JP2011066259A - マスク洗浄方法及びマスク洗浄装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マスク洗浄方法は、基板30の主面30a上に形成されたマスクパターンを有するマスク膜32に、マスク膜32側からエネルギー線を照射して基板30よりもマスク膜32の温度を高温とすることによりマスク膜32の表面を洗浄する工程を含む。
【選択図】図2
Description
(マスク洗浄装置の構成)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係るマスク洗浄装置の構成ブロック図であり、図2は、本発明の第1の実施の形態に係るマスク洗浄装置による洗浄処理の様子を示す要部断面図である。マスク洗浄装置1は、例えば、露光装置に用いられるマスク3の洗浄を行うものであり、図1に示すように、第1の加熱部12と、第2の加熱部14と、パージ部16と、駆動部18と、記憶部20と、入力部22と、出力部24と、制御部100とを備えて概略構成されている。まず、マスク3の構成から説明する。
図3A(a)〜図3B(c)は、本発明の第1の実施の形態に係る洗浄処理に関する工程を示す図である。繰り返して露光処理に用いられ、マスク膜32上に、ヘイズ8が成長したマスク3の洗浄処理について説明する。ここで、ヘイズ8とは、例えば、露光工程において発生する成長性異物のことであり、露光工程の環境雰囲気からマスク膜32上に付着した微量物質や、ペリクル4を構成する粘着剤40及び接着剤44等から発生するアウトガスがマスク膜32上に付着して成長した異物である。
図7は、変形例に係るマスク洗浄装置の要部断面図である。この変形例は、マスク膜32に対する紫外線124及び赤外線144の照射方法が、第1の実施の形態と異なっている。
本発明の第1の実施の形態によれば、ペリクル4付きマスク3全体を加熱せず、マスク膜32を加熱するので、ヘイズ8の原因となるアウトガスの発生を抑えつつ、マスク膜32上のヘイズ8を取り除くことができる。
第2の実施の形態は、第1の実施の形態に係る洗浄方法を用いたマスク洗浄システムを示している。以下に、第1の実施の形態と同様の機能及び構成を有する部分については、第1の実施の形態と同じ符号を付し、その説明は省略するものとする。
まず、露光装置90により、所定の回数使用されたペリクル4付きマスク3を加熱及びパージ装置92に移動させる。
本発明の第2の実施の形態によれば、加熱及びパージ装置92及び保管装置94は、ペリクル4付きマスク3を移動させる際、洗浄処理後のペリクル4付きマスク3が外気に触れないので、洗浄処理後のペリクル4付きマスク3が外気に触れる場合と比べて、ペリクル4付きマスク3を洗浄処理終了時の状態に保つことができる。
第3の実施の形態は、第1の実施の形態に係る洗浄方法を用いた露光装置を示している。
まず、露光部900により、所定の回数使用されたペリクル4付きマスク3を加熱及びパージ部920に移動させる。この移動の際、ペリクル4付きマスク3は外気に曝されない。
本発明の第3の実施の形態によれば、露光装置9Aは、ペリクル4付きマスク3を、露光部900、加熱及びパージ部920、保管部940間を移動させる際、ペリクル4付きマスク3が外気に触れないので、移動の際にペリクル4付きマスク3が外気に触れる場合と比べて、ペリクル4付きマスク3のマスク膜32に対する異物の付着を防ぐことができる。
以下に、上記のマスク洗浄装置、マスク洗浄システム又は露光装置によって洗浄処理が行われたペリクル4付きマスク3を用いた半導体装置の製造方法の一例について説明する。
図10(a)〜(c)は、本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す要部断面図である。
本発明の第4の実施の形態によれば、上記の各実施の形態におけるマスク洗浄装置1、マスク洗浄システム9又は露光装置9Aを用いて洗浄されたペリクル4付きマスク3によって半導体装置の製造を行うので、上記の各実施の形態におけるマスク洗浄方法を用いない場合と比べて、歩留まりが向上するので、半導体装置の製造コストを抑制することができる。
Claims (6)
- 基板上に形成されたマスクパターンを有するマスク膜に対し、エネルギー線を照射して前記基板よりも前記マスク膜の温度を高温とすることにより前記マスク膜の表面を洗浄する工程を含むマスク洗浄方法。
- 前記基板はペリクルフレーム及び前記ペリクルフレームの上面に接着されたペリクルに囲まれていることを特徴とする請求項1に記載のマスク洗浄方法。
- 前記マスク膜の表面を洗浄する工程は、前記エネルギー線として紫外線を用いて前記マスク膜に照射した後、赤外線を用いて前記マスク膜に照射することを特徴とする請求項1又は2に記載のマスク洗浄方法。
- 前記ペリクルフレームは吸気開口及び排気開口を有し、前記エネルギー線を照射した後、前記吸気開口からパージガスを前記ペリクル内に導入し、前記ペリクル内の被置換ガスを前記パージガスで置換し、前記ペリクルの側面の排気開口から置換した前記被置換ガスを排出する請求項1〜3のいずれか1項に記載のマスク洗浄方法。
- 前記エネルギー線の照射は、前記エネルギー線を集光する集光部を介して行う請求項1〜4のいずれか1項に記載のマスク洗浄方法。
- 基板上に形成されたマスクパターンを有するマスク膜に、エネルギー線を照射して前記マスク膜を選択的に加熱する加熱部を備えるマスク洗浄装置。
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