JP2021103734A - 光源装置、ヘッドライト、表示装置及び照明装置 - Google Patents

光源装置、ヘッドライト、表示装置及び照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2021103734A
JP2021103734A JP2019234351A JP2019234351A JP2021103734A JP 2021103734 A JP2021103734 A JP 2021103734A JP 2019234351 A JP2019234351 A JP 2019234351A JP 2019234351 A JP2019234351 A JP 2019234351A JP 2021103734 A JP2021103734 A JP 2021103734A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
light
source device
light source
excitation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2019234351A
Other languages
English (en)
Inventor
久良 本林
Hisayoshi Motobayashi
久良 本林
和田 聡
Satoshi Wada
聡 和田
林 健人
Taketo Hayashi
健人 林
有毅 河村
Yuuki Kawamura
有毅 河村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyoda Gosei Co Ltd
Sony Group Corp
Original Assignee
Toyoda Gosei Co Ltd
Sony Group Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyoda Gosei Co Ltd, Sony Group Corp filed Critical Toyoda Gosei Co Ltd
Priority to JP2019234351A priority Critical patent/JP2021103734A/ja
Priority to US17/757,631 priority patent/US11920752B2/en
Priority to EP20905027.7A priority patent/EP4054029A4/en
Priority to PCT/JP2020/046904 priority patent/WO2021131946A1/ja
Priority to CN202080084686.0A priority patent/CN114762200A/zh
Publication of JP2021103734A publication Critical patent/JP2021103734A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21SNON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/10Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source
    • F21S41/14Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source characterised by the type of light source
    • F21S41/176Light sources where the light is generated by photoluminescent material spaced from a primary light generating element
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21SNON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/10Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source
    • F21S41/14Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source characterised by the type of light source
    • F21S41/16Laser light sources
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21SNON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/30Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by reflectors
    • F21S41/32Optical layout thereof
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/20Dichroic filters, i.e. devices operating on the principle of wave interference to pass specific ranges of wavelengths while cancelling others
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/30Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
    • F21V9/32Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source characterised by the arrangement of the photoluminescent material
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/02Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0273Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use
    • G02B5/0278Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use used in transmission
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/26Reflecting filters
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/14Details
    • G03B21/20Lamp housings
    • G03B21/2006Lamp housings characterised by the light source
    • G03B21/2033LED or laser light sources
    • G03B21/204LED or laser light sources using secondary light emission, e.g. luminescence or fluorescence
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/14Details
    • G03B21/20Lamp housings
    • G03B21/2066Reflectors in illumination beam
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0071Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for beam steering, e.g. using a mirror outside the cavity to change the beam direction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0087Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for illuminating phosphorescent or fluorescent materials, e.g. using optical arrangements specifically adapted for guiding or shaping laser beams illuminating these materials
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/30Semiconductor lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02208Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H01S5/02326Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031Edge-emitting structures
    • H01S5/4056Edge-emitting structures emitting light in more than one direction

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

【課題】放熱性に優れた光源装置、ヘッドライト、表示装置及び照明装置を提供する。【解決手段】光源装置10は、基板1と、蛍光体2と、発光素子4と、波長選択反射部材5とを具備する。上記蛍光体4は、上記基板1と接して配置される。上記発光素子4は、上記蛍光体2を励起する励起光7を出射する。上記波長選択反射部材5は、上記発光素子4から出射される上記励起光7を部分的に反射して上記蛍光体2に導き、上記励起光7の入射による励起により上記蛍光体2から発する蛍光8と、上記蛍光体2で反射した励起光7とを透過する。【選択図】図1

Description

本技術は、ヘッドライトや表示装置等に適用可能な光源装置に関する。
特許文献1には、青色レーザデバイスから入射した光を反射して光の向きを変更するミラーである反射面を有するプリズム型蛍光体を備える光源装置について記載されている。この光源装置では、プリズム型蛍光体はベース部材上に配置された保持部材に取り付けられている。保持部材の側面はプリズム型蛍光体の反射面に面接触し、他の側面にてベース部材に面接触している。
特開2013−254889号公報
特許文献1に記載される光源装置では、光入射されてプリズム型蛍光体が蛍光励起される際に生じる熱は、ミラーである反射面、保持部材を通してベース部材に放熱される。このように反射面及び保持部材を介在するため放熱性が悪い。
以上のような事情に鑑み、本技術の目的は、放熱性に優れた光源装置、ヘッドライト、表示装置及び照明装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、本技術の一形態に係る光源装置は、基板と、蛍光体と、発光素子と、波長選択反射部材とを具備する。
上記蛍光体は、上記基板と接して配置される。
上記発光素子は、上記蛍光体を励起する励起光を出射する。
上記波長選択反射部材は、上記発光素子から出射される上記励起光を部分的に反射して上記蛍光体に導き、上記励起光の入射による励起により上記蛍光体から発する蛍光と、上記蛍光体で反射した励起光とを透過する。
この構成によれば、蛍光体が発する熱が基板へ速やかに放熱される。
上記波長選択反射部材は、上記蛍光体に対して、上記蛍光及び上記蛍光体で反射した励起光の光路上に位置してもよい。
上記基板は凹部を有し、上記蛍光体の少なくとも一部は上記凹部に配置されてもよい。
上記凹部は上記基板の第1の面に形成され、上記蛍光体は、上記波長選択反射部材側に位置する面と上記第1の面が面一となるように上記凹部に配置されてもよい。
上記波長選択反射部材は上記基板に固定されていてもよい。
上記波長選択反射部材は上記蛍光体と非接触であってもよい。
上記波長選択反射部材は、上記発光素子から出射した上記励起光を部分的に透過し、部分的に反射して上記蛍光体に導き、上記励起光の入射による励起により上記蛍光体から発する蛍光と、上記蛍光体で反射した励起光とを透過する第1の反射部と、上記第1の反射部を透過した励起光を反射し、上記光源装置の外へ導く第2の反射部とを有してもよい。
上記波長選択反射部材を介して対向配置された2つの上記発光素子を備え、
上記波長選択反射部材は、
2つの上記発光素子のうち一方の発光素子から出射される第1の励起光を部分的に反射して上記蛍光体に導き、上記第1の励起光の入射による励起により上記蛍光体から発する蛍光と、上記蛍光体で反射した上記第1の励起光とを透過する第1の反射部と、
他方の発光素子から出射される第2の励起光を部分的に反射して上記蛍光体に導き、上記第2の励起光の入射による励起により上記蛍光体から発する蛍光と、上記蛍光体で反射した上記第2の励起光とを透過する第2の反射部とを有し、
上記第1の反射部は、上記第2の反射部を透過し上記第1の反射部に導かれた上記第2の励起光を部分的に反射し、上記第2の反射部は、上記第1の反射部を透過し上記第2の反射部に導かれた上記第1の励起光を部分的に反射して、上記光源装置の外へ導いてもよい。
上記波長選択反射部材は、上記第1の反射部と上記第2の反射部を有する一つの構造体であってもよい。
上記基板及び上記蛍光体は、互いが接する面に凹凸を有してもよい。
上記波長選択反射部材から出射され、上記光源装置の外へ出射されない光を受光する受光素子を更に具備してもよい。
上記受光素子からの出力に基づいて、上記発光素子からの上記励起光の出力を制御する制御部を更に具備してもよい。
上記目的を達成するため、本技術の一形態に係るヘッドライトは、光源装置と、光学系とを具備する。
上記光源装置は、基板と、上記基板と接して配置された蛍光体と、上記蛍光体を励起する励起光を出射する発光素子と、上記発光素子から出射される上記励起光を部分的に反射して上記蛍光体に導き、上記励起光の入射による励起により上記蛍光体から発する蛍光と、上記蛍光体で反射した励起光とを透過する波長選択反射部材とを備える。
上記光学系は、上記光源装置からの光が入射される。
上記目的を達成するため、本技術の一形態に係る表示装置は、光源装置と、光変調素子とを具備する。
上記光源装置は、基板と、上記基板と接して配置された蛍光体と、上記蛍光体を励起する励起光を出射する発光素子と、上記発光素子から出射される上記励起光を部分的に反射して上記蛍光体に導き、上記励起光の入射による励起により上記蛍光体から発する蛍光と、上記蛍光体で反射した励起光とを透過する波長選択反射部材とを備える。
上記光変調素子は、上記光源装置からの光が入射される。
上記目的を達成するため、本技術の一形態に係る照明装置は、光源装置を具備する。
上記光源装置は、基板と、上記基板と接して配置された蛍光体と、上記蛍光体を励起する励起光を出射する発光素子と、上記発光素子から出射される上記励起光を部分的に反射して上記蛍光体に導き、上記励起光の入射による励起により上記蛍光体から発する蛍光と、上記蛍光体で反射した励起光とを透過する波長選択反射部材とを備える。
本技術の第1の実施形態に係る光源装置の断面図である。 第2の実施形態に係る光源装置の断面図である。 第2の実施形態に係る他の光源装置の断面図である。 第3の実施形態に係る光源装置の部分平面図である。 (A)は第3の実施形態に係る光源装置の断面図、(B)は当該光源装置の部分断面図である。 第3の実施形態に係る他の光源装置の断面図である。 第4の実施形態に係る光源装置の断面図である。 第5の実施形態に係る光源装置の部分平面図である。 第5の実施形態に係る光源装置の断面図である。 第6の実施形態に係る光源装置の断面図である。 第6の実施形態に係る他の光源装置の断面図である。 第7の実施形態に係る光源装置の部分断面図である。 第8の実施形態に係る光源装置の部分断面図である。 変形例に係る光源装置の部分断面図である。 他の変形例に係る光源装置の部分平面図である。 図15の光源装置の断面図である。 上記の各光源装置を用いたヘッドライトの概略断面図である。 上記の各光源装置を用いたプロジェクタの構成図である。 上記の各光源装置を用いたバックライト及び液晶表示装置の概略分解斜視図である。 上記の各光源装置を用いたバックライト及び液晶表示装置の概略分解斜視図である。 上記の各光源装置を用いた照明装置の概略断面図である。
以下、光源装置の実施形態について説明するが、各実施形態において同様の構成については同様の符号を付し、既に説明がなされている構成については説明を省略する場合がある。また、各図において、励起光を破線、蛍光を実線で示している。
(第1の実施形態)
本技術の第1の実施形態に係る光源装置について図1を用いて説明する。
図1に示すように、光源装置10は、基板1と、蛍光体2と、励起光源となる発光素子としてのレーザダイオード4と、サブマウント3と、波長選択反射部材5と、カバー6とを備える。
ここでは、光源装置10において、青色レーザ光と黄色発光蛍光体からの発光である黄色光とにより白色光を生成する例をあげるが、任意の色味となるようレーザ光源及び蛍光体の種類を適宜選択することができる。
また、本実施形態では、白色を生成するのに際し、青色レーザ光と黄色発光蛍光体からの黄色光を用いる例をあげるが、これに限定されない。
例えば、青色レーザ光と、赤色、緑色発光蛍光体から発する赤色光及び緑色光とを用いて白色光を生成するように構成してもよい。更に他の例としては、紫外レーザ光と、赤色、緑色、青色発光蛍光体から発する赤色光、緑色光及び青色光とを用いて白色光を生成するように構成してもよい。
基板1は、熱伝導性に優れた材料からなる。例えば、基板1には、AlN、SiC、Al等のセラミックス部材や金属部材が用いられる。
基板1は第1の面1aを有する。第1の面1a上には、蛍光体2及びサブマウント3が配置され、基板1はこれらを保持する。基板1は、蛍光体2よりも熱伝導率の大きな材料により形成されることが好ましく、これにより、蛍光体2の熱を効率的に基板1に放熱することができる。第1の面1aは平坦面である。
レーザダイオード4は青色レーザ光を励起光として出射する。レーザダイオード4の半導体にはInAlGaN等の窒化物半導体等を用いることができる。レーザダイオード4からの励起光の発振波長は例えば400nm〜530nmである。YAG系の蛍光体2と組み合わせて白色を生成する場合、励起光の発振波長は400nm〜500nmであればよい。
尚、本実施形態において、励起光源となる発光素子としてレーザダイオードを例にあげたが、これに限定されない。例えばLED(Light Emitting Diode)やVCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)を用いることもできる。例えばLEDを用いる場合は出射する光を集光する光学系等を設けてもよい。また、VCSELを用いる場合、水平方向に励起光が出射されて波長選択反射部材5に入射されるようにVCSELを傾けて配置してもよい。
本実施形態においては端面発光のレーザダイオードを用いることにより、上述のような光学系は不要であり、また、VCSELのように傾けて配置する必要がないため、構造を簡素化することができる。
蛍光体2は、レーザダイオード4から出射される励起光7により励起され発光する。本実施形態の蛍光体2には、レーザダイオード4から出射される青色波長域(例えば400nm〜500nm)の波長を有する青色レーザ光により励起されて黄色(赤色波長域から緑色波長域の間の波長域の光)を発光する黄色発光蛍光体を用いることができる。
蛍光体2には、例えばYAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)系蛍光体(例えばYAl12)等を用いることができる。
蛍光体2には、セラミックス蛍光体、単結晶蛍光体、焼結蛍光体、又は、粉体の蛍光体とセラミックス材料等のバインダとを含んだ材料を焼結した焼結体を用いてもよい。
蛍光体2は、少なくともその表面の一部が基板1に接し、基板1に固定されて配置される。本実施形態においては、蛍光体2は直方体状を有し、その一面が基板1の第1の面1aと接触する。
このように、蛍光体2が熱伝導性の高い基板1に接触して配置されることにより、蛍光体2が発する熱が基板1に効率よく放熱される。これにより、蛍光体2の温度の上昇が抑制され、蛍光体2の変換効率(励起光が蛍光体に入射して異なる波長の蛍光に変換される割合)の低下が抑制され、光源装置10から出射される白色光の出力低下が抑制される。
サブマウント3は、波長選択反射部材5に対するレーザダイオード4からの励起光の出射光の位置を調整するものである。サブマウント3を用いることにより、基板1からみたレーザダイオード4の高さが調整される。
サブマウント3には、例えば、SiC単結晶、AlNセラミックス、Si単結晶等を用いることができるが、これらに限定されない。サブマウント3に熱伝導性に優れた材料を用いることにより、レーザダイオード4から発する熱を効率よく放熱することができるため、サブマウント3を熱伝導性に優れた材料を用いて構成することが好ましい。
また、基板1にサブマウント3に代わる段差を設けることによって、レーザダイオード4の位置を調整する構成としてもよく、サブマウント3を不要としてもよい。
基板1とサブマウント3との接合、サブマウント3とレーザダイオード4との接合には、例えばAuSn等の半田による接合が用いられる。
サブマウント3には、レーザダイオード4への電流注入のための配線、電極パッドが配置される。この電極パッドにワイヤボンディングを用いてAu配線等で電流を印加する印加経路が形成される。サブマウント3を導電性材料で構成する場合、配線の一部を省略することができる。
波長選択反射部材5は、反射部としての反射面51を有する。
図1に示すように、波長選択反射部材5は、反射面51で励起光7を部分的に反射して蛍光体2に導く光学部材である。更に、波長選択反射部材5は、励起光7の入射による励起によって蛍光体2から発する黄色の蛍光8と、蛍光体2を励起せずに蛍光体2で反射した青色の励起光7a(反射光)とを透過する。光源装置10では、この黄色の蛍光8と、蛍光体2で反射した反射光である青色の励起光7aとが混色して白色光が、光源装置10の外へ出射される。
反射面51で反射せず反射面51を透過した励起光7bは、波長選択反射部材5から出射し、光源装置10の外へは出射せず、光源装置10から出射される白色光に寄与しない。
図1に示すように、波長選択反射部材5は、図上、蛍光体2の上方に、蛍光体2と接触した状態で配置される。波長選択反射部材5は、図示しない保持部材を介して基板1に固定されてもよいし、蛍光体2に固定されてもよい。
これにより、レーザダイオード4から出射され波長選択反射部材5の反射面51で反射して蛍光体2に入射する励起光7の光束の光軸がぶれることがない。更に、蛍光体2から発する蛍光8及び蛍光体2で反射する励起光7aの光束の光軸がぶれることがなく、光源装置10から出射される白色光の色味や出力を安定したものとすることができる。
レーザダイオード4から出射される励起光7は水平方向に出射される。言い換えると、励起光7は、その光軸が、蛍光体2の励起光7の入射面と平行となるように出射される。また、波長選択反射部材5は、その反射面51が、蛍光体2の入射面、レーザダイオード4から出射される励起光7の光軸それぞれに対して略45度の角度をなすように配置される。ここで略45度とは誤差を含むものであり、例えば44〜46度を含む。
波長選択反射部材5の反射面51は、レーザダイオード4から出射される励起光7を部分的に反射し、かつ、部分的に透過し、更に、蛍光体2からの蛍光8を透過し、蛍光体2で反射した励起光7a(反射光)の一部を透過する。
このように、反射面51は励起光7を部分的に透過するように構成されているので、蛍光体2で反射した励起光7a(反射光)の一部は反射面51を透過し、光源装置10の外へ出射される白色光に寄与する構成となっている。
波長選択反射部材5は、その反射面51が、蛍光8及び励起光7a(反射光)の光路上に配置され、図面では、蛍光体2の上方に配置される。言い換えると、波長選択反射部材5の反射面51は、蛍光体2に対して、蛍光と励起光とが混色してなる白色光の出射方向側に位置する。
ここで、例えば、レーザダイオードから出射される励起光を反射させて蛍光体へ入射させる反射部を、蛍光体の上方ではなく、レーザダイオード寄りにずらして配置した場合を想定する。このような場合、反射部と蛍光体との距離が長くなり、レーザダイオードから出射され蛍光体に入射する励起光の光束の断面形状が広がりやすい。このため、集光レンズといった光学系が必要となってくる。
これに対し、本実施形態では、波長選択反射部材5は、励起光7を部分的に反射し、かつ、蛍光8を透過する反射面51を有する構成となっている。これにより、波長選択反射部材5を、光源装置10から出射される白色光に寄与する蛍光8及び励起光7a(反射光)の光路上となる蛍光体2の上方に、配置することが可能となっている。
このように、波長選択反射部材5の反射面51を蛍光体2の上方に配置することにより、反射面51と蛍光体2との距離を短くすることができ、蛍光体2に入射される励起光7の光束の断面形状が広がりすぎることがない。したがって、上述のような光学系が不要となり、波長選択反射部材そのものを小型化でき、光源装置の小型化が可能となる。更に、光源装置を構成する部品の数を削減することができるため、低コスト化が可能となる。
カバー6は、基板1とともに、蛍光体2、レーザダイオード4、サブマウント3、及び、波長選択反射部材5を内部に保持する空間を形成する。カバー6と基板1による形成される空間内には窒素が充填される。
このように、光源装置10は、気密封止されたパッケージ化された状態となっている。
カバー6は、側壁部61と、蓋部62とを有する。
側壁部61は基板1の第1の面1aに垂直に位置し、蛍光体2、レーザダイオード4、サブマウント3、及び、波長選択反射部材5を囲うように設けられる。
蓋部62は、側壁部61を介して基板1と対向配置される。蓋部62は透光性のガラスからなる。黄色の蛍光8と蛍光体2で反射した青色の励起光7a(反射光)が混色してなる白色光は、蓋部62を透過して光源装置10の外部へ出射される。
(第2の実施形態)
本技術の第2の実施形態に係る光源装置について図2及び図3を用いて説明する。
図2及び図3に示すように、光源装置20は、基板21と、蛍光体2と、レーザダイオード4と、サブマウント3と、波長選択反射部材5と、カバー6とを備える。
本実施形態の光源装置20では、基板21の第1の面21aに凹部21bが設けられ、当該凹部21bに蛍光体2の少なくとも一部が配置される。
図2に示すように、凹部21bは、蛍光体2全体が基板21に埋め込まれるように設けられてもよい。直方体状の蛍光体2は、波長選択反射部材5側に位置する一面(図における上面)が基板21の第1の面21aと面一となるように凹部21bに配置される。
或いは、図3に示すように、蛍光体2の一部が基板21に埋め込まれるように凹部21bが設けられてもよい。この場合、蛍光体2は、その一部が基板21の第1の面21aから突出するように凹部21bに配置される。
基板21の凹部21bに蛍光体2を配置する構成は、基板21に凹部21bを形成した後、凹部21bに予め成形されている蛍光体2を嵌め込むことによって形成することができる。或いは、凹部21bが形成された基板の凹部21bに蛍光体材料を充填した後、焼結して形成してもよい。
第1の実施形態の構成では、蛍光体2の一面(図における底面)のみが基板1に接した状態であったが、本実施形態では、これに加え、蛍光体2の側面も基板21に接した状態となっている。
これにより、基板21と蛍光体2との接触面積が第1の実施形態と比較して増加し、放熱性が更に向上する。接触面積の増大の観点から、図2に示すように、蛍光体2の波長選択反射部材5側に位置する一面が基板21の第1の面21aと面一となるように蛍光体2が凹部21bに配置されることがより好ましく、放熱性が向上する。
このように放熱性が向上することにより、蛍光体2の変換効率の低下が更に抑制され、光源装置20から出射される白色光の出力低下が抑制される。
以下の第3〜第6の実施形態においては、蛍光体全体が基板に埋まるように基板に形成された凹部内に蛍光体が配置される構成を例にあげて説明するが、蛍光体の一部が基板に埋まるように蛍光体が凹部に配置される構成であってもよい。また、第1の実施形態のように、平坦面である基板の第1の面上に蛍光体が配置される構成としてもよい。
(第3の実施形態)
本技術の第3の実施形態に係る光源装置30について図4及び図5を用いて説明する。
図4は光源装置30の部分平面図であり、レーザダイオード4A及び4Bと波長選択反射部材35との位置関係を説明するための図である。
図5(A)は光源装置30の断面図である。
図5(B)は光源装置30の拡大部分断面図であり、励起光7の光路を説明するための図である。図5(B)においては、図面を見やすくするために、第2のレーザダイオード4Bから出射される励起光に係る光の光路についてのみ図示しているが、第1のレーザダイオード4Aから出射される励起光に係る光の光路についても同様である。
図4及び図5に示すように、光源装置30は、基板21と、蛍光体2と、第1のレーザダイオード4Aと、第2のレーザダイオード4Bと、第1のサブマウント3Aと、第2のサブマウント3Bと、波長選択反射部材35と、カバー6とを備える。
第1のレーザダイオード4A及び第2のレーザダイオード4Bは、上述の実施形態のレーザダイオード4と同様の構成を有する。
同様に、第1のサブマウント3A及び第2のサブマウント3Bは、上述の実施形態のサブマウント3と同様の構成を有する。
第1のレーザダイオード4A及び第1のサブマウント3Aは、波長選択反射部材35を介して、第2のレーザダイオード4B及び第2のサブマウント3Bと対向配置されている。
波長選択反射部材35は、第1の反射部としての第1の反射面351と、第2の反射部としての第2の反射面352を有する。第1の反射面351と第2の反射面352とは直角の角度をなすように配置される。
波長選択反射部材35は、例えば、第1の反射面351を有する立方体状の波長選択反射部材と第2の反射面352を有する立方体状の波長選択反射部材とを互いの面を接して貼り付けて一体化した一つの構造体として構成することができる。
図5(B)に示すように、波長選択反射部材35は、第2の反射面352で第2のレーザダイオード4Bからの励起光7を部分的に反射して蛍光体2に導く光学部材である。更に、光路の図示は省略しているが、波長選択反射部材35は、第1の反射面351で第1のレーザダイオード4Aからの励起光7を部分的に反射して蛍光体2に導く。
更に、第2の反射面352(第1の反射面351)で反射せず、第2の反射面352(第1の反射面351)を透過した励起光7bの一部は、第1の反射面351(第2の反射面352)で反射し、光源装置30から出射される白色光に寄与する。
更に、波長選択反射部材35の第1の反射面351及び第2の反射面352は、励起光7の入射による励起によって蛍光体2から発する黄色の蛍光8と、蛍光体2で反射した青色の励起光7a(反射光)とを透過する。これにより、黄色の蛍光と青色の励起光とが混色して光源装置30から白色光が出射される。
このように、2つのレーザダイオードを対向配置させ、2つの反射面351及び352を有する波長選択反射部材35を設けることにより、一方の反射面を透過して蛍光体に入射されなかった励起光を、他方の反射面で反射させて白色光に寄与させることができる。これにより、光の利用効率が向上した光源装置とすることができる。
尚、2つの反射面を有する波長選択反射部材は、上述の波長選択反射部材35の形状に限定されない。例えば図6に示す光源装置31に設けられる波長選択反射部材36のように四角錐状としてもよい。
図6は他の例の光源装置31の断面図である。
図6に示すように、光源装置31は、基板21と、蛍光体2と、第1のレーザダイオード4Aと、第2のレーザダイオード4Bと、第1のサブマウント3Aと、第2のサブマウント3Bと、波長選択反射部材36と、カバー6とを備える。
波長選択反射部材36は直錐体である四角錐状を有する。波長選択反射部材36は、その頂点が基板1側に位置するように配置され、図上、頂点が下方、底面が上方に位置するように配置される。
波長選択反射部材36の対向する一対の側面は、第1の反射部としての第1の反射面361と、第2の反射部としての第2の反射面362を構成する。波長選択反射部材36は2つの反射面を有する1つの構造体である。
波長選択反射部材36の頂点から底面への垂線の延長線が蛍光体2の入射面に対して垂直となるように、波長選択反射部材36は図示しない保持部材により配置される。
図6に示すように、波長選択反射部材36は、第2の反射面362で第2のレーザダイオード4Bからの励起光7を部分的に反射して蛍光体2に導く光学部材である。更に、光路の図示は省略しているが、波長選択反射部材36は、第1の反射面361で第1のレーザダイオード4Aからの励起光7を部分的に反射して蛍光体2に導く。
更に、波長選択反射部材36の第1の反射面361及び第2の反射面362は、励起光7の入射による励起によって蛍光体2から発する黄色の蛍光8と、蛍光体2で反射した青色の励起光7a(反射光)とを透過する。これにより黄色の蛍光と青色の励起光とが混色して光源装置31から白色光が出射される。
更に、第2の反射面362(第1の反射面361)で反射せず、第2の反射面362(第1の反射面361)を透過した励起光7bの一部は、第1の反射面361(第2の反射面362)で反射し、光源装置31から出射される白色光に寄与する。
光源装置31では、黄色の蛍光8と、蛍光体2で反射した青色の励起光7a(反射光)と、一方の反射面を透過し他方の反射面で反射した励起光とが混色して白色光が出射される。
このように、2つのレーザダイオードを対向配置させ、2つの反射面361及び362を有する波長選択反射部材36を設けることにより、一方の反射面を透過して蛍光体に入射されなかった励起光を、他方の反射面で反射させて白色光に寄与させることができる。これにより、光の利用効率が向上した光源装置とすることができる。
(第4の実施形態)
本技術の第4の実施形態に係る光源装置40について図7を用いて説明する。
図7は光源装置40の断面図である。
図7に示すように、光源装置40は、基板21と、蛍光体2と、第1のレーザダイオード4Aと、第2のレーザダイオード4Bと、第1のサブマウント3Aと、第2のサブマウント3Bと、第1の波長選択反射部材45Aと、第2の波長選択反射部材45Bと、カバー6とを備える。
第1の波長選択反射部材45A及び第2の波長選択反射部材45Bは、第1の実施形態の波長選択反射部材5と同様の構成を有する。
第1の波長選択反射部材45A(第2の波長選択反射部材45B)は、第1の反射面451A(第2の反射面451B)を有する。
図7に示すように、第1の波長選択反射部材45Aと第2の波長選択反射部材45Bとを離間して配置してもよい。第1の反射面451Aの延長面と第2の反射面451Bの延長面とは直角の角度をなすように配置される。
本実施形態の構成においても、第3の実施形態と同様に、2つのレーザダイオードを設け、2つの反射面451A及び451Bを設けることにより、一方の反射面を透過して蛍光体に入射されなかった励起光を、他方の反射面で反射させて白色光に寄与させることができる。これにより、光の利用効率が向上した光源装置とすることができる。
更に、本実施形態においては、第1の波長選択反射部材45Aと第2の波長選択反射部材45Bとを離間して配置している。これにより、第1の波長選択反射部材45Aと第2の波長選択反射部材45Bとの距離を変えることによって光源装置40から出射される白色光のビーム形状を任意の形状に調整することができる。
(第5の実施形態)
本技術の第5の実施形態に係る光源装置50について図8及び図9を用いて説明する。
図8は光源装置50の部分平面図であり、4つのレーザダイオード4A〜4Dと波長選択反射部材55との位置関係を説明するための図である。
図9は光源装置50の断面図であり、図8の線A−A、線B−Bで切断した断面図に相当する。
図9において、励起光7の光路を図示しているが、図面を見やすくするために、第3のレーザダイオード4C(第4のレーザダイオード4D)から出射される励起光に係る光の光路についてのみ図示しているが、第1のレーザダイオード4A(第2のレーザダイオード4B)から出射される励起光に係る光の光路についても同様である。
第3及び第4の実施形態においては、2つのレーザダイオードが波長選択反射部材を間に介して対向配置される例をあげたが、図8に示すように、4つのレーザダイオードが配置されてもよい。
図8及び図9に示すように、光源装置50は、基板21と、蛍光体2と、第1のレーザダイオード4Aと、第2のレーザダイオード4Bと、第3のレーザダイオード4Cと、第4のレーザダイオード4Dと、第1のサブマウント3Aと、第2のサブマウント3Bと、第3のサブマウント3Cと、第4のサブマウント3Dと、波長選択反射部材55と、カバー6とを備える。
各レーザダイオード及び各サブマウントは上述の実施形態のレーザダイオード及びサブマウントと同様の構成を有する。
4つのレーザダイオード4A〜4Dは、図8に示すように上側からみた形状が矩形の波長選択反射部材55を囲むように各辺に対応して配置される。
第1のレーザダイオード4A及び第1のサブマウント3Aと、第3のレーザダイオード4C及び第3のサブマウント3Cとは、波長選択反射部材55を介して対向配置される。
第2のレーザダイオード4B及び第2のサブマウント3Bと、第4のレーザダイオード4D及び第4のサブマウント3Dとは、波長選択反射部材55を介して対向配置される。
波長選択反射部材55は、直方体の一面側から当該一面を底面とする四角錐を取り除いた形状を有する。波長選択反射部材55の4つの内側側面はそれぞれ反射面として構成される。波長選択反射部材55は、4つの反射面551〜554を有する。第1の反射部としての反射面551(反射面553)と第2の反射部としての反射面552(反射面554)とは直角の角度をなすように配置される。
波長選択反射部材55は4つの反射面を有する1つの構造体である。
図9に示すように、波長選択反射部材55は、第3のレーザダイオード4C(第4のレーザダイオード4D)から出射される励起光7を反射面552(反射面554)で部分的に反射して蛍光体2に導く光学部材である。更に、光路の図示は省略しているが、波長選択反射部材55は、第1のレーザダイオード4A(第2のレーザダイオード4B)から出射される励起光7を反射面551(反射面553)で部分的に反射して蛍光体2に導く。
更に、波長選択反射部材55の反射面551〜554は、励起光7の入射による励起によって蛍光体2から発する黄色の蛍光8と、蛍光体2で反射した青色の励起光7a(反射光)とを透過する。これにより、黄色の蛍光と青色の励起光とが混色して光源装置50から白色光が出射される。
更に、反射面552(反射面554)で反射せず、反射面552(反射面554)を透過した励起光7bの一部は、反射面552(反射面554)に対向する反射面551(反射面553)で反射し、光源装置50から出射される白色光に寄与する。
同様に、反射面551(反射面553)で反射せず、反射面551(反射面553)を透過した励起光7bの一部は、反射面551(反射面553)に対向する反射面552(反射面554)で反射し、光源装置から出射される白色光に寄与する。
このように、4つのレーザダイオードを設け、4つの反射面551〜554を有する波長選択反射部材55を設けることにより、反射面を透過して蛍光体に入射されなかった励起光を他の反射面で反射させて白色光に寄与させることができる。これにより、光の利用効率が向上した光源装置50とすることができる。
(第6の実施形態)
本技術の第6の実施形態に係る光源装置60及び65について、図10及び図11を用いて説明する。
図10は光源装置60の断面図、図11は光源装置65の断面図である。
いずれの光源装置においても、蛍光体の形状が第3の実施形態の蛍光体2と異なる点で相違する。
図10に示すように、光源装置60は、基板63と、蛍光体64と、レーザダイオード4A及び4Bと、サブマウント3A及び3Bと、波長選択反射部材35と、カバー6とを備える。
図11に示すように、光源装置65は、基板66と、蛍光体67と、レーザダイオード4A及び4Bと、サブマウント3A及び3Bと、波長選択反射部材35と、カバー6とを備える。
第3の実施形態では直方体状の蛍光体2としていたが、図10に示すよう球欠状の蛍光体64としてよく、また、図11に示すように円錐状の蛍光体67としてもよい。
図10に示すように、基板63の第1の面63aには球欠状の凹部63bが設けられ、凹部63bに球欠状の蛍光体64が配置される。凹部63bは、蛍光体64全体が基板63に埋め込まれるように設けられる。蛍光体64は、波長選択反射部材35側に位置する一面(図における上面)が基板63の第1の面63aと面一となるように凹部63bに配置される。
図11に示すように、基板66の第1の面66aには円錐状の凹部66bが設けられ、凹部66bに円錐状の蛍光体67が配置される。凹部66bは、蛍光体67全体が基板66に埋め込まれるように設けられる。蛍光体67は、波長選択反射部材35側に位置する一面(図における上面)が基板66の第1の面66aと面一となるように凹部66bに配置される。
蛍光体64(67)の基板63(66)と接する面には反射膜641(671)が形成されている。このように、曲面状の反射膜641、基板66の第1の面66aに対して斜めに位置する斜面状の反射膜671を設けることにより、蛍光体64(67)を励起せずに蛍光体64(67)を透過した励起光は反射膜641(671)で反射する。この反射した励起光は、再び蛍光体64(67)を透過するので、蛍光体64(67)の発光に利用することができ、光の利用効率が向上する。
また、本実施形態においては、蛍光体を球欠状、円錐状としたが、蛍光体の厚みを薄くした直方体状とし、蛍光体の基板と接する面に反射膜を形成してもよい。
(第7の実施形態)
図12は、基板と蛍光体とが接触する部分の拡大図である。
上述の各実施形態において、図12(A)や(B)に示すように、基板71と蛍光体72の双方が接する面に、具体的には、蛍光体72の底面と基板71とが接する面に凹凸を設けてもよい。
例えば、図12(A)では、凸部の断面形状は矩形状であり、図12(B)では凹凸の断面形状が波形となっている。凹凸の形状はこれらに限定されず、例えば凸部の断面形状が三角形状や半円状であってもよい。このように凹凸面を設けることにより、平坦面と比較して基板と蛍光体との接触面積を増大させることができ、放熱性を更に向上させることができる。
(第8の実施形態)
本技術の第8の実施形態に係る光源装置80について図13を用いて説明する。
図13は光源装置80の概略断面図である。
図13に示すように、光源装置80は、基板1と、蛍光体2と、レーザダイオード4と、サブマウント3と、波長選択反射部材5と、カバー6と、受光素子である受光センサ81と、制御部82とを備える。
受光センサ81は、基板1及びカバー6により囲まれた空間内に設けられる。
受光センサ81は、波長選択反射部材5から出射される光であって、光源装置80から出射される白色光に寄与しない漏れ光を受光する。受光センサ81で検出された検出結果は制御部82に出力される。
制御部82は、受光センサ81から出力された検出結果に基づき、レーザダイオード4からの励起光の出力を制御する。検出結果により蛍光体2の状態を把握することができる。例えば蛍光体2の機能の低下が検出結果により把握された場合、レーザダイオード4からの励起光の出力を高めるように制御部82によって制御されることにより、光源装置80から出射される白色光の出力を安定させたものとすることができる。
(第9の実施形態)
本技術の第9の実施形態に係る光源装置について図14を用いて説明する。
上述の各実施形態においては、波長選択反射部材5と蛍光体2とが接触した状態で配置される例を挙げたが、図14に光源装置15示すように、波長選択反射部材5と蛍光体2とは非接触の状態で配置されてもよい。波長選択反射部材5は、図示しない保持部材を介して、その位置が固定されて、基板1に保持される。
波長選択反射部材5と蛍光体2とが非接触の状態で配置されことにより、蛍光体2が発する熱による波長選択反射部材5への影響を抑制することができ、熱による波長選択反射部材5のゆがみの発生を抑制することができる。これにより、光束の光軸がぶれにくく、光源装置10から出射される白色光の色味や出力を安定したものとすることができる。
(第10の実施形態)
本技術の第10の実施形態に係る光源装置58について図15及び図16を用いて説明する。
図15は光源装置58の部分平面図であり、レーザダイオード4A及び4Bと波長選択反射部材55との位置関係を説明するための図である。
図16は光源装置58の断面図であり、図15の線A−A、線B−Bで切断した断面図に相当する。
第3及び第4の実施形態においては、2つのレーザダイオードが波長選択反射部材を間に介して対向配置される例をあげたが、図15に示すように波長選択反射部材に対して90度の位置関係となるように2つのレーザダイオードが配置されてもよい。
図15及び図16に示すように、光源装置58は、基板21と、蛍光体2と、第1のレーザダイオード4Aと、第2のレーザダイオード4Bと、第1のサブマウント3Aと、第2のサブマウント3Bと、波長選択反射部材55と、カバー6とを備える。
第1のレーザダイオード4A及び第1のサブマウント3Aと、第2のレーザダイオード4B及び第2のサブマウント3Bとは、波長選択反射部材55に対して90度の位置関係となるように配置されている。
波長選択反射部材55は、第5の実施形態の波長選択反射部材と同様の構成を有し、4つの反射面551〜554を有する。反射面551(反射面553)と反射面552(反射面554)とは直角の角度をなすように配置される。
図16に示すように、波長選択反射部材55は、反射面551(反射面553)で第1のレーザダイオード4A(第2のレーザダイオード4B)から出射される励起光7を部分的に反射して蛍光体2に導く光学部材である。
更に、波長選択反射部材55の反射面551〜554は、励起光7の入射による励起によって蛍光体2から発する黄色の蛍光8と、蛍光体2で反射した青色の励起光7aとを透過する。光源装置58では、この黄色の蛍光8と青色の励起光7とが混色して白色光が出射される。
第1の反射部としての反射面551(553)で反射せず透過した励起光7bの一部は、第2の反射部としての反射面552(554)で反射し、光源装置58から出射される白色光に寄与する。
光源装置58では、黄色の蛍光8と、蛍光体2で反射した青色の励起光7a(反射光)と、一方の反射面を透過し他方の反射面で反射した励起光とが混色して白色光が出射される。
このように、2つのレーザダイオードを設け、4つの反射面551〜554を有する波長選択反射部材55を設けることにより、反射面を透過して蛍光体に入射されなかった励起光を他の反射面で反射させて白色光に寄与させることができる。これにより、光の利用効率が向上した光源装置58とすることができる。
尚、本実施形態では、2つのレーザダイオードに対し4つの反射面を設けたが、1つのレーザダイオードに対して2つの反射面が配置されるように構成してもよく、同様に光利用効率の良い光源装置とすることができる。
次に、上述の各光源装置を適用した機器としての、ヘッドライト、表示装置、照明装置について説明する。尚、以下では説明を省略するが、光源装置を冷却する冷却機構が、光源装置の基板に接して設けられていてもよい。冷却機構を設けることにより、光源装置の発熱による、光源装置を適用した機器の動作特性への影響が抑制される。
(ヘッドライトへの適用例)
図17はヘッドライト100の概略断面図である。
車両用のヘッドライト100は、光源装置10(15、20、30、31、40、50、58、60、65、80)と、光学系としての反射面101aを有するリフレクタ101及び投影レンズ102とを有する。光源装置10(15、20、30、31、40、50、58、60、65、80)から出射された白色光は、リフレクタ101の反射面101aで反射し、投影レンズ102を介してヘッドライト100の外部へ出射し、車両前方を照明する。
(表示装置への適用例)
図18は表示装置としてのプロジェクタ200の概略構成図である。
映像投射表示装置であるプロジェクタ200は、光源装置10(15、20、30、31、40、50、58、60、65、80)と、色分離光学系210と、合成光学系220と、投射光学系230とを有する。
色分離光学系210は、光源装置10(15、20、30、31、40、50、58、60、65、80)から出射される白色光(LW)を、赤色成分の光(LR)、青色成分の光(LB)、緑色成分の光(LG)に分離する。
合成光学系220は、色分離光学系210で分離された各色成分の光をそれぞれ所望の画像の色成分となるように変調した後、その変調光を合成して所望の映像を生成する。
投射光学系230は、投射レンズやミラー等の光学系である。投射光学系230は、合成光学系220で生成された映像をスクリーン240等の映像表示部に投射して、映像を表示する。
色分離光学系210は、ダイクロイックミラー211及び212と、反射ミラー213〜215と、リレーレンズ216及び217を有する。
ダイクロイックミラー211は、光源装置10(15、20、30、31、40、50、58、60、65、80)から出射される白色光(LW)のうち赤色成分の光(LR)を透過し、青色成分の光(LB)及び緑色成分の光(LG)を反射する。
反射ミラー214は、ダイクロイックミラー211を透過した赤色成分の光(LR)を反射し、合成光学系220のフィールドレンズ223Rに入射させる。
ダイクロイックミラー212は、ダイクロイックミラー211で反射した青色成分の光(LB)及び緑色成分の光(LG)のうち青色成分の光(LB)を透過し、緑色成分の光(LG)を反射する。
ダイクロイックミラー212で反射した緑色成分の光(LG)は、合成光学系220のフィールドレンズ223Gに入射する。
反射ミラー213は、ダイクロイックミラー212を透過し、リレーレンズ216を透過した青色成分の光(LB)を反射し、リレーレンズ217に入射させる。
反射ミラー215は、リレーレンズ217に入射しリレーレンズ217を透過した青色成分の光(LB)を反射し、合成光学系220のフィールドレンズ223Bに入射させる。
合成光学系220は、クロスダイクロイックプリズム221と、赤色用の光変調素子222R及びフィールドレンズ223Rと、緑色用の光変調素子222G及びフィールドレンズ223Gと、青色用の光変調素子222B及びフィールドレンズ223Bを有する。
各光変調素子には例えば透過型液晶パネルを用いることができる。
赤色用のフィールドレンズ223Rに入射されフィールドレンズ223Rを透過した赤色成分の光(RG)は、光変調素子222Rで所望の画像の赤色成分となるように変調され、クロスダイクロイックプリズム221に入射する。
同様に、緑色用のフィールドレンズ223G(青色用のフィールドレンズ223B)に入射されフィールドレンズ223G(223B)を透過した緑色成分の光(RG)(青色成分の光(RB))は、光変調素子222G(222B)で所望の画像の緑色成分(青色成分)となるように変調され、クロスダイクロイックプリズム221に入射する。
クロスダイクロイックプリズム221は、変調された赤色成分の光、緑色成分の光、青色成分の光を合成し、投射光学系230に出射する。
尚、プロジェクタ200を構成する色分離光学系210、合成光学系220、投射光学系230にはそれぞれ既知のものを用いることができ、ここで記載した構造に限定されない。
また、液晶表示装置のバックライトに本技術の光源装置10(15、20、30、40、50、58、60、61、80)を用いることができる。
図19は、エッジライト方式のバックライトを用いた液晶表示装置の概略分解斜視図である。
図20は、直下型方式のバックライトを用いた液晶表示装置の概略分解斜視図である。
図19(図20)に示すように、表示装置としての液晶表示装置250(260)は、透過型液晶パネル251と、バックライト252(262)を有する。液晶表示装置250(260)では、透過型液晶パネル251の背面側を、バックライト252(262)から出射する白色光で照射する。照射光は、透過型液晶パネル251を透過することによって透過率が制御される。これにより、透過型液晶パネル251に画像が表示される。
図19に示すように、エッジライト方式のバックライト252は、拡散シート2521と、導光板2522と、反射シート2523と、複数の光源装置10(15、20、30、31、40、50、58、60、65、80)とを有する。
複数の光源装置10(15、20、30、31、40、50、58、60、65、80)は、平面形状が矩形の導光板2522の対向する一対の辺に沿って複数配置される。尚、本実施形態では、二辺に沿って複数の光源装置が配置されるバックライトを例をあげたが、一辺に沿って光源装置が配置されたバックライトでもよい。
図20に示すように、直下型方式のバックライト262は、拡散シート2621と、拡散板2622と、反射シート2623と、複数の光源装置10(15、20、30、31、40、50、58、60、65、80)とを有する。光源装置は反射シート2623上に例えばマトリクス状に複数配置される。
(照明装置への適用例)
図21は照明装置300の概略断面図である。照明装置300は、例えば屋内又は屋外の空間を照明する。
図21に示すように、照明装置300は、複数の光源装置10(15、20、30、31、40、50、58、60、65、80)と、透光性カバー301と、基台302を有する。基台302上に複数の光源装置10(15、20、30、31、40、50、58、60、65、80)が配置され、複数の光源装置を覆うように透光性カバー301が配置される。光源装置10(15、20、30、31、40、50、58、60、65、80)から出射される光は、透光性カバー301を介して照明装置300の外へ出射される。
本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
(1)
基板と、
上記基板と接して配置された蛍光体と、
上記蛍光体を励起する励起光を出射する発光素子と、
上記発光素子から出射される上記励起光を部分的に反射して上記蛍光体に導き、上記励起光の入射による励起により上記蛍光体から発する蛍光と、上記蛍光体で反射した励起光とを透過する波長選択反射部材と
を具備する光源装置。
(2)
上記(1)に記載の光源装置であって、
上記波長選択反射部材は、上記蛍光体に対して、上記蛍光及び上記蛍光体で反射した励起光の光路上に位置する
光源装置。
(3)
上記(1)又は(2)に記載の光源装置であって、
上記基板は凹部を有し、上記蛍光体の少なくとも一部は上記凹部に配置される
光源装置。
(4)
上記(3)に記載の光源装置であって、
上記凹部は上記基板の第1の面に形成され、
上記蛍光体は、上記波長選択反射部材側に位置する面と上記第1の面が面一となるように上記凹部に配置される
光源装置。
(5)
上記(1)から(4)のいずれか1つに記載の光源装置であって、
上記波長選択反射部材は上記基板に固定されている
光源装置。
(6)
上記(1)から(5)のいずれか1つに記載の光源装置であって、
上記波長選択反射部材は上記蛍光体と非接触である
光源装置。
(7)
上記(1)から(6)のいずれか1つに記載の光源装置であって、
上記波長選択反射部材は、上記発光素子から出射した上記励起光を部分的に透過し、部分的に反射して上記蛍光体に導き、上記励起光の入射による励起により上記蛍光体から発する蛍光と、上記蛍光体で反射した励起光とを透過する第1の反射部と、上記第1の反射部を透過した励起光を反射し、上記光源装置の外へ導く第2の反射部とを有する
光源装置。
(8)
上記(1)から(6)のいずれか1つに記載の光源装置であって、
上記波長選択反射部材を介して対向配置された2つの上記発光素子を備え、
上記波長選択反射部材は、
2つの上記発光素子のうち一方の発光素子から出射される第1の励起光を部分的に反射して上記蛍光体に導き、上記第1の励起光の入射による励起により上記蛍光体から発する蛍光と、上記蛍光体で反射した上記第1の励起光とを透過する第1の反射部と、
他方の発光素子から出射される第2の励起光を部分的に反射して上記蛍光体に導き、上記第2の励起光の入射による励起により上記蛍光体から発する蛍光と、上記蛍光体で反射した上記第2の励起光とを透過する第2の反射部と
を有し、
上記第1の反射部は、上記第2の反射部を透過し上記第1の反射部に導かれた上記第2の励起光を部分的に反射し、上記第2の反射部は、上記第1の反射部を透過し上記第2の反射部に導かれた上記第1の励起光を部分的に反射して、上記光源装置の外へ導く
光源装置。
(9)
上記(7)又は(8)に記載の光源装置であって、
上記波長選択反射部材は、上記第1の反射部と上記第2の反射部を有する一つの構造体である
光源装置。
(10)
上記(1)から(9)のいずれか1つに記載の光源装置であって、
上記基板及び上記蛍光体は、互いが接する面に凹凸を有する
光源装置。
(11)
上記(1)から(10)のいずれか1つに記載の光源装置であって、
上記波長選択反射部材から出射され、上記光源装置の外へ出射されない光を受光する受光素子
を更に具備する光源装置。
(12)
上記(11)に記載の光源装置であって、
上記受光素子からの出力に基づいて、上記発光素子からの上記励起光の出力を制御する制御部
を更に具備する光源装置。
(13)
基板と、
上記基板と接して配置された蛍光体と、
上記蛍光体を励起する励起光を出射する発光素子と、
上記発光素子から出射される上記励起光を部分的に反射して上記蛍光体に導き、上記励起光の入射による励起により上記蛍光体から発する蛍光と、上記蛍光体で反射した励起光とを透過する波長選択反射部材と
を備える光源装置と、
上記光源装置からの光が入射される光学系と
を具備するヘッドライト。
(14)
基板と、
上記基板と接して配置された蛍光体と、
上記蛍光体を励起する励起光を出射する発光素子と、
上記発光素子から出射される上記励起光を部分的に反射して上記蛍光体に導き、上記励起光の入射による励起により上記蛍光体から発する蛍光と、上記蛍光体で反射した励起光とを透過する波長選択反射部材と
を備える光源装置と、
上記光源装置からの光が入射される光変調素子と
を具備する表示装置。
(15)
基板と、
上記基板と接して配置された蛍光体と、
上記蛍光体を励起する励起光を出射する発光素子と、
上記発光素子から出射される上記励起光を部分的に反射して上記蛍光体に導き、上記励起光の入射による励起により上記蛍光体から発する蛍光と、上記蛍光体で反射した励起光とを透過する波長選択反射部材と
を備える光源装置
を具備する照明装置。
1、21、63、66、71…基板
2、62、67、72…蛍光体
4、4A、4B…レーザダイオード(発光素子)
5、35、36、55…波長選択反射部材(波長選択反射部材)
7…励起光
8…蛍光
10、15、20、30、31、40、50、58、60、65、80…光源装置
21a、63a、66a…第1の面
21b、63b、66b…凹部
45A…第1の波長選択反射部材(波長選択反射部材)
45B…第2の波長選択反射部材(波長選択反射部材)
100…ヘッドライト
101…リフレクタ(光学系)
102…投影レンズ(光学系)
200…プロジェクタ(表示装置)
222R、222G、222B…光変調素子
250、260…液晶表示装置(表示装置)
251…液晶パネル(光変調素子)
300…照明装置
351、361、451A…第1の反射面(第1の反射部)
352、362、451B…第2の反射面(第2の反射部)
551、553…反射面(第1の反射部)
552、554…反射面(第2の反射部)

Claims (15)

  1. 基板と、
    前記基板と接して配置された蛍光体と、
    前記蛍光体を励起する励起光を出射する発光素子と、
    前記発光素子から出射される前記励起光を部分的に反射して前記蛍光体に導き、前記励起光の入射による励起により前記蛍光体から発する蛍光と、前記蛍光体で反射した励起光とを透過する波長選択反射部材と
    を具備する光源装置。
  2. 請求項1に記載の光源装置であって、
    前記波長選択反射部材は、前記蛍光体に対して、前記蛍光及び前記蛍光体で反射した励起光の光路上に位置する
    光源装置。
  3. 請求項2に記載の光源装置であって、
    前記基板は凹部を有し、前記蛍光体の少なくとも一部は前記凹部に配置される
    光源装置。
  4. 請求項3に記載の光源装置であって、
    前記凹部は前記基板の第1の面に形成され、
    前記蛍光体は、前記波長選択反射部材側に位置する面と前記第1の面が面一となるように前記凹部に配置される
    光源装置。
  5. 請求項2に記載の光源装置であって、
    前記波長選択反射部材は前記基板に固定されている
    光源装置。
  6. 請求項2に記載の光源装置であって、
    前記波長選択反射部材は前記蛍光体と非接触である
    光源装置。
  7. 請求項2に記載の光源装置であって、
    前記波長選択反射部材は、前記発光素子から出射した前記励起光を部分的に透過し、部分的に反射して前記蛍光体に導き、前記励起光の入射による励起により前記蛍光体から発する蛍光と、前記蛍光体で反射した励起光とを透過する第1の反射部と、前記第1の反射部を透過した励起光を反射し、前記光源装置の外へ導く第2の反射部とを有する
    光源装置。
  8. 請求項2に記載の光源装置であって、
    前記波長選択反射部材を介して対向配置された2つの前記発光素子を備え、
    前記波長選択反射部材は、
    2つの前記発光素子のうち一方の発光素子から出射される第1の励起光を部分的に反射して前記蛍光体に導き、前記第1の励起光の入射による励起により前記蛍光体から発する蛍光と、前記蛍光体で反射した前記第1の励起光とを透過する第1の反射部と、
    他方の発光素子から出射される第2の励起光を部分的に反射して前記蛍光体に導き、前記第2の励起光の入射による励起により前記蛍光体から発する蛍光と、前記蛍光体で反射した前記第2の励起光とを透過する第2の反射部と
    を有し、
    前記第1の反射部は前記第2の反射部を透過し前記第1の反射部に導かれた前記第2の励起光を部分的に反射し、前記第2の反射部は前記第1の反射部を透過し前記第2の反射部に導かれた前記第1の励起光を部分的に反射して、前記光源装置の外へ導く
    光源装置。
  9. 請求項7又は請求項8に記載の光源装置であって、
    前記波長選択反射部材は、前記第1の反射部と前記第2の反射部を有する一つの構造体である
    光源装置。
  10. 請求項2に記載の光源装置であって、
    前記基板及び前記蛍光体は、互いが接する面に凹凸を有する
    光源装置。
  11. 請求項1に記載の光源装置であって、
    前記波長選択反射部材から出射され、前記光源装置の外へ出射されない光を受光する受光素子
    を更に具備する光源装置。
  12. 請求項11に記載の光源装置であって、
    前記受光素子からの出力に基づいて、前記発光素子からの前記励起光の出力を制御する制御部
    を更に具備する光源装置。
  13. 基板と、
    前記基板と接して配置された蛍光体と、
    前記蛍光体を励起する励起光を出射する発光素子と、
    前記発光素子から出射される前記励起光を部分的に反射して前記蛍光体に導き、前記励起光の入射による励起により前記蛍光体から発する蛍光と、前記蛍光体で反射した励起光とを透過する波長選択反射部材と
    を備える光源装置と、
    前記光源装置からの光が入射される光学系と
    を具備するヘッドライト。
  14. 基板と、
    前記基板と接して配置された蛍光体と、
    前記蛍光体を励起する励起光を出射する発光素子と、
    前記発光素子から出射される前記励起光を部分的に反射して前記蛍光体に導き、前記励起光の入射による励起により前記蛍光体から発する蛍光と、前記蛍光体で反射した励起光とを透過する波長選択反射部材と
    を備える光源装置と、
    前記光源装置からの光が入射される光変調素子と
    を具備する表示装置。
  15. 基板と、
    前記基板と接して配置された蛍光体と、
    前記蛍光体を励起する励起光を出射する発光素子と、
    前記発光素子から出射される前記励起光を部分的に反射して前記蛍光体に導き、前記励起光の入射による励起により前記蛍光体から発する蛍光と、前記蛍光体で反射した励起光とを透過する波長選択反射部材と
    を備える光源装置
    を具備する照明装置。
JP2019234351A 2019-12-25 2019-12-25 光源装置、ヘッドライト、表示装置及び照明装置 Pending JP2021103734A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019234351A JP2021103734A (ja) 2019-12-25 2019-12-25 光源装置、ヘッドライト、表示装置及び照明装置
US17/757,631 US11920752B2 (en) 2019-12-25 2020-12-16 Light source device, headlight, display apparatus, and illumination apparatus
EP20905027.7A EP4054029A4 (en) 2019-12-25 2020-12-16 LIGHT SOURCE DEVICE, HEADLAMP, DISPLAY DEVICE AND ILLUMINATION DEVICE
PCT/JP2020/046904 WO2021131946A1 (ja) 2019-12-25 2020-12-16 光源装置、ヘッドライト、表示装置及び照明装置
CN202080084686.0A CN114762200A (zh) 2019-12-25 2020-12-16 光源装置、前照灯、显示装置以及照明装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019234351A JP2021103734A (ja) 2019-12-25 2019-12-25 光源装置、ヘッドライト、表示装置及び照明装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2021103734A true JP2021103734A (ja) 2021-07-15

Family

ID=76575908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019234351A Pending JP2021103734A (ja) 2019-12-25 2019-12-25 光源装置、ヘッドライト、表示装置及び照明装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11920752B2 (ja)
EP (1) EP4054029A4 (ja)
JP (1) JP2021103734A (ja)
CN (1) CN114762200A (ja)
WO (1) WO2021131946A1 (ja)

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008293838A (ja) 2007-05-25 2008-12-04 Nikon Corp 光源装置
DE102008012316B4 (de) 2007-09-28 2023-02-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterlichtquelle mit einer Primärstrahlungsquelle und einem Lumineszenzkonversionselement
JP2009238990A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Nikon Corp 光源装置
JP5573473B2 (ja) 2010-08-06 2014-08-20 セイコーエプソン株式会社 光源装置及びプロジェクター
JP6063126B2 (ja) * 2012-01-10 2017-01-18 日本電気硝子株式会社 波長変換部材、発光デバイス及び波長変換部材の製造方法
US8931922B2 (en) * 2012-03-22 2015-01-13 Osram Sylvania Inc. Ceramic wavelength-conversion plates and light sources including the same
JP6112782B2 (ja) 2012-06-08 2017-04-12 Idec株式会社 照明装置
JP2013254889A (ja) 2012-06-08 2013-12-19 Idec Corp 光源装置および照明装置
CN104020633B (zh) 2013-02-28 2015-12-09 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 发光装置及相关投影***
US9863595B2 (en) * 2013-08-28 2018-01-09 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting unit with optical plate reflecting excitation light and transmitting fluorescent light, and light-emitting device, illumination device, and vehicle headlight including the unit
WO2015111145A1 (ja) * 2014-01-22 2015-07-30 日立マクセル株式会社 光源装置およびこれを用いた映像表示装置
JP6008218B1 (ja) 2015-03-30 2016-10-19 ウシオ電機株式会社 光源装置
JP6621631B2 (ja) 2015-09-28 2019-12-18 株式会社小糸製作所 光源モジュール
JP6354725B2 (ja) 2015-10-06 2018-07-11 ウシオ電機株式会社 蛍光光源装置
JP6439776B2 (ja) 2016-03-31 2018-12-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP3226363B1 (en) * 2016-03-31 2023-11-08 Nichia Corporation Light emitting device
JP6776765B2 (ja) * 2016-09-26 2020-10-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN207250931U (zh) 2017-09-30 2018-04-17 厦门市三安光电科技有限公司 一种导光结构
WO2019061371A1 (zh) 2017-09-30 2019-04-04 厦门市三安光电科技有限公司 一种激光器封装结构

Also Published As

Publication number Publication date
US20230014812A1 (en) 2023-01-19
EP4054029A4 (en) 2023-02-01
US11920752B2 (en) 2024-03-05
WO2021131946A1 (ja) 2021-07-01
EP4054029A1 (en) 2022-09-07
CN114762200A (zh) 2022-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9547225B2 (en) Image display device which reduces mutual interference of light reflected by a screen
AU2016219732A1 (en) Semiconductor laser device
CN108427241B (zh) 光源装置以及投影仪
CN108459454B (zh) 照明装置和投影仪
CN115428282A (zh) 激光器和投影设备
CN111585163B (zh) 发光装置以及光学装置
CN110824820A (zh) 波长转换元件、光源装置和投影仪
CN110888289A (zh) 光源装置以及投影仪
JP2024075773A (ja) 発光装置
CN113917775A (zh) 投影仪
US20220333757A1 (en) Hybrid led/laser light source for smart headlight applications
JP2017208288A (ja) 光源装置およびプロジェクター
JP6743488B2 (ja) 光源装置及びプロジェクター
WO2021131946A1 (ja) 光源装置、ヘッドライト、表示装置及び照明装置
JP2018147703A (ja) 光源装置
CN113534588A (zh) 激光器和投影设备
JP2018054900A (ja) 波長変換素子、光源装置及びプロジェクター
JP2017147176A (ja) 波長変換素子、照明装置およびプロジェクター
JP6822097B2 (ja) 光源装置、照明装置及びプロジェクター
JP2017212363A (ja) 光源装置及びプロジェクター
JP2019028120A (ja) 照明装置及びプロジェクター
JP2023135554A (ja) 発光装置
JP2017194589A (ja) 光源装置およびプロジェクター
JP6870215B2 (ja) 光源装置及びプロジェクター
JP6690259B2 (ja) 光源装置及びプロジェクター

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221129

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20221129

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20221129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231219

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240213

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240305

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240422

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240514