JP6610866B2 - 発光装置、及び照明装置 - Google Patents
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Description
本発明は、発光素子が基板に実装された構成の発光装置、及びこれを用いた照明装置に関する。
照明装置においては、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）などの半導体発光素子を光源とする発光装置（発光モジュール）を搭載したものが知られている。具体的に、発光装置としては、基板に実装された複数のＬＥＤの周りを光反射樹脂（以下、ダム材とも記載する）により囲んだ発光装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。ダム材により囲まれた領域には、ＬＥＤを封止する封止部材が配置されており、この封止部材がダム材によってせき止められている。
ここで、基板としてセラミック基板を用いることも考えられるが、封止部材またはダム材をなす樹脂材料の成分が、セラミック基板上におけるダム材外方の外部領域に染み出してしまう場合がある。この染み出しは、外部領域にある電極の接触不良または外観不良等を招くおそれがある。
このため、本発明は、封止部材またはダム材をなす樹脂材料の成分が外部領域へ染み出してしまうことを抑制することで、電極の接触不良、外観不良等を抑制することのできる発光装置及び照明装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る発光装置は、セラミック基板と、セラミック基板上に実装された発光素子と、発光素子を封止する封止部材と、セラミック基板上に形成されて、発光素子を囲むバッファ層と、少なくとも一部がバッファ層の上面に設けられ、封止部材をせき止めるためのダム材と、を備え、封止部材及びダム材は、樹脂材料から形成されており、バッファ層は、ガラス材料から形成されており、ダム材は、封止部材側の一端部がセラミック基板に接触し、他端部がセラミック基板には接触しない状態に形成されており、ダム材の一端から他端までの長さＬと、セラミック基板からダム材の頂点までの高さＨとが、１．２×Ｈ≦Ｌ≦２．４×Ｈの関係を満たしている。
本発明の他の態様に係る照明装置は、上記の発光装置を備える。
本発明によれば、封止部材またはダム材をなす樹脂材料の成分が外部領域へ染み出してしまうことを抑制することで、電極の接触不良、外観不良等を抑制することができる。
以下、実施の形態に係る発光装置等について、図面を参照しながら説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、以下の実施の形態における構成要素のうち、最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
なお、各図は模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡略化される場合がある。
（実施の形態１）
［発光装置の構成］
まず、実施の形態１に係る発光装置の構成について図面を用いて説明する。図１は、実施の形態１に係る発光装置の外観斜視図である。図２は、実施の形態１に係る発光装置の平面図である。図３は、実施の形態１に係る発光装置の内部構造を示す平面図である。図４は、図２のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。なお、図３は、図２において封止部材１３及びダム材１５を取り除き、ＬＥＤチップ１２の配列及び配線パターンなどの内部の構造を示した平面図である。
［発光装置の構成］
まず、実施の形態１に係る発光装置の構成について図面を用いて説明する。図１は、実施の形態１に係る発光装置の外観斜視図である。図２は、実施の形態１に係る発光装置の平面図である。図３は、実施の形態１に係る発光装置の内部構造を示す平面図である。図４は、図２のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。なお、図３は、図２において封止部材１３及びダム材１５を取り除き、ＬＥＤチップ１２の配列及び配線パターンなどの内部の構造を示した平面図である。
図１〜図４に示すように、実施の形態１に係る発光装置１０は、基板１１と、複数のＬＥＤチップ１２と、封止部材１３と、バッファ層１４と、ダム材１５とを備える。
発光装置１０は、基板１１にＬＥＤチップ１２が直接実装された、いわゆるＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）構造のＬＥＤモジュールである。
基板１１は、配線１６が設けられた配線領域を有する基板である。なお、配線１６（並びに、電極１６ａ及び電極１６ｂ）は、ＬＥＤチップ１２に電力を供給するための金属配線である。基板１１は、例えばセラミック基板などの多孔質基板から形成されている。
多孔質基板は、セラミック基板などのように基板自体が多孔質の基板であってもよいし、本来、多孔質でない基板の表面を多孔質材料で被覆した基板であってもよい。また、多孔質基板としては、微細な粒子を焼成して形成された基板を含んでもよい。
セラミック基板としては、酸化アルミニウム（アルミナ）からなるアルミナ基板または窒化アルミニウムからなる窒化アルミニウム基板等が採用される。
なお、基板１１として、例えば光反射率が高い（例えば光反射率が９０％以上の）基板が採用されてもよい。基板１１として光反射率の高い基板が採用されることで、ＬＥＤチップ１２が発する光を基板１１の表面で反射させることができる。この結果、発光装置１０の光取り出し効率が向上される。このような基板としては、例えばアルミナを基材とする白色セラミック基板が例示される。
また、基板１１として、光透過率が高い透光性基板が採用されてもよい。このような基板としては、多結晶のアルミナや窒化アルミニウムからなる透光性セラミックス基板が例示される。
なお、実施の形態１では基板１１は矩形であるが、円形などその他の形状であってもよい。
ＬＥＤチップ１２は、発光素子の一例であって、青色光を発する青色ＬＥＤチップである。ＬＥＤチップ１２としては、例えばＩｎＧａＮ系の材料によって構成された、中心波長（発光スペクトルのピーク波長）が４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の窒化ガリウム系のＬＥＤチップが採用される。
基板１１上には、複数のＬＥＤチップ１２からなる発光素子列が複数設けられている。図３に示すように、構造的には、円形状に対応して発光素子列が７列、基板１１上に設けられている。
電気的には、１２個の直列接続されたＬＥＤチップ１２からなる発光素子列が５列、基板１１上に設けられる。これら５列の発光素子列は並列接続され、電極１６ａと電極１６ｂとの間に電力が供給されることにより発光する。
また、詳細については図示されないが、直列接続されたＬＥＤチップ１２同士は、主に、ボンディングワイヤ１７によってＣｈｉｐ Ｔｏ Ｃｈｉｐで接続される（一部のＬＥＤチップ１２については、配線１６によって接続される）。なお、ボンディングワイヤ１７、並びに、上述の配線１６、電極１６ａ、及び電極１６ｂの金属材料としては、例えば、Ａｕ（金）、銀（Ａｇ）、または銅（Ｃｕ）等が採用される。
封止部材１３は、複数のＬＥＤチップ１２、ボンディングワイヤ１７、及び配線１６を封止する封止部材である。封止部材１３は、具体的には、波長変換材として黄色蛍光体粒子を含んだ透光性樹脂材料で構成される。透光性樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂が用いられるが、エポキシ樹脂またはユリア樹脂などが用いられてもよい。また、黄色蛍光体粒子には、例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系の蛍光体粒子が採用される。
この構成により、ＬＥＤチップ１２が発した青色光の一部は、封止部材１３に含まれる黄色蛍光体粒子によって黄色光に波長変換される。そして、黄色蛍光体粒子に吸収されなかった青色光と、黄色蛍光体粒子によって波長変換された黄色光とは、封止部材１３中で拡散及び混合される。これにより、封止部材１３からは、白色光が出射される。なお、封止部材１３は、ＬＥＤチップ１２及びボンディングワイヤ１７を、塵芥、水分、外力等から保護する機能も有する。
バッファ層１４は、ダム材１５を形成するための下地層であり、基板１１上に形成されている。実施の形態１では、バッファ層１４は、基板１１をガラスコーティングすることにより形成されるガラスコート層である。つまり、バッファ層１４は、ガラス材料からなる。
実施の形態１では、バッファ層１４は、配線領域と、配線領域以外の領域とにまたがって形成される。したがって、基板１１上には、バッファ層１４が配線領域（配線１６）を覆うように形成される部分（図４に図示）と、バッファ層１４が基板１１上に直接形成される部分（図３に示す二点鎖線で囲まれた領域Ｒ）とがある。
バッファ層１４は、複数のＬＥＤチップ１２の周囲に設けられた略円環状の配線１６のパターンを覆うように設けられる。つまり、バッファ層１４は、基板１１を平面視した場合、複数のＬＥＤチップ１２を囲むように円環状に形成される。なお、バッファ層１４は、外形が矩形の環状に形成されてもよい。バッファ層１４の厚みは、５μｍ〜５０μｍ程度である。なお、バッファ層１４の厚みを厚くすることにより、ダム材１５の材料の使用量を低減することができる。
ダム材１５は、封止部材１３をせき止めるための部材である。ダム材１５には、例えば、絶縁性を有する熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂等が用いられる。より具体的には、ダム材１５には、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ＢＴレジン、またはＰＰＡなどが用いられる。
ダム材１５は、発光装置１０の光取り出し効率を高めるために、光反射性を有することが望ましい。そこで、実施の形態１では、ダム材１５には、白色の樹脂（いわゆる白樹脂）が用いられる。なお、ダム材１５の光反射性を高めるために、ダム材１５の中には、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、及びＭｇＯ等の粒子が含まれてもよい。
図２に示すように、発光装置１０においては、ダム材１５は、基板１１を平面視した場合、複数のＬＥＤチップ１２を囲むように円環状に形成される。これにより、発光装置１０の光の取り出し効率を高めることができる。なお、ダム材１５は、バッファ層１４と同様に、外形が矩形の環状に形成されてもよい。
図５は、実施の形態１に係るダム材１５の概略構成を拡大して示す断面図である。
図５に示すように、ダム材１５は、断面形状が上方に向かって凸となる凸型形状となっている。ダム材１５は、少なくとも一部がバッファ層１４の上面に設けられている。具体的に、ダム材１５は、封止部材１３側の一端部１５１が基板１１に接触し、他端部１５２が基板１１に接触しない状態で形成されている。つまり、環状のダム材１５において、一端部１５１はダム材１５の内周縁をなす端部であり、全周にわたって基板１１の上面に接触した状態となっている。他方、ダム材１５の他端部１５２は、ダム材１５の外周縁をなす端部であり、全周にわたって基板１１には接触せずにバッファ層１４の上面に接触した状態となっている。
ここで、ダム材１５の一端から他端までの長さＬと、基板１１からダム材１５の頂点までの高さＨとが、１．２×Ｈ≦Ｌ≦２．４×Ｈの関係を満たしていることがよい。この関係を満たしていると、ダム材１５の形状を安定して保つことができる。
［発光装置の製造方法］
次に、発光装置１０の製造方法について説明する。図６は、発光装置１０の製造方法のフローチャートである。図７Ａ〜図７Ｄは、発光装置１０の製造方法の一工程を示す断面図である。なお、図７Ａ〜図７Ｄは、図４に対応する図である。
次に、発光装置１０の製造方法について説明する。図６は、発光装置１０の製造方法のフローチャートである。図７Ａ〜図７Ｄは、発光装置１０の製造方法の一工程を示す断面図である。なお、図７Ａ〜図７Ｄは、図４に対応する図である。
まず、図７Ａに示すように予め配線１６が形成された基板１１に対してバッファ層１４を形成する（Ｓ１１）。ここで、バッファ層１４は、具体的には、以下のようにして形成される。
まず、粉末状のフリットガラス（粉末ガラス）に溶剤を添加し混練することによってバッファ層１４の形成用のペーストを作製する。
次に、バッファ層１４の形成用のペーストを基板１１の所定の位置に所定形状で印刷する。実施の形態１では、複数のＬＥＤチップ１２を囲むように円環状に印刷される。なお、バッファ層１４の形成用のペーストは、印刷ではなく塗布されてもよい。
次に、バッファ層１４の形成用のペーストが印刷された基板１１を焼成する。基板１１が焼成されることによってバッファ層１４の形成用のペーストのガラスフリットが軟化して、図７Ｂに示すように基板１１または配線１６上にバッファ層１４としてガラスの焼結体膜が形成される。
バッファ層１４が形成された後、図７Ｃに示すようにバッファ層１４の上面にダム材１５を形成する（Ｓ１２）。ダム材１５は、バッファ層１４と同様に円環状に形成される。ダム材１５の形成には、白樹脂を吐出するディスペンサが用いられる。
次に、図７Ｄに示すように、基板１１上に複数のＬＥＤチップ１２が実装される（Ｓ１３）。ＬＥＤチップ１２の実装は、ダイアタッチ剤等によってＬＥＤチップ１２をダイボンディングすることにより行われる。このとき、ボンディングワイヤ１７及び配線１６により、複数のＬＥＤチップ１２は、電気的に接続される。
そして、図４に示すように、封止部材１３が充填（塗布）される（Ｓ１４）。具体的には、ダム材１５で囲まれる領域に、黄色蛍光体粒子を含んだ透光性樹脂材料が注入され、加熱または光照射等によって硬化される。
［効果等］
ここで、本実施の形態に係る発光装置１０と比較するべく、比較例１，２について説明する。なお、本実施の形態に係る発光装置１０と、比較例１，２に係る発光装置とは、ダム材の設置領域が異なっており、他の部分は同じものとする。このため、以下の比較例１，２の説明において、本実施の形態に係る発光装置１０と同等の部分においては同一の符号を付し、その説明を省略する。
ここで、本実施の形態に係る発光装置１０と比較するべく、比較例１，２について説明する。なお、本実施の形態に係る発光装置１０と、比較例１，２に係る発光装置とは、ダム材の設置領域が異なっており、他の部分は同じものとする。このため、以下の比較例１，２の説明において、本実施の形態に係る発光装置１０と同等の部分においては同一の符号を付し、その説明を省略する。
まず、比較例１について説明する。
図８は、比較例１に係る発光装置２０の要部構成を示す断面図である。具体的には、図８は図５に対応する図である。
図８に示すように発光装置２０に係るダム材２５の設置領域は、バッファ層１４の上面に収められている。つまり、ダム材２５は、一端部２５１から他端部２５２にかけて基板１１に接触しない状態となっている。この場合、ダム材２５とバッファ層１４との界面は、平面となっており、当該界面の一端部（封止部材１３側の端部）が封止部材１３に晒されている。すなわち、封止部材１３は硬化前にダム材２５とバッファ層１４との界面に侵入して、ダム材２５の外方に染み出してしまう場合がある（図８中、矢印Ｙ１参照）。
次いで比較例２について説明する。
図９は、比較例２に係る発光装置３０の要部構成を示す断面図である。具体的には、図９は図５に対応する図である。
図９に示すように発光装置３０に係るダム材３５の設置領域は、バッファ層１４よりも当該バッファ層１４の内方及び外方に広い領域となっている。つまり、ダム材３５は、バッファ層１４の全体を覆っているため、一端部３５１及び他端部３５２が基板１１に接触した状態となっている。この場合、ダム材３５とバッファ層１４との界面は、ダム材３５の一端部３５１により閉塞されるので、当該界面の一端部（封止部材１３側の端部）が封止部材１３に晒されない。これにより、ダム材３５とバッファ層１４と界面に対する封止部材１３の侵入が防止されて、封止部材１３の染み出しが抑えられる。しかしながら、バッファ層１４の外方（外部領域）においては、ダム材３５の他端部３５２が基板１１に接触している。ダム材３５が基板１１に接していると、ダム材３５の低分子成分が基板１１に染み出す場合がある（図９中、矢印Ｙ２参照）。この原因は特定できてはいないが、基板１１が多孔質基板であるために、毛細管現象によってダム材３５の低分子成分が基板１１に染み出すものと推測される。ダム材３５の低分子成分が基板１１における外部領域に染み出すと、外部領域にある電極を侵食して接触不良を発生させるおそれがある。さらに、染み出しによって基板１１の見栄えが損なわれ、外観不良も生じてしまう場合もある。
一方、本実施の形態に係る発光装置１０では、ダム材１５の一端部１５１が基板１１に接触し、他端部１５２がバッファ層１４に接触して、かつ基板１１には接触していない。つまり、バッファ層１４の内方においては、ダム材１５の一端部１５１が基板１１に接触しているために、封止部材１３の染み出しを防止している。また、バッファ層１４の外方においては、ダム材１５が基板１１に接触していないので、ダム材１５の成分が基板１１に染み出すことも防止されている。したがって、封止部材１３またはダム材１５をなす樹脂材料の成分が外部領域へ染み出してしまうことを抑制することで、外部領域にある電極の接触不良と、基板１１の外観不良とを抑制することができる。
なお、前述したとおり、バッファ層１４の内方では、ダム材１５の一端部１５１が基板１１に接触しているので、当該部分においてもダム材１５の低分子成分が染み出す場合がある。しかしながら、ダム材１５に囲まれた領域は封止部材１３により覆われているので、基板１１の見栄えが損なわれていたとしても目立たない。また、ＬＥＤチップ１２同士が、ボンディングワイヤ１７によってＣｈｉｐ Ｔｏ Ｃｈｉｐで接続されているので、染み出しを起因とした電極の接触不良も発生しにくい。
また、基板１１を平面視した場合、バッファ層１４及びダム材１５が、ＬＥＤチップ１２を囲むように環状に形成されているので、全周にわたって、封止部材１３またはダム材１５をなす樹脂材料の成分が外部領域へ染み出してしまうことを抑制することができる。
また、ダム材１５の一端から他端までの長さＬと、基板１１からダム材１５の頂点までの高さＨとが、１．２×Ｈ≦Ｌ≦２．４×Ｈの関係を満たしているので、ダム材１５の形状を安定して保つことができ、ダム材１５の他端部１５２がバッファ層１４からズレ落ちて基板１１に接触してしまうことを抑制することができる。
なお、Ｌ＝１．５×Ｈであればなおよい。
また、バッファ層１４がガラス材料から形成されているので、バッファ層１４とダム材１５との密着強度を高めることができる。これにより、バッファ層１４とダム材１５との界面に封止部材１３が侵入することをより抑制することができる。
なお、バッファ層１４がガラス材料から形成されている場合、バッファ層１４が透明であるために、バッファ層１４からの漏れ光が問題となる可能性がある。
そこで、バッファ層１４には、光反射部材が含まれてもよい。光反射部材は、具体的には、例えば、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、及びＭｇＯ等の粒子であるが、光反射性を有する部材であればその他の部材であってもよい。
このように、バッファ層１４に光反射部材が含まれることにより、バッファ層１４からの漏れ光を抑制することができる。
（実施の形態２）
次に、実施の形態２に係る照明装置２００について、図１０及び図１１を用いて説明する。図１０は、実施の形態２に係る照明装置２００の断面図である。図１１は、実施の形態２に係る照明装置２００及びその周辺部材の外観斜視図である。
次に、実施の形態２に係る照明装置２００について、図１０及び図１１を用いて説明する。図１０は、実施の形態２に係る照明装置２００の断面図である。図１１は、実施の形態２に係る照明装置２００及びその周辺部材の外観斜視図である。
図１０及び図１１に示すように、実施の形態２に係る照明装置２００は、例えば、住宅等の天井に埋込配設されることにより下方（廊下または壁等）に光を照射するダウンライト等の埋込型照明装置である。
照明装置２００は、発光装置１０を備える。照明装置２００はさらに、基部２１０と枠体部２２０とが結合されることで構成される略有底筒状の器具本体と、当該器具本体に配置された、反射板２３０及び透光パネル２４０とを備える。
基部２１０は、発光装置１０が取り付けられる取付台であるとともに、発光装置１０で発生する熱を放熱するヒートシンクである。基部２１０は、金属材料を用いて略円柱状に形成されており、実施の形態２ではアルミダイカスト製である。
基部２１０の上部（天井側部分）には、上方に向かって突出する複数の放熱フィン２１１が一方向に沿って互いに一定の間隔をあけて設けられている。これにより、発光装置１０で発生する熱を効率よく放熱させることができる。
枠体部２２０は、内面に反射面を有する略円筒状のコーン部２２１と、コーン部２２１が取り付けられる枠体本体部２２２とを有する。コーン部２２１は、金属材料を用いて成形されており、例えば、アルミニウム合金等を絞り加工またはプレス成形することによって作製することができる。枠体本体部２２２は、硬質の樹脂材料または金属材料によって成形されている。枠体部２２０は、枠体本体部２２２が基部２１０に取り付けられることによって固定されている。
反射板２３０は、内面反射機能を有する円環枠状（漏斗状の）反射部材である。反射板２３０は、例えばアルミニウム等の金属材料を用いて形成することができる。なお、反射板２３０は、金属材料ではなく、硬質の白色樹脂材料によって形成してもよい。
透光パネル２４０は、光拡散性及び透光性を有する透光部材である。透光パネル２４０は、反射板２３０と枠体部２２０との間に配置された平板プレートであり、反射板２３０に取り付けられている。透光パネル２４０は、例えばアクリルやポリカーボネート等の透明樹脂材料によって円盤状に形成することができる。
なお、照明装置２００は、透光パネル２４０を備えなくてもよい。透光パネル２４０を備えないことで、照明装置２００から放出される光の光束を向上させることができる。
また、図１１に示すように、照明装置２００には、発光装置１０に点灯電力を給電する点灯装置２５０と、商用電源からの交流電力を点灯装置２５０に中継する端子台２６０とが接続される。
点灯装置２５０及び端子台２６０は、器具本体とは別体に設けられた取付板２７０に固定される。取付板２７０は、金属材料からなる矩形板状の部材を折り曲げて形成されており、その長手方向の一端部の下面に点灯装置２５０が固定されるとともに、他端部の下面に端子台２６０が固定される。取付板２７０は、器具本体の基部２１０の上部に固定された天板２８０と互いに連結される。
照明装置２００は、発光装置１０を備えることで、電極の接触不良、外観不良等が抑制される。つまり、照明装置２００は、信頼性が高い照明装置であるといえる。
なお、実施の形態２では、照明装置として、ダウンライトが例示されたが、本発明は、スポットライトなどの他の照明装置として実現されてもよい。
（他の実施の形態）
以上、実施の形態に係る発光装置１０、及び照明装置２００について説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではない。
以上、実施の形態に係る発光装置１０、及び照明装置２００について説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではない。
また、上記実施の形態では、バッファ層１４及びダム材１５は、ＬＥＤチップ１２を囲むように環状に形成されたが、バッファ層１４及びダム材１５の形状等は、特に限定されるものではない。
また、上記実施の形態では、発光装置１０は、青色光を発するＬＥＤチップ１２と黄色蛍光体粒子との組み合わせによって白色光を放出したが、白色光を放出するための構成はこれに限らない。
例えば、赤色蛍光体粒子および緑色蛍光体粒子を含有する蛍光体含有樹脂と、ＬＥＤチップ１２とを組み合わせてもよい。あるいは、ＬＥＤチップ１２よりも短波長である紫外光を放出する紫外ＬＥＤチップと、主に紫外光により励起されることで青色光、赤色光および緑色光を放出する、青色蛍光体粒子、緑色蛍光体粒子および赤色蛍光体粒子とが組み合わされてもよい。
また、上記実施の形態では、基板１１に実装されたＬＥＤチップ１２は、他のＬＥＤチップ１２とボンディングワイヤ１７によって、Ｃｈｉｐ Ｔｏ Ｃｈｉｐで接続された。しかしながら、ＬＥＤチップ１２は、ボンディングワイヤ１７によって基板１１上に設けられた配線１６（金属膜）に接続され、当該配線１６を介して他のＬＥＤチップ１２と電気的に接続されてもよい。
また、上記実施の形態では、発光装置１０に用いる発光素子としてＬＥＤチップ１２が例示された。しかしながら、半導体レーザ等の半導体発光素子、または、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）もしくは無機ＥＬ等のＥＬ素子等の他の種類の固体発光素子が、発光素子として採用されてもよい。
また、発光装置１０には、発光色が異なる２種類以上の発光素子が用いられてもよい。例えば、発光装置１０は、演色性を高めるなどの目的で、ＬＥＤチップ１２に加えて赤色光を発するＬＥＤチップを備えてもよい。
また、上記実施の形態では、基板１１に対するダム材１５の染み出しは、基板１１の毛細管現象に起因するものとして説明した。これはあくまで本発明者らの推測であり、異なる要因で上記の染み出しが生じる場合も想定される。このため、毛細管現状を発しうる基板以外でも、上記の染み出しが生じる基板があった場合には、当該基板に対して上述した構成を適用すればよい。
その他、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態、または、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
１０ 発光装置
１１ 基板（セラミック基板）
１２ ＬＥＤチップ（発光素子）
１３ 封止部材
１４ バッファ層
１５ ダム材
１６ 配線
１５１ 一端部
１５２ 他端部
２００ 照明装置
１１ 基板（セラミック基板）
１２ ＬＥＤチップ（発光素子）
１３ 封止部材
１４ バッファ層
１５ ダム材
１６ 配線
１５１ 一端部
１５２ 他端部
２００ 照明装置
Claims (4)
- セラミック基板と、
前記セラミック基板上に実装された発光素子と、
前記発光素子を封止する封止部材と、
前記セラミック基板上に形成されて、前記発光素子を囲むバッファ層と、
少なくとも一部が前記バッファ層の上面に設けられ、前記封止部材をせき止めるためのダム材と、を備え、
前記封止部材及び前記ダム材は、樹脂材料から形成されており、
前記バッファ層は、ガラス材料から形成されており、
前記ダム材は、前記封止部材側の一端部が前記セラミック基板に接触し、他端部が前記セラミック基板には接触しない状態に形成されており、
前記ダム材の一端から他端までの長さＬと、前記セラミック基板から前記ダム材の頂点までの高さＨとが、１．２×Ｈ≦Ｌ≦２．４×Ｈの関係を満たしている
発光装置。 - 前記セラミック基板を平面視した場合、前記バッファ層及び前記ダム材は、前記発光素子を囲むように環状に形成されている
請求項１に記載の発光装置。 - 前記バッファ層には、光反射部材が含まれる
請求項１または２に記載の発光装置。 - 請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置を備える照明装置。
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