JP2011035024A - ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ペースト組成物は、シリコン半導体基板1の上に電極を形成するためのペースト組成物であって、アルミニウム粉末と有機質ビヒクルとガラスフリットとを含み、ガラスフリットが、酸化チタン、酸化バナジウム、酸化鉄、酸化モリブデン、酸化ネオジウム、および、酸化タングステンからなる群より選ばれた遷移金属酸化物を少なくとも1種含む。太陽電池素子は、上記のペースト組成物を用いて形成された裏面電極8を備える。
【選択図】図1
Description
ガラスフリットは、アルミニウムとシリコンとの反応やアルミニウム粉末自身の焼結を助ける作用があるとされている。しかしながら、従来の組成のガラスフリットを使用した場合には、焼成後に得られるアルミニウム電極層とシリコン半導体基板との密着性を向上させることと、アルミニウム電極層と水分との反応を抑制すること、という特性を兼ね備えた太陽電池素子を得ることができなかった。本発明では、限定された種類の遷移金属酸化物を含むガラスフリットを、ペースト中に含ませることにより、アルミニウムとシリコンとの反応を、過度に進行しないように制御することができる。これにより、焼成後に得られるアルミニウム電極層に、ブリスターやアルミニウムの玉が発生するのを抑えることができると考えられる。
本発明のペースト組成物に含められるアルミニウム粉末の含有量は、60質量%以上85質量%以下であることが好ましい。アルミニウム粉末の含有量が60質量%未満では、焼成後に得られるアルミニウム電極層の抵抗が高くなり、太陽電池のエネルギー変換効率の低下を招く恐れがある。アルミニウム粉末の含有量が85質量%を超えると、スクリーン印刷等におけるペーストの塗布性が低下する。
本発明のペースト組成物に含められる有機質ビヒクルの成分は、特に限定されないが、エチルセルロースやアルキッド等の樹脂と、グリコールエーテル系やターピネオール系などの溶剤を使用することができる。有機質ビヒクルのペースト中の含有量は、15質量%以上40質量%以下であることが好ましい。有機質ビヒクルの含有量が15質量%未満になると、ペーストの印刷性が低下し、良好なアルミニウム電極層を形成することができない。また、有機質ビヒクルの含有量が40質量%を超えると、ペーストの粘度が増大するだけでなく、過剰な有機質ビヒクルの存在によりアルミニウムの焼成が阻害されるという問題が生じる。有機質ビヒクル中の樹脂配合比率は、特に限定されないが、5質量%以上20質量%以下であることが好ましい。
本発明のペースト組成物は、必要に応じてアルミニウムペーストの特性を調整する分散剤、可塑剤、沈降防止剤、チクソ剤、など各種添加剤を含ませて使用することができる。添加剤の組成は特に制限されないが、添加剤の含有量を10質量%以下にするのが好ましい。
Claims (7)
- シリコン半導体基板の上に電極を形成するためのペーストであって、アルミニウム粉末と、有機質ビヒクルと、ガラスフリットとを含み、ガラスフリットが、酸化チタン、酸化バナジウム、酸化鉄、酸化モリブデン、酸化ネオジウム、および、酸化タングステンからなる群より選ばれた遷移金属酸化物を少なくとも1種含む、ペースト組成物。
- 前記ガラスフリットが、鉛を含まない、請求項1に記載のペースト組成物。
- 前記ガラスフリットが、鉛を0.1質量%以下含む、請求項1に記載のペースト組成物。
- 前記ガラスフリットは、さらに、酸化ホウ素、酸化ビスマス、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化錫、酸化リン、酸化マンガン、酸化バリウム、酸化アンチモン、酸化リチウム、酸化ナトリウム、および、酸化カリウムからなる群より選ばれた少なくとも1種を含む、請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載のペースト組成物。
- 前記遷移金属酸化物を、前記ガラスフリット中において、10質量%以上95質量%以下含む、請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載のペースト組成物。
- 前記ガラスフリットを、当該ペースト組成物中において、0.03質量%以上10質量%以下含む、請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載のペースト組成物。
- 請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載のペースト組成物をシリコン半導体基板の上に塗布した後、焼成することにより形成した電極を備えた、太陽電池素子。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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---|---|---|---|---|
WO2013015284A1 (ja) * | 2011-07-25 | 2013-01-31 | 日立化成工業株式会社 | 半導体基板及びその製造方法、太陽電池素子、並びに太陽電池 |
JP2015528178A (ja) * | 2012-06-12 | 2015-09-24 | ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー | 接着促進剤を有する導電性ペースト |
EP2750139B1 (en) * | 2012-12-28 | 2019-02-27 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | An electro-conductive paste comprising a vanadium containing compound in the preparation of electrodes in MWT solar cells |
EP2980857B1 (en) * | 2013-03-29 | 2019-02-27 | Shoei Chemical Inc. | Conductive paste for solar cell element surface electrodes and method for manufacturing solar cell element |
DE102013106272B4 (de) | 2013-06-17 | 2018-09-20 | Hanwha Q Cells Gmbh | Wafersolarzelle und Solarzellenherstellungsverfahren |
KR20150054352A (ko) * | 2013-11-12 | 2015-05-20 | 엘지전자 주식회사 | 유리 프릿 조성물 및 이를 포함하는 태양 전지 전극용 페이스트 조성물, 그리고 태양 전지 모듈 |
US10206287B2 (en) * | 2013-11-28 | 2019-02-12 | Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing circuit board and circuit board |
CN105989910A (zh) * | 2015-02-10 | 2016-10-05 | 磐采股份有限公司 | 用于局部背面场太阳能电池的导电铝胶及太阳能电池 |
JP2016213284A (ja) * | 2015-05-01 | 2016-12-15 | 東洋アルミニウム株式会社 | Perc型太陽電池用アルミニウムペースト組成物 |
CN108028187B (zh) * | 2015-09-24 | 2022-06-07 | 东洋铝株式会社 | 膏状组合物及硅锗层的形成方法 |
JP7013458B2 (ja) * | 2017-05-31 | 2022-01-31 | 東洋アルミニウム株式会社 | 太陽電池用ペースト組成物 |
KR102406747B1 (ko) * | 2018-12-21 | 2022-06-08 | 창저우 퓨전 뉴 머티리얼 씨오. 엘티디. | 태양전지 전극 형성 방법 및 태양전지 |
CN110021672A (zh) * | 2019-04-17 | 2019-07-16 | 北京大学深圳研究生院 | 用于制备光伏电池背面导体的组合物、铝浆和光伏电池 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007059380A (ja) * | 2005-06-07 | 2007-03-08 | E I Du Pont De Nemours & Co | アルミニウム厚膜組成物、電極、半導体デバイスおよびそれらを作製する方法 |
JP2007128872A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-05-24 | E I Du Pont De Nemours & Co | アルミニウム厚膜組成物、電極、半導体デバイス、およびこれらの作製方法 |
JP2010538466A (ja) * | 2007-08-29 | 2010-12-09 | フエロ コーポレーション | 太陽電池におけるファイヤースルー用の厚膜ペースト |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4452844A (en) * | 1983-01-21 | 1984-06-05 | Rca Corporation | Low value resistor inks |
JP2000090733A (ja) | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池 |
JP2000090734A (ja) | 1998-09-16 | 2000-03-31 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池 |
US20040055635A1 (en) | 2002-09-19 | 2004-03-25 | Hiroshi Nagakubo | Conductive paste, method for manufacturing solar battery, and solar battery |
US8093491B2 (en) | 2005-06-03 | 2012-01-10 | Ferro Corporation | Lead free solar cell contacts |
US8076570B2 (en) * | 2006-03-20 | 2011-12-13 | Ferro Corporation | Aluminum-boron solar cell contacts |
JP2008159912A (ja) | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Kyocera Corp | 光電変換素子用導電性ペーストの作製方法、光電変換素子、および光電変換素子の作製方法 |
JP2008166344A (ja) | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Kyocera Corp | 光電変換素子用導電性ペースト、光電変換素子、および光電変換素子の作製方法 |
WO2010098297A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 日本電気硝子株式会社 | 電極形成用ガラス組成物および電極形成材料 |
CN101555388B (zh) * | 2009-05-19 | 2012-09-05 | 无锡市儒兴科技开发有限公司 | 硅太阳能电池铝浆用无机粘合剂及其制备方法 |
-
2009
- 2009-07-30 JP JP2009177413A patent/JP2011035024A/ja active Pending
-
2010
- 2010-06-28 CN CN2010800339275A patent/CN102473756A/zh active Pending
- 2010-06-28 EP EP10804216.9A patent/EP2461366A4/en not_active Withdrawn
- 2010-06-28 KR KR1020127004016A patent/KR20120032568A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-06-28 US US13/381,028 patent/US20120103414A1/en not_active Abandoned
- 2010-06-28 WO PCT/JP2010/060944 patent/WO2011013469A1/ja active Application Filing
- 2010-07-22 TW TW099124120A patent/TW201109392A/zh unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007059380A (ja) * | 2005-06-07 | 2007-03-08 | E I Du Pont De Nemours & Co | アルミニウム厚膜組成物、電極、半導体デバイスおよびそれらを作製する方法 |
JP2007128872A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-05-24 | E I Du Pont De Nemours & Co | アルミニウム厚膜組成物、電極、半導体デバイス、およびこれらの作製方法 |
JP2010538466A (ja) * | 2007-08-29 | 2010-12-09 | フエロ コーポレーション | 太陽電池におけるファイヤースルー用の厚膜ペースト |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012141187A1 (ja) * | 2011-04-11 | 2012-10-18 | 日立化成工業株式会社 | 電子部品、それに適用されるアルミニウム電極用導電性ペースト、及びアルミニウム電極用ガラス組成物 |
JP2012218982A (ja) * | 2011-04-11 | 2012-11-12 | Hitachi Chemical Co Ltd | 電子部品、それに適用されるアルミニウム電極用導電性ペースト、及びアルミニウム電極用ガラス組成物 |
CN102881350A (zh) * | 2012-09-25 | 2013-01-16 | 深圳首创光伏有限公司 | 太阳能电池正面电极浆料及玻璃粉 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2461366A4 (en) | 2013-05-29 |
WO2011013469A1 (ja) | 2011-02-03 |
KR20120032568A (ko) | 2012-04-05 |
US20120103414A1 (en) | 2012-05-03 |
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EP2461366A1 (en) | 2012-06-06 |
TW201109392A (en) | 2011-03-16 |
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