JP2010541221A5

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Publication number: JP2010541221A5
Application number: JP2010526156A
Authority: JP
Filing date: 2008-09-11
Publication date: 2011-08-18
Anticipated expiration: 2028-09-11

Claims

１次放射源（１）と発光変換モジュール（２）とを備えた半導体光源において、
当該半導体光源の動作中、前記１次放射源（１）は電磁放射である１次放射（５）を放出し、該１次放射（５）の少なくとも一部が前記発光変換モジュール（２）に入力結合され、
・前記発光変換モジュール（２）は、該発光変換モジュール（２）に入力結合された前記１次放射（５）の少なくとも一部を少なくとも１つの蛍光体によって波長変換して２次放射（１５）を生成する発光変換エレメント（６）を含み、
・前記発光変換モジュール（２）は、前記１次放射源（１）から離隔されて、冷却体（３）に配置されており、
・前記発光変換モジュール（２）は、該発光変換エレメント（６）を透過して該発光変換エレメント（６）に吸収されない前記１次放射（５）を該発光変換エレメント（６）に反射し戻し、かつ／または、前記２次放射（１５）を該発光変換モジュール（２）の光出力結合面（６０１）の方向に反射する反射面（７，７１，７２）を有し、
・前記発光変換エレメント（６）は、前記蛍光体を単結晶の形態で含むか、または、該蛍光体を多結晶セラミック材料の形態で含み、
・前記発光変換エレメント（６）には、前記反射面（７，７１，７２）の少なくとも一部の領域を含む反射層が設けられており、
・前記反射層は前記冷却体にはんだ付けされている
ことを特徴とする、半導体光源。
１次放射源（１）と発光変換モジュール（２）とを備えた半導体光源において、
当該半導体光源の動作中、前記１次放射源（１）は電磁放射である１次放射（５）を放出し、該１次放射（５）の少なくとも一部が前記発光変換モジュール（２）に入力結合され、
・前記発光変換モジュール（２）は、該発光変換モジュール（２）に入力結合された前記１次放射（５）の少なくとも一部を少なくとも１つの蛍光体によって波長変換して２次放射（１５）を生成する発光変換エレメント（６）を含み、
・前記発光変換モジュール（２）は、前記１次放射源（１）から離隔されて、冷却体（３）に配置されており、
・前記発光変換モジュール（２）は、該発光変換エレメント（６）を透過して該発光変換エレメント（６）に吸収されない前記１次放射（５）を該発光変換エレメント（６）に反射し戻し、かつ／または、前記２次放射（１５）を該発光変換モジュール（２）の光出力結合面（６０１）の方向に反射する反射面（７，７１，７２）を有し、
・前記発光変換エレメント（６）は粉末体の形態で前記反射面（７，７１，７２）上に堆積されている
ことを特徴とする、半導体光源。
前記発光変換モジュール（２）に入力結合された前記１次放射（５）は前記反射面（７，７１，７２）において複数回反射される、請求項１または２記載の半導体光源。
前記１次放射源（１）は、前記発光変換モジュール（２）と同じ冷却体（３）に設けられている、請求項１から３までのいずれか１項記載の半導体光源。
前記発光変換エレメント（６）の形状は、実質的に平坦な層であるかまたはプレートであり、
前記層またはプレートの表面は、前記光出力結合面を形成する第１の主面（６０１）と、該第１の主面に対向し前記冷却体の方を向いている第２の主面（６０２）と、少なくとも１つの側面（６０３）とを有する、請求項１から４までのいずれか１項記載の半導体光源。
前記発光変換モジュール（２）は少なくとも１つの冷却エレメント（１３）を有し、
前記冷却エレメント（１３）は前記発光変換エレメント（６）内に突出するか、または該発光変換エレメント（６）を貫通し、前記冷却体（３）に熱伝導結合されている、請求項５記載の半導体光源。
前記反射面（７，７１，７２）は前記側面（６０３）を局所的または完全に被覆する、請求項５または６記載の半導体光源。
前記反射面（７，７１，７２）は前記第２の主面（６０２）を少なくとも局所的に被覆する、請求項５から７までのいずれか１項記載の半導体光源。
前記１次放射源（１）の１次放射（５）は前記第１の主面（６０１）または前記側面（６０３）を通って前記発光変換エレメント（６）に入力結合される、請求項５から８までのいずれか１項記載の半導体光源。
前記１次放射源（１）の１次放射（５）は前記側面（６０３）を通って前記発光変換エレメント（６）に入力結合され、
該１次放射（５）は該発光変換エレメント（６）に入力結合される際に、該１次放射（５）に対して高い透過率を有しかつ前記第２の放射（１５）に対して高い反射率を有する波長選択性の入力結合鏡（１２）を透過する、請求項５から８までのいずれか１項記載の半導体光源。
前記冷却体（３）は前記発光変換エレメント（６）を包囲する、請求項１から１０までのいずれか１項記載の半導体光源。
前記発光変換エレメント（６）の少なくとも一部は前記冷却体（３）の凹入部（３１）内に配置され、
前記凹入部（３１）の表面の少なくとも一部が前記反射面（７，７１，７２）を形成するか、または該反射面（７，７１，７２）の一部を形成する、請求項１１記載の半導体光源。
前記２次放射（１５）は、前記１次放射（５）の少なくとも一部に対して高い反射率を有しかつ該２次放射（１５）に対して高い透過率を有する波長選択性の出力結合鏡（８）を透過して、前記発光変換モジュール（２）から出力結合される、請求項１から１２までのいずれか１項記載の半導体光源。
前記１次放射（５）は光学的エレメント（１０）を使用して前記発光変換モジュール（２）に入力結合される、請求項１から１３までのいずれか１項記載の半導体光源。
前記光学的エレメント（１０）は、前記１次放射（５）の少なくとも一部に対して高い反射率を有しかつ前記２次放射（１５）に対して高い透過率を有する波長選択性の出力結合鏡（８）を有し、
前記２次放射（１５）は前記波長選択性の出力結合鏡（８）を通って前記発光変換モジュール（２）から出力結合される、請求項１４記載の半導体光源。