＭＲセンサ２１０Ａ、２１０Ｂが基板２１１に実装された状態で、マグネット２０３の磁束がＧＭＲセンサ２１０Ａ、２１０Ｂの内部の抵抗チップを主に面方向に横切るように、基板を立てた状態で配置されている。

このＧＭＲセンサ２１０Ａ、２１０Ｂとマグネット２０３の位置関係を、図３（ａ）及び図３（ｂ）で説明する。図３（ａ）は、タングプレートがバックル本体に挿入される前の状態（バックル未装着状態）を示す状態検出装置の断面図である。また、図３（ｂ）は、タングプレートがバックル本体に挿入され、マグネットがロック位置までスライドした状態（バックル装着状態）を示す状態検出装置の断面図である。ここで、図３（ａ）に示すバックル未装着状態でのマグネット２０３の位置を第１の移動位置とし、この第１の移動位置の下方にＧＭＲセンサ２１０Ａが第１の磁気検出器として載置されている。また、図３（ｂ）に示すバックル装着状態でのマグネット２０３の位置を第２の移動位置とし、この第２の移動位置の下方にＧＭＲセンサ２１０Ｂが第２の磁気検出器として載置されている。

図４（ａ）は、タングプレートがバックル本体に挿入される前の状態（バックル未装着状態）を示す状態検出装置の断面図である。図４（ｂ）は、ＧＭＲセンサの接続状態を示す回路図であって、このバックル未装着状態のときの抵抗値の状態を示す図である。また、図４（ｃ）は、磁束密度ＢとＧＭＲセンサの抵抗値Ｒとの関係を示す特性図であり、マグネットとＧＭＲセンサとの位置関係が図４（ａ）の場合のそれぞれのＧＭＲセンサの抵抗値をグラフ上にプロットした図である。尚、図４（ｃ）に示す特性は、バイアス磁石２１２によるバイアス磁界が作用しているので、ＧＭＲセンサの動作範囲においてはリニアな特性を示す。

図４（ｂ）に示すように、第１の磁気検出器であるＧＭＲセンサ２１０Ａの一端はグランド（ＧＮＤ）に接続されると共に、他端は第２の磁気検出器であるＧＭＲセンサ２１０Ｂに接続され、このＧＭＲセンサ２１０Ｂのもう一方の端部は電源側に接続されている。ＧＭＲセンサ２１０ＡとＧＭＲセンサ２１０Ｂの接続部を出力部２２０として出力信号が出力される構成とされている。図４（ａ）に示すように、ＧＭＲセンサ２１０Ａの上方にはマグネット２０３が位置しており、これによりＧＭＲセンサ２１０Ａ内を磁束が通過して抵抗値が低下する。一方、ＧＭＲセンサ２１０Ｂにはマグネット２０３からの磁界が及ばないので抵抗値に変化はない。従って、出力部２２０での出力信号はＬｏレベルとなる。これをプロットすると図４（ｃ）のようになり、ＧＭＲセンサ２１０Ａの抵抗値はＧＭＲセンサ２１０Ｂの抵抗値よりも、マグネット２０３からの磁束密度に対応した分だけ低下した値となっている。

図５（ａ）は、タングプレートがバックル本体に挿入された後の状態（バックル装着状態）を示す状態検出装置の断面図である。図５（ｂ）は、ＧＭＲセンサの接続状態を示す回路図であって、このバックル装着状態のときの抵抗値の状態を示す図である。また、図５（ｃ）は、磁束密度ＢとＧＭＲセンサの抵抗値Ｒとの関係を示す特性図であり、マグネットとＧＭＲセンサとの位置関係が図５（ａ）の場合のそれぞれのＧＭＲセンサの抵抗値をグラフ上にプロットした図である。

ここで、図５（ａ）に示すように、ＧＭＲセンサ２１０Ｂの上方にはマグネット２０３が位置しており、これによりＧＭＲセンサ２１０Ｂ内を磁束が通過して抵抗値が低下する。一方、ＧＭＲセンサ２１０Ａにはマグネット２０３からの磁界が及ばないので抵抗値に変化はない。従って、出力部２２０での出力信号はＨｉレベルとなる。これをプロットすると図５（ｃ）のようになり、ＧＭＲセンサ２１０Ｂの抵抗値はＧＭＲセンサ２１０Ａの抵抗値よりも、マグネット２０３からの磁束密度に対応した分だけ低下した値となっている。

従って、出力部２２０における出力がＨｉレベルかＬｏレベルかどうかを検出することにより、図４（ａ）に示すバックル非装着状態か図５（ａ）に示すバックル装着状態かを容易に判断することができる。

尚、上記のＧＭＲセンサ以外でも、例えば、ＭＲ（Magneto Resistance：磁気抵抗素子）センサ、ホール素子等が磁気検出器として使用できる。このＧＭＲセンサ２１０Ａ、２１０Ｂは、図２等に示すように、基板２１１に実装された状態で、ケース１４に取り付けられるが、ＧＭＲセンサ２１０Ａ、２１０Ｂは、ケース１４以外に、例えば、底板２２に取り付けられてもよい。また、バックルスイッチ２のハウジング２０１に取り付けられてもよく、この場合には、ハウジング２０１に検出対象であるマグネット２０３と検出器であるＧＭＲセンサ２１０Ａ、２１０Ｂを備え、これのみで完成した検出器ユニットを構成することができる。

以下において、バックル未装着状態からバックル装着状態までのメカ動作を説明する。図１に示されるように、上記した側壁３２の間には底板２２の長手方向他端側からタングプレート１３０が挿入される。タングプレート１３０は金属板材により形成された基部１３２を備えている。基部１３２にはタングプレート１３０が側壁３２の間に挿入された状態で側壁３２の対向方向に沿って長手となるスリット孔１３４が形成されており、長尺帯状のウエビングベルト１４０の長手方向中間部が挿通される。

ウエビングベルト１４０はその基端部が図示しないウエビング巻取装置の巻取軸に係止されており、ウエビングベルト１４０を巻き取る方向へ巻取軸を付勢するための渦巻きコイルばね等の巻取軸付勢手段の収納付勢力がウエビングベルト１４０に作用している。

また、基部１３２には挿入板部１３６が形成されている。挿入板部１３６は幅寸法が側壁３２の間隔よりも小さく、実際にはタングプレート１３０のうち、挿入板部１３６が側壁３２の間に挿入されることになる。

挿入板部１３６には厚さ方向に貫通した貫通孔１３８が形成されており、挿入板部１３６が側壁３２の間で底板２２の長手方向一端側の所定位置に達した状態では、後述するラッチ５０の係合片５８が貫通可能となり、貫通孔１３８に係合片５８が貫通することで、バックル装置１からのタングプレート１３０の抜き出しが規制されるようになっている。

一方、図１、図２に示されるように、バックル装置１はラッチ５０を備えている。ラッチ５０は基部５２を備えている。ラッチ５０の姿勢にもよるが、基部５２は概ね両側壁３２の対向方向に沿って長手方向で、底板２２の長手方向に沿って厚さ方向とされた平板状に形成されており、その長手方向両端部は両側壁３２に形成された支持部としての支持孔５４に入り込んでいる。基部５２（すなわち、ラッチ５０）は支持孔５４の内周部に干渉されるまで基部５２の長手方向を軸方向として所定角度回動可能に支持されている。

また、基部５２の長手方向中間部側の幅方向一端からは、基部５２の幅方向一方へ向けて平板状の連結部５６が延出されており、更に、基部５２とは反対側の連結部５６から、底板２２側へ向けて係合片５８が延出されている。

係合片５８の先端部５８ａは、底板２２に形成された貫通孔６０に対応しており、ラッチ５０が変位することによって、係合片５８が貫通孔６０に入り込むことができる。

図１、図２に示されるように、ラッチ５０の係合片５８の先端部に対応して上述したイジェクタ３４の厚さ方向一方（底板２２とは反対側）の面には、載置片６２が一体的に設けられている。イジェクタ３４には、上述のように、バックルスイッチ２のストローク用スプリング２０４からの付勢力が作用している。

ストローク用スプリング２０４からの付勢力以外の外力が作用していない状態での到達位置にイジェクタ３４が位置している状態で、底板２２の厚さ方向に沿って係合片５８の先端部と対向するように載置片６２が設けられている。係合片５８の先端部との対向状態で載置片６２は係合片５８の先端部に干渉して底板２２へ接近する方向への係合片５８の移動（すなわち、ラッチ５０の移動）を規制する。

また、基部５２の長手方向両端側からはストッパ６４が延出されている。ストッパ６４は、先端側がストローク用スプリング２０４の付勢力に抗したイジェクタ３４のスライド軌跡上に位置するように形成されており、ストローク用スプリングの付勢力に抗してイジェクタ３４が所定距離スライドするとイジェクタ３４がストッパ６４に当接する。

さらに、ラッチ５０の連結部５６を介してベース２０の底板２２とは反対側にはロック部材７０が配置されている。ロック部材７０は基部７２を備えている。基部７２は両側壁３２の対向方向に沿って長手方向とされた略角棒状とされている。

基部７２の両端部は両側壁３２に形成された係合孔７４に入り込んでいる。係合孔７４は貫通孔６０よりも側壁３２の長手方向他端側に形成されており、基部７２は自らの長手方向を軸周りに回動可能に側壁３２に支持されている。基部７２の長手方向両端側には一対の略扇状のロック片７６が形成されている。ロック片７６は連結部５６（ラッチ５０）の幅方向両端部から延出された当接片７８に対応しており、ロック片７６は当接片７８に当接している。

また、基部７２の長手方向中間部には当接部８０が形成されている。当接部８０は、ラッチ５０の係合片５８が底板２２から離間した状態で係合片５８に当接する。

一方、バックル装置１は解除手段としての解除ボタン９０を備えている。解除ボタン９０は操作用の押圧部９２を備えている。押圧部９２は押圧面が底板２２の長手方向他端側へ向いた板状で、両側壁３２の対向方向に沿って長手方向とされている。

押圧部９２の長手方向両端近傍からは底板２２の長手方向一端側へ向けて側壁９４が延出されている。これらの側壁９４は上述した側壁３２の対向方向に沿って互いに対向していると共に、底板２２とは反対側の端部が上壁９６により連結され、全体的には底板２２へ向けて開口した凹形状とされている。

両側壁９４の押圧部９２とは反対側の端部からは、それぞれアーム９８が側壁９４の対向方向に沿って互いに対向するように延出されている。両アーム９８の先端部には、他方のアーム９８へ向けて係合突起１００が形成されており、側壁３２に形成されたガイド孔１０２に入り込んでいる。ガイド孔１０２は底板２２の長手方向に沿って長手の長孔とされている。係合突起１００はガイド孔１０２の内周部によって底板２２の長手方向に沿って所定範囲変位可能とされており、これにより、ガイド孔１０２によって解除ボタン９０の移動方向が底板２２の長手方向に規制されている。

また、押圧部９２とロック部材７０との間には、ストッパ１１０が配置されている。ストッパ１１０は、側壁９４の対向方向に沿って長手方向とされた板状の基部１１２を備えている。基部１１２の長手方向両端側には、基部１１２の長手方向に沿ってみた場合に底板２２へ向けて開口した凹形状の一対の係合片１１４が形成されており、これらの係合片１１４が上述したロック部材７０の基部７２に係合することでストッパ１１０がロック部材７０に支持されている。

さらに、ストッパ１１０の両係合片１１４の近傍には、上述した解除ボタン９０の係合突起１００へ干渉可能に干渉部１１６が形成されている。

また、ストッパ１１０と解除ボタン９０の押圧部９２との間には、圧縮コイルスプリング１１８が配置されており、その一端は押圧部９２の押圧面とは反対側へ当接している。これに対して圧縮コイルスプリング１１８の他端はストッパ１１０の基部１１２に当接しており、これによって、ストッパ１１０を押圧部９２から離間させる方向へ付勢している。

本バックル装置１では図２に示されるタング抜取状態でタングプレート１３０の挿入板部１３６をケース１４のタング挿入口１８から挿入すると、図３（ａ）等に示されるように、挿入板部１３６の先端部がイジェクタ３４の端部に当接して押圧し、ストローク用スプリング２０４の付勢力に抗してイジェクタ３４を底板２２の長手方向一端側へスライドさせる。

イジェクタ３４が底板２２の長手方向一端側へ所定量スライドすると、イジェクタ３４の載置片６２とラッチ５０の係合片５８との対向状態が解除されると共に、イジェクタ３４がラッチ５０のストッパ６４を押圧して、ラッチ５０を回動させる。

これにより、係合片５８の先端部が底板２２へ接近移動する。また、この状態では、挿入板部１３６の貫通孔１３８と、底板２２に形成された貫通孔６０とが重なり合う。したがって、この状態では図５に示されるように、回動した係合片５８が挿入板部１３６の貫通孔１３８と底板２２の貫通孔６０を貫通する。

また、ラッチ５０が回動することで、ラッチ５０の係合片５８とロック部材７０の当接部８０との当接状態が解除される。ここで、ロック片７６はストッパ１１０を介して圧縮コイルスプリング１１８の付勢力を受けるため、ラッチ５０の回動に連動するように圧縮コイルスプリング１１８の付勢力でロック部材７０が回動し、ロック片７６がラッチ５０の当接片７８に当接する。このため、係合片５８が底板２２から離間する方向へのラッチ５０の回動が規制され、タングプレート１３０がバックル装置１内に保持され、バックル装着状態となる。

（本発明の実施の形態の効果）
上記示したバックル非装着状態とバックル装着状態において、外部から外乱磁界が作用すると、ＧＭＲセンサ２１０ＡとＧＭＲセンサ２１０Ｂの抵抗値が変化する。図６（ａ）は、タングプレートがバックル本体に挿入される前の状態を示す状態検出装置の断面図であって、上から下方向に外部磁場が作用している場合を示す図である。また、図６（ｂ）は、磁束密度ＢとＧＭＲセンサの抵抗値との関係を示す特性図であり、上から下方向に外部磁場が作用しているときの各ＧＭＲセンサの抵抗値Ｒをグラフ上にプロットした図である。外部磁場による磁束は、マグネット２０３およびバイアス磁石２１２による磁束と同じ方向に作用するので、図６（ｂ）に示すように、ＧＭＲセンサ２１０ＡとＧＭＲセンサ２１０Ｂの抵抗値は共に低下する。しかし、この両ＧＭＲセンサへの影響は出力部２２０では相殺されて、出力値（Ｌｏレベル）に変化はない。

また、図７（ａ）は、タングプレートがバックル本体に挿入される前の状態を示す状態検出装置の断面図であって、下から上方向に外部磁場が作用している場合を示す図である。また、図７（ｂ）は、磁束密度ＢとＧＭＲセンサの抵抗値との関係を示す特性図であり、下から上方向に外部磁場が作用しているときの各ＧＭＲセンサの抵抗値をグラフ上にプロットした図である。外部磁場による磁束は、マグネット２０３およびバイアス磁石２１２による磁束と逆の方向に作用するので、図７（ｂ）に示すように、ＧＭＲセンサ２１０ＡとＧＭＲセンサ２１０Ｂの抵抗値は共に増加する。しかし、この両ＧＭＲセンサへの影響は出力部２２０では相殺されて、出力値（Ｈｉレベル）に変化はない。

上記と同様にして、タングプレートがバックル本体に挿入された後のバックル装着状態において、下から上、あるいは、上から下方向に外部磁場が作用しても、各ＧＭＲセンサの抵抗値は変化するが、両ＧＭＲセンサへの影響は出力部２２０では相殺されて、出力値（ＨｉまたはＬｏレベル）は変化しない。

上記示した効果により、外部磁場を受けた場合でもその影響を相殺して状態検出を行なうことができる状態検出装置及びそれを用いたバックル装置を提供することができる。

尚、本発明の実施の形態は、上記示した形態に限られず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。例えば、バイアス磁石２１２として長尺状のものを使用したが、各ＧＭＲセンサ２１０Ａ、２１０Ｂの検出範囲にバイアス磁界をかける個別のバイアス磁石を備えた構成とすることもできる。この別構成例を、図８（ａ）、図８（ｂ）として、それぞれ図３（ａ）図３（ｂ）に対応した形で図示する。これによれば、バイアス磁石２１２が長尺になる場合でも、バイアス磁石２１２Ａと２１２Ｂ等のように分割できる。特に、バックル装着状態と非装着状態のストロークが大きい場合には効果的である。また、ＧＭＲセンサ２１０Ａ、２１０Ｂが実装された基板２１１を水平に配置しても、マグネット２０３のスライド変化による磁束密度の変化を検出することができ、同様にバックル装着、非装着を判別することが可能である。

１…バックル装置、２…バックルスイッチ、１４…ケース、１６…アンカ挿入口、１８…タング挿入口、２０…ベース、２２…底板、２４…アンカプレート、３２…側壁、３４…イジェクタ、３４ａ…押圧突起部、３６…ガイド孔、５０…ラッチ、５２…基部、５４…支持孔、５６…連結部、５８…係合片、５８ａ…先端部、６０…貫通孔、６２…載置片、６４…ストッパ、７０…ロック部材、７２…基部、７４…係合孔、７６…ロック片、７８…当接片、８０…当接部、９０…解除ボタン、９２…押圧部、９４…側壁、９６…上壁、９８…アーム、１００…係合突起、１０２…ガイド孔、１１０…ストッパ、１１２…基部、１１４…係合片、１１６…干渉部、１１８…圧縮コイルスプリング、１３０…タングプレート、１３２…基部、１３４…スリット孔、１３６…挿入板部、１３８…貫通孔、１４０…ウエビングベルト、２０１…ハウジング、２０１ａ…開口部、２０１ｂ…底部、２０２…スライド部、２０３…マグネット、２０４…ストローク用スプリング、２０６…イジェクタ用スプリング、２１０Ａ、２１０Ｂ…ＧＭＲセンサ、２１１…基板、２１２…バイアス磁石、２２０…出力部

Claims (5)

1. 筐体と、
   前記筐体により移動可能に支持されるスライド部と、
   前記スライド部に連動して移動する永久磁石と、
   前記永久磁石の第１の移動位置に対応して配置された第１の磁気検出器と、
   前記永久磁石の第２の移動位置に対応して配置され、前記第１の磁気検出器と直列に接続された第２の磁気検出器と、
   前記第１及び第２の磁気検出器にバイアス磁界を与えるバイアス磁石と、を有し、
   前記第１の磁気検出器と前記第２の磁気検出器の前記接続部での出力を前記永久磁石の移動する位置状態として検出することを特徴とする状態検出装置。
2. 前記第１及び第２の磁気検出器は、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistance：巨大磁気抵抗素子）センサであることを特徴とする請求項１に記載の状態検出装置。
3. 車両のシートベルト装置のウエビングに設けられたタングプレートの挿入及び保持が可能な装置本体と、
   前記装置本体内に載置される請求項１又は２の状態検出装置と、
   を有することを特徴とするバックル装置。
4. 車両のシートベルト装置のウエビングに設けられたタングプレートの挿入及び保持が可能な装置本体と、
   前記装置本体において移動可能に支持されるスライド部と、
   前記スライド部に連動して移動する永久磁石と、
   前記永久磁石の第１の移動位置に対応して配置された第１の磁気検出器と、
   前記永久磁石の第２の移動位置に対応して配置され、前記第１の磁気検出器と直列に接続された第２の磁気検出器と、
   前記第１及び第２の磁気検出器にバイアス磁界を与えるバイアス磁石と、を有し、
   前記第１の磁気検出器と前記第２の磁気検出器の前記接続部での出力を前記永久磁石の移動する位置状態として検出することを特徴とするバックル装置。
5. 前記第１及び第２の磁気検出器は、ＧＭＲセンサであることを特徴とする請求項４に記載のバックル装置。
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   

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