JP2011096928A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 光取り出し効率の高い発光装置を得る。
【解決手段】 透光性基板の下側に半導体層を有し、該半導体層の下側に一対の電極を有する発光素子と、上面に、電極と電気的に接続される導体配線を有する基体と、発光素子を被覆し、基体の上面に設けられる透光性の封止部材と、を有する発光装置であって、発光素子は、透光性基板の上面は表面粗さRa1の粗面領域を有し、基体の上面は、表面粗さRa1よりも大きい表面粗さRa2を有する粗面領域を有することを特徴とする。これにより、光の取り出し効率の高い発光装置とすることができる。
【選択図】 図1
【解決手段】 透光性基板の下側に半導体層を有し、該半導体層の下側に一対の電極を有する発光素子と、上面に、電極と電気的に接続される導体配線を有する基体と、発光素子を被覆し、基体の上面に設けられる透光性の封止部材と、を有する発光装置であって、発光素子は、透光性基板の上面は表面粗さRa1の粗面領域を有し、基体の上面は、表面粗さRa1よりも大きい表面粗さRa2を有する粗面領域を有することを特徴とする。これにより、光の取り出し効率の高い発光装置とすることができる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、表示装置、照明器具の光源として利用可能な発光装置に関する。
表示装置や照明装置の光源として、従来使用されていた蛍光灯や白熱電球などに代わる新しい光源として、半導体発光素子(以下、単に発光素子とも称する)を用いた発光装置(LED)の研究が進められている。この発光装置は、上記の光源と比べて寿命が長く、また、省エネルギーでの発光が可能であり、次世代の照明用光源としての期待が大きい。
このような発光装置は、実用化が開始された当時から種々改良されており、数年の間にその出力は大幅に向上しているものの、更なる高出力化が求められている。そのため、発光装置を構成する各部材の改良や、発光素子自体の発光効率を向上させることなどが検討されている。
発光素子自体の発光効率を向上させるためには、光取り出し、放熱性や伝熱性を含めた半導体層構造設計の最適化、結晶性の向上、半導体層に設けられる電極材料の最適化など、種々の方法が検討されている。
例えば、特許文献1に記載されている発光素子(LEDチップ)は、透光性の基板を用いており、その表面に凹凸を設けることで発光効率を向上させている。
しかしながら、上記のような構造では、光取り出し効率の向上は不十分であり、また、工程が複雑であるという問題がある。
以上の目的を達成するため、本発明の発光装置は、透光性基板の下側に半導体層を有し、半導体層の下側に一対の電極を有する発光素子と、上面に、電極と電気的に接続される導体配線を有する基体と、発光素子を被覆し、基体の上面に設けられる透光性の封止部材と、を有する発光装置であって、発光素子は、透光性基板の上面は表面粗さRa1の粗面領域を有し、基体の上面は、表面粗さRa1よりも大きい表面粗さRa2の粗面領域を有することを特徴とする。
本発明により、比較的容易な方法で、光取り出し効率の高い発光装置とすることができる。
本発明を実施するための最良の形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置を例示するものであって、以下に限定するものではない。
また、本明細書は、特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。特に、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。尚、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。
本実施の形態の発光装置100の断面図を図1に示す。本実施の形態において、発光装置100は、発光素子103と、発光素子103と電気的に接続される導電部材102を有する基体101と、発光素子103を被覆する封止部材104とを有している。発光素子103は、透光性基板103aの下側にn型半導体層103b、活性層(発光層)103c、p型半導体層103dからなる半導体層を有しており、n型半導体層とp型半導体層にはそれぞれ電極103eが形成されており、この電極103eが、基体101の上面に設けられている導体配線102と電気的に接続されている。
そして、本発明において、発光素子103の透光性基板103aの上面は表面粗さRa1の粗面である粗面領域X1を有し、基体101の上面は、表面粗さRa1よりも大きい表面粗さRa2である粗面領域Yを有することを特徴とする。透光性基板103aの上面を粗面とすることにより、透光性基板と封止部材との界面において完全反射する光を低減することができる。そのため、発光素子内部からの光を効率よく外部に取り出すことができる。更に、基体101の上面を粗面とし、その表面粗さRa2を、透光性基板の表面粗さRa1よりも大きくすることで、基体上面の反射光を拡散し、均一な配光特性を有する発光装置とすることができる。
尚、本明細書において表面粗さRa(中心線平均粗さ)は、三鷹光器株式会社製 非接触表面粗さ測定装置 NH120Sを用い、軸上照射、測定領域がΦ0.4mm、垂直受光で得られる数値である。
このような構造の発光装置は、図2に示すような方法で得ることができる。
第1の工程
本発明において、第1の工程では、透光性基板の下側に半導体層を有し、その半導体層の下側に一対の電極を有する発光素子を、上面に導体配線を有する基体の上に電気的に接続するように載置する。ここでは、板状の基体を用いているが、凹部を有する基体の場合は、凹部の底面に露出されている導体配線上に発光素子を載置する。
本発明において、第1の工程では、透光性基板の下側に半導体層を有し、その半導体層の下側に一対の電極を有する発光素子を、上面に導体配線を有する基体の上に電気的に接続するように載置する。ここでは、板状の基体を用いているが、凹部を有する基体の場合は、凹部の底面に露出されている導体配線上に発光素子を載置する。
第2の工程
次に、図2(a)に示すように、基体101及びその上に載置される発光素子103の上方から、粗面化加工を施す。ここでは、研磨剤Pを含む圧縮空気を上方から噴射するドライブラストでの例を示す。
次に、図2(a)に示すように、基体101及びその上に載置される発光素子103の上方から、粗面化加工を施す。ここでは、研磨剤Pを含む圧縮空気を上方から噴射するドライブラストでの例を示す。
ブラスト処理は、ウエットブラスト・ドライブラストのどちらでも選択することができ、好ましくはドライブラストである。ドライブラスト処理の条件としては、常温下で、圧縮空気の圧力を0.1MPa〜0.3MPa程度とするのが好ましい。更に、研磨剤としては、ダイヤモンド、アルミナ、ジルコニア、ガラス、樹脂、スチール等々を選択することができる。これらは粒径0.1μm〜1.0μm程度のものが好ましく、特に0.3μm〜0.5μm程度のものが好ましい。
ウエットブラスト処理の条件としては、水に研磨剤を混合させたスラリーを、常温下で、圧縮空気と共に噴射させる。研磨剤としては、ドライブラストと同様に、ダイヤモンド、アルミナ、ジルコニア、ガラス、樹脂、スチール等々を選択することができる。これらは粒径0.1μm〜1.0μm程度のものが好ましく、特に0.3μm〜0.5μm程度のものが好ましい。
粗面化処理後は、アルコール系溶剤等での超音波洗浄などの洗浄工程を施してもよい。
第3の工程
次に、図2(b)に示すように、発光素子103を被覆するよう前記基体101の上面に透光性の封止部材104を形成する。封止部材104を設ける方法としては、印刷法、ポッティング法、圧縮成型法等をあげることができる。
次に、図2(b)に示すように、発光素子103を被覆するよう前記基体101の上面に透光性の封止部材104を形成する。封止部材104を設ける方法としては、印刷法、ポッティング法、圧縮成型法等をあげることができる。
封止部材を加熱によって硬化させた後、図2(c)に示す破線部分で切断して個片化することで本発明の発光装置を得ることができる。切断方法としては、ダイシング、スクライブ、レーザースクライブ等を選択することができる。また、図2はセラミックなどのような基体の集合体を切断することで個片化しているが、金属板を導体配線とし射出成形等で形成された樹脂製の基体の場合は、金属板を切断することで個片化させることができる。
以下、各部材について詳説する。
(基体)
基体は発光素子や保護素子などの電子部品を保護するとともに、これら電子部品に外部からの電流を供給するための導体配線(電極)を備えているものである。図1に示すような板状の基体のほか、発光素子が載置可能な凹部を有する形状等も用いることができ、上面視において四角形、長方形、円形、多角形、及びそれらを組み合わせたような形状のものを用いることができる。
(基体)
基体は発光素子や保護素子などの電子部品を保護するとともに、これら電子部品に外部からの電流を供給するための導体配線(電極)を備えているものである。図1に示すような板状の基体のほか、発光素子が載置可能な凹部を有する形状等も用いることができ、上面視において四角形、長方形、円形、多角形、及びそれらを組み合わせたような形状のものを用いることができる。
本発明では、基体の上面の表面粗さRa2は、後述の発光素子の透光性基板の上面の表面粗さRa1よりも大きいことが好ましい。これにより、基板上面の反射光を拡散させることが出来るという効果が得られる。特に、2μm〜10μmの範囲とすることで、理想的な配光特性であるランバート分布により近い配光が得られるという効果が得られる。さらに、基体の上面に粗面領域Yを有することで、封止部材との密着性を向上させることができる。尚、粗面化加工を施すのは、発光素子を基体の上面に載置した後の工程であるため、粗面領域は発光素子の直下を除く領域であり、表面粗さRa2は、この領域の数値を指すものである。
基体の材料としては、絶縁性部材が好ましく、また、発光素子からの光や、外光などが透過しにくい部材が好ましい。また、ある程度の強度を有するものが好ましく、より具体的には、セラミック、フェノール樹脂、ガラスエポキシ樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などがあげられる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂などの変性エポキシ樹脂組成物、エポキシ変性シリコーン樹脂などの変性シリコーン樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物などがあげられ、また熱可塑性樹脂としては、BTレジンや、PPAなどが挙げられる。
特にセラミックが好ましく、これにより耐粗化性、耐熱性の高い基体とすることができる。セラミックとしては、Al2O3(アルミナ)、AlN、ムライト、炭化ケイ素あるいはSi3N4(窒化ケイ素)などが好ましい。セラミックからなる基体は、未焼成のセラミックグリーンシートの段階で、タングステン、モリブデンなどの金属を含む導電ペーストを、所定の導体配線のパターンに塗布して設けることができる。そして、それら積層されたセラミックグリーンシートを焼成することで得ることができる。基体の上面に露出されている導体配線は、発光素子からの光に対する反射率が高い金属で被覆しておくのが好ましく、例えば銀、金、ニッケル等で被覆層を形成するのが好ましい。
被覆層の形成方法としては、スパッタ、真空蒸着、PVD、イオンプレーティング、CVDなどの成膜方法や、電解鍍金、無電解鍍金、カップリング剤処理、電着塗装、金属含有の樹脂ペーストを付着させるなどの方法により形成させることができる。特に、電解鍍金により設けることで、導体配線上に容易に形成させることができ好ましい。
また、導体配線の被覆層は、基体等の粗面化処理の際に一緒に粗面化される。これによって、発光素子からの光が拡散反射して、配光特性が滑らかとなる。また、封止部材との密着性が向上する。ただし、この場合、粗面化処理によって導体配線に設けられる被覆層が削られて反射率の低い導体配線が露出してしまうことを避けるため、被覆層の厚みを、あらかじめ厚く形成するように調整しておき、例えば被覆後に0.2μm〜0.5μmとなるよう、あらかじめ3μm〜15μm程度の厚さで形成しておくなどの方法をとることができる。尚、ここでの表面粗さRaは、2μm〜10μmの範囲が好ましい。また、導体配線が粗面化されないよう、発光素子の直下以外の導体配線は、基体に埋設させるようにしてもよい。或いは、基体の上面で露出されている部分をレジスト等で覆った後に粗面化処理を施してもよい。
(接合部材)
接合部材は、導体配線上に発光素子を載置して接続させるための接着材であり、発光素子の電極と、基体の導体配線とを直接電気的に接続させるため、導電性のものを用いる。具体的には、銀、金、パラジウムなどの導電性ペーストや、Au−Sn共晶などのはんだ、低融点金属等のろう材を用いることができる。接合部材は、発光素子の電極と、基体の導体配線とを電気的に接続可能な量を用いればよく、その接着面の面積と略同一面積となるように設けるのが好ましい。接合部材の量が多くなると、粗面化処理工程で導体配線等と同様に粗面化される場合があるため、発光素子の直下から外側に広がらないようにするのが好ましい。
接合部材は、導体配線上に発光素子を載置して接続させるための接着材であり、発光素子の電極と、基体の導体配線とを直接電気的に接続させるため、導電性のものを用いる。具体的には、銀、金、パラジウムなどの導電性ペーストや、Au−Sn共晶などのはんだ、低融点金属等のろう材を用いることができる。接合部材は、発光素子の電極と、基体の導体配線とを電気的に接続可能な量を用いればよく、その接着面の面積と略同一面積となるように設けるのが好ましい。接合部材の量が多くなると、粗面化処理工程で導体配線等と同様に粗面化される場合があるため、発光素子の直下から外側に広がらないようにするのが好ましい。
(封止部材)
封止部材は、発光素子、受光素子、保護素子などの電子部品を、塵芥や水分、更には外力などから保護する部材である。
封止部材は、発光素子、受光素子、保護素子などの電子部品を、塵芥や水分、更には外力などから保護する部材である。
封止部材の材料としては、発光素子からの光を透過可能な透光性を有し、且つ、それらによって劣化しにくい耐光性を有するものが好ましい。具体的な材料としては、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物等発光素子からの光を透過可能な透光性を有する絶縁樹脂組成物を挙げることができる。更に、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂及びこれらの樹脂を少なくとも1種以上含むハイブリッド樹脂等も用いることができる。さらにまた、これらの有機物に限られず、ガラス、シリカゾル等の無機物も用いることができる。このような材料に加え、波長変換部材(蛍光部材)の他に、所望に応じて着色剤、光拡散剤、光反射材、各種フィラー、などを含有させることもできる。封止部材の充填量は、上記電子部品が被覆される量であればよい。封止部材の外表面の形状については配光特性などに応じて種々選択することができる。
(波長変換部材)
上記封止部材中に、波長変換部材として半導体発光素子からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発する蛍光部材を含有させることもできる。
上記封止部材中に、波長変換部材として半導体発光素子からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発する蛍光部材を含有させることもできる。
蛍光部材としては、半導体発光素子からの光を、それより長波長に変換させるものの方が効率がよい。しかしながら、これに限らず、半導体発光素子からの光を、短波長に変換させるもの、或いは、他の蛍光部材によって変換された光を更に変換させるものなど、種々の蛍光部材を用いることができる。このような蛍光部材は、1種の蛍光物質等を単層で形成してもよいし、2種以上の蛍光物質等が混合された単層を形成してもよいし、1種の蛍光物質等を含有する単層を2層以上積層させてもよいし、2種以上の蛍光物質等がそれぞれ混合された単層を2層以上積層させてもよい。
発光素子として窒化物系半導体を発光層とする半導体発光素子を用いる場合、その発光素子からの光を吸収し異なる波長の光に波長変換する蛍光部材を用いることができる。例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体や酸窒化物系蛍光体を用いることができる。より具体的には、(a)Eu賦活されたα若しくはβサイアロン型蛍光体、各種アルカリ土類金属窒化シリケート、各種アルカリ土類金属窒化アルミニウムケイ素、(b)Eu等のランタノイド系の元素、Mn等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類金属ハロゲンアパタイト、アルカリ土類金属のハロシリケート、アルカリ土類金属シリケート、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン、アルカリ土類金属アルミン酸塩、アルカリ土類金属硫化物、アルカリ土類金属チオガレート、アルカリ土類金属窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、または、(c)Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩、アルカリ土類金属希土類ケイ酸塩(d)Eu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等、から選ばれる少なくともいずれか1以上であることが好ましい。好ましくは、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体であるYAG系蛍光体である。さらに、上記蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、作用、効果を有する蛍光体も使用することができる。
特に、青色系発光が可能な発光素子と、その光を吸収して黄色系発光に波長変換する蛍光部材を用いてそれらを混色させて白色光とする発光装置は、各種照明装置等に広く用いられるものであり、このような発光装置が、光取り出し効率が高く、長寿命で使用できることで、照明装置の交換回数を少なくし、省エネルギー化を促進することができる。
(発光素子)
発光素子(半導体発光素子)は、透光性基板と、その一方の面側に半導体層と、その半導体層に設けられる一対の電極とを有するものであり、基体の上面にこの電極側が下になるように載置し、透光性基板側が上になるように設けられる。透光性基板の上面は、表面粗さRa1の粗面であり、Ra1は1〜5μmの範囲とするのが好ましい。これにより透光性基板の上面での光反射を抑制して、光取り出し効率を向上させることができる。粗面化された領域は、透光性基板の上面の全領域にわたって設けるのが好ましい。さらに周縁の角部にも粗面が形成されることで、角部に光が集中するのを緩和して光の強度を均一にして、滑らかな配光特性が得られ易くなる。
発光素子(半導体発光素子)は、透光性基板と、その一方の面側に半導体層と、その半導体層に設けられる一対の電極とを有するものであり、基体の上面にこの電極側が下になるように載置し、透光性基板側が上になるように設けられる。透光性基板の上面は、表面粗さRa1の粗面であり、Ra1は1〜5μmの範囲とするのが好ましい。これにより透光性基板の上面での光反射を抑制して、光取り出し効率を向上させることができる。粗面化された領域は、透光性基板の上面の全領域にわたって設けるのが好ましい。さらに周縁の角部にも粗面が形成されることで、角部に光が集中するのを緩和して光の強度を均一にして、滑らかな配光特性が得られ易くなる。
また、透光性基板の側面の表面粗さRa3は、上面の表面粗さRa1よりも小さくするのが好ましく、0.5〜3μmの範囲とすることが好ましい。Ra1よりも小さくすることで軸状方向の光強度が向上する。透光性基板の側面に加え、n型半導体層、活性層、p型半導体層の側面も粗面が形成されており、これによって光取出しが向上するという効果が得られる。
発光素子は、任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、サファイア基板やGaN基板などの透光性基板を有する窒化物系半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)を用いたものを用いることができる。特にサファイア基板が好ましい。また、赤色の発光素子としては、GaPからなる透光性基板を有するAlInGaPなどを用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。用いる発光素子の組成や発光色、大きさや、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。
また、可視光領域の光だけでなく、紫外線や赤外線を出力する発光素子とすることができる。さらには、発光素子とともに、受光素子、及びそれらの半導体素子を過電圧による破壊から守る保護素子(例えば、ツェナーダイオードやコンデンサー)、あるいはそれらを組み合わせたものを搭載することができる。これらは、発光素子と同様に表面が粗面化されるため、封止部材との密着性を向上させることができる。これらの表面粗さRaは、発光素子と同程度が好ましい。また、発光素子は導電性ワイヤを用いないが、これら他の電子部品は導電性ワイヤを用いてもよく、その場合、導電性ワイヤの表面も粗面化されることで、封止部材との密着性を向上させることができる。
本発明に係る発光装置は、光取り出し効率に優れており、基体に発光素子を載置後に粗面化加工を行うことで、容易な工程で発光装置を得ることができる。このような発光装置は、各種表示装置、照明器具などにも利用することができる。
100・・・発光装置
101・・・基体
Y・・・基体の表面粗さRa2の粗面領域
102・・・導体配線
103・・・発光素子
103a・・・透光性基板
103b・・・n型半導体層
103c・・・活性層(発光層)
103d・・・p型半導体層
103e・・・電極
X1・・・発光素子の表面粗さRa1の粗面領域
X2・・・発光素子の表面粗さRa3の粗面領域
104・・・封止部材
P・・・研磨材
101・・・基体
Y・・・基体の表面粗さRa2の粗面領域
102・・・導体配線
103・・・発光素子
103a・・・透光性基板
103b・・・n型半導体層
103c・・・活性層(発光層)
103d・・・p型半導体層
103e・・・電極
X1・・・発光素子の表面粗さRa1の粗面領域
X2・・・発光素子の表面粗さRa3の粗面領域
104・・・封止部材
P・・・研磨材
Claims (8)
- 透光性基板の下側に半導体層を有し、該半導体層の下側に一対の電極を有する発光素子と、
上面に、前記電極と電気的に接続される導体配線を有する基体と、
前記発光素子を被覆し、前記基体の上面に設けられる透光性の封止部材と、
を有する発光装置であって、
前記発光素子は、前記透光性基板の上面は表面粗さRa1の粗面領域を有し、
前記基体の上面は、前記表面粗さRa1よりも大きい表面粗さRa2の粗面領域を有することを特徴とする発光装置。 - 前記透光性基板の側面は、前記表面粗さRa1よりも小さい表面粗さRa3の粗面領域を有する請求項1記載の発光装置。
- 前記表面粗さRa1は、1μm〜5μmである請求項1又は請求項2記載の発光装置。
- 前記表面粗さRa2は、2μm〜10μmである請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記表面粗さRa3は、0.5μm〜3μmである請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記透光性基板は、サファイアであり、前記半導体層は窒化物半導体である請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の発光装置。
- 透光性基板の下側に半導体層を有し、該半導体層の下側に一対の電極を有する発光素子を、上面に導体配線を有する基体の上に電気的に接続するように載置する第1の工程と、
前記基板及び発光素子の上方から、粗面化加工を施す第2の工程と、
前記発光素子を被覆するよう前記基体の上面に透光性の封止部材を形成する第3の工程と、
を有することを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記粗面化加工は、ブラストによる加工である請求項7記載の発光装置の製造方法。
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Cited By (8)
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---|---|---|---|---|
JP2014123619A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-07-03 | Hitachi Chemical Co Ltd | 電子部品の製造方法及び電子部品 |
JP2016021545A (ja) * | 2014-06-20 | 2016-02-04 | 大日本印刷株式会社 | 発光部品が実装された実装基板、および発光部品が実装される配線基板 |
WO2017038031A1 (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | 信越半導体株式会社 | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
JP2019208067A (ja) * | 2019-08-07 | 2019-12-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
JP2021039981A (ja) * | 2019-08-30 | 2021-03-11 | アオイ電子株式会社 | 発光装置 |
JP2021170594A (ja) * | 2020-04-15 | 2021-10-28 | 株式会社デンソー | 半導体チップおよびその製造方法 |
CN113594151A (zh) * | 2021-06-25 | 2021-11-02 | 苏州汉天下电子有限公司 | 半导体封装及其制造方法 |
WO2024116794A1 (ja) * | 2022-11-30 | 2024-06-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
-
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014123619A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-07-03 | Hitachi Chemical Co Ltd | 電子部品の製造方法及び電子部品 |
JP2016021545A (ja) * | 2014-06-20 | 2016-02-04 | 大日本印刷株式会社 | 発光部品が実装された実装基板、および発光部品が実装される配線基板 |
WO2017038031A1 (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | 信越半導体株式会社 | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
JP2017050406A (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | 信越半導体株式会社 | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
JP2019208067A (ja) * | 2019-08-07 | 2019-12-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
JP7037080B2 (ja) | 2019-08-07 | 2022-03-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
JP2021039981A (ja) * | 2019-08-30 | 2021-03-11 | アオイ電子株式会社 | 発光装置 |
JP7086902B2 (ja) | 2019-08-30 | 2022-06-20 | アオイ電子株式会社 | 発光装置 |
JP2021170594A (ja) * | 2020-04-15 | 2021-10-28 | 株式会社デンソー | 半導体チップおよびその製造方法 |
CN113594151A (zh) * | 2021-06-25 | 2021-11-02 | 苏州汉天下电子有限公司 | 半导体封装及其制造方法 |
CN113594151B (zh) * | 2021-06-25 | 2024-05-14 | 苏州汉天下电子有限公司 | 半导体封装及其制造方法 |
WO2024116794A1 (ja) * | 2022-11-30 | 2024-06-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
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