JP2011066304A - 発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光素子1は、第1導電型の半導体層と、発光層25と、第1導電型とは異なる第2導電型の半導体層とを含む窒化物化合物半導体からなる半導体積層構造と、発光層25が発した光を反射する反射層60を含んで半導体積層構造上に設けられる下部絶縁層50と、下部絶縁層50と発光層25及び第2導電型の半導体層とを貫通する第1上下導通部722と、平面方向に伸びる第1平面導通部720とを有し、第1導電型の半導体層に電気的に接続する第1配線と、下部絶縁層50を貫通する第2上下導通部702と、平面方向に伸びる第2平面導通部700とを有し、第2導電型の半導体層に電気的に接続する第2配線とを備える
【選択図】図1A
Description
図1Aは、本発明の第1の実施の形態に係る発光素子の上面の概要を示し、図1B及び図1Cは、本発明の第1の実施の形態に係る発光素子の縦断面の概要を示す。具体的に図1Bは、図1AのA−A線における発光素子の縦断面の概要を示し、図1Cは、図1AのB−B線における発光素子の縦断面の概要を示す。
本発明の第1の実施の形態に係る発光素子1は、図1B及び図1Cに示すように、一例として、C面(0001)を有するサファイア基板10と、サファイア基板10上に設けられるバッファ層20と、バッファ層20上に設けられるn側コンタクト層22と、n側コンタクト層22上に設けられるn側クラッド層24と、n側クラッド層24上に設けられる発光層25と、発光層25上に設けられるp側クラッド層26と、p側クラッド層26上に設けられるp側コンタクト層28とを含む半導体積層構造を備える。
ここで、バッファ層20と、n側コンタクト層22と、n側クラッド層24と、発光層25と、p側クラッド層26と、p側コンタクト層28とはそれぞれ、III族窒化物化合物半導体からなる層である。III族窒化物化合物半導体は、例えば、AlxGayIn1−x−yN(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の四元系のIII族窒化物化合物半導体を用いることができる。
透明導電層30は導電性酸化物から形成される。例えば、透明導電層30は、ITO(Indium Tin Oxide)から形成することができる。また、p電極40を構成する材料とn電極42を構成する材料とは同一である。なお、p電極40及びn電極42を多層から形成する場合、それぞれの層構成は同一である。例えば、p電極40及びn電極42は、Ni又はCrと、Auと、Alとを含む金属材料から形成される。特にn側コンタクト層22がn型のGaNから形成される場合、n電極42は、n側コンタクト層22の側から接触層としてのNi層を含んで形成することができ、又はn側コンタクト層22の側から接触層としてのCr層を含んで形成することができる。また、特に透明導電層30が酸化物半導体から形成される場合、p電極40は、透明導電層30の側から接触層としてのNi層を含んで形成することができ、又は透明導電層30の側から接触層としてのCr層を含んで形成することができる。具体的にp電極40及びn電極42はそれぞれ、透明導電層30側及びn側コンタクト層22側から、Ni層とAu層とAl層とを含んで形成することができる。
下部絶縁層50は、発光層25が発する光を反射する反射層60を含んで形成される。下部絶縁層50は、例えば、絶縁材料である二酸化シリコン(SiO2)から主として形成される。また、反射層60は、発光層25が発する光を反射する金属材料、例えば、Alから形成される。
p配線70及びn配線72はそれぞれ、主としてTi、Au、Alを含んで形成することができる。例えば、p配線70及びn配線72はそれぞれ、下部絶縁層50に接する側からTi層、Au層、Al層をこの順に含んで形成することができる。
p側接合電極90及びn側接合電極92はそれぞれ、共晶材料、例えば、AuSnを含んで形成することができる。p側接合電極90及びn側接合電極92はそれぞれ、平面視にて略長方形状に形成される。p側接合電極90及びn側接合電極92の平面視におけるサイズは、例えば、p側接合電極90の面積をn側接合電極92の面積より大きくすることができる。なお、p側接合電極90及びn側接合電極92の平面視における形状、及び面積は、発光素子1の特性評価時に用いる測定装置のプローブとの接触のさせ方、及び/又は発光素子1を実装する搭載基板等に応じて適宜変更することができる。
図2Aから図2Cは、第1の実施の形態に係る発光素子の製造工程の一例を示す。具体的に、図2Aの(a)は、ビアを形成するためのエッチングが施される前の縦断面図である。図2Aの(b)は、ビアを形成するためのエッチングが施された後の縦断面図である。また、図2Aの(c)は、p電極及びn電極が形成された状態の縦断面図である。なお、図2Aから図2Cは、図1AのC−C線における断面から見た発光素子の製造工程の一例である。
本実施の形態に係る発光素子1は、化合物半導体にオーミック接触する電極(すなわち、p電極40及びn電極42)と電極に電流を供給する配線(すなわち、p配線70及びn配線72)とを、透明導電層30に接する下部絶縁層50により発光素子1の厚さ方向に分離して形成することができる。これにより、複数のp電極40及び複数のn電極42をそれぞれ独立して半導体層上に設けることができ、かつ、各p電極40上に位置するビア50aを介して各p電極40をp配線70により相互に電気的に接続させ、各n電極42上に位置するビア50bを介して複数のn電極42を相互に電気的に接続させることができる。したがって、本実施形態に係る発光素子1によれば、p電極40及びn電極42の形状及び配置によらず、p側接合電極90とn側接合電極92との形状及び配置を自由に設計できる。
図3は、本発明の第2の実施の形態に係る発光素子の上面の概要を示す。
図4は、本発明の第3の実施の形態に係る発光素子の上面の概要を示す。なお、図4においては、説明の便宜上、p側接合電極及びn側接合電極の図示を省略している。
図5は、p電極の面積率と発光素子の全放射束との関係を示し、図6は、n電極の面積率と全放射束との関係を示す。また、図7は、電流密度と外部量子効率との関係を示す。
5 ビア
10 サファイア基板
20 バッファ層
22 n側コンタクト層
24 n側クラッド層
25 発光層
26 p側クラッド層
28 p側コンタクト層
30 透明導電層
40 p電極
42 n電極
50 絶縁層
50a、50b ビア
52 第1絶縁層
54 第2絶縁層
60 反射層
70 p配線
70a 外周部
70b p側細線部
71 p配線
71a 外周部
71b p側連結部
71c 中間部
71d p側端部
72 n配線
72a 辺部
72b n側細線部
73 n配線
73a 辺部
73b n側端部
73c n側連結部
73d 中心部
80 絶縁層
80a、80b ビア
90 p側接合電極
92 n側接合電極
90a p側切込
92a n側切込
200 マスク
700 第2平面導通部
702 第2上下導通部
720 第1平面導通部
722 第1上下導通部
Claims (10)
- 第1導電型の第1半導体層と、発光層と、前記第1導電型とは異なる第2導電型の第2半導体層とを含む窒化物化合物半導体からなる半導体積層構造と、
前記半導体積層構造上に設けられる絶縁層と、
前記絶縁層、前記発光層及び前記第2半導体層の内部を上下方向に延びる第1上下導通部と、前記絶縁層の内部を平面方向に延びる第1平面導通部とを有し、前記第1半導体層と電気的に接続される第1配線と、
前記絶縁層の内部を上下方向に延びる第2上下導通部と、前記絶縁層の内部を平面方向に延びる第2平面導通部とを有し、前記第2半導体層と電気的に接続される第2配線と、を備える発光素子。 - 前記絶縁層上に設けられ、前記第1配線と電気的に接続される第1接合電極と、
前記絶縁層上に設けられ、前記第2配線と電気的に接続される第2接合電極と、を備える請求項1に記載の発光素子。 - 前記絶縁層は、前記発光層が発した光を反射する反射層を内部に含む請求項2に記載の発光素子。
- 前記第1平面導通部と前記第2平面導通部とは同一平面に設けられる請求項3に記載の発光素子。
- 前記第1平面導通部と前記第2平面導通部とは異なる平面に設けられる請求項3に記載の発光素子。
- 前記第1接合電極と前記第2接合電極とは同一平面に設けられる請求項4又は5に記載の発光素子。
- 前記第1半導体層とオーミック接触する第1オーミック電極と、
前記第2半導体層とオーミック接触する透明導電層と、
前記透明導電層とオーミック接触する第2オーミック電極と、備え、
前記第1配線は、前記第1オーミック電極に電気的に接続され、
前記第2配線は、前記第2オーミック電極に電気的に接続される請求項6に記載の発光素子。 - 前記第1オーミック電極を構成する材料と前記第2オーミック電極を構成する材料とが同一である請求項7に記載の発光素子。
- 前記第1配線を構成する材料と前記第2配線を構成する材料とが同一である請求項8に記載の発光素子。
- 前記第1接合電極及び前記第2接合電極はそれぞれ、平面視にて、切込みを有する請求項9に記載の発光素子。
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