JP2010519732A5

JP2010519732A5 -

Info

Publication number: JP2010519732A5
Application number: JP2009549630A
Authority: JP
Filing date: 2008-02-15
Publication date: 2011-04-07
Anticipated expiration: 2028-02-15

Claims

ａ．陸地的に凹凸化された半導体表面を形成する工程と、
ｂ．前記半導体に関連する接合部を形成する工程と、
ｃ．前記表面の第１ゾーンに液体を塗布する工程であって、前記塗布は、少なくとも部分的には前記表面構成によって導かれ、前記液体は、前記第１ゾーンと連続している前記表面の第２ゾーンからは排除されたままであり、前記排除が、少なくとも部分的には、前記表面構成が原因で生じるような工程と、
ｄ．前記表面の第１ゾーンと前記第２ゾーンとの双方同時ではなく、いずれか一つと反応を起こす工程と
を含む光起電装置の製造方法。
さらに、前記半導体表面に、前記半導体から電力を収集し、かつさらに電気系に配電することができる金属被覆を塗布する工程を含む請求項１に記載の方法。
前記液体は、反応性液体を含み、科学反応が前記第１ゾーンで起きる請求項１に記載の方法。
さらに、前記第１ゾーン内で、化学反応が原因で化学的に修正された材料の体積体を作る工程を含み、前記体積体は前記半導体との電気コンタクトを有する請求項３に記載の方法。
さらに、前記第１ゾーンは、光起電装置の金属化領域を有する請求項３に記載の方法。
さらに、前記第１ゾーンは、光起電装置の母線領域と光起電装置の格子線領域とを有する請求項５に記載の方法。
さらに、前記第１ゾーンは、光起電装置の格子線領域を有する請求項５に記載の方法。
さらに、前記化学反応は、前記第１ゾーン内で金属被覆部を形成する請求項３に記載の方法。
さらに、前記化学反応は、前記第１ゾーン内で、具体的には無電解メッキによる金属膜の形成を可能にする触媒を用いた触媒反応である請求項３に記載の方法。
さらに、前記化学反応は、前記第１ゾーン内で無電解メッキにより金属被覆部を形成する請求項３に記載の方法。
さらに、前記化学反応は、前記第１ゾーン内で、有機金属材料を用いて金属被覆部を形成する請求項３に記載の方法。
前記半導体は、シリコン、ゲルマニウムおよびヒ化ガリウムからなる群より選択される請求項１に記載の方法。
前記凹凸化された表面の前記第１ゾーンは、第１部分と第２部分とを有する少なくとも１つのチャンネルを有する請求項１に記載の方法。
前記半導体表面は、半導体ウェハーの面を有する請求項１に記載の方法。
前記凹凸化された半導体表面は、凹凸化された基板により支持されている半導体薄膜を有する請求項１に記載の方法。
前記半導体表面は、凹凸化されたスーパーストレートにより支持された半導体薄膜を有する請求項１に記載の方法。
前記スーパーストレートは、ガラスを有する請求項１６に記載の方法。
前記サブストレート（基板）は、ガラスを有する請求項１６に記載の方法。
前記液体は、遮断材料を含有し、化学反応が前記第２ゾーンで生じる請求項１に記載の方法。
前記遮断材料は、塗布後に硬化する請求項１９に記載の方法。
さらに、前記液体を塗布する工程の前に、前記第１ゾーンおよび前記第２ゾーンを反射防止材料で被覆する工程を含み、ここで、前記遮断材料を塗布する工程は、化学エッチャントから前記反射防止被覆部を保護する材料を塗布する工程を含む請求項１９に記載の方法。
さらに、除去液体を前記第１ゾーンおよび第２ゾーンに塗布する工程を含み、前記除去液体は、前記除去液体が前記反射防止材料と接触するゾーンからは、前記反射防止材料を除去し、これにより前記反射防止材料は、前記第２ゾーンからは除去され、遮断材料が塗布された前記第１ゾーンからは除去されない請求項２１に記載の方法。
さらに、
ａ．第１ゾーンおよび第２ゾーンに、第２活性材料を塗布する工程と、
ｂ．前記第２ゾーンにおいて、化学反応を起こす工程と、
を含み、
ここで、前記第１ゾーンでは、前記遮断材料の存在が原因で前記化学反応が起こらない請求項１９に記載の方法。
前記第２活性材料は、反射防止被覆部媒体、無電解メッキ触媒、無電解メッキ用化学物質、反射防止材料、および、電気メッキ用化学物質からなる群から選択される請求項２３に記載の方法。
前記第１液体は、続く被覆部が前記半導体表面に対して確実に結合することを塞ぐ材料であり、更に以下の、
ａ．第１ゾーンおよび第２ゾーンを続く被覆部のために露出する工程であって、前記続く被覆部は、該第２ゾーンで生じる化学反応によって前記第２ゾーンに強力に接着され、前記第１液体による被覆部の存在が原因で、前記第１ゾーンには弱く接着されるような工程と、
ｂ．前記半導体の第１ゾーンから前記続く被覆部を除去する工程と
を含む請求項１９記載の光起電装置の製造方法。