JP2011014875A5 - - Google Patents

Description

構造体の製造方法

本発明は、凹凸パターンを有するモールドによるインプリントを用いた構造体の製造方法に関する。

微細な構造体の製造方法として、ナノインプリント法と呼ばれる技術が非特許文献１に記載されている。この非特許文献１に記載されている方法を図４を用いて説明する。まず、基板４１の表面上にレジスト４２を塗布する（図４（ａ））。このレジスト４２のガラス転位点温度以上に基板４１を加熱し、それにより軟化したレジスト４２に表面に所望の凹凸パターンを有するモールド４３を押し付ける（図４（ｂ））。モールド４３をレジスト４２に押し付けた状態で、基板４１の温度をレジスト４２のガラス転位温度以下に下げ、その後、レジスト４２からモールド４３を離間する（図４（ｃ））。このとき、モールド４３の凸パターン部で押された領域には、レジスト残膜４４が残っている。通常、このレジスト残膜４４は、たとえばＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）エッチングなどで除去される。上記のエッチングにより、所望のレジストパターンを得ることができる（図４（ｄ））。

さらに、非特許文献２には、石英モールドを光硬化性樹脂に押し付けた状態で光照射し、光硬化性樹脂を硬化せしめ、パターンを形成する方法が記載されている。この際に、基板には、あらかじめエッチング層が形成されており、インプリントにより形成したパターンをマスクとし、光硬化性樹脂の残膜、及び該エッチング層がプラズマエッチングによりエッチングされる。この方式は一般的に光インプリントと呼ばれ、光硬化型樹脂を用いることにより基板温度を高温に上げる必要がなくなるため、パターンの位置ずれなどを抑制する効果がある。

従来のインプリント法はレジストに対する機械的加工方法であるため、上記の例のようにモールドでプレスした領域にレジストの残膜が発生する。このレジスト残膜はドライエッチングなどの手法で除去する必要がある。例えば、特許文献１には、インプリント後の残膜（残留材）を、アルゴンイオン流、フッ素含有プラズマ、反応性イオンエッチングガス、又はそれらの混合物等の環境下にさらすことにより、除去する方法が記載されている。

また、特許文献２乃至４には以下のインプリント法が記載されている。まず、石英モールドの凸部に遮光膜あるいは遮光部を形成し、モールドを光硬化性樹脂に押し付けた状態で、照射光を選択的に光硬化性樹脂に照射する。その後、光硬化性樹脂を現像することにより、遮光膜を有するモールド凸部の残膜を現像除去して、インプリントを行う。

しかしながら、特許文献１に記載のように、レジスト残膜をドライエッチングなどの手法で除去する場合には、図４（ｄ）に示される想定図のようにレジストパターンの形状が劣化する、あるいは寸法制御性が劣化することが考えられる。即ち、ドライエッチング前のパターン形状（図４（ｄ）の点線部分）が、エッチングにより後退してしまう。また、必要なパターンの線幅や形状をできるだけ保持しつつレジスト残膜を除去するために、異方性の高いエッチング方法を用いることとなり、エッチング処理時間が長くなるという問題があった。これらの問題は、所望のパターンがより複雑化、微細化するに従い、より顕著になる。

また、特許文献２乃至４に記載の方法では、次のような懸念点がある。まず、モールドが石英であるため、モールドを加工する装置が非常に高価となり、設備投資が嵩んでしまうという点が挙げられる。また、モールドの凸部に遮光膜を設けるために、モールド作成工程が複雑になるという点が挙げられる。

ＵＳＰ６３３４９６０ 特開２００３−２７２９９８号公報 特開２００４−３０４０９７号公報 特開２００５−３５４０１７号公報

Ｓ．Ｙ．Ｃｈｏｕ ｅｔ ａｌ．，"Ｎａｎｏｉｍｐｒｉｎｔ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ"，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ １４（６），Ｎｏｖ／Ｄｅｃ １９９６，ｐｐ４１２９−４１３３． Ｔ．Ｂａｉｌｅｙ ｅｔ ａｌ．，"Ｓｔｅｐ ａｎｄ ｆｌａｓｈ ｉｍｐｒｉｎｔ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ：Ｔｅｍｐｌａｔｅ ｓｕｒｆａｃｅ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ ａｎｄ ｄｅｆｅｃｔ ａｎａｌｙｓｉｓ"，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ １８（６），Ｎｏｖ／Ｄｅｃ ２０００，ｐｐ．３５７２−３５７７．

そこで、本発明は、モールドをプレスすることにより得られたパターンの残膜を除去する際、そのレジストパターンの線幅精度、形状を劣化させることなく、微細なパターンを形成可能にする方法を提供することを目的とする。

そこで、本発明の一は、ポジ型感光性樹脂層と、該ポジ型感光性樹脂を感光させる感光波長の光を吸収することが可能な吸収層と、がこの順に積層された基板を用意する工程と、凸部を有するモールドの前記凸部を前記ポジ型感光性樹脂層と前記吸収層との二層にプレスする工程と、前記二層と前記モールドとを離間させる工程と、前記光を前記二層の上面側から前記二層に照射する工程と、前記吸収層を除去する工程と、前記ポジ型感光性樹脂層を現像する工程と、をこの順で有する構造体の製造方法である。

また、本発明の一は、ポジ型感光性樹脂層と、該ポジ型感光性樹脂を感光させる感光波長の光を吸収することが可能な吸収層と、がこの順に積層された基板を用意する工程と、凸部を有し、前記光を透過するモールドの前記凸部を前記ポジ型感光性樹脂層と前記吸収層との二層にプレスする工程と、前記二層に前記モールドが接した状態で、前記光を前記モールドを透過させて前記二層に照射する工程と、前記吸収層を除去する工程と、前記ポジ型感光性樹脂層を現像する工程と、をこの順で有する構造体の製造方法である。

また、本発明の一は、液体を吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子を備えた基板と、前記液体の吐出口と連通する前記液体の流路の壁を備えた流路壁部材と、を有する液体吐出ヘッドの製造方法であって、ポジ型感光性樹脂層と、該ポジ型感光性樹脂を感光させる感光波長の光を吸収することが可能な吸収層と、がこの順に積層された前記基板を用意する工程と、凸部を有するモールドの前記凸部を前記ポジ型感光性樹脂層と前記吸収層との二層にプレスする工程と、前記二層と前記モールドとを離間させる工程と、前記光を前記二層の上面側から前記二層に照射する工程と、前記吸収層を除去する工程と、前記ポジ型感光性樹脂層を現像して前記流路の型となる流路型部材を形成する工程と、前記流路壁部材となる被覆層を前記流路型部材を被覆するように設ける工程と、前記被覆層に前記吐出口を設ける工程と、前記流路型部材を除去して前記流路を形成する工程と、を有する液体吐出ヘッドの製造方法である。

本発明によれば、残膜処理によるインプリントパターンの劣化が生じないため、構造体のパターン形状をより高精度に制御可能となる。

本発明に係る構造体形成方法の基本的な態様を示す、模式的断面図である。 本発明に係る構造体形成方法の基本的な態様を示す、模式的断面図である。 本発明に係る構造体形成方法の基本的な態様を示す、模式的断面図である。 従来例の構造体形成方法の基本的な態様を示す、模式的断面図である。 本発明に係るインクジェット記録ヘッド製造方法の基本的な態様を示す、模式的断面図である。 本発明に係るインクジェット記録ヘッド製造方法の基本的な態様を示す、模式的断面図である。

以下、図面を参照しつつ本発明を詳細に説明する。

（実施形態１）
まず、図１（ａ）に示すように、ポジ型感光性樹脂層２と、該ポジ型感光性樹脂を感光させる感光波長の光を吸収することが可能な吸収層３と、がこの順に積層された基板１を用意する。これは、基板１上にポジ型感光性樹脂を堆積させてポジ型感光性樹脂層２を形成し、該ポジ型感光性樹脂層２の上に吸収層を形成するための材料として例えば感光性樹脂を堆積させて吸収層３を形成する（図１（ａ））。

本発明における吸収層は、ポジ型感光性樹脂層２を形成する材料の感光波長領域の波長光を吸収する。全く透過させないものでも可能であるが、吸収することができれば一部は透過させてもよい。

また、吸収層３を形成するための感光性樹脂の例としては、ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド誘導体を含有するポジ型フォトレジストが好ましい。具体例としては、東京応化工業（株）から市販されているＯＦＰＲ−８００（商品名）、ＴＨＭＲ−ｉＰ５７００（商品名）等の汎用的なナフトキノン系ポジ型フォトレジストを用いることができる。

また、ポジ型感光性樹脂層２を形成するための材料としては、ポジ型の感光性樹脂であれば特に制限されずに用いることができるが、例えば主鎖分解型ポジ型レジストが挙げられる。主鎖分解型ポジ型レジストとしては、例えばポリメチルイソプロペニルケトン又はメタクリル酸エステルを主成分とする高分子の主鎖分解型ポジ型レジスト等が挙げられる。さらに、メタクリル酸エステルを主成分とする高分子の主鎖分解型ポジ型レジストとしては、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート等のホモポリマー、メタクリル酸メチルとメタクリル酸、アクリル酸、グリシジルメタクリレート又はフェニルメタクリレート等との共重合体を挙げることができる。

ポジ型感光性樹脂層２の膜厚としては、例えば３〜２０μｍとすることができ、４〜１０μｍとすることが特に好ましい。

また、吸収層３の膜厚としては、例えば２〜１０μｍとすることができ、３〜５μｍとすることが特に好ましい。

次に、前記ポジ型感光性樹脂層２及び吸収層３とからなる二層に、所望の凸部４ａを有するモールド４をプレスし、二層一括インプリントを行う（図１（ｂ））。

インプリントする方法としては、例えば、基板１をポジ型感光性樹脂及び感光性樹脂のガラス転移点よりも高い温度にて加熱し、前記モールド４の凸部４ａを、ポジ型感光性樹脂層２及び吸収層３の二層に対してプレスする。このプレスにより、ポジ型感光性樹脂層の上面から基板に向かう方向に凹部が形成される。

また、モールド４のプレスにより形成される凹部内の吸収層（凹部の底部に位置する吸収層）が、後工程で照射される光が透過する膜厚以下になるようにプレスする。

次に、モールド４を二層から離間する（図１（ｃ））。

モールド４を離型する場合は、例えば、基板１を前述のガラス転移点よりも低い温度まで下げた後に、モールド４を離型することができる。

離型の際、二層上の凹凸パターンにおけるモールド４の凸部に対応する凹部には、吸収層の残膜部である凹部吸収層３１、そして残膜部である凹部吸収層３１の下側に凹部ポジ型感光性樹脂層２１の残膜部が残る。該凹部吸収層３１は、ポジ型感光性樹脂層２の上層に残る上部吸収層３２（モールド４の凸部４ａの根元に対応する部分）よりも薄くなる。凹部吸収層３１が上部吸収層３２よりも薄くなる理由としては、プレスによる樹脂層の圧縮や、感光性樹脂が凹部の壁面に引き延ばされて凹部底面の樹脂量が減るため等が考えられるが、特に本発明はこれらの推測に制限されない。

また、凹部吸収層３１照射される光の遮断性を有する膜厚よりも薄くなる。凹部吸収層３１の膜厚としては、例えば０より大きく１μｍ以下とすることができ、０．５μｍ以下とすることが好ましい。また、凹部ポジ型感光性樹脂層２１の膜厚としては、０より大きく３μｍ以下とすることができ、より好ましくは１μｍ以下とすることが好ましい。

一方、上部吸収層は、２〜１０μｍとすることができ、３〜５μｍであることがより好ましい。

次に、図１（ｄ）のように形成した凹凸パターンに対し、ポジ型感光性樹脂層２の感光波長領域を含む光を照射する（図１（ｄ））。

この際、上部吸収層３２は照射される光を吸収しポジ型感光性樹脂層２まで透過させない膜厚であるため、この下側（基板側）にある凸部ポジ型感光性樹脂層２は感光しない。一方、凹部吸収層３１は、上述のように照射される光の遮断性を有する膜厚よりも薄くなっているため、この下側にある凹部ポジ型感光性樹脂層２１は感光する（図１（ｄ））。ポジ型感光性樹脂が主鎖分解型である場合は、この感光により主鎖が分解される。

また、この光照射により凹部吸収層３１は感光する。上部吸収層３２においては、上側部分（３４）のみが感光する（図１（ｄ））。

また、この露光工程は、図１（ｂ）に示す状態で行ってもよい。より詳しく説明すると、モールドをプレスした状態（図１（ｂ））で露光してもよく、モールドを離型してから露光してもよい。

この光照射はパターン全体に対して上面側（図の上側から）行うものであり、且つ平行光であれば良い。

次に、感光した凹部吸収層３３及び上部吸収層３２（感光した部分３４を含む）を除去液にて除去する（図１（ｅ））。

次に、感光した凹部ポジ型感光性樹脂層２３を現像液にて除去することで、構造体２００が完成する（図１（ｆ））。

上記の形成方法は、フォトリソグラフィーにて微細パターンを形成するのに比較しても、メリットを挙げることができる。即ち、フォトマスクを用いて本発明と同等のパターンを形成する場合、フォトレジストを感光せしめるための（光）エネルギーを照射する必要があるが、本発明においては、残膜として残った部分（凹部ポジ型樹脂層）を除去可能な量のエネルギーのみを照射すれば良い。

また、フォトマスクとフォトレジストとを近接（プロキシ）露光する場合、フォトマスクにおける回折光の影響で、パターンの解像性が悪化する。しかし、本発明では、遮光のための感光性樹脂層がマスクとなり、いわばコンタクト露光を行うのと同じ原理となる。このためパターンの解像度は良好となり、ＬＥＲ（ラインエッジラフネス）、ＬＷＲ（ラインウォールラフネス）も良好となる。これはインプリント本来の利点をそのまま生かせるということになり、フォトリソグラフィーに対する大きなアドバンテージとなる。

本発明はＩＣ基板などの半導体製造分野の他、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ ＥｌｅｃｔｒｏＭｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）分野において、有用な技術である。特にＭＥＭＳ分野においては、インクジェット記録ヘッド、ハードディスクドライブヘッドなどの有効な製造方法として活用可能である。

以下、実施例により本発明を詳細に説明する。なお、以下の実施例は本発明を限定するものではない。

（実施例１）
まず、Ｓｉ基板上に、ポジ型感光性樹脂としてポリメチルイソプロペニルケトンをスピンコートにて塗布し、ポジ型感光性樹脂層２を形成した。塗布後の膜厚は１０μｍであった。続いて、この上に感光性樹脂として東京応化工業社製ポジレジストＯＦＰＲ−８００（商品名）をスピンコートにて４μｍ塗布し、吸収層３を形成した（図１（ａ））。

ここで、モールド４として、Ｓｉに凹凸形状を作製したものを準備した。凹凸の深さは１５μｍ、パターンのピッチは１２μｍ（凸部幅５μｍ、凹部幅７μｍ）である。

次に、Ｓｉ基板１を１５０℃に加熱し、Ｓｉモールド４をプレスしインプリントした（図１（ｂ））。

インプリントには明昌機工社製ナノインプリント装置を使用し、プレス圧力は７０ＭＰａにて行った。

前記インプリント装置にて基板温度を４０℃まで冷却後、離間を行った（図１（ｃ））。

次に、ポリメチルイソプロペニルケトンの感光波長域の光を照射可能なＤｅｅｐ−ＵＶ露光装置（ウシオ電機社製ＵＸ−３０００ＳＣ）を用いて、６０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光を行った（図１（ｄ））。この際、凹部吸収層３１の膜厚は０．３μｍと薄くなっていたため、露光の光エネルギーが透過し、凹部ポジ型感光性樹脂層２１が感光した。一方、上部吸収層３２は、３μｍと十分に厚かったため、光を下方に位置する凸部ポジ型感光性樹脂層２に透過させなかった。

次に、ＯＦＰＲ−８００を剥離（剥離液には以下の組成の混合液を使用）し（図１（ｅ））、続いてポリメチルイソプロペニルケトンを現像（現像液にはメチルイソブチルケトンを使用）し（図１（ｆ））、構造体２００を形成することができた。

＜剥離液組成＞
ジエチレングリコールモノブチルエーテル ６０ｖｏｌ％
エタノールアミン ５ｖｏｌ％
モルフォリン ２０ｖｏｌ％
イオン交換水 １５ｖｏｌ％

形成した構造体は、パターン高さ１８μｍ、パターンピッチ１２μｍ（凸部幅７μｍ、凹部幅５μｍ）であった。

本実施例で作製した構造体には残膜はなく、この構造体をＭＥＭＳなどの永久構造物そのものとして使用可能である。さらに、この構造体上に、別の構造体を積層した後、先の構造体を溶出することで、中空構造を形成することも可能である。

（実施例２）
本実施例ではポジ型感光性樹脂層２を実施例１と同様に形成した。また、感光性樹脂として東京応化工業社製ポジレジストＴＨＭＲ−ｉＰ５７００（商品名）を用い、スピンコートにて４．５μｍ塗布・形成した。

また、モールド４は実施例１と同じものを使用し、インプリント装置及び条件も実施例１と同一である。

図１（ｄ）にて行う光照射には、２９０ｎｍ〜４００ｎｍの波長の光をカットする光学フィルターを具備したＤｅｅｐ−ＵＶ露光装置（ＵＸ−３０００ＳＣ）にて５０００ｍＪ／ｃｍ^２全面露光を行った。

続いて実施例１同操作を行うことで、構造体を形成した。

この結果、実施例１と同等の構造体２００を形成した。

（実施例３）
本実施例では、ポジ型感光性樹脂としてメタクリル酸メチル−メタクリル酸の共重合体（モノマー組成比＝９０：１０）を用い、膜厚５μｍとなるようにスピンコートにて塗布し、ポジ型感光性樹脂層２を形成した。また、感光性樹脂層は実施例１と同様に形成した。

モールド４として凹凸の深さが８μｍ、ピッチは８μｍ（凸部幅４μｍ、凹部幅４μｍ）のものを使用した。インプリント装置には同じく明昌機工社製ナノインプリント装置を使用した。

本実施例においては基板１の温度を１７０℃に加熱し、プレス圧力７０ＭＰａにてインプリントを行った。なお離型は、同様に４０℃まで冷却後に行った。

以降、Ｄｅｅｐ−ＵＶ全面照射、剥離、現像工程については、実施例１と同一条件にて行った。

この結果、Ｓｉ基板１上に、パターン高さ１０μｍ、パターンピッチ８μｍ（凸部幅４μｍ、凹部幅４μｍ）の構造体を形成した。

（実施例４）
本実施例におけるポジ型感光性樹脂としてメタクリル酸メチル−メタクリル酸の共重合体（モノマー組成比＝９０：１０）を用いて塗布し（５μｍ）、ポジ型感光性樹脂層２を形成した。また、感光性樹脂としてＴＨＭＲ−ｉＰ５７００を用いて塗布し（４．５μｍ）、吸収層３を形成した。

モールド及びインプリントについては実施例３と同一条件で行った。また、Ｄｅｅｐ−ＵＶ全面照射、剥離、現像に関しては、実施例２と同一条件にて行った。この結果、実施例３と同等の構造体を形成した。

（実施例５）
本実施例ではインプリントを行う際の条件を、二段階のステップで変更して行った（図２参照）。なお、記載していない構成、条件などについては、全て実施例１と同一である。

まず、第一ステップとして、モールドの先端が吸収層３の膜厚の分だけプレスされるよう、モールドの位置を制御する（図２ｂ）。

その後１分間、保持時間として静止した後、第二ステップとして、モールドを最終的な位置までプレスする（図２ｃ）。

以降、実施例１と同一条件にて、離型、照射、剥離、現像を行い、実施例１と同等の構造体を形成した。

（実施例６）
本実施例では、プレス圧力の条件以外は実施例５同様に二段階のステップにてインプリントを行った。

第一ステップにおいては、プレス圧力を３０ＭＰａに下げてインプリントを行った。第二ステップは実施例１同様の圧力である７０ＭＰａでインプリントした。

この結果、実施例１と同等の構造体を形成した。

（実施例７）
本実施例では、温度条件以外は実施例５同様に二段階のステップにてインプリントを行った。

第一ステップにおいては、基板１の温度を１２０℃に加熱し、インプリントを行った。

第二ステップは実施例１同様の条件である１５０℃でインプリントした。なおモールド４の離型は４０℃に冷却後に行った。

この結果、実施例１と同等の構造体を形成した。

（実施例８）
本実施例では、使用したモールド以外は実施例１と同様にインプリントを行った。モールドとしては石英モールドを使用した。石英モールドは、全面照射時のＤｅｅｐ−ＵＶ光を透過する。

図３に示すとおり、石英モールド８をプレスした状態で、離型前にＤｅｅｐ−ＵＶ光の全面照射を行った。その後、離型を行うことで、実施例１と同等の構造体を形成した。

（実施例９）
本実施例では、液体吐出ヘッドの一例としてのインクジェット記録ヘッドを製造する方法の一例を示す。

まず、図５（ａ）において、基板１上にはインク記録液を吐出させるためのエネルギー発生素子として、発熱抵抗体１０が形成されている。この基板１上に、実施例１と方法と同様に熱インプリント方式でインプリントを行って、パターンを形成した（図５（ａ）〜（ｆ）は図１（ａ）〜（ｆ）に対応する。）。この際に用いる材料組成、工程条件などは、実施例１と同じである。

次に、図５（ｇ）に示すように、本発明の一例の構造体の製造方法により得られた構造体２００をインク流路の型である流路型部材として用いる。流路型部材２００上に被覆層として光硬化型感光性樹脂５を被覆する。光硬化型感光性樹脂５としては、表１の組成からなる樹脂を用いた。

次に、図５（ｈ）に示すように、フォトマスク１１を用いてＵＶ照射を行う。照射にはキヤノン社製マスクアライナーＭＰＡ−６００Ｓｕｐｅｒを用い、１Ｊ／ｃｍ^２照射した。露光部５ｂは硬化し、未露光部５ａは硬化しない。

次に、図５（ｉ）に示すように、キヤノン社製コーターデベロッパーＣＤＳ−６３０を用い、９０℃でポストベーク、メチルイソブチルケトンとキシレンの混合液による現像により、未露光部５ａを除去してインク吐出口６を形成した。

この後、図５（ｊ）に示すように、インク供給のための供給口を形成（不図示）し、流路型部材２００を除去し、インク吐出口に連通するインク流路７を形成し、インクジェット記録ヘッドを作製した。

本実施例にて作製したインクジェット記録ヘッドでは、光硬化型感光性樹脂がインクジェット記録ヘッドの流路壁部材３００となる。そして、この流路壁部材３００が基板１と接する部分は、ポジ型感光性樹脂層２をインプリントし、残膜が発生する部分に相当する。本発明の流路型部材２００の形成方法は残膜を確実に除去できるので、流路壁部材と基板との密着性に優れたインクジェット記録ヘッドを得ることができる。

（実施例１０）
本実施例では、実施例９と同様、インクジェット記録ヘッドの製造方法の一例を示す。まず図５（ｇ）までは実施例９と同様の工程を行った。

続いて、図６（ａ）において、光硬化型感光性樹脂５として化薬マイクロケム社製ＳＵ８−３０１０（商品名）を用いた。そして、図６（ｂ）に示すように、光透過性であり且つインク吐出口の対応する部分に凸形状９ａを有する石英モールド９にて、インプリントを行った。続けてＵＶ光照射を行った。照射はＭＰＡ−６００Ｓｕｐｅｒで１Ｊ／ｃｍ^２行い、ポストベークを９５℃にて行った。

そして、石英モールド９を離型し、図６（ｃ）に示すように、インク吐出口６を形成した。この際、光硬化型感光性樹脂５（ここではＳＵ−８）のインプリントによる光硬化型感光性樹脂の残膜５０は、流路型部材２００（ここではポリメチルイソプロペニルケトン）の内部に押し込まれた形で留まる。

この後、図６（ｄ）に示すように、実施例９同様にインク供給口を形成（不図示）し、流路型部材２００を溶出し、更に残膜５０を同時にインク供給口より除去することで、インク流路７を形成し、インクジェット記録ヘッドを作製した。

なお、光硬化型感光性樹脂の残膜５０の大きさは、インク供給口（不図示）の開口部に比べ十分に小さいため、インク流路内に留まることなく、除去可能であった。

（実施例１１）
また、図６（ｂ）にてＵＶ光照射を行う際、石英モールド９として、遮光膜を選択的に被覆した石英モールドを用いることも可能である。この場合、石英モールド９の凸部であって、インク吐出口６に相当する部分にＣｒなどの金属遮光膜を設けることで、光硬化型感光性樹脂の残膜５０に相当する部分は光硬化しなくなる。したがって、実施例１０と同様、インク流路内に留まることなく、除去可能である。

１ 基板
２ ポジ型感光性樹脂層
３ 吸収層
４ モールド
１１ フォトマスク
２１ 凹部ポジ型感光性樹脂層
２３ 感光した凹部ポジ型感光性樹脂層
３１ 凹部吸収層
３３ 感光した凹部吸収層