JP2011071377A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】環状凸部に発生する欠けを減少させるとともにエッチング液やレジスト液等の処理液を効率良くウエーハ外に排出可能なウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】デバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウエーハ11を加工する方法であって、ウエーハ11のデバイス領域に相当する領域を研削して裏面に円形凹部56を形成するとともに円形凹部56を囲繞する環状凸部58を形成するウエーハ研削ステップと、回転軸86に対して直交する第1面と第2面とを有し、第1面の外周に、傾斜するテーパ面89が形成された切削ブレード88を回転させつつ環状凸部の内周縁にテーパ面89を位置づけるとともに、切削ブレード88と保持手段とを相対移動させて切削ブレード88を環状凸部に切り込ませることにより、環状凸部の内周縁に切削ブレードのテーパ面89に倣った傾斜面を形成する環状凸部切削ステップとを含んでいる。
【選択図】図9
【解決手段】デバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウエーハ11を加工する方法であって、ウエーハ11のデバイス領域に相当する領域を研削して裏面に円形凹部56を形成するとともに円形凹部56を囲繞する環状凸部58を形成するウエーハ研削ステップと、回転軸86に対して直交する第1面と第2面とを有し、第1面の外周に、傾斜するテーパ面89が形成された切削ブレード88を回転させつつ環状凸部の内周縁にテーパ面89を位置づけるとともに、切削ブレード88と保持手段とを相対移動させて切削ブレード88を環状凸部に切り込ませることにより、環状凸部の内周縁に切削ブレードのテーパ面89に倣った傾斜面を形成する環状凸部切削ステップとを含んでいる。
【選択図】図9
Description
本発明は、薄く加工されても取り扱いが容易なウエーハの加工方法に関する。
半導体デバイス製造プロセスにおいては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配設されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC,LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切削装置で切削することにより、半導体ウエーハが個々の半導体チップ(デバイス)に分割される。
分割されるウエーハは、ストリートに沿って切削する前に裏面を研削や研磨して所定の厚さに形成される(例えば、特開2004−319885号公報参照)。近年、電気機器の軽量化、小型化、薄型化を達成するために、ウエーハの厚さをより薄く、例えば50μm程度にすることが要求されている。薄化されたウエーハは、研削によって生成された研削歪を除去するために適宜数μm程度エッチングされる。
このように薄く形成されたウエーハは取り扱いが困難になり、搬送等において破損する恐れがある。この問題を解消するために本出願人は、薄化されたウエーハのハンドリングを容易にしたウエーハの加工方法を特開2007−19461号公報で提案した。
この方法では、デバイスが形成されたデバイス領域に対応するウエーハの裏面を研削してデバイス領域を所定の厚さへ薄化することでウエーハの裏面に円形凹部を形成するとともに、ウエーハの裏面における外周余剰領域を残存させて環状凸部(環状補強部)を形成することによりウエーハのハンドリングを容易にしている。
一方、特開2009−21462号公報は、ウエーハの裏面を研削して円形凹部を形成するとともに該円形凹部を囲繞する環状凸部を形成した後、円形凹部内に再配線層を形成するウエーハの加工方法を開示している。
ところが、円形凹部を囲繞する環状凸部の側面がウエーハの研削面に対して垂直である場合には、搬送等のハンドリング時に環状凸部の外周エッジが非常に欠け易いという問題がある。
特に環状凸部の内周部分に欠けが生じると、後にエッチングを施した際、欠けた部分がよりエッチングされ易くなるために環状凸部が大きく浸食されて、その結果、環状凸部が補強部としての役目を果たせなくなってしまう。
また、円形凹部を囲繞する環状凸部の側面がウエーハの研削面に対して垂直であるウエーハの円形凹部内に再配線層を形成する場合、フォトリソグラフィで使用するレジスト液が円形凹部外に排出されにくいという問題がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、環状凸部に発生する欠けを減少させるとともにエッチング液やレジスト液等の処理液を効率良く円形凹部外に排出可能なウエーハの加工方法を提供することである。
本発明によると、複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面側に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、第1保持面と該第1保持面に対して垂直な第1の回転軸を備える第1保持手段で該保護部材が配設されたウエーハの表面側を保持する第1保持ステップと、ウエーハの裏面に対面する研削面を有する研削砥石を環状に備えた研削ホイールを該研削面に垂直な第2の回転軸で回転させつつ該第1保持手段で保持されたウエーハの裏面に当接させるとともに該第1保持手段を回転させて、ウエーハの該デバイス領域に相当する領域を研削して裏面に円形凹部を形成するとともに該円形凹部を囲繞する環状凸部を形成するウエーハ研削ステップと、第2保持面と該第2保持面に対して垂直な第3の回転軸を備える第2保持手段で該ウエーハ研削ステップが実施されたウエーハの表面側を保持する第2保持ステップと、第4の回転軸に対して直交する第1面と第2面とを有し、少なくとも該第1面の外周に、該第1面から該第2面に向かって傾斜するテーパ面が形成された切削ブレードを、該第4の回転軸で回転させつつ該環状凸部の内周縁に該テーパ面を位置づけるとともに、該第2保持手段を回転させながら該切削ブレードと該第2保持手段とを相対移動させて該切削ブレードを該環状凸部に切り込ませることで、該環状凸部の内周縁に該切削ブレードの該テーパ面に倣った傾斜面を形成する環状凸部切削ステップと、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
本発明によると、環状凸部の内周側には傾斜面が形成されているため、環状凸部に欠けが生じにくい。また、研削後のエッチング時には傾斜面によって円形凹部内に供給されたエッチング液を円形凹部外へ排出され易くするとともに、円形凹部上に再配線層を形成する場合等においてレジスト液の円形凹部内からの排出が容易となる。
更に、裏面研削によって円形凹部が形成されたウエーハを切削装置で個々のチップへと分割する際には、分割後の各チップのハンドリングを容易にするために、裏面にダイシングテープを貼着しているが、本願発明では環状凸部に傾斜面が形成されているため、ダイシングテープ貼着時に環状凸部と円形凹部との間に気泡が発生されることが防止される。
以下、図面を参照して、本発明実施形態のウエーハの加工方法を詳細に説明する。図1を参照すると、半導体ウエーハ11の表面側斜視図が示されている。半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハから成っており、表面11aに複数のストリート(分割予定ライン)13が格子状に形成されているとともに、これら複数のストリート13によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。
このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19を備えている。尚、外周余剰領域19の幅は約2〜3mmに設定されている。半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。
半導体ウエーハ11の裏面研削時には、半導体ウエーハ11の表面11a側を研削装置のチャックテーブルで吸引保持するため、表面11aを保護する必要がある。よって、半導体ウエーハ11の表面11aには、保護部材配設ステップにより例えば保護テープ23が貼着される。従って、半導体ウエーハ11の表面11aは保護テープ23によって保護され、図2に示すように、裏面11bが露出する形態となる。
図3を参照すると、半導体ウエーハ11の裏面11bを研削加工するのに適した研削装置2の斜視図が示されている。4は研削装置2のベース(ハウジング)であり、ベース4の後方にはコラム6が立設されている。コラム6には、上下方向に延びる一対のガイドレール8が固定されている。
この一対のガイドレール8に沿って研削ユニット(研削手段)10が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット10は、ベース12と、ベース12を保持する支持部14を有しており、支持部14が一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動される移動基台16に取り付けられている。
研削ユニット10は、ベース12中に回転可能に収容されたスピンドル18と、スピンドル18の先端に固定されたマウンタ20と、マウンタ20にねじ締結され環状に配設された複数の研削砥石を有する研削ホイール22と、スピンドル18を回転駆動するサーボモータ26を含んでいる。
研削装置2は、研削ユニット10を一対の案内レール8に沿って上下方向に移動するボールねじ28とパルスモータ30とから構成される研削ユニット移動機構32を備えている。パルスモータ30を駆動すると、ボールねじ28が回転し、移動基台16が上下方向に移動される。
ベース4の上面には凹部4aが形成されており、この凹部4aにチャックテーブル機構34が配設されている。チャックテーブル機構34はチャックテーブル36を有し、図示しない移動機構により図3に示されたウエーハ着脱位置Aと、研削ユニット10に対向する研削位置Bとの間でY軸方向に移動される。38,40は蛇腹である。ベース4の前方側には、研削装置2のオペレータが研削条件等を入力する操作パネル42が配設されている。
以上のように構成された研削装置2により、半導体ウエーハ11のデバイス領域17に対応する裏面に円形凹部を形成し、外周余剰領域19に環状凸部を残存させるウエーハの加工方法について以下に説明する。
図4に示すように、スピンドル18の先端に固定されたマウンタ20に研削ホイール22が着脱可能に装着されている。研削ホイール22は、ホイール基台24と、ホイール基台24の下面外周に環状に配設された複数の研削砥石25とから構成される。
図3に示すウエーハ着脱位置Aに位置付けられたチャックテーブル36上に、図2に示された保護テープ23が貼着されたウエーハ11を保護テープ23を下にして吸引保持する。次いで、チャックテーブル36をY軸方向に移動して研削位置Bに位置付ける。
そして、図4及び図5に示すように、チャックテーブル36を矢印37で示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削砥石25を矢印53で示す方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、研削ユニット移動機構32を駆動して研削ホイール22の研削砥石25をウエーハ11の裏面に接触させる。そして、研削ホイール22を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。
その結果、半導体ウエーハ11の裏面には、図4及び図6(B)に示すように、デバイス領域17に対応する領域が研削除去されて所定厚さ(例えば30μm)の円形状の凹部56が形成されるとともに、外周余剰領域19に対応する領域が残存されて環状凸部58が形成される。
図7を参照すると、本発明の環状凸部切削ステップを実施するのに適した切削装置62の斜視図が示されている。切削装置62の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段64が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるCRT等の表示手段66が設けられている。
ウエーハ研削ステップによりウエーハ11の裏面に円形凹部56と該円形凹部56を囲繞する環状凸部58が形成されたウエーハ11は、ウエーハカセット68中に複数枚収容される。ウエーハカセット68は上下動可能なカセットエレベータ69上に載置される。
ウエーハカセット68の後方には、ウエーハカセット68からウエーハ11を搬出するとともに、環状凸部切削ステップにより環状凸部内周に傾斜面の形成されたウエーハをウエーハカセット68に搬入する搬出入手段70が配設されている。
ウエーハカセット68と搬出入手段70との間には、搬出入対象のウエーハが一時的に載置される領域である仮置き領域72が設けられており、仮置き領域72には、ウエーハ11を一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段74が配設されている。
仮置き領域72の近傍には、ウエーハ11を吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段76が配設されており、仮置き領域72に搬出されたウエーハ11は、搬送手段76により吸着されてチャックテーブル78上に搬送され、チャックテーブル78に吸引保持される。79はクランプである。
チャックテーブル78は、回転可能且つX軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル78のX軸方向の移動経路の上方には、ウエーハ11の切削すべき領域を検出するアライメント手段80が配設されている。
アライメント手段80は、ウエーハ11の表面を撮像する撮像手段82を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の処理によって切削すべき領域を検出することができる。撮像手段82によって取得された画像は、表示手段66に表示される。
アライメント手段80の左側には、チャックテーブル78に保持されたウエーハ11に対して切削加工を施す切削手段(切削ユニット)84が配設されている。切削ユニット84はアライメント手段80と一体的に構成されており、両者が連動してY軸方向及びZ軸方向に移動する。
切削ユニット84は、回転駆動されるスピンドル86の先端に切削ブレード88が装着されて構成され、Y軸方向及びZ軸方向に移動可能となっている。切削ブレード88は撮像手段82のX軸方向の延長線上に位置している。
85は切削が終了したウエーハ11を洗浄装置87まで搬送する搬送手段であり、洗浄装置87では、ウエーハ11を洗浄するとともにエアノズルからエアを噴出させてウエーハ11を乾燥する。
図8(A)を参照すると、本発明の環状凸部切削ステップを実施するのに適した第1実施形態の切削ブレード88が示されている。切削ブレード88はスピンドル(回転軸)86に対して直交する第1面88aと第2面88bとを有しており、第1面88aの外周に第1面88aから第2面88bに向かって傾斜するテーパ面89が形成されている。
図8(B)は環状凸部切削ステップを実施するのに適した第2実施形態の切削ブレード88Aを示している。切削ブレード88Aはスピンドル(回転軸)86に対して直交する第1面88aと第2面88bとを有しており、第1面88a及び第2面88bの外周に切削ブレード88Aの厚み方向中心に向かって傾斜するテーパ面89a、89bがそれぞれ形成されている。
次に、図9を参照して、第1実施形態の切削ブレード88を使用した環状凸部切削ステップについて説明する。環状凸部切削ステップでは、第1面88aの外周にテーパ面89が形成された切削ブレード88を、スピンドル86で回転させつつ環状凸部58の内周縁にテーパ面89を位置づける。
そして、チャックテーブル78を低速で回転させながら、切削ブレード88を矢印A方向に移動して環状凸部58に切り込ませる。その結果、図10に示すように環状凸部58の内周縁に切削ブレード88のテーパ面89に倣った環状の傾斜面59が形成される。
環状凸部切削ステップが終了すると、図11に示すようにエッチング装置のチャックテーブル90で吸引保持した半導体ウエーハ11の円形凹部56内にエッチング液供給手段92からエッチング液を供給して、円形凹部56の底面の研削歪を除去する。
エッチング終了後には、円形凹部56内からエッチング液を排出する必要があるが、図11の一部拡大図に示すように、環状凸部58と円形凹部56との間に環状傾斜面59が形成されているため、エッチング液を矢印94で示すように円形凹部56内から容易に排出することができる。
オプションとして、ウエーハ11の円形凹部56の底面上に再配線層を形成する必要がある場合には、半導体製造プロセスで使用するフォトリソグラフィにより再配線層を形成するが、この時に使用するレジスト液を傾斜面59が形成されているため円形凹部56内から容易に排出することができる。
本実施形態のウエーハの加工方法によると、ウエーハ11の環状凸部58の内周側に環状傾斜面59が形成されているため、環状凸部58部分に欠けが生じにくい。更に、このように研削されたウエーハ11を切削装置で個々のチップへと分割する際には、分割後の各チップのハンドリングを容易にするために裏面に環状フレームに装着されたダイシングテープを貼着しているが、環状凸部58と円形凹部56との間に環状傾斜面59が形成されているため、ダイシングテープ貼着時に環状凸部58と円形凹部56との間に気泡が発生することが防止される。
2 研削装置
10 研削ユニット
11 半導体ウエーハ
17 デバイス領域
18 スピンドル
19 外周余剰領域
22 研削ホイール
25 研削砥石
36 チャックテーブル
56 円形凹部
58 環状凸部
59 環状傾斜面
62 切削装置
78 チャックテーブル
88 切削ブレード
88a 第1面
88b 第2面
89,89a,89b テーパ面
10 研削ユニット
11 半導体ウエーハ
17 デバイス領域
18 スピンドル
19 外周余剰領域
22 研削ホイール
25 研削砥石
36 チャックテーブル
56 円形凹部
58 環状凸部
59 環状傾斜面
62 切削装置
78 チャックテーブル
88 切削ブレード
88a 第1面
88b 第2面
89,89a,89b テーパ面
Claims (1)
- 複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面側に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、
第1保持面と該第1保持面に対して垂直な第1の回転軸を備える第1保持手段で該保護部材が配設されたウエーハの表面側を保持する第1保持ステップと、
ウエーハの裏面に対面する研削面を有する研削砥石を環状に備えた研削ホイールを該研削面に垂直な第2の回転軸で回転させつつ該第1保持手段で保持されたウエーハの裏面に当接させるとともに該第1保持手段を回転させて、ウエーハの該デバイス領域に相当する領域を研削して裏面に円形凹部を形成するとともに該円形凹部を囲繞する環状凸部を形成するウエーハ研削ステップと、
第2保持面と該第2保持面に対して垂直な第3の回転軸を備える第2保持手段で該ウエーハ研削ステップが実施されたウエーハの表面側を保持する第2保持ステップと、
第4の回転軸に対して直交する第1面と第2面とを有し、少なくとも該第1面の外周に、該第1面から該第2面に向かって傾斜するテーパ面が形成された切削ブレードを、該第4の回転軸で回転させつつ該環状凸部の内周縁に該テーパ面を位置づけるとともに、該第2保持手段を回転させながら該切削ブレードと該第2保持手段とを相対移動させて該切削ブレードを該環状凸部に切り込ませることで、該環状凸部の内周縁に該切削ブレードの該テーパ面に倣った傾斜面を形成する環状凸部切削ステップと、
を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。
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