JP2011096970A - Ｌｅｄ素子載置部材、ｌｅｄ素子載置基板およびその製造方法、ならびにｌｅｄ素子パッケージおよびその製造方法 - Google Patents

Ｌｅｄ素子載置部材、ｌｅｄ素子載置基板およびその製造方法、ならびにｌｅｄ素子パッケージおよびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2011096970A
JP2011096970A JP2009252000A JP2009252000A JP2011096970A JP 2011096970 A JP2011096970 A JP 2011096970A JP 2009252000 A JP2009252000 A JP 2009252000A JP 2009252000 A JP2009252000 A JP 2009252000A JP 2011096970 A JP2011096970 A JP 2011096970A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led element
substrate
area
element mounting
mounting member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009252000A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazunori Oda
田 和 範 小
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP2009252000A priority Critical patent/JP2011096970A/ja
Publication of JP2011096970A publication Critical patent/JP2011096970A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32257—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】ＬＥＤ素子パッケージを薄型にすることが可能であるとともに、ＬＥＤ素子からの光の反射方向を制御することが可能な、ＬＥＤ素子載置部材およびその製造方法、ならびにＬＥＤ素子パッケージおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子載置部材２０は、ＬＥＤ素子１１を載置するためのものであり、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域２１と、ＬＥＤ素子載置領域２１の周縁に位置する周縁領域２２とを備えている。ＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２は、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって下方へ落ち込む凹部２３を形成している。ＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２の表面は、ＬＥＤ素子１１からの光を反射するための反射面として機能するようになっている。
【選択図】図２

Description

本発明は、ＬＥＤ素子載置部材、ＬＥＤ素子載置基板およびその製造方法、ならびにＬＥＤ素子パッケージおよびその製造方法に係り、とりわけ薄型にすることが可能であるとともに、ＬＥＤ素子からの光の反射方向を制御することが可能な、ＬＥＤ素子載置部材、ＬＥＤ素子載置基板およびその製造方法、ならびにＬＥＤ素子パッケージおよびその製造方法に関する。
従来より、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子を光源として用いる照明装置が、各種家電、ＯＡ機器、車両機器の表示灯、一般照明、車載照明、およびディスプレイ等に用いられている。このような照明装置の中には、ＬＥＤ素子を有するＬＥＤ素子パッケージを含むものがある。
このようなＬＥＤ素子パッケージのうち、液晶バックライトに使用されるものについては、パッケージの厚みを薄くすることが求められる。また、ＬＥＤ素子パッケージのうち照明に使用されるものについても、光の拡散のために薄型化を図ることが重要である。
またＬＥＤ素子パッケージにおいては、ＬＥＤ素子からの光の反射特性を制御することが重要となる。例えば、ＬＥＤ素子からの光の照射方向を前面（発光面）に向けて集中させること、あるいは、逆にＬＥＤ素子からの光の照射方向をＬＥＤ素子パッケージ全体に拡散させる等、光の反射特性を制御することが重要となる。
特開昭６２−２３２９７６号公報 特開２００２−３１４１３７号公報 特公平４−４７９７７号公報 特開２００１−３５８２５４号公報
ＬＥＤ素子パッケージとして、従来より例えば特許文献１−２に記載されたものが知られている。しかしながら、このようなＬＥＤ素子パッケージにおいては、ＬＥＤ素子がリードフレーム上に設けられているため、全体の厚みが例えば２〜３ｍｍ程度と厚くなってしまうため、薄型化を図ることが難しい。
またリフレクター付のＬＥＤ素子パッケージも存在するが、リフレクター付のＬＥＤ素子パッケージにおいては、高い輝度を得るために大きな電流をＬＥＤ素子に加えることが必要となる。しかしながら、電流を増加させた場合、ＬＥＤ素子からの発熱が増えるため、この発熱によりＬＥＤ素子が破壊されることが問題となる。さらに、リフレクター付のＬＥＤ素子パッケージにおいては、リフレクターを作製するために別個の工程が必要となるため、製造コストが増加してしまう。
一方、特許文献３−４には、コアレス型半導体パッケージが開示されている。コアレス型半導体パッケージは、半導体パッケージの薄型化および放熱特性の向上という２点の課題を解決するために開発された半導体パッケージの形態である。リードフレームやインタポーザと呼ばれる内部配線基板などのコア部材は、単体で搬送や加工可能な形状と、機械的強度とを維持するため一定の厚さを有している。完成後のコアレス型半導体パッケージには、リードフレームや内部配線基板（インタポーザと呼ばれる）等のコア部材が含まれていないため（コアレス）、半導体パッケージの薄型化が可能となっている。
しかしながら、このような薄型のコアレス型半導体パッケージにおいては、半導体チップ載置部の表面が平坦であるため、仮に半導体素子としてＬＥＤ素子を用いた場合、ＬＥＤ素子からの光の反射方向を制御できないという問題がある。
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、ＬＥＤ素子パッケージを薄型にすることが可能であるとともに、ＬＥＤ素子からの光の反射方向を制御することが可能な、ＬＥＤ素子載置部材、ＬＥＤ素子載置基板およびその製造方法、ならびにＬＥＤ素子パッケージおよびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、コアレス型ＬＥＤ素子パッケージを構成するために設けられ、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材において、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを備え、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって下方へ落ち込む凹部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子載置部材である。
本発明は、コアレス型ＬＥＤ素子パッケージを構成するために設けられ、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材において、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを備え、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって上方へ盛り上がった凸部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子載置部材である。
本発明は、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、めっきにより形成されていることを特徴とするＬＥＤ素子載置部材である。
本発明は、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、本体めっき層と、この本体めっき層上に形成された反射用めっき層とを有することを特徴とするＬＥＤ素子載置部材である。
本発明は、周縁領域から側方に向けて突出する突起部が設けられていることを特徴とするＬＥＤ素子載置部材である。
本発明は、ＬＥＤ素子載置部材と、ＬＥＤ素子載置部材を支持する基板とを備えたことを特徴とするＬＥＤ素子載置基板である。
本発明は、コアレス型ＬＥＤ素子パッケージにおいて、ＬＥＤ素子載置部材と、ＬＥＤ素子載置部材上に載置されたＬＥＤ素子と、ＬＥＤ素子載置部材周囲に設けられた配線導体と、配線導体とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、ＬＥＤ素子載置部材、ＬＥＤ素子、配線導体、および導電部を封止する封止樹脂部とを備え、ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって下方へ落ち込む凹部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子パッケージである。
本発明は、コアレス型ＬＥＤ素子パッケージにおいて、ＬＥＤ素子載置部材と、ＬＥＤ素子載置部材上に載置されたＬＥＤ素子と、ＬＥＤ素子載置部材周囲に設けられた配線導体と、配線導体とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、ＬＥＤ素子載置部材、ＬＥＤ素子、配線導体、および導電部を封止する封止樹脂部とを備え、ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって上方へ盛り上がった凸部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子パッケージである。
本発明は、ＬＥＤ素子載置部材のＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、めっきにより形成されていることを特徴とするＬＥＤ素子パッケージである。
本発明は、ＬＥＤ素子載置部材のＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、本体めっき層と、この本体めっき層上に形成された反射用めっき層とを有することを特徴とするＬＥＤ素子パッケージである。
本発明は、ＬＥＤ素子載置部材の周縁領域から側方に向けて突出する突起部が設けられていることを特徴とするＬＥＤ素子パッケージである。
本発明は、コアレス型ＬＥＤ素子パッケージを製造するために用いられるＬＥＤ素子載置基板の製造方法において、支持部材として機能する基板を準備する工程と、基板の表面に、所望パターンを有するレジストを設ける工程と、基板の表面側にめっきを施し、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材を形成する工程と、基板の表面側のレジストを剥離する工程とを備え、ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって下方へ落ち込む凹部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子載置基板の製造方法である。
本発明は、コアレス型ＬＥＤ素子パッケージを製造するために用いられるＬＥＤ素子載置基板の製造方法において、支持部材として機能する基板を準備する工程と、基板の表面に、所望パターンを有するレジストを設ける工程と、基板の表面側にめっきを施し、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材を形成する工程と、基板の表面側のレジストを剥離する工程とを備え、ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって上方へ盛り上がった凸部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子載置基板の製造方法である。
本発明は、ＬＥＤ素子載置部材を形成する工程の後、基板の裏面側にエッチングを施すことにより、基板を所定の外形形状にするとともに、基板に搬送用穴を形成する工程が設けられていることを特徴とするＬＥＤ素子載置基板の製造方法である。
本発明は、コアレス型ＬＥＤ素子パッケージの製造方法において、支持部材として機能する基板を準備する工程と、基板の表面に、所望パターンを有するレジストを設ける工程と、基板の表面側にめっきを施し、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材と、ＬＥＤ素子載置部材周囲に設けられた配線導体とを形成する工程と、基板の表面側のレジストを剥離する工程と、ＬＥＤ素子載置部材上にＬＥＤ素子を搭載する工程と、ＬＥＤ素子と配線導体とを導電部により接続する工程と、基板上のＬＥＤ素子載置部材、配線導体、ＬＥＤ素子、および導電部を封止樹脂により樹脂封止して封止樹脂部を形成する工程と、支持部材として機能する基板を封止樹脂部から除去する工程とを備え、ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって下方へ落ち込む凹部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子パッケージの製造方法である。
本発明は、コアレス型ＬＥＤ素子パッケージの製造方法において、支持部材として機能する基板を準備する工程と、基板の表面に、所望パターンを有するレジストを設ける工程と、基板の表面側にめっきを施し、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材と、ＬＥＤ素子載置部材周囲に設けられた配線導体とを形成する工程と、基板の表面側のレジストを剥離する工程と、ＬＥＤ素子載置部材上にＬＥＤ素子を搭載する工程と、ＬＥＤ素子と配線導体とを導電部により接続する工程と、基板上のＬＥＤ素子載置部材、配線導体、ＬＥＤ素子、および導電部を封止樹脂により樹脂封止して封止樹脂部を形成する工程と、支持部材として機能する基板を封止樹脂部から除去する工程とを備え、ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって上方へ盛り上がった凸部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子パッケージの製造方法である。
本発明は、ＬＥＤ素子載置部材と配線導体とを形成する工程の後、基板の裏面側にエッチングを施すことにより、基板を所定の外形形状にするとともに、基板に搬送用穴を形成する工程が設けられていることを特徴とするＬＥＤ素子パッケージの製造方法である。
本発明によれば、ＬＥＤ素子を設けるためにリードフレーム等を用いる必要がないので、ＬＥＤ素子パッケージ全体の厚みを薄くすることができる。
また本発明によれば、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって下方へ落ち込む凹部、または周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって上方へ盛り上がった凸部を形成するので、目的に合わせてＬＥＤ素子からの光の反射方向を制御することができる。
本発明の第１の実施の形態によるＬＥＤ素子パッケージを示す断面図。 本発明の第１の実施の形態によるＬＥＤ素子載置部材を示す断面図。 本発明の第１の実施の形態によるＬＥＤ素子パッケージが配線基板上に配置されている状態を示す断面図。 本発明の第１の実施の形態の変形例によるＬＥＤ素子パッケージが配線基板上に配置されている状態を示す断面図。 本発明の第１の実施の形態によるＬＥＤ素子載置基板の製造方法を示す図。 本発明の第１の実施の形態によるＬＥＤ素子載置部材の製造方法を示す図。 本発明の第１の実施の形態によるＬＥＤ素子パッケージの製造方法を示す図。 本発明の第２の実施の形態によるＬＥＤ素子パッケージを示す断面図。 本発明の第２の実施の形態によるＬＥＤ素子載置部材の製造方法を示す図。 本発明の第３の実施の形態によるＬＥＤ素子パッケージを示す断面図。 本発明の第３の実施の形態によるＬＥＤ素子載置部材の製造方法を示す図。 本発明の第４の実施の形態によるＬＥＤ素子パッケージを示す断面図。 本発明の第４の実施の形態によるＬＥＤ素子載置部材の製造方法を示す図。
第１の実施の形態
以下、本発明の第１の実施の形態について、図１乃至図７を参照して説明する。図１乃至図７は、本発明の第１の実施の形態を示す図である。
まず、図１乃至図３により、本実施の形態によるコアレス型のＬＥＤ素子パッケージの概略について説明する。
図１に示すＬＥＤ素子パッケージ１０は、コアレス型の樹脂封止型ＬＥＤ素子パッケージである。このようなコアレス型のＬＥＤ素子パッケージ１０は、ＬＥＤ素子載置部材２０と、ＬＥＤ素子載置部材２０上に載置されたＬＥＤ素子１１と、ＬＥＤ素子載置部材２０周囲に設けられた配線導体３０とを備えている。
このうち配線導体３０とＬＥＤ素子１１とは、ボンディングワイヤ（導電部）１２によって電気的に接続されている。またＬＥＤ素子載置部材２０、ＬＥＤ素子１１、配線導体３０、およびボンディングワイヤ１２は、封止樹脂部１３により封止されている。
以下、このようなコアレス型のＬＥＤ素子パッケージ１０を構成する各構成部材について、順次説明する。
まず図２により、本実施の形態によるＬＥＤ素子載置部材２０の構成について説明する。図２に示すように、ＬＥＤ素子載置部材２０は、中央に位置するとともにＬＥＤ素子１１を載置するＬＥＤ素子載置領域２１と、ＬＥＤ素子載置領域２１の周縁に位置する周縁領域２２とを有している。これらＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２は、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって下方へ落ち込む凹部２３を形成している。
またＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２の表面は、ＬＥＤ素子１１からの光を反射するための反射面として機能するようになっている。すなわちＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２は、本体めっき層２４と、この本体めっき層２４上に形成され、ＬＥＤ素子１１からの光を反射するための反射面として機能する反射用めっき層２５とを有している。
このうち本体めっき層２４は、例えばニッケル（Ｎｉ）等の金属を含むめっき層からなっている。また本体めっき層２４の下端部には外部端子２４ａが形成されており、ＬＥＤ素子パッケージ１０に組み込まれた際、外部端子２４ａが封止樹脂部１３から外方に露出している。なお、本体めっき層２４の厚みは、例えば１０μｍ〜１００μｍとすることができる。
一方、反射用めっき層２５は、可視光の反射率が高いめっき層からなっており、上述したように、ＬＥＤ素子１１からの光を反射するための反射面として機能するようになっている。反射用めっき層２５を構成する材料としては、例えば銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）／パラジウム（Ｐｄ）／金（Ａｕ）の三層構造等を挙げることができるが、光の反射率の観点からは銀（Ａｇ）を用いることが好ましい。なお反射用めっき層２５の厚みは、例えば銀の場合は１μｍ〜５μｍ、またＮｉ／Ｐｄ／Ａｕの三層構造の場合は、Ｎｉの厚みが０．２μｍ以上、Ｐｄの厚みが０．０１〜０．１μｍ、かつＡｕの厚みが０．００１〜０．０３μｍとすることが好ましい。
再度図１を参照すると、配線導体３０は、ＬＥＤ素子載置部材２０から離間して設けられており、本体めっき層３１と、この本体めっき層３１上に形成され、ＬＥＤ素子１１からの光を直接または間接的に反射するための反射面として機能する反射用めっき層３２とを有している。
本体めっき層３１は、上述したＬＥＤ素子載置部材２０の本体めっき層２４と同一の材料から構成されており、例えばニッケル（Ｎｉ）等の金属を含むめっき層からなっている。また本体めっき層３１の下端部には外部端子３１ａが形成されており、この外部端子３１ａは封止樹脂部１３から外方に露出している。
また反射用めっき層３２は、上述したＬＥＤ素子載置部材２０の反射用めっき層２５と同一の材料から構成されており、例えば銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）／パラジウム（Ｐｄ）／金（Ａｕ）の三層構造等、金属を含むめっき層からなっている。
他方、ＬＥＤ素子載置部材２０に載置されたＬＥＤ素子１１は、従来一般に用いられているものを使用することができる。またＬＥＤ素子１１の発光層として、例えばＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、またはＩｎＧａＮ等の化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。
またＬＥＤ素子１１は、はんだ、またはダイボンディングペースト（図示せず）により、ＬＥＤ素子載置部材２０上に固定されている。このようなダイボンディングペーストとしては、耐光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるダイボンディングペーストを選択することが可能である。
ボンディングワイヤ１２は、例えば金等の導電性の良い材料からなり、その一端がＬＥＤ素子１１の端子部１１ａに接続されるとともに、その他端が配線導体３０の反射用めっき層３２上に接続されている。
封止樹脂部１３としては、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子パッケージ１０の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。したがって耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高い特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。封止樹脂部１３の形状は、様々に実現することが可能であるが、例えば、封止樹脂部１３の全体形状を直方体、円筒形または錐形等の形状とすることが可能である。なお封止樹脂部１３の厚み（すなわちコアレス型のＬＥＤ素子パッケージ１０全体としての厚み）は、２００μｍ〜５００μｍとすることが可能であり、従来知られているＬＥＤ素子パッケージ（例えばＰＬＣＣタイプ、ＳＯＮタイプ）より薄型に構成することができる。また封止樹脂部１３の前面（すなわち図１の上面）には、ＬＥＤ素子１１からの光が放出される発光面１３ａが形成されている。
ところで、図３に示すように、このようなコアレス型のＬＥＤ素子パッケージ１０は、配線基板３５上に配置して用いることができる。このような配線基板３５は、基板本体３６と、基板本体３６上に形成された配線端子部３７、３８とを有している。このうち一方の配線端子部３７は、一方の接続金属部３３を介してＬＥＤ素子載置部材２０の本体めっき層２４に接続されている。また他方の配線端子部３８は、他方の接続金属部３４を介して配線導体３０の本体めっき層３１に接続されている。なお接続金属部３３、３４は、例えばはんだから構成することができる。
このようにして、ＬＥＤ素子パッケージ１０を配線基板３５上に配置するとともに、配線端子部３７、３８間に電流を流した場合、ＬＥＤ素子載置部材２０上のＬＥＤ素子１１に電流が加わり、ＬＥＤ素子１１が点灯する。
この際、ＬＥＤ素子１１からの光は、反射面である反射用めっき層２５で反射する。とりわけ本実施の形態においては、ＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２に、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって下方へ落ち込む凹部２３が形成されている。これにより、凹部２３内の反射用めっき層２５で反射した光は、概ね発光面１３ａ側を向くようにその反射方向が制御され、図３の符号Ｌで示すように略一定の方向に照射される。
他方、ＬＥＤ素子１１から生じた熱は、本体めっき層２４の外部端子２４ａから接続金属部３３を介して外方へ逃がされる（図３の符号Ｈ）。したがって、ＬＥＤ素子１１からの熱が封止樹脂部１３内に蓄積することがなく、熱によってＬＥＤ素子１１が破壊されることを防止することができる。
以上の図３の例では、ＬＥＤ素子載置部材２０の機能としては、ＬＥＤ素子１１を機械的に支持する機能と、ＬＥＤ素子１１に電気的に接続して電気端子となる機能との２つを有している。しかしながらこれに限らず、図４の変形例に示すように、ＬＥＤ素子パッケージ１０の構成として、ＬＥＤ載置部材２０はＬＥＤ素子１１を機械的に支持する機能のみとし、電気端子として新たな配線導体３０Ａを追加した構成としてもよい。このような構成では、ＬＥＤ素子パッケージ１０は、１つのＬＥＤ素子載置部材２０と２つの配線導体３０、３０Ａで構成される。なお図４中、符号ＥはＬＥＤ素子１１を点灯させる電流の流れを示し、符号ＨはＬＥＤ素子１１からの熱の流れを示している。
次に、本実施の形態によるコアレス型のＬＥＤ素子パッケージの製造方法について、図５乃至図７を用いて説明する。このうち図５（ａ）−（ｅ）は、基板４０上にＬＥＤ素子載置部材２０を形成する工程（すなわち本実施の形態によるＬＥＤ素子載置基板５０の製造方法）を示す図であり、図６（ａ）−（ｃ）は、図５（ｃ）に示す工程において、電解めっき法によりＬＥＤ素子載置部材２０を形成する工程を示す図であり、図７（ａ）−（ｅ）は、ＬＥＤ素子載置基板５０を作製した後、コアレス型のＬＥＤ素子パッケージ１０を得るまでの工程を示す図である。
まず図５（ａ）に示すように、支持部材として機能する基板４０を準備する。この基板４０としては、例えば銅、鉄−ニッケル合金、鉄−ニッケル−クロム合金、鉄−ニッケル−カーボン合金等の導電性基板、または表面にＣｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕもしくはこれらの合金からなる導電性層を備えた絶縁性基板を使用することができる。基板４０として例えば銅または銅合金を用いた場合、ＬＥＤ素子１１を組み込んだ後、選択的なエッチングにより基板４０を除去することが可能となる。なお、後述するように、ＬＥＤ素子載置部材２０および配線導体３０を基板４０から容易に剥離できるように、予め基板４０の一面に凹凸をつける表面処理を行い、かつ、剥離性をもたせる剥離処理を行っておく等の処置をとっても良い。ここでの表面処理としては、サンドブラストによるブラスト処理、剥離処理としては、基板４０の表面に酸化膜を形成する方法等が挙げられる。
次に、基板４０の表面および裏面に各々所望のパターンを有するレジスト層４１、４２を設ける（図５（ｂ））。このうち表面側のレジスト層４１は、例えばアルカリ、酸、溶剤等により剥離可能な樹脂からなっており、アクリル系樹脂等の感光性かつ耐薬品性樹脂からなっている。
またレジスト層４１には、各ＬＥＤ素子載置部材２０および各配線導体３０の形成部位に相当する箇所に開口部４１ａ、４１ｂが形成され、この開口部４１ａ、４１ｂからは基板４０が露出している。なお開口部４１ａ、４１ｂのうち、開口部４１ａはＬＥＤ素子載置部材２０を設ける箇所に対応し、開口部４１ｂは配線導体３０を設ける箇所に対応する。この場合、基板４０の表面全体にレジスト層４１を設け、このレジスト層４１に対してフォトマスクを介して露光し、その後現像することにより、レジスト層４１に開口部４１ａ、４１ｂを形成する。なお表面側のレジスト層４１の厚みは、ＬＥＤ素子載置部材２０および配線導体３０の厚みより厚くしておく。
一方、裏面側のレジスト層４２は、例えばアルカリ、酸、溶剤等により剥離可能な樹脂からなっており、上述した表面側のレジスト層４１と異なる材料からなっていても良い。また裏面側のレジスト層４２は、搬送用穴２７の形成部位に相当する箇所に開口部４２ａが形成され、この開口部４２ａからは基板４０が露出している。この場合、基板４０の裏面全体にレジスト層４２を設け、このレジスト層４２に対してフォトマスクを介して露光し、その後現像することにより、レジスト層４２に開口部４２ａを形成する。
次に、基板４０の裏面側をカバー４３で覆って、基板４０の表面側に電解めっきを施す。これにより基板４０上に金属を析出させて、ＬＥＤ素子１１を載置するためのＬＥＤ素子載置部材２０を形成するとともに、ＬＥＤ素子載置部材２０周囲に配線導体３０を形成する（図５（ｃ））。この場合、ＬＥＤ素子載置部材２０は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域２１と、ＬＥＤ素子載置領域２１の周縁に位置する周縁領域２２とを有し、ＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２は、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって下方へ落ち込む凹部２３を形成する。
以下、図６（ａ）−（ｃ）により、電解めっき法を用いて、このような形状を有するＬＥＤ素子載置部材２０を作製する方法について更に説明する。
まず、基板４０上に電解めっきを施すことにより、レジスト層４１の開口部４１ａ内に、例えばニッケル（Ｎｉ）からなる本体めっき層２４を形成する（図６（ａ）（ｂ））。この際、めっき液として、例えば高ニッケル濃度のスルファミン酸ニッケルめっき浴を用いることができる。
この場合、図６（ａ）（ｂ）に示すように、アノード電極４８から基板４０（カソード電極）へ流れる電流のうち、ＬＥＤ素子載置部材２０の周縁領域２２に対応する部分（開口部４１ａの周縁部）の電流を相対的に強くし、ＬＥＤ素子載置領域２１に対応する部分（開口部４１ａの中央部）の電流を相対的に弱くしておく。この結果、開口部４１ａの周縁部に相対的に多くの電流が流れ、開口部４１ａの中央部よりも周縁部に析出するめっきの厚みを厚くすることができる。このようにして、本体めっき層２４において、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって下方へ落ち込む凹部２３が形成される。
次に、本体めっき層２４上に例えば銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）／パラジウム（Ｐｄ）／金（Ａｕ）の三層構造等からなる反射用めっき層２５を形成する（図６（ｃ））。この反射用めっき層２５は、ＬＥＤ素子１１からの光を反射するための反射面として機能するものである。この場合、めっき液として例えばシアンめっき浴を用いることができる。
このようにして、レジスト層４１の開口部４１ａ内に、本体めっき層２４と反射用めっき層２５とを有するＬＥＤ素子載置部材２０が形成される。そしてこのＬＥＤ素子載置部材２０には、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって下方へ落ち込む凹部２３が形成される。
続いて、図５（ｄ）に示すように、基板４０の表面側をカバー４４で覆うとともに、基板４０の裏面側のカバー４３を剥離する。次に基板４０の裏面側にエッチングを施すことにより、基板４０を所定の外形形状にするとともに、基板４０上のレジスト層４２の開口部４２ａに対応する位置に、所望の搬送用穴２７を形成する。なお、この搬送用穴２７は、後述するＬＥＤ素子パッケージ１０の製造工程において基板４０を搬送する際や位置決めを行なう際に用いられる。
次いで基板４０の表面側のカバー４４を剥離し、更に基板４０の表面側および裏面側のレジスト層４１、４２を剥離する（図５（ｅ））。このようにして、図２に示すＬＥＤ素子載置部材２０と、ＬＥＤ素子載置部材２０を支持する基板４０とを備えたＬＥＤ素子載置基板５０が得られる。本実施の形態において、このようなＬＥＤ素子載置基板５０も提供する。なお、この際、支持部材として機能する基板４０をＬＥＤ素子載置部材２０から除去すれば、図２に示すＬＥＤ素子載置部材２０を得ることができる。
次に、本実施の形態によるコアレス型のＬＥＤ素子パッケージの製造方法について、図７（ａ）−（ｅ）を用いて説明する。なお図７（ａ）−（ｅ）において、便宜上、基板４０の搬送用穴２７の表示を省略している。
まず、上述した図５（ａ）−（ｅ）に示す工程により、基板４０と、基板４０上に形成されたＬＥＤ素子載置部材２０および配線導体３０とを有するＬＥＤ素子載置基板５０を作製する（図７（ａ））。次に、ＬＥＤ素子載置部材２０上にはんだ、またはダイボンディングペースト（図示せず）を介してＬＥＤ素子１１を搭載して固定する（図７（ｂ））。このダイボンディングペーストとしては、耐光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるダイボンディングペーストを用いることができる。
次に、ボンディングワイヤ１２を用いて、ＬＥＤ素子１１の端子部１１ａと配線導体３０とを電気的に接続する（ワイヤボンディング）（図７（ｃ））。
その後、基板４０上のＬＥＤ素子載置部材２０、配線導体３０、ＬＥＤ素子１１、およびボンディングワイヤ１２を例えばエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂からなる封止樹脂部１３により封止する（図７（ｄ））。次いで、例えばエッチングによりまたは物理的に剥離することにより、裏面側の基板４０をＬＥＤ素子載置部材２０および配線導体３０から除去する。このようにして、図１に示すコアレス型のＬＥＤ素子パッケージ１０を得ることができる（図７（ｅ））。
なお、予め基板４０上に複数のＬＥＤ素子載置部材２０を形成するとともに、各ＬＥＤ素子載置部材２０上にそれぞれＬＥＤ素子１１を搭載しておき、各ＬＥＤ素子１１を含むＬＥＤ素子パッケージ毎に封止樹脂部１３をダイシングすることにより、図１に示すコアレス型のＬＥＤ素子パッケージ１０を得ても良い。
以上説明したように本実施の形態によれば、ＬＥＤ素子１１を搭載するためにリードフレーム等を用いることがないので、ＬＥＤ素子パッケージ１０の厚みを薄くすることができる。具体的には、ＬＥＤ素子パッケージ１０の厚みを２００μｍ〜５００μｍとすることができる。
また本実施の形態によれば、ＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２は、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって下方へ落ち込む凹部２３を形成するので、ＬＥＤ素子１１からの光が発光面１３ａを向くように、その反射方向を制御することができる。すなわちＬＥＤ素子１１からの光は、凹部２３において反射用めっき層２５で反射し、発光面１３ａ側を向くように反射方向が制御される（図３参照）。
また本実施の形態によれば、ＬＥＤ素子載置領域２１が金属めっきから構成されているので、ＬＥＤ素子１１からの熱をＬＥＤ素子パッケージ１０の外方に逃がしやすく、ＬＥＤ素子パッケージ１０の放熱性を高めることができる。
また本実施の形態によれば、リフレクターを別部材として設ける必要がないため、リフレクターを設置するための工程が不要であり、製造コストを低減することができる。
第２の実施の形態
次に、本発明の第２の実施の形態について図８および図９（ａ）−（ｃ）を参照して説明する。図８および図９（ａ）−（ｃ）は、本発明の第２の実施の形態を示す図である。図８は、第１の実施の形態の図１に対応する図であり、図９（ａ）−（ｃ）は、第１の実施の形態の図６（ａ）−（ｃ）に対応する図である。図８および図９（ａ）−（ｃ）に示す第２の実施の形態は、ＬＥＤ素子載置部材２０の周縁領域２２から側方に向けて突出する突起部２９が設けられている点が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図８および図９（ａ）−（ｃ）において、図１乃至図７に示す第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
図８に示すように、本実施の形態によるコアレス型のＬＥＤ素子パッケージ１０Ａにおいて、ＬＥＤ素子載置部材２０は、中央に位置するとともにＬＥＤ素子１１を載置するＬＥＤ素子載置領域２１と、ＬＥＤ素子載置領域２１の周縁に位置する周縁領域２２とを有している。これらＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２は、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって下方へ落ち込む凹部２３を形成している。
またＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２の表面は、ＬＥＤ素子１１からの光を反射するための反射面として機能するようになっている。すなわちＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２は、本体めっき層２４と、この本体めっき層２４上に形成され、ＬＥＤ素子１１からの光を反射するための反射面として機能する反射用めっき層２５とを有している。
ところで本実施の形態においては、図８に示すように、ＬＥＤ素子載置部材２０の周縁領域２２に、この周縁領域２２から側方に向けて突出する突起部２９が設けられている。この突起部２９は、周縁領域２２の全周にわたって設けられていることが好ましい。同様に、配線導体３０には、配線導体３０から側方に向けて突出する突起部３９が設けられている。
次に図９（ａ）−（ｃ）により、電解めっき法を用いて、このような形状を有するＬＥＤ素子載置部材２０を作製する方法について説明する。
まず、基板４０上に電解めっきを施すことにより、レジスト層４１の開口部４１ａ内に、例えばニッケル（Ｎｉ）からなる本体めっき層２４を形成する（図９（ａ）（ｂ））。
この場合、図９（ａ）（ｂ）に示すように、アノード電極４８から基板４０（カソード電極）へ流れる電流のうち、ＬＥＤ素子載置部材２０の周縁領域２２に対応する部分（開口部４１ａの周縁部）の電流を相対的に強くし、ＬＥＤ素子載置領域２１に対応する部分（開口部４１ａの中央部）の電流を相対的に弱くしておく。この結果、開口部４１ａの周縁部に相対的に多くの電流が流れ、開口部４１ａの中央部よりも周縁部に析出するめっきの厚みを厚くすることができる。このようにして、本体めっき層２４において、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって下方へ落ち込む凹部２３が形成される。
本実施の形態においては、電解めっきによりＬＥＤ素子載置部材２０を形成する際、レジスト層４１の厚みより厚く金属を析出させる。これにより、レジスト層４１の開口部４１ａ内に析出した金属は、開口部４１ａの内壁に沿って上方に堆積した後、レジスト層４１から盛り上がりながらレジスト層４１の表面に沿って横方向にも析出する。このようにして、図９（ｂ）に示すように、周縁領域２２から側方に向けて突出する突起部２９が形成される。
次に、本体めっき層２４上に例えば銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）／パラジウム（Ｐｄ）／金（Ａｕ）の三層構造等からなる反射用めっき層２５を形成することにより、基板４０上に本実施の形態によるＬＥＤ素子載置部材２０を形成することができる（図９（ｃ））。
このほか本実施の形態によるコアレス型のＬＥＤ素子パッケージの製造方法およびＬＥＤ素子載置基板の製造方法については、上述した第１の実施の形態と略同一であるので、ここでは説明を省略する。
本実施の形態によれば、ＬＥＤ素子載置部材２０の周縁領域２２に、周縁領域２２から側方に向けて突出する突起部２９が設けられているので、封止樹脂部１３からＬＥＤ素子載置部材２０が抜け落ちることを防止することができる。同様に、配線導体３０に、配線導体３０から側方に向けて突出する突起部３９が設けられているので、封止樹脂部１３から配線導体３０が抜け落ちることを防止することができる。
第３の実施の形態
次に、本発明の第３の実施の形態について図１０および図１１（ａ）−（ｃ）を参照して説明する。図１０および図１１（ａ）−（ｃ）は、本発明の第３の実施の形態を示す図である。図１０は、第１の実施の形態の図１に対応する図であり、図１１（ａ）−（ｃ）は、第１の実施の形態の図６（ａ）−（ｃ）に対応する図である。図１０および図１１（ａ）−（ｃ）に示す第３の実施の形態は、ＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２が、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって上方へ盛り上がった凸部２６を形成する点が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図１０および図１１（ａ）−（ｃ）において、図１乃至図７に示す第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
図１０に示すように、本実施の形態によるコアレス型のＬＥＤ素子パッケージ１０Ｂにおいて、ＬＥＤ素子載置部材２０は、中央に位置するとともにＬＥＤ素子１１を載置するＬＥＤ素子載置領域２１と、ＬＥＤ素子載置領域２１の周縁に位置する周縁領域２２とを有している。これらＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２は、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって上方へ盛り上がった凸部２６を形成している。
またＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２の表面は、ＬＥＤ素子１１からの光を反射するための反射面として機能するようになっている。すなわちＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２は、本体めっき層２４と、この本体めっき層２４上に形成され、ＬＥＤ素子１１からの光を反射するための反射面として機能する反射用めっき層２５とを有している。
次に図１１（ａ）−（ｃ）により、電解めっき法を用いて、このような形状を有するＬＥＤ素子載置部材２０を作製する方法について説明する。
まず、基板４０上に電解めっきを施すことにより、レジスト層４１の開口部４１ａ内に、例えばニッケル（Ｎｉ）からなる本体めっき層２４を形成する（図１１（ａ）（ｂ））。
この場合、図１１（ａ）（ｂ）に示すように、第１の実施の形態で用いたアノード電極４８より小さいアノード電極４９を用い、このアノード電極４９から開口部４１ａのうち主に中央部に向けて電流を供給する。これにより、アノード電極４９から基板４０（カソード電極）へ流れる電流のうち、ＬＥＤ素子載置部材２０のＬＥＤ素子載置領域２１に対応する部分（開口部４１ａの中央部）の電流を相対的に強くし、周縁領域２２に対応する部分（開口部４１ａの周縁部）の電流を相対的に弱くしておく。この結果、開口部４１ａの中央部に相対的に多くの電流が流れ、開口部４１ａの周縁部よりも中央部に析出するめっきの厚みを厚くすることができる。このようにして、本体めっき層２４において、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって上方へ盛り上がった凸部２６が形成される。
次に、本体めっき層２４上に例えば銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）／パラジウム（Ｐｄ）／金（Ａｕ）の三層構造等からなる反射用めっき層２５を形成することにより、基板４０上に本実施の形態によるＬＥＤ素子載置部材２０を形成することができる（図１１（ｃ））。
このほか本実施の形態によるコアレス型のＬＥＤ素子パッケージの製造方法およびＬＥＤ素子載置基板の製造方法については、上述した第１の実施の形態と略同一であるので、ここでは説明を省略する。
本実施の形態によれば、ＬＥＤ素子載置部材２０のＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２は、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって上方へ盛り上がった凸部２６を形成するので、ＬＥＤ素子１１からの光が封止樹脂部１３内で拡散するように、その反射方向を制御することができる。すなわちＬＥＤ素子１１からの光は、凸部２６において反射用めっき層２５で反射し、その反射方向を拡散させた状態で発光面１３ａから取り出すことができる。
第４の実施の形態
次に、本発明の第４の実施の形態について図１２および図１３（ａ）−（ｃ）を参照して説明する。図１２および図１３（ａ）−（ｃ）は、本発明の第４の実施の形態を示す図である。図１２は、第１の実施の形態の図１に対応する図であり、図１３（ａ）−（ｃ）は、第１の実施の形態の図６（ａ）−（ｃ）に対応する図である。図１２および図１３（ａ）−（ｃ）に示す第４の実施の形態は、ＬＥＤ素子載置部材２０の周縁領域２２から側方に向けて突出する突起部２９が設けられている点が異なるものであり、他の構成は上述した第３の実施の形態と略同一である。図１２および図１３（ａ）−（ｃ）において、図１乃至図１１に示す第１の実施の形態乃至第３の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
図１２に示すように、本実施の形態によるＬＥＤ素子パッケージ１０Ｃにおいて、ＬＥＤ素子載置部材２０は、中央に位置するとともにＬＥＤ素子１１を載置するＬＥＤ素子載置領域２１と、ＬＥＤ素子載置領域２１の周縁に位置する周縁領域２２とを有している。これらＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２は、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって上方へ盛り上がった凸部２６を形成している。
またＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２の表面は、ＬＥＤ素子１１からの光を反射するための反射面として機能するようになっている。すなわちＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２は、本体めっき層２４と、この本体めっき層２４上に形成され、ＬＥＤ素子１１からの光を反射するための反射面として機能する反射用めっき層２５とを有している。
ところで本実施の形態においては、図１２に示すように、ＬＥＤ素子載置部材２０の周縁領域２２に、この周縁領域２２から側方に向けて突出する突起部２９が設けられている。この突起部２９は、周縁領域２２の全周にわたって設けられていることが好ましい。同様に、配線導体３０には、配線導体３０から側方に向けて突出する突起部３９が設けられている。
次に図１３（ａ）−（ｃ）により、電解めっき法を用いて、このような形状を有するＬＥＤ素子載置部材２０を作製する方法について説明する。
まず、基板４０上に電解めっきを施すことにより、レジスト層４１の開口部４１ａ内に、例えばニッケル（Ｎｉ）からなる本体めっき層２４を形成する（図１３（ａ）（ｂ））。
この場合、図１３（ａ）（ｂ）に示すように、第１の実施の形態で用いたアノード電極４８より小さいアノード電極４９を用い、このアノード電極４９から開口部４１ａのうち主に中央部に向けて電流を供給する。これにより、アノード電極４９から基板４０（カソード電極）へ流れる電流のうち、ＬＥＤ素子載置部材２０のＬＥＤ素子載置領域２１に対応する部分（開口部４１ａの中央部）の電流を相対的に強くし、周縁領域２２に対応する部分（開口部４１ａの周縁部）の電流を相対的に弱くしておく。この結果、開口部４１ａの中央部に相対的に多くの電流が流れ、開口部４１ａの周縁部よりも中央部に析出するめっきの厚みを厚くすることができる。このようにして、本体めっき層２４において、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって上方へ盛り上がった凸部２６が形成される。
次に、本体めっき層２４上に例えば銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）／パラジウム（Ｐｄ）／金（Ａｕ）の三層構造等からなる反射用めっき層２５を形成することにより、基板４０上に本実施の形態によるＬＥＤ素子載置部材２０を形成することができる（図１３（ｃ））。
このほか本実施の形態によるコアレス型のＬＥＤ素子パッケージの製造方法およびＬＥＤ素子載置基板の製造方法については、上述した第１の実施の形態と略同一であるので、ここでは説明を省略する。
本実施の形態によれば、ＬＥＤ素子載置部材２０の周縁領域２２に、周縁領域２２から側方に向けて突出する突起部２９が設けられているので、封止樹脂部１３からＬＥＤ素子載置部材２０が抜け落ちることを防止することができる。同様に、配線導体３０に、配線導体３０から側方に向けて突出する突起部３９が設けられているので、封止樹脂部１３から配線導体３０が抜け落ちることを防止することができる。
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ ＬＥＤ素子パッケージ
１１ ＬＥＤ素子
１２ ボンディングワイヤ
１３ 封止樹脂部
２０ ＬＥＤ素子載置部材
２１ ＬＥＤ素子載置領域
２２ 周縁領域
２３ 凹部
２４ 本体めっき層
２５ 反射用めっき層
２６ 凸部
２９ 突起部
３０ 配線導体
３１ 本体めっき層
３２ 反射用めっき層
３５ 配線基板
３９ 突起部
４０ 基板
５０ ＬＥＤ素子載置基板

Claims (17)

  1. コアレス型ＬＥＤ素子パッケージを構成するために設けられ、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材において、
    中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、
    ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを備え、
    ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって下方へ落ち込む凹部を形成し、
    ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子載置部材。
  2. コアレス型ＬＥＤ素子パッケージを構成するために設けられ、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材において、
    中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、
    ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを備え、
    ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって上方へ盛り上がった凸部を形成し、
    ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子載置部材。
  3. ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、めっきにより形成されていることを特徴とする請求項１または２記載のＬＥＤ素子載置部材。
  4. ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、本体めっき層と、この本体めっき層上に形成された反射用めっき層とを有することを特徴とする請求項３記載のＬＥＤ素子載置部材。
  5. 周縁領域から側方に向けて突出する突起部が設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載のＬＥＤ素子載置部材。
  6. 請求項１乃至５のいずれか一項記載のＬＥＤ素子載置部材と、
    ＬＥＤ素子載置部材を支持する基板とを備えたことを特徴とするＬＥＤ素子載置基板。
  7. コアレス型ＬＥＤ素子パッケージにおいて、
    ＬＥＤ素子載置部材と、
    ＬＥＤ素子載置部材上に載置されたＬＥＤ素子と、
    ＬＥＤ素子載置部材周囲に設けられた配線導体と、
    配線導体とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、
    ＬＥＤ素子載置部材、ＬＥＤ素子、配線導体、および導電部を封止する封止樹脂部とを備え、
    ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって下方へ落ち込む凹部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子パッケージ。
  8. コアレス型ＬＥＤ素子パッケージにおいて、
    ＬＥＤ素子載置部材と、
    ＬＥＤ素子載置部材上に載置されたＬＥＤ素子と、
    ＬＥＤ素子載置部材周囲に設けられた配線導体と、
    配線導体とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、
    ＬＥＤ素子載置部材、ＬＥＤ素子、配線導体、および導電部を封止する封止樹脂部とを備え、
    ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって上方へ盛り上がった凸部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子パッケージ。
  9. ＬＥＤ素子載置部材のＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、めっきにより形成されていることを特徴とする請求項７または８記載のＬＥＤ素子パッケージ。
  10. ＬＥＤ素子載置部材のＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、本体めっき層と、この本体めっき層上に形成された反射用めっき層とを有することを特徴とする請求項９記載のＬＥＤ素子パッケージ。
  11. ＬＥＤ素子載置部材の周縁領域から側方に向けて突出する突起部が設けられていることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか一項記載のＬＥＤ素子パッケージ。
  12. コアレス型ＬＥＤ素子パッケージを製造するために用いられるＬＥＤ素子載置基板の製造方法において、
    支持部材として機能する基板を準備する工程と、
    基板の表面に、所望パターンを有するレジストを設ける工程と、
    基板の表面側にめっきを施し、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材を形成する工程と、
    基板の表面側のレジストを剥離する工程とを備え、
    ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって下方へ落ち込む凹部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子載置基板の製造方法。
  13. コアレス型ＬＥＤ素子パッケージを製造するために用いられるＬＥＤ素子載置基板の製造方法において、
    支持部材として機能する基板を準備する工程と、
    基板の表面に、所望パターンを有するレジストを設ける工程と、
    基板の表面側にめっきを施し、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材を形成する工程と、
    基板の表面側のレジストを剥離する工程とを備え、
    ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって上方へ盛り上がった凸部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子載置基板の製造方法。
  14. ＬＥＤ素子載置部材を形成する工程の後、基板の裏面側にエッチングを施すことにより、基板を所定の外形形状にするとともに、基板に搬送用穴を形成する工程が設けられていることを特徴とする請求項１２または１３記載のＬＥＤ素子載置基板の製造方法。
  15. コアレス型ＬＥＤ素子パッケージの製造方法において、
    支持部材として機能する基板を準備する工程と、
    基板の表面に、所望パターンを有するレジストを設ける工程と、
    基板の表面側にめっきを施し、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材と、ＬＥＤ素子載置部材周囲に設けられた配線導体とを形成する工程と、
    基板の表面側のレジストを剥離する工程と、
    ＬＥＤ素子載置部材上にＬＥＤ素子を搭載する工程と、
    ＬＥＤ素子と配線導体とを導電部により接続する工程と、
    基板上のＬＥＤ素子載置部材、配線導体、ＬＥＤ素子、および導電部を封止樹脂により樹脂封止して封止樹脂部を形成する工程と、
    支持部材として機能する基板を封止樹脂部から除去する工程とを備え、
    ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって下方へ落ち込む凹部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子パッケージの製造方法。
  16. コアレス型ＬＥＤ素子パッケージの製造方法において、
    支持部材として機能する基板を準備する工程と、
    基板の表面に、所望パターンを有するレジストを設ける工程と、
    基板の表面側にめっきを施し、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材と、ＬＥＤ素子載置部材周囲に設けられた配線導体とを形成する工程と、
    基板の表面側のレジストを剥離する工程と、
    ＬＥＤ素子載置部材上にＬＥＤ素子を搭載する工程と、
    ＬＥＤ素子と配線導体とを導電部により接続する工程と、
    基板上のＬＥＤ素子載置部材、配線導体、ＬＥＤ素子、および導電部を封止樹脂により樹脂封止して封止樹脂部を形成する工程と、
    支持部材として機能する基板を封止樹脂部から除去する工程とを備え、
    ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって上方へ盛り上がった凸部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子パッケージの製造方法。
  17. ＬＥＤ素子載置部材と配線導体とを形成する工程の後、基板の裏面側にエッチングを施すことにより、基板を所定の外形形状にするとともに、基板に搬送用穴を形成する工程が設けられていることを特徴とする請求項１５または１６記載のＬＥＤ素子パッケージの製造方法。
JP2009252000A 2009-11-02 2009-11-02 Ｌｅｄ素子載置部材、ｌｅｄ素子載置基板およびその製造方法、ならびにｌｅｄ素子パッケージおよびその製造方法 Pending JP2011096970A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009252000A JP2011096970A (ja) 2009-11-02 2009-11-02 Ｌｅｄ素子載置部材、ｌｅｄ素子載置基板およびその製造方法、ならびにｌｅｄ素子パッケージおよびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009252000A JP2011096970A (ja) 2009-11-02 2009-11-02 Ｌｅｄ素子載置部材、ｌｅｄ素子載置基板およびその製造方法、ならびにｌｅｄ素子パッケージおよびその製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014092744A Division JP5904232B2 (ja) 2014-04-28 2014-04-28 Ｌｅｄ素子載置部材、ｌｅｄ素子載置基板およびその製造方法、ならびにｌｅｄ素子パッケージおよびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011096970A true JP2011096970A (ja) 2011-05-12

Family

ID=44113564

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009252000A Pending JP2011096970A (ja) 2009-11-02 2009-11-02 Ｌｅｄ素子載置部材、ｌｅｄ素子載置基板およびその製造方法、ならびにｌｅｄ素子パッケージおよびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011096970A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013012531A (ja) * 2011-06-28 2013-01-17 Kyocera Corp 電子部品搭載用部材および電子装置
JP2014154768A (ja) * 2013-02-12 2014-08-25 Shinko Electric Ind Co Ltd 配線基板、発光装置、配線基板の製造方法及び発光装置の製造方法
JP2016504773A (ja) * 2013-01-24 2016-02-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ 複数のオプトエレクトロニクス部品の製造方法およびオプトエレクトロニクス部品
JP2017168725A (ja) * 2016-03-17 2017-09-21 日亜化学工業株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
JP2020010022A (ja) * 2018-07-02 2020-01-16 ドクトル・ヨハネス・ハイデンハイン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＤｒ． Ｊｏｈａｎｎｅｓ Ｈｅｉｄｅｎｈａｉｎ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ Ｍｉｔ Ｂｅｓｃｈｒａｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ 位置測定装置のセンサーユニット用の光源を製作する方法及び位置測定装置
JP2022036268A (ja) * 2020-07-10 2022-03-04 マクセル株式会社 半導体装置用基板および半導体装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006173605A (ja) * 2004-12-16 2006-06-29 Agilent Technol Inc パッケージングされた電子デバイス及びその製作方法
JP2006310630A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Stanley Electric Co Ltd 光半導体装置、及び光半導体装置製造方法
JP2007294621A (ja) * 2006-04-24 2007-11-08 Sharp Corp Ｌｅｄ照明装置
JP2009506556A (ja) * 2005-08-30 2009-02-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 表面実装可能なオプトエレクトロニクス素子及び表面実装可能なオプトエレクトロニクス素子の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006173605A (ja) * 2004-12-16 2006-06-29 Agilent Technol Inc パッケージングされた電子デバイス及びその製作方法
JP2006310630A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Stanley Electric Co Ltd 光半導体装置、及び光半導体装置製造方法
JP2009506556A (ja) * 2005-08-30 2009-02-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 表面実装可能なオプトエレクトロニクス素子及び表面実装可能なオプトエレクトロニクス素子の製造方法
JP2007294621A (ja) * 2006-04-24 2007-11-08 Sharp Corp Ｌｅｄ照明装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013012531A (ja) * 2011-06-28 2013-01-17 Kyocera Corp 電子部品搭載用部材および電子装置
JP2016504773A (ja) * 2013-01-24 2016-02-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ 複数のオプトエレクトロニクス部品の製造方法およびオプトエレクトロニクス部品
US9755114B2 (en) 2013-01-24 2017-09-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a plurality of optoelectronic components and optoelectronic component
JP2014154768A (ja) * 2013-02-12 2014-08-25 Shinko Electric Ind Co Ltd 配線基板、発光装置、配線基板の製造方法及び発光装置の製造方法
JP2017168725A (ja) * 2016-03-17 2017-09-21 日亜化学工業株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
JP2020010022A (ja) * 2018-07-02 2020-01-16 ドクトル・ヨハネス・ハイデンハイン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＤｒ． Ｊｏｈａｎｎｅｓ Ｈｅｉｄｅｎｈａｉｎ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ Ｍｉｔ Ｂｅｓｃｈｒａｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ 位置測定装置のセンサーユニット用の光源を製作する方法及び位置測定装置
JP7328798B2 (ja) 2018-07-02 2023-08-17 ドクトル・ヨハネス・ハイデンハイン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング 位置測定装置のセンサーユニット用の光源を製作する方法及び位置測定装置
JP2022036268A (ja) * 2020-07-10 2022-03-04 マクセル株式会社 半導体装置用基板および半導体装置
JP7256303B2 (ja) 2020-07-10 2023-04-11 マクセル株式会社 半導体装置用基板および半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI462343B (zh) 發光裝置
CN102376855B (zh) 发光器件和具有发光器件的照明***
KR100586944B1 (ko) 고출력 발광다이오드 패키지 및 제조방법
US10177286B2 (en) Light emitting element package having three regions
EP2897182A1 (en) Light emitting device and lighting system having the same
WO2006028073A1 (ja) チップ部品型発光装置及びそのための配線基板
JP5922326B2 (ja) Ｌｅｄ用リードフレームまたは基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
JP2015144147A (ja) Ｌｅｄモジュール
WO2013121708A1 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP2011096970A (ja) Ｌｅｄ素子載置部材、ｌｅｄ素子載置基板およびその製造方法、ならびにｌｅｄ素子パッケージおよびその製造方法
WO2014064871A1 (ja) 発光装置およびその製造方法ならびに発光装置実装体
JP5375630B2 (ja) 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにｌｅｄ素子パッケージおよびその製造方法
JP2011100862A (ja) 発光装置およびその製造方法
JP5871174B2 (ja) Ｌｅｄ用リードフレームまたは基板、半導体装置、およびｌｅｄ用リードフレームまたは基板の製造方法
JP2011228687A (ja) Ｌｅｄ用リードフレームまたは基板、半導体装置、およびｌｅｄ用リードフレームまたは基板の製造方法
JP2016058447A (ja) Ｌｅｄパッケージおよびその製造方法、ならびにｌｅｄ素子搭載基板およびその製造方法
JP2011066144A (ja) Ｌｅｄ用リードフレームまたは基板、半導体装置、およびｌｅｄ用リードフレームまたは基板の製造方法
JP6183726B2 (ja) Ｌｅｄ素子載置部材、ｌｅｄ素子載置基板およびその製造方法、ならびにｌｅｄ素子パッケージおよびその製造方法
JP5904232B2 (ja) Ｌｅｄ素子載置部材、ｌｅｄ素子載置基板およびその製造方法、ならびにｌｅｄ素子パッケージおよびその製造方法
JP2011082259A (ja) Ｌｅｄ素子載置部材およびその製造方法、ならびにｌｅｄ素子パッケージおよびその製造方法
KR101846356B1 (ko) 광소자 패키지 및 그 제조 방법
JP5565668B2 (ja) 半導体素子載置部材と配線導体との組合体、半導体素子載置基板およびその製造方法、ならびに半導体素子パッケージおよびその製造方法
JP6524517B2 (ja) 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用樹脂付きリードフレーム及び光半導体装置と、光半導体装置用リードフレームの製造方法
JP5682341B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP5573563B2 (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120918

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130611

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130702

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130828

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140204

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140428

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20140512

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20140801