JP2010501124A - Photoresist stripper waste liquid recycling method and recycling apparatus - Google Patents
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Abstract
本発明は、フォトレジストストリッパー廃液から主溶剤を再生する方法及び装置に関する。ＬＣＤまたは半導体装置の製造工程により回収されたフォトレジストストリッパー廃液から低沸点不純物を除去する１次蒸留装置、高沸点不純物を除去して、ストリッパー溶剤を再生する２次蒸留装置、及び各ストリッパー溶剤を再生する３次蒸留装置を含む装置を利用することにより、フォトレジストストリッパー廃液に残留するストリッパー溶剤各々を電子産業グレード高純度に再生することができ、従って、費用削減はもちろん、環境保護が可能となる。 The present invention relates to a method and apparatus for regenerating a main solvent from a photoresist stripper waste liquor. A primary distillation apparatus that removes low boiling point impurities from a photoresist stripper waste liquid collected by the manufacturing process of an LCD or a semiconductor device, a secondary distillation apparatus that removes high boiling point impurities and regenerates the stripper solvent, and each stripper solvent. By using a device including a regenerating tertiary distillation device, it is possible to recycle each stripper solvent remaining in the photoresist stripper waste liquid to an electronic industry grade high purity, thus enabling environmental protection as well as cost reduction. Become.
Description
本発明は、フォトレジストストリッパー廃液から溶剤を再生する方法及び装置に関する。更に詳しくは、本発明は、液晶表示装置または半導体装置の製造工程で発生するフォトレジストストリッパー廃液を電子産業グレード水準に再生する方法及び装置に関する。
更に、本発明は、フォトレジストストリッパーの再生工程での再生回収率を改善する方法に関する。
The present invention relates to a method and apparatus for regenerating a solvent from a photoresist stripper waste liquor. More particularly, the present invention relates to a method and an apparatus for regenerating a photoresist stripper waste liquid generated in a manufacturing process of a liquid crystal display device or a semiconductor device to an electronic industry grade level.
Furthermore, the present invention relates to a method for improving the recovery rate in the recycling process of a photoresist stripper.
半導体ウエハーまたはＬＣＤガラス基板の製造工程で発生するストリッパー廃液には、ストリッパー溶剤以外に、フォトレジスト樹脂、水分及び重金属のような不純物を含んでいる。ストリッパー廃液の大部分は、焼却されるか、または低純度の溶剤に再生される。それ故に、２次環境汚染源となり、非効率的なエネルギーを消耗し、ＩＴ産業の競争力の弱化をもたらしている。ＩＴ技術の急速な発達により、４０〜４７インチのＬＣＤパネルの商用化が可能となり、８２インチＬＣＤの製造が可能な第７世代の生産ラインが稼動している。さらに、第８世代及び第９世代の生産ラインの開発までも検討中である。ＬＣＤパネルのサイズが急激に大きくなり、その種類も多様化しているため、ストリッパー溶剤の消耗もまた大幅に増加している。従って、単純な再生を超えて、ストリッパー廃液を電子産業グレード高純度のストリッパー溶剤に再生することができる再生技術を開発することが切実である。 The stripper waste liquid generated in the manufacturing process of the semiconductor wafer or the LCD glass substrate contains impurities such as a photoresist resin, moisture and heavy metals in addition to the stripper solvent. Most of the stripper effluent is incinerated or regenerated into a low purity solvent. Therefore, it becomes a secondary environmental pollution source, consumes inefficient energy, and weakens the competitiveness of the IT industry. The rapid development of IT technology has made it possible to commercialize 40 to 47 inch LCD panels, and a seventh generation production line capable of producing 82 inch LCDs is in operation. Furthermore, the development of 8th generation and 9th generation production lines is under consideration. As the size of LCD panels has grown rapidly and the types have diversified, stripper solvent consumption has also increased significantly. Therefore, it is urgent to develop a regeneration technology that can recycle the stripper waste liquid into an electronic industry grade high purity stripper solvent beyond simple regeneration.
特許文献１及び特許文献２には、水などの低沸点物質及びフォトレジスト樹脂のような高沸点物質を除去することにより、ストリッパー廃液からストリッパー溶剤を再生する方法が開示されている。しかしながら、これらの技術では電子産業で使用できるような高純度のストリッパー溶剤を得ることができなかった。更に、これらは、特定組成を有するストリッパー廃液に限られて、ストリッパー組成物が混合物形態で回収され、不足する成分を補充するトータルストリッパー再生方法を採択しており、濃度調節用ミキサーなどの装置、及び追加工程が必要となって、再生費用の増加を伴い、また再生のための操作が複雑となる。また、ストリッパー廃液の量が一定水準に達してから再生工程を行うために非連続的な操業となり、エネルギー効率の面からも好ましくない。ＬＣＤ基板面積の大型化に伴ってストリッパーの消費が大幅に増加する現況において、電子機器の製造工程の下流工程であるストリッパー廃液から溶剤を再生する工程は、物量的にも費用的にも制限される。これにより実質的な費用節減ができず、商業化が困難となる。従って、特定組成に制限されず、大量に電子産業で使用できる純度に溶剤を回収できる工程の開発が必要である。
更に、高純度で、かつ分離効率を達成するために、従来の充填式または多段式システムは大規模になっており、小規模で、効率性を上げることができる再生装置及び方法を開発する必要があった。 Furthermore, in order to achieve high purity and separation efficiency, conventional packed or multistage systems have become large-scale, and it is necessary to develop a regenerator and method that can increase efficiency on a small scale. was there.
ストリッパー廃液の再生として、蒸留前にナノサイズのろ過膜分離装置を用いてろ過する工程が紹介されている。ろ過法を用いた再生方法の代表的な例が、特許文献３及び特許文献４に開示されている。しかしながら、これらの方法は、再生容量、ロス、運転費用などの多くの問題がある。特許文献３の方法では、３３％の再生回収率しか示されておらず、特許文献４では、再生回収率について全く示されていない。蒸留法による再生方法は、特許文献１及び特許文献２に開示された方法がある。しかし、これらも再生回収率について開示されていない。
As regeneration of the stripper waste liquid, a process of filtering using a nano-size filtration membrane separator before distillation is introduced. Representative examples of the regeneration method using the filtration method are disclosed in
本発明は、前述した先行技術に係る問題点を解決するためになされたものである。 The present invention has been made to solve the problems associated with the prior art described above.
一態様において、本発明は、供給装置から移送されたフォトレジストストリッパー廃液を蒸留することにより低沸点不純物を除去する１次蒸留塔と、前記１次蒸留塔の下部に連結されたパイプを通して移送された低沸点不純物が除去されたストリッパー溶剤を蒸発する２次蒸留塔、及び前記２次蒸留塔の上部に連結された凝縮器を備える２次蒸留装置と、前記ストリッパー溶剤の成分を各沸点によって順次に蒸発する３次蒸留塔、及び前記３次蒸留塔の上部に連結され、前記ストリッパー溶剤の成分を凝縮する凝縮器を備える３次蒸留装置と、を含むフォトレジストストリッパーの再生装置を提供する。 In one aspect, the present invention relates to a primary distillation column for removing low boiling point impurities by distilling a photoresist stripper waste liquid transferred from a supply device, and a pipe connected to a lower portion of the primary distillation column. A secondary distillation column for evaporating the stripper solvent from which low-boiling impurities have been removed, a secondary distillation apparatus having a condenser connected to the upper portion of the secondary distillation column, and components of the stripper solvent according to the boiling points. And a tertiary distillation apparatus provided with a condenser connected to an upper portion of the tertiary distillation tower and condensing a component of the stripper solvent, and a photoresist stripper regeneration apparatus.
好ましい実施形態において、本発明は、再生回収率を改善させるために、２次蒸留塔の下部に連結されたリボイラー、ストリッパー溶剤に溶解されたフォトレジスト樹脂の濃度及びＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）の含量を測定する分析装置、前記分析結果によりストリッパー溶剤と工業用グレードＮＭＰを供給するタンク、及び前記蒸留塔の上部に連結された凝縮器に備えるフォトレジストストリッパーの再生装置を提供する。 In a preferred embodiment, the present invention provides a reboiler connected to the bottom of the secondary distillation column, the concentration of the photoresist resin dissolved in the stripper solvent, and the N-methylpyrrolidone (NMP) concentration to improve regeneration recovery. An analyzer for measuring the content, a tank for supplying a stripper solvent and industrial grade NMP according to the analysis result, and a regenerator for a photoresist stripper provided in a condenser connected to the upper part of the distillation column.
別の実施形態において、本発明は、低沸点不純物を除去するためにフォトレジストストリッパー廃液を１次蒸留する段階と、高沸点不純物を除去して、ストリッパー溶剤に再生するために低沸点不純物を除去したフォトレジストストリッパー廃液を２次蒸留する段階、微量水分を除去し、各ストリッパー溶剤を順次に再生するためにストリッパー溶剤を３次蒸留する段階と、を含むフォトレジストストリッパーの再生方法を提供する。 In another embodiment, the present invention includes primary distillation of photoresist stripper effluent to remove low boiling impurities, removing high boiling impurities and removing low boiling impurities to regenerate to stripper solvent. A method for regenerating a photoresist stripper comprising: subjecting a photoresist stripper waste solution to secondary distillation; removing traces of water and subjecting the stripper solvent to tertiary distillation to sequentially regenerate each stripper solvent.
好ましい別の実施形態において、本発明は、フォトレジストストリッパー廃液供給装置、供給装置に連結された蒸留塔、蒸留塔の下部に連結されたリボイラー、及び蒸留塔の上部に連結された凝縮器を含むフォトレジストストリッパーを再生する装置を用いてフォトレジストストリッパー廃液を蒸留してフォトレジストストリッパーを再生する工程において、リボイラーに供給されたフォトレジストストリッパー廃液内の蒸留残留物に溶解されたフォトレジスト樹脂の濃度が、フォトレジスト樹脂が凝縮される最大飽和濃度以下に調節されるフォトレジストストリッパーの再生方法を提供する。 In another preferred embodiment, the present invention includes a photoresist stripper waste supply device, a distillation column connected to the supply device, a reboiler connected to the lower portion of the distillation column, and a condenser connected to the upper portion of the distillation column. The concentration of the photoresist resin dissolved in the distillation residue in the photoresist stripper liquid supplied to the reboiler in the process of regenerating the photoresist stripper by distilling the photoresist stripper liquid using the apparatus for regenerating the photoresist stripper. Provides a method for regenerating a photoresist stripper that is adjusted below the maximum saturation concentration at which the photoresist resin is condensed.
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
本発明による再生方法及び再生装置は、半導体または液晶表示装置の製造工程の下流工程としてフォトエッチングのストリッピング工程に利用することができるが、半導体または液晶表示装置の製造工程から回収された多様なフォトレジストストリッパー廃液にも適用することができる。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
The reproducing method and the reproducing apparatus according to the present invention can be used in a photoetching stripping process as a downstream process of a semiconductor or liquid crystal display device manufacturing process. It can also be applied to a photoresist stripper waste solution.
一般に、フォトレジストストリッパー原液には、有機アミン化合物、プロトン性のグリコールエーテル化合物、及び非プロトン性の多極性化合物のような溶剤混合物を含んでいる。ストリッピング工程後に回収されたストリッパー廃液は、ストリッパー溶剤と共に、フォトレジスト樹脂、水、及びその他の微量の有機溶剤を含んでいる。通常、有機アミン化合物がストリッパー原液に含まれるか、ストリッパー廃液がモノエタノールアミン（以下、ＭＥＡ）及びモノイソプロパノールアミン（以下、ＭＩＰＡ）を含んでいる。プロトン性であるグリコールエーテル化合物は、一般的に、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（以下、ＢＤＧ）、及び基板洗浄用シンナーであるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（以下、ＰＧＭＥＡ）である。そして、非プロトン性多極性化合物は一般的に、Ｎ−メチルピロリドン（以下、ＮＭＰ）及びジメチルスルホキシド（以下、ＤＭＳＯ）であり、通常、ストリッパー原液又はストリッパー廃液１００重量部に対して、有機アミン化合物は１〜３０重量部、非プロトン性多極性化合物は１０〜５０重量部含まれる。 In general, a photoresist stripper stock solution contains a solvent mixture such as an organic amine compound, a protic glycol ether compound, and an aprotic multipolar compound. The stripper waste liquid collected after the stripping step contains a photoresist resin, water, and other trace amounts of organic solvents together with the stripper solvent. Usually, an organic amine compound is contained in a stripper stock solution, or a stripper waste solution contains monoethanolamine (hereinafter referred to as MEA) and monoisopropanolamine (hereinafter referred to as MIPA). The glycol ether compound which is protic is generally diethylene glycol monobutyl ether (hereinafter referred to as BDG) and propylene glycol monomethyl ether acetate (hereinafter referred to as PGMEA) which is a substrate cleaning thinner. The aprotic polypolar compounds are generally N-methylpyrrolidone (hereinafter referred to as NMP) and dimethyl sulfoxide (hereinafter referred to as DMSO), and usually an organic amine compound with respect to 100 parts by weight of stripper stock solution or stripper waste liquid. Is contained in an amount of 1 to 30 parts by weight, and the aprotic multipolar compound is contained in an amount of 10 to 50 parts by weight.
本発明は、ストリッパー原液またはストリッパー廃液成分または組成に関わらず、半導体ウエハー又は液晶表示装置の多様な製造工程から回収されたストリッパー廃液に適用することができる。回収されたストリッパー廃液に残留する成分、特にＮＭＰのような非プロトン性多極性化合物は、吸収性が高いため、水分含量０．１％以下に精製することが難しい。一方、ストリッパー溶剤内の各溶剤の沸点の差が小さいため、電子産業グレードの水準に分離及び精製することが困難である。従来の充填式または多段式再生システムは、大規模の設備が必要であるため、維持費及び運転費において適合していない。反面、本発明は、螺旋形システムを備える蒸留カラムを用いて、回収したストリッパー廃液を電子産業グレードに効果的に再生することができる。従って、本発明は、有機アミン化合物としてＭＥＡまたはＭＩＰＡまたはその両方を含み、プロトン性のグリコールエーテル化合物としてＢＤＧまたはＰＧＭＥＡまたはその両方を含み、そして／または非プロトン性の多極性化合物としてＮＭＰまたはＤＭＳＯまたはその両方を含む様々なストリッパー廃液に適用が可能である。 The present invention can be applied to stripper waste liquid recovered from various manufacturing processes of a semiconductor wafer or a liquid crystal display device regardless of the stripper stock solution or stripper waste liquid component or composition. Components remaining in the recovered stripper waste liquid, in particular aprotic multipolar compounds such as NMP, have high absorbability and are difficult to purify to a moisture content of 0.1% or less. On the other hand, since the difference in boiling point of each solvent in the stripper solvent is small, it is difficult to separate and purify to the level of electronic industry grade. Conventional filling or multistage regeneration systems are not suitable for maintenance and operating costs because they require large scale equipment. On the other hand, the present invention can effectively recycle the recovered stripper waste liquid to electronic industry grade using a distillation column equipped with a spiral system. Accordingly, the present invention includes MEA or MIPA or both as the organic amine compound, BDG or PGMEA or both as the protic glycol ether compound, and / or NMP or DMSO or as the aprotic multipolar compound. Applicable to various stripper waste liquids including both.
ストリッパー廃液に含まれる非プロトン性多極性化合物として、溶解度パラメーターが１０以上であり、フォトレジストに対する溶解度が優れていることから、ＮＭＰが最も頻繁に使用される。しかし、高価であるため、その使用が非常に限られている。０〜５０重量％、好ましくは、０．００１〜４０重量％、更に好ましくは、５〜３５重量％のＮＭＰを含有するストリッパー廃液については、更に再生回収率の高い再生方法を使用することが好ましい。 As an aprotic multipolar compound contained in the stripper waste liquid, NMP is most frequently used because it has a solubility parameter of 10 or more and excellent solubility in a photoresist. However, its use is very limited due to its high cost. For stripper waste liquor containing 0 to 50 wt%, preferably 0.001 to 40 wt%, more preferably 5 to 35 wt% NMP, it is preferable to use a regeneration method with a higher regeneration recovery rate. .
本発明における「低沸点不純物」とは、ストリッパー溶剤に再生される主溶剤の沸点よりも低い沸点を持つ不純物を言う。好ましくは、３０〜１３０℃、更に好ましくは、５０〜１２０℃、更に好ましくは、７０〜１１０℃の沸点を有する不純物である。通常、洗浄水またはＩＰＡのような微量の有機溶剤である。 The “low boiling point impurities” in the present invention refers to impurities having a boiling point lower than the boiling point of the main solvent regenerated into the stripper solvent. Preferably, it is an impurity having a boiling point of 30 to 130 ° C, more preferably 50 to 120 ° C, and more preferably 70 to 110 ° C. Usually a trace amount of organic solvent such as wash water or IPA.
本発明における「高沸点不純物」とは、ストリッパー溶剤に再生される主溶剤よりも高い沸点を持つ不純物を言う。好ましくは、２３５℃以上の沸点を有する不純物である。一般的に、ゲート工程でのレジストパターニングで使用される剥離されたフォトレジスト樹脂、及び微量の非イオン性界面活性剤のような不純物である。 The “high boiling point impurities” in the present invention refers to impurities having a boiling point higher than that of the main solvent regenerated into the stripper solvent. Preferably, the impurity has a boiling point of 235 ° C. or higher. Generally, it is a stripped photoresist resin used in resist patterning in the gate process, and impurities such as a small amount of nonionic surfactant.
本発明における「電子産業グレードストリッパー溶剤」とは、個別のストリッパー溶剤の含量が９９．５％以上、水分の含量が０．１％以下、及び重金属または金属の総含量がｐｐｂ水準である、純度が新液より同等以上であるストリッパー溶剤を言う。水分含量の下限は特別に設定する必要はないが、一般的に、約０．００１％である。金属の総含量は５００ｐｐｂ以下が好ましい。その下限は特別に設定する必要はないが、一般的に、約１ｐｐｂである。 In the present invention, “electronic industry grade stripper solvent” means that the individual stripper solvent content is 99.5% or more, the moisture content is 0.1% or less, and the total content of heavy metals or metals is ppb level. Refers to a stripper solvent that is equivalent or better than the new solution. The lower limit of the moisture content does not need to be set specifically, but is generally about 0.001%. The total metal content is preferably 500 ppb or less. The lower limit need not be set specifically, but is generally about 1 ppb.
本発明における「工業用グレード溶剤」とは、電子産業グレード溶剤より純度が低い溶剤を言う。通常、工業用グレード溶剤は、９８．０％以上の純度を持ち、水分含量が０．５％以下であり、重金属または金属の総含量が１０００ｐｐｂ以上である。用途に応じて、純度が更に低いこともあり、また不純物含量が更に高くなることもある。 The “industrial grade solvent” in the present invention refers to a solvent having a purity lower than that of the electronic industry grade solvent. Typically, industrial grade solvents have a purity of 98.0% or higher, a moisture content of 0.5% or lower, and a heavy metal or total metal content of 1000 ppb or higher. Depending on the application, the purity may be lower and the impurity content may be higher.
本発明における「統合回収」または「統合再生」とは、半導体ウエハーまたはＴＦＴ−ＬＣＤの様々な製造工程から排出されるフォトレジストストリッパー廃液を廃液貯蔵タンクに回収し、製造工程で再利用することができるように、混合して、個別のストリッパー溶剤またはフォトレジストストリッパーを再使用することを言う。 In the present invention, “integrated recovery” or “integrated regeneration” means that a photoresist stripper waste liquid discharged from various manufacturing processes of a semiconductor wafer or TFT-LCD is recovered in a waste liquid storage tank and reused in the manufacturing process. It refers to mixing and reusing a separate stripper solvent or photoresist stripper as possible.
本発明によるフォトレジストストリッパーの再生装置は、低沸点不純物を除去する１次蒸留装置と、高沸点不純物を除去して、混合物形態にストリッパー溶剤を再生する２次蒸留装置と、及び微量水分を除去し、沸点が近いため高純度に分離することが難しい溶剤混合物から個別の電子産業グレードストリッパー溶剤に再生する３次蒸留装置と、を有している。再生回収率改善のための装置は、高沸点不純物を除去する２次蒸留装置に付加され、再生回収率を高めるための１次蒸留装置または３次蒸留装置のうち１つ以上が備えられていない装置にも適用することができる。 A photoresist stripper regenerator according to the present invention is a primary distillation apparatus for removing low boiling impurities, a secondary distillation apparatus for removing high boiling impurities to regenerate a stripper solvent into a mixture, and a trace amount of water. And a tertiary distillation apparatus that regenerates a solvent mixture that is difficult to separate with high purity because of its close boiling point to an individual electronic industry grade stripper solvent. A device for improving the recovery rate is added to the secondary distillation device that removes high-boiling impurities, and is not equipped with one or more of a primary distillation device or a tertiary distillation device for increasing the recovery rate. It can also be applied to devices.
１次蒸留装置は、多段式蒸留塔または充填式蒸留塔であり、中和、析出、ろ過などにより前処理したフォトレジストストリッパー廃液から低沸点不純物を除去するものである。 The primary distillation apparatus is a multi-stage distillation column or a packed distillation column, and removes low-boiling impurities from a photoresist stripper waste solution pretreated by neutralization, precipitation, filtration, or the like.
２次蒸留装置も、多段式蒸留塔または充填式蒸留塔であり、低沸点不純物が除去されたストリッパー廃液から高沸点不純物を除去して、ストリッパー溶剤を混合物の形態に再生する（統合ストリッパー再生）ものである。 The secondary distillation apparatus is also a multi-stage distillation column or a packed distillation column, and removes high-boiling impurities from the stripper waste liquid from which low-boiling impurities are removed, and regenerates the stripper solvent into a mixture form (integrated stripper regeneration). Is.
３次蒸留装置は、螺旋型スピンバンド（ｓｐｉｎｎｉｎｇ ｂａｎｄ）式蒸留塔である。高沸点不純物が除去されたストリッパー溶剤から微量水分を除去し、沸点に基づいて電子産業グレード純度の溶剤に順次分離して再生する（分離ストリッパー再生）。塔内で蒸発する蒸気成分と凝縮される液体成分との接触表面積を最大化するために、スピンバンド式蒸留塔の内部に、高速で回転する金属またはテフロン（登録商標）で作られた螺旋型攪拌カラムを備えることで、速くて効果的な気液平衡を通して高分離及び効率的な精製を行うことができる。スピンバンド式蒸留塔内の螺旋型攪拌カラムの回転速度を変えることで、分離効率を適切に調節することができる。螺旋型攪拌カラムの回転速度は１，５００〜２，５００ｒｐｍが好ましい。高分離及び効率的な精製により、ＮＭＰ、ＢＤＧなどの吸湿性の高いストリッパー溶剤に残留する微量水分を０．１％以下にまで除去し、容易に分離して、近い沸点を持つ各成分を電子産業グレード純度に精製することが可能となる。 The tertiary distillation apparatus is a spiral spinning band type distillation column. A trace amount of water is removed from the stripper solvent from which high-boiling impurities have been removed, and the solvent is sequentially separated and regenerated into an electronic industry grade purity solvent based on the boiling point (separated stripper regeneration). In order to maximize the contact surface area between the vapor component that evaporates in the column and the liquid component that is condensed, a spiral type made of metal or Teflon (R) that rotates at high speed inside the spin band distillation column By providing a stirring column, high separation and efficient purification can be performed through a fast and effective gas-liquid equilibrium. By changing the rotational speed of the helical stirring column in the spin band distillation column, the separation efficiency can be adjusted appropriately. The rotational speed of the spiral stirring column is preferably 1,500 to 2,500 rpm. High separation and efficient purification removes trace moisture remaining in highly hygroscopic stripper solvents such as NMP, BDG, etc. to 0.1% or less and easily separates each component with a near boiling point into an electron. It becomes possible to purify to industrial grade purity.
以下、添付された図面を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, it will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図１は、本発明による実施形態により高純度で電子産業グレードストリッパー溶剤に再生する工程を概念的に示すフローチャートである。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。 FIG. 1 is a flowchart conceptually illustrating a process for regenerating a high-purity electronic industry grade stripper solvent according to an embodiment of the present invention. However, the present invention is not limited to this.
図１によると、再生工程は、前処理段階、不純物の除去段階、及びストリッパー溶剤の回収段階でなっている。前処理は、ストリッパー廃液のｐＨ、不溶物または不純物の種類または含量に応じて行われるが、行われないこともある。前処理は様々なストリッパー混合液の再生を可能にする。不純物の除去段階及びストリッパー溶剤の回収段階は、時間的または空間的に分離されるのではなく、不純物が除去されながらストリッパー溶剤が回収される一連の単位工程である。 According to FIG. 1, the regeneration process consists of a pretreatment stage, an impurity removal stage, and a stripper solvent recovery stage. The pretreatment is performed depending on the pH of the stripper waste liquid, the type or content of insoluble matter or impurities, but may not be performed. The pretreatment allows the regeneration of various stripper mixtures. The impurity removal step and the stripper solvent recovery step are a series of unit processes in which the stripper solvent is recovered while impurities are removed, instead of being temporally or spatially separated.
不純物の除去は次のように行われる。まず、低沸点不純物が１次蒸留装置により除去された後、高沸点不純物が２次蒸留装置により除去され、最後に、残留する微量水分が３次蒸留装置により除去される。ストリッパー溶剤の回収は、２次蒸留装置によりストリッパー溶剤全体を再生することにより実施される。これは、（ａ）ストリッパー溶剤全体を一度に回収する１次再生と、（ｂ）スピンバンド式３次蒸留装置により沸点以上まで加熱されながらストリッパー溶剤を構成する電子産業グレードストリッパー溶剤の各成分を順次再生する２次再生とからなる。 The removal of impurities is performed as follows. First, after the low boiling point impurities are removed by the primary distillation apparatus, the high boiling point impurities are removed by the secondary distillation apparatus, and finally, the remaining trace moisture is removed by the tertiary distillation apparatus. The stripper solvent is recovered by regenerating the entire stripper solvent using a secondary distillation apparatus. This includes (a) primary regeneration that recovers the entire stripper solvent at once, and (b) each component of the electronic industry grade stripper solvent that constitutes the stripper solvent while being heated to the boiling point or higher by a spin band type tertiary distillation apparatus. It consists of secondary playback that plays back sequentially.
本発明による統合再生工程は、半導体ウエハー又はＴＦＴ−ＬＣＤの様々な製造工程から集められたストリッパー廃液に適用することができ、好ましくは、有機アミン化合物としてＭＥＡまたはＭＩＰＡまたはこれらの混合物、プロトン性のグリコールエーテル化合物としてＢＤＧまたはＰＧＭＥＡまたはこれらの混合物、そして／または非プロトン性の多極性化合物としてＮＭＰまたはＤＭＳＯまたはこれらの混合物を含むストリッパー廃液に適用する。 The integrated regeneration process according to the present invention can be applied to stripper effluent collected from various manufacturing processes of semiconductor wafers or TFT-LCDs, preferably MEA or MIPA as organic amine compounds or mixtures thereof, protic Applies to stripper effluents containing BDG or PGMEA or mixtures thereof as glycol ether compounds and / or NMP or DMSO or mixtures thereof as aprotic multipolar compounds.
このようなフォトレジストストリッパー廃液は、集められて貯蔵タンクで混合される。その後、中和、析出及びろ過による前処理を行い、固形分、不溶性変形フォトレジスト化合物、有機酸化合物などが除去される。前処理段階において、中和は、半導体ウエハーまたはＴＦＴ−ＬＣＤの製造中のエッチングまたは現像工程でストリッパー廃液に含まれた有機酸化合物を除去するために実施される。有機酸化合物によりストリッパー廃液のｐＨが４〜６の範囲であるとき、移送ラインまたは蒸留設備の腐食が起こり、それ故に、分離効率の低下及び再生不安定性の増大をもたらす。好ましくは、ｐＨは６．５〜８．５の範囲に維持する。このために、中和は、廃液のｐＨに応じて、廃液に対して２０重量％水酸化ナトリウム水溶剤を１．５〜３．２重量％利用して実施される。 Such photoresist stripper effluent is collected and mixed in a storage tank. Thereafter, pretreatment by neutralization, precipitation and filtration is performed to remove solids, insoluble deformed photoresist compounds, organic acid compounds and the like. In the pretreatment stage, neutralization is carried out to remove organic acid compounds contained in the stripper waste solution in the etching or developing process during the production of the semiconductor wafer or TFT-LCD. When the pH of the stripper effluent is in the range of 4-6 due to the organic acid compound, corrosion of the transfer line or distillation equipment occurs, thus leading to reduced separation efficiency and increased regeneration instability. Preferably, the pH is maintained in the range of 6.5 to 8.5. For this reason, neutralization is carried out using 1.5% to 3.2% by weight of a 20% by weight sodium hydroxide aqueous solvent based on the waste liquid, depending on the pH of the waste liquid.
次の析出及びろ過は、中和成分を含む浮遊成分及び不溶成分（主にフォトレジスト高分子の分解残留物と伝導性金属膜のエッチング工程で生じる重金属成分とで構成）を除去するために実施される。析出は、十分な時間、例えば、１〜１２時間、好ましくは２〜５時間かけて行われる。次いで、ろ過により析出物をストリッパー廃液から分離するが、例えば、３２５メッシュ（〜４４μｍ）のふるいで１次ろ過をした後、空隙サイズが１μｍのろ過部材でろ過する。 The next precipitation and filtration are performed to remove floating components and insoluble components including neutralizing components (mainly composed of decomposition residue of photoresist polymer and heavy metal components generated in etching process of conductive metal film). Is done. Precipitation is performed for a sufficient time, for example, 1 to 12 hours, preferably 2 to 5 hours. Next, the precipitate is separated from the stripper waste liquid by filtration. For example, after the primary filtration is performed with a 325 mesh (˜44 μm) sieve, the precipitate is filtered through a filtration member having a pore size of 1 μm.
前処理されたストリッパー廃液、または前処理が不必要で集められたストリッパー廃液は、蒸留を連続的に行う統合再生工程に移送される。その後、水分及び溶解されたフォトレジストのような不純物を順次除去し、電子産業グレード純度のストリッパー溶剤が回収される。回収された電子産業グレードのストリッパー溶剤を、半導体ウエハーまたはＴＦＴ−ＬＣＤの様々な製造工程でストリッパー溶剤として使用することができる。 The pretreated stripper waste liquid or the stripper waste liquid collected without pretreatment is transferred to an integrated regeneration process in which distillation is continuously performed. Thereafter, impurities such as moisture and dissolved photoresist are sequentially removed, and a stripper solvent of electronic industry grade purity is recovered. The recovered electronics industry grade stripper solvent can be used as a stripper solvent in various manufacturing processes of semiconductor wafers or TFT-LCDs.
更に具体的には、図１に示すように、本発明の統合再生工程によると、水などの低沸点不純物を１次蒸留装置により除去し、溶解されたフォトレジスト成分のような高沸点不純物を２次蒸留装置により除去し、ストリッパー溶剤の混合物全体を一度に回収する（「統合ストリッパー再生」）。１次再生ストリッパー溶剤は、スピンバンド式３次蒸留装置に移送される。ストリッパー溶剤に残留する微量水分を、吸湿性の最も高い非プロトン性多極性化合物により１次除去する。その後、ストリッパー溶剤を、沸点が近いストリッパー溶剤成分の各沸点以上まで加熱する。螺旋型攪拌カラムを高速で回転するにより得られる効率的で迅速に繰り返される気液均衡により高純度に分離することができる。従って、ストリッパー溶剤の各成分は、それらの沸点によって順次分離される。３段階の蒸留工程を通して、ストリッパー溶剤に含まれる主溶剤が、高純度で電子産業グレードストリッパー溶剤に再生されて回収される。 More specifically, as shown in FIG. 1, according to the integrated regeneration process of the present invention, low boiling impurities such as water are removed by a primary distillation apparatus, and high boiling impurities such as dissolved photoresist components are removed. Remove with a secondary distillation apparatus and collect the entire stripper solvent mixture at once ("integrated stripper regeneration"). The primary regeneration stripper solvent is transferred to a spin band type tertiary distillation apparatus. A trace amount of water remaining in the stripper solvent is primarily removed by the aprotic multipolar compound having the highest hygroscopicity. Thereafter, the stripper solvent is heated to above the boiling point of the stripper solvent component having a near boiling point. Separation with high purity can be achieved by an efficient and rapidly repeated gas-liquid balance obtained by rotating the spiral stirring column at high speed. Therefore, the components of the stripper solvent are sequentially separated by their boiling points. Through the three-stage distillation process, the main solvent contained in the stripper solvent is regenerated and recovered into a high purity electronic industry grade stripper solvent.
図２は、本発明の実施形態によりフォトレジストストリッパー溶剤を再生する方法及び装置を示す概略図である。 FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a method and apparatus for reclaiming a photoresist stripper solvent according to an embodiment of the present invention.
図２に示すように、前処理されたストリッパー溶剤、または前処理が不必要で処理されていないストリッパー廃液は、再生工程の供給タンクＴ−１に移送された後、第１移送ポンプＦ−１により１次蒸留装置の蒸留塔Ｄ−１に移送される。次に、廃液に含まれた成分が熱に晒されて物理化学的特性を変えることがないように水などの低沸点不純物を蒸発するために、１次蒸留塔に移送された廃液は水の沸点以上まで加熱される。即ち、１２０℃以下、好ましくは、７０〜１１０℃で加熱しながら、水（沸点＝１００℃）及びＩＰＡ（沸点＝８２度）のような低沸点不純物を蒸留して凝縮器１により凝縮した後、貯蔵タンク２に回収し、第２移送ポンプ１−１により分離回収タンクＴ−２に移送して、廃棄する。ストリッパー廃液が、低沸点不純物を含まず、水分含量が１〜３重量％に達するとき（該水分含量の範囲が１次蒸留装置として使用される充填式または多段式蒸留塔においての一般的な範囲であり、１次蒸留装置の種類または工程条件に応じて０．５〜４重量％の範囲となり得る）、リボイラー３を経由して第２移送ポンプ１−２によりストリッパー溶剤の回収及びフォトレジスト樹脂の除去のための２次蒸留装置の蒸留塔Ｄ−２に移送される。
As shown in FIG. 2, the pretreated stripper solvent or the stripper waste liquid that does not require pretreatment and is not treated is transferred to the supply tank T-1 in the regeneration step, and then the first transfer pump F-1. Is transferred to the distillation column D-1 of the primary distillation apparatus. Next, in order to evaporate low boiling point impurities such as water so that the components contained in the waste liquid are not exposed to heat and change the physicochemical characteristics, the waste liquid transferred to the primary distillation column is Heated to above boiling point. That is, after heating at a temperature of 120 ° C. or less, preferably 70 to 110 ° C., and condensing the low boiling point impurities such as water (boiling point = 100 ° C.) and IPA (boiling point = 82 ° C.) by the
２次蒸留装置では、分解または変形などストリッパー廃液内の溶剤の物理化学的特性の変化を防止する必要がある。そのために、蒸留塔に連結された真空ポンプ８を稼動して塔内を減圧する。ストリッパー溶剤が低温で回収され得るように、減圧蒸留のための真空圧力は８０トール、好ましくは９０トール以上に設定する。ストリッパー溶剤が２次蒸留装置の蒸留塔内で急激に加熱されるため、ストリッパー溶剤の熱損失を防ぐために真空圧力の上限を１１０トール以下に設定することが好ましい。しかし、真空圧力が８０トール以下であると、金属成分が伴うため、重金属の含量をｐｐｂ水準内で調節することが難しくなる。ストリッパー溶剤を含む成分全体を蒸留して、凝縮器４により凝縮して分離することができるように、２次蒸留装置に移送されたストリッパー廃液は、最も高い沸点を持つストリッパー溶剤成分の沸点以上まで急激に加熱される。同時に、ストリッパー廃液内に溶解されたフォトレジスト樹脂のような高沸点不純物が固形化して析出されない程度に、塔の下部６及びリボイラー７で凝縮して残留させる。それらを第４移送ポンプ２−１により分離回収タンクＴ−３に移送して廃棄した後、ストリッパー溶剤を一度に蒸留する。ストリッパー溶剤内の微量水分を除去するために、ストリッパー溶剤を凝縮器４にて凝縮して、貯蔵タンク５に移送する。その後、還流ポンプである第５移送ポンプ２−２及び第６移送ポンプ２−３により３次蒸留装置の蒸留塔Ｄ−３に移送する。
In the secondary distillation apparatus, it is necessary to prevent changes in the physicochemical properties of the solvent in the stripper waste liquid such as decomposition or deformation. For this purpose, the vacuum pump 8 connected to the distillation tower is operated to depressurize the inside of the tower. The vacuum pressure for vacuum distillation is set at 80 Torr, preferably 90 Torr or higher so that the stripper solvent can be recovered at low temperature. Since the stripper solvent is rapidly heated in the distillation column of the secondary distillation apparatus, it is preferable to set the upper limit of the vacuum pressure to 110 Torr or less in order to prevent heat loss of the stripper solvent. However, if the vacuum pressure is 80 Torr or less, it is difficult to adjust the heavy metal content within the ppb level because of the accompanying metal components. The stripper waste liquid transferred to the secondary distillation device is distilled up to the boiling point of the stripper solvent component having the highest boiling point so that the entire component including the stripper solvent can be distilled and condensed and separated by the
３次蒸留装置はスピンバンド式蒸留塔である。この蒸留塔は金属またはテフロン（登録商標）で作られた螺旋型攪拌カラム９を備えており、２，５００ｒｐｍの速度で回転するため、理論段数を増加させ、高い分離効率が得られる。結果として、微粒不純物の除去、及び沸点が近い混合物の高純度分離が行われる。ストリッパー溶剤に１〜３重量％の範囲で残留している微量水分を除去するために、螺旋型攪拌カラム９を１，５００ｒｐｍ以上の速度で回転させながら９０〜３００トールの減圧下で蒸留を行う。ストリッパー溶剤内に含まれる微量水分を除去することにより、水分含量が０．１％以下、一般的に、０．００１〜０．１％となる。微量水分を含有する揮発性成分を凝縮器１０で凝縮し、１次蒸留装置に再循環させて蒸留する。その後、水を分離回収タンクＴ−２に移送して廃棄し、揮発性成分に含まれるストリッパー溶剤を２次蒸留装置に戻して、ロスなく回収する。
The tertiary distillation apparatus is a spin band distillation column. This distillation column is equipped with a
以下、２次蒸留装置及び３次蒸留装置によりストリッパー廃液からストリッパー溶剤を再生する方法、及び装置を詳細に説明する。 Hereinafter, the method and apparatus for regenerating the stripper solvent from the stripper waste liquid by the secondary distillation apparatus and the tertiary distillation apparatus will be described in detail.
図２に示すように、低沸点不純物が除去されたストリッパー廃液を２次蒸留装置Ｄ−２に移送して、蒸留を９０〜１１０トールの真空圧力で行う。ストリッパー廃液に溶解しているフォトレジスト樹脂などの高沸点不純物を、固形化して析出しない程度に、塔の下部６及びリボイラー７で凝縮した後、除去する。同時に、ストリッパー溶剤に含まれる成分全体が蒸留塔の上部で蒸留されるように、沸点が最も高いストリッパー溶剤成分の沸点以上まで加熱する。ここで、還流比は１〜３で設定することが好ましい。還流比が１より小さいと、第６移送ポンプ２−３により３次蒸留装置の蒸留塔Ｄ−３に移送されたストリッパー溶剤の量が、第５移送ポンプ２−２により蒸留塔の上部に還流された量より非常に多くなり、塔の気液均衡が不安定となって再生工程が複雑となる。還流比が３より大きいと、ストリッパー溶剤全体が急激に加熱されるため、塔内部の高い背圧によりフラッディング現象が発生する。
As shown in FIG. 2, the stripper waste liquid from which low-boiling impurities are removed is transferred to the secondary distillation apparatus D-2, and distillation is performed at a vacuum pressure of 90 to 110 Torr. High-boiling impurities such as a photoresist resin dissolved in the stripper waste liquid are removed after being condensed in the
次に、回収されたストリッパー溶剤を凝縮器４により凝縮し、貯蔵タンク５に移送した後、還流ポンプである第５移送ポンプ２−２及び第６移送ポンピ２−３を予め定めた還流比で作動させて３次蒸留装置の蒸留塔Ｄ−３に移送する。好ましくは、ストリッパー溶剤全体が回収される１次再生工程の蒸留温度範囲を、表３に示すように、８１〜１５８℃の間で設定する。
Next, after the recovered stripper solvent is condensed by the
スピンバンド式３次蒸留装置に移送されたストリッパー溶剤は、ストリッパー溶剤成分の沸点以上まで加熱しながら順次に蒸留させる（２次再生）。沸点に従って順次に蒸発して塔の上部で分離されたストリッパー内の各成分が凝縮器１１により凝縮され、貯蔵タンク１２に回収される。凝縮器１１は、回収されたストリッパー溶剤の純度を考慮して、微量水分凝縮器１０と別途に設置される。
The stripper solvent transferred to the spin band type tertiary distillation apparatus is sequentially distilled while being heated to the boiling point or higher of the stripper solvent component (secondary regeneration). Each component in the stripper which is sequentially evaporated according to the boiling point and separated at the top of the tower is condensed by the condenser 11 and collected in the storage tank 12. The condenser 11 is installed separately from the
貯蔵タンク１２に回収されたストリッパー溶剤は、電子産業グレードの高純度（純度９９．５％、水分含量０．１％、総金属含量５００ｐｐｂ）が得られるまで、第７移送ポンプ３−１により塔の上部で還流される。適切なストリッパー溶剤を個別に回収して、１マイクロフィルター１３に通過させる。各回収されたストリッパー溶剤を各貯蔵タンクＴ−４、Ｔ−５、Ｔ−６、Ｔ−７、Ｔ−８に移送してそれらを貯蔵する。好ましい例を参照しながら、電子産業グレード高純度の再生ストリッパー溶剤を回収し、ＰＧＭＥＡを貯蔵タンクＴ−４に、ＭＩＰＡをＴ−５に、ＭＥＡをＴ−６に、ＤＭＳＯをＴ−７に、そしてＮＭＰをＴ−８に移送して貯蔵する。最も高い沸点（沸点；２３０℃）を持つＢＤＧは、沸点が低いストリッパー溶剤を蒸留して分離した後、塔の下部またはリボイラー１４に残留し、最終分離される。別のストリッパー溶剤成分も同様に、高純度の電子産業グレード規格に適合すると、第８移送ポンプ３−２により１マイクロフィルター１３を通過した後、該当する貯蔵タンクＴ−９に移送されて貯蔵される。
The stripper solvent recovered in the storage tank 12 is columned by the seventh transfer pump 3-1 until high purity of electronic industry grade (purity 99.5%, moisture content 0.1%, total metal content 500 ppb) is obtained. Is refluxed at the top. Appropriate stripper solvent is collected separately and passed through 1
１次再生工程と同様に、ストリッパー溶剤成分が、熱に晒されて分解または変形などの物理的または化学的特性の変化するのを防止する必要がある。このために、蒸留塔に連結された真空ポンプ１５が、塔の内部の圧力を減少させるために作動される。ストリッパー溶剤が低温で回収され得るように、減圧蒸留の真空圧力を９０トール以上に設定する。真空圧力の上限はストリッパー廃液に含まれるストリッパー溶剤の組成と関係する。再生されたストリッパー溶剤成分の沸点が近い場合、電子産業グレードの高純度分離を行うために、上限を１５０〜３００トール、好ましくは２００〜３００トール、更に好ましくは２５０〜３００トールで設定する。
Similar to the primary regeneration process, it is necessary to prevent the stripper solvent component from being exposed to heat to change its physical or chemical properties such as decomposition or deformation. For this purpose, a
分離ストリッパー再生工程での３次蒸留装置の還流比は、３〜１７に設定するのが好ましい。還流比が３より小さいと、蒸留塔Ｄ−３の上部で蒸留されるストリッパー溶剤の純度が電子産業グレード（９９．５％）に達することができない。そして、２次再生の還流比が１７より大きいと、蒸留速度が非常に遅くなり、塔の内部の高い背圧によりフラッディング現象が起きる。減圧蒸留での真空圧力が１５０トール以下に設定されたときには、７〜１７の還流比が最も好ましい。そして、減圧蒸留での真空圧力を１５０〜３００トールに設定する場合、３〜１２の還流比が最も好ましい。 The reflux ratio of the tertiary distillation apparatus in the separation stripper regeneration step is preferably set to 3-17. If the reflux ratio is less than 3, the purity of the stripper solvent distilled at the top of the distillation column D-3 cannot reach the electronics industry grade (99.5%). If the reflux ratio of the secondary regeneration is greater than 17, the distillation rate becomes very slow, and a flooding phenomenon occurs due to the high back pressure inside the column. A reflux ratio of 7 to 17 is most preferred when the vacuum pressure in vacuum distillation is set to 150 torr or less. And when setting the vacuum pressure in vacuum distillation to 150-300 Torr, the reflux ratio of 3-12 is the most preferable.
３次蒸留装置は、スピンバンド式蒸留塔Ｄ−３が使用される。塔の内部に、螺旋型攪拌カラム９が２，５００ｒｐｍの速度で回転して、沸点が近い混合物成分の分離効率を上げる。２次再生工程で攪拌器の稼動速度をストリッパー廃液内に含まれる成分の数によって調節することができる。高純度で電子産業グレードに再生するために、稼動速度が１，５００〜２，４００ｒｐｍの範囲であることが好ましい。２，４００ｒｐｍを超過する稼動速度は、攪拌器の軸に加えられる負荷が過大となるため好ましくない。
As the tertiary distillation apparatus, a spin band distillation column D-3 is used. Inside the tower, the
３次蒸留装置で回収した各ストリッパー溶剤の蒸留温度は、条件によって異なり、これを表４に示した。実施例に示したストリッパー廃液の場合、真空圧力を９０〜３００トール、還流比を３〜１７、スピンバンド式攪拌器の速度を１，５００〜２，４００ｒｐｍとし、蒸留温度を、ＰＦＭＥＡでは７５〜１１５℃、ＭＥＡでは９７〜１４１℃、ＤＭＳＯでは１１２〜１５７℃、そしてＮＭＰでは１２１〜１６８℃とした。ＢＤＧは残留物として回収されるため、ＢＤＧの蒸留温度は特定する必要はない。 The distillation temperature of each stripper solvent recovered by the tertiary distillation apparatus varied depending on the conditions, and this is shown in Table 4. In the case of the stripper waste liquid shown in the examples, the vacuum pressure is 90 to 300 Torr, the reflux ratio is 3 to 17, the speed of the spin band stirrer is 1,500 to 2,400 rpm, and the distillation temperature is 75 to 75 for PFMEA. 115 ° C., 97 to 141 ° C. for MEA, 112 to 157 ° C. for DMSO, and 121 to 168 ° C. for NMP. Since BDG is recovered as a residue, the BDG distillation temperature need not be specified.
ストリッパー廃液の再生工程で、再生効率を高く最大にするために、塔内部で蒸発した蒸気成分と凝縮した液体成分との間に、非常に速く効果的な気液均衡を最適に維持する再生工程の効果的で連続的な運転が要求される。しかしながら、従来の再生装置は、蒸留の途中または最終段階で、再生蒸留塔Ｄ−２に連結されたリボイラー６の水位を、加熱媒体ライン７ａの高さより３０〜５０ｃｍ（例えば、リボイラーの高さの約５０％）ほど高く維持しなければならない。この工程で、非揮発性の溶解されたフォトレジスト樹脂は、固形化して析出するため、再生工程及び装置に悪影響を及ぼす。リボイラーの水位が増加すると、フォトレジストの固形化問題が一時的に防止されるが、過度の背圧により塔内部でフラッディング現象が発生する。更に、蒸留される量が増加することにより、分離効率が減少し、還流タンク５を通して還流量が増加し、エネルギー消費が増加することにより再生効率の減少をもたらす。加えて、フォトレジスト樹脂が廃液に十分に飽和されずに廃棄される。このようなロスにより再生効率を減少させることになる。
In the stripper effluent regeneration process, a regeneration process that optimally maintains a very fast and effective gas-liquid balance between the vapor component evaporated inside the tower and the condensed liquid component in order to maximize the regeneration efficiency. Effective and continuous operation is required. However, in the conventional regenerator, the water level of the
従って、本発明の２次蒸留装置を利用してフォトレジストストリッパー廃液を蒸留してストリッパー溶剤に再生する工程において、リボイラーに供給されるフォトレジストストリッパー廃液の蒸留残留液に溶解したフォトレジスト樹脂の濃度が、フォトレジストが析出する最適の飽和濃度以下に調節されるように、ストリッパー廃液の最低水位を予め定めておく。そして、その水位以上でリボイラーの水位を調節することにより、従来の一般的な再生工程と比較して、優れた再生回収率を得ることができる。 Accordingly, in the step of distilling the photoresist stripper waste liquid to the stripper solvent using the secondary distillation apparatus of the present invention, the concentration of the photoresist resin dissolved in the distillation residual liquid of the photoresist stripper waste liquid supplied to the reboiler. However, the minimum water level of the stripper waste liquid is determined in advance so as to be adjusted to be equal to or lower than the optimum saturation concentration at which the photoresist is deposited. And by adjusting the water level of the reboiler above the water level, an excellent regeneration recovery rate can be obtained as compared with the conventional general regeneration process.
フォトレジストストリッパー廃液の蒸留工程において、リボイラー内の濃縮されたフォトレジスト樹脂の濃度、またはＮＭＰの含量とともにフォトレジスト樹脂の濃度を分析した。その結果によると、溶解したフォトレジスト樹脂が固形化して析出し始めたフォトレジスト飽和濃度で、リボイラー内のストリッパー廃液（蒸留残留物）の水位を第１最低水位と決めて、第１最低水位が維持され得るように、ストリッパー廃液を供給する。 In the distillation process of the photoresist stripper waste solution, the concentration of the photoresist resin concentrated in the reboiler or the concentration of the photoresist resin was analyzed together with the content of NMP. According to the result, the water level of the stripper waste liquid (distillation residue) in the reboiler is determined as the first lowest water level at the saturated photoresist concentration at which the dissolved photoresist resin starts to solidify and precipitate, and the first lowest water level is Supply stripper effluent so that it can be maintained.
これとは別に、廃液内のＮＭＰ濃度が低い場合、再生回収率を更に改善するために、ＮＭＰをリボイラーに供給する。このＮＭＰの追加量は次のように決められる。まず、目的とする再生回収率を得るために特定濃度のＮＭＰを含有する標準フォトレジストストリッパー廃液（例えば、実施例１のようにＮＭＰが２０重量％含有するストリッパー廃液）と、前記特定濃度より低い濃度のＮＭＰを含有するフォトレジストストリッパー廃液に対して、第１最低水位での蒸留残留物に含まれたＮＭＰの含量を分析し、ＮＭＰ含量に対するフォトレジストの重量比を比較する。従って、標準フォトレジストストリッパー廃液の再生回収率と近似する再生回収率を得ることができる。 Separately, when the NMP concentration in the waste liquid is low, NMP is supplied to the reboiler in order to further improve the regeneration recovery rate. The additional amount of NMP is determined as follows. First, a standard photoresist stripper waste solution containing a specific concentration of NMP (for example, a stripper waste solution containing 20% by weight of NMP as in Example 1) and lower than the specific concentration in order to obtain a target recovery rate. For the photoresist stripper effluent containing the concentration of NMP, the content of NMP contained in the distillation residue at the first lowest water level is analyzed and the weight ratio of the photoresist to the NMP content is compared. Therefore, a regeneration recovery rate that approximates the regeneration recovery rate of the standard photoresist stripper waste liquid can be obtained.
本発明による再生回収率を改善する方法を通して、エネルギー消費及びフォトレジスト樹脂の固形化により発生するストリッパーのロスを最小にすることができる。また、ストリッパー溶剤の再生回収率を高めることで、経済的効果が得られる。 Through the method for improving the recovery rate according to the present invention, energy loss and stripper loss caused by solidification of the photoresist resin can be minimized. In addition, an economic effect can be obtained by increasing the regeneration recovery rate of the stripper solvent.
本発明による再生回収率を改善する方法において、第１最低水位を、紫外吸収分光光度計によりフォトレジスト樹脂の濃度を測定して決定する。このために、ストリッパー廃液内に溶解しているフォトレジスト樹脂の濃度及び吸光度との相関関係表をあらかじめ用意しておく必要がある。次いで、リボイラーの内部、蒸留塔の下部、または蒸留塔とリボイラーとの連結配管の内部に存在する蒸留残留物の溶解フォトレジスト樹脂が固形化し始めるとき、即ち、紫外吸収分光光度計により測定した最大濃度であるとき、リボイラー内のストリッパー廃液の水位を第１最低水位と定める。そして、第１最低水位より高くリボイラーの水位を維持しながら、再生回収率を高くするために、ストリッパー廃液貯蔵タンクから供給されるストリッパー廃液の量を適切に調節する。この方法は、ＮＭＰが０〜４０重量％、好ましくは５〜３５重量％、更に好ましくは１０〜３０重量％含有するストリッパー廃液の処理において特に好適である。 In the method for improving the recovery rate according to the present invention, the first lowest water level is determined by measuring the concentration of the photoresist resin with an ultraviolet absorption spectrophotometer. For this purpose, it is necessary to prepare in advance a correlation table between the concentration and absorbance of the photoresist resin dissolved in the stripper waste liquid. Next, when the dissolved photoresist resin of the distillation residue existing inside the reboiler, the lower part of the distillation column, or the connecting pipe between the distillation column and the reboiler begins to solidify, that is, the maximum measured by an ultraviolet absorption spectrophotometer. When it is the concentration, the water level of the stripper waste liquid in the reboiler is defined as the first lowest water level. The amount of stripper waste liquid supplied from the stripper waste liquid storage tank is appropriately adjusted in order to increase the regeneration recovery rate while maintaining the reboiler water level higher than the first lowest water level. This method is particularly suitable for the treatment of stripper waste liquid containing 0 to 40% by weight, preferably 5 to 35% by weight, more preferably 10 to 30% by weight of NMP.
本発明による再生回収率を改善する別の実施形態において、ＮＭＰの含量を、第２最低水位を定めるために気体クロマトグラフィにより分析する。まず、リボイラーの水位が、紫外吸収分光光度計により決定された第１最低水位での前記蒸留残留物内に含まれる含量よりもＮＭＰの含量が少ない（例えば、ＮＭＰ含量が３０重量％であるストリッパー廃液に対するリボイラーの第１最低水位でＮＭＰ含量未満）場合、廃液の最低水位を上昇させるために、リボイラーに連結されたＮＭＰ供給タンクから工業用グレードＮＭＰを供給する。それから、溶解フォトレジスト樹脂が更に濃縮された後、樹脂が固形化して析出し始めるときのリボイラー内の蒸留残留物の水位を第２最低水位と定める。ストリッパー廃液内のＮＭＰ含量を、リボイラーの水位が第２最低水位以上に維持されるように調節することで、再生回収率を容易に高めることができる。この再生回収率改善方法は、ＮＭＰ含量が不十分であるストリッパー廃液、好ましくは、３０重量％未満、更に好ましくは、０〜２５重量％、更に好ましくは、０．００１〜２０重量％、最も好ましくは、０．００１〜１０重量％である場合のストリッパー溶剤の処理において特に適合している。 In another embodiment of improving regeneration recovery according to the present invention, the content of NMP is analyzed by gas chromatography to determine the second lowest water level. First, a stripper having a reboiler water level less than that contained in the distillation residue at the first lowest water level determined by an ultraviolet absorption spectrophotometer (for example, a stripper having an NMP content of 30% by weight). Industrial grade NMP is supplied from an NMP supply tank connected to the reboiler to raise the minimum water level of the waste liquid. Then, after the dissolved photoresist resin is further concentrated, the water level of the distillation residue in the reboiler when the resin starts to solidify and precipitate is defined as the second lowest water level. By adjusting the NMP content in the stripper waste liquid so that the water level of the reboiler is maintained at or above the second lowest water level, the regeneration recovery rate can be easily increased. This method of improving the recovery rate is a stripper waste solution with insufficient NMP content, preferably less than 30% by weight, more preferably 0-25% by weight, more preferably 0.001-20% by weight, most preferably Is particularly suitable in the treatment of stripper solvents when it is 0.001 to 10% by weight.
図３は、本発明の実施形態によりフォトレジストストリッパー溶剤の再生回収率を改善する方法及び装置を示す概略図である。 FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a method and apparatus for improving the recovery rate of photoresist stripper solvent according to an embodiment of the present invention.
図３によると、ストリッパー廃液を２次蒸留塔で蒸留し、凝縮器４により凝縮して、貯蔵タンク５に回収される間、蒸留塔Ｄ−２に連結されたリボイラーに供給されるストリッパー廃液に溶解されたフォトレジストは濃縮されていく。濃縮された溶解フォトレジストに含まれるストリッパー廃液の一部を気体クロマトグラフィ１７に流入させて、ＮＭＰ含量を測定する。同時に、ストリッパー廃液の別の一部を紫外吸収分光光度計１８に流入させて、吸光度を測定する。廃液に溶解されたフォトレジストの濃度を前記の方法により測定する。紫外吸収分光光度計１８で溶解フォトレジストの濃度を決定するために、ストリッパー廃液に溶解されたフォトレジストの濃度と吸光度の相関関係表をあらかじめ作成しておかなければならない。
According to FIG. 3, the stripper waste liquid is distilled in the secondary distillation tower, condensed by the
ストリッパー廃液に溶解されたフォトレジスト樹脂がリボイラーで濃縮されて、固体成分として析出され始めたときの紫外吸収分光光度計１８により測定したフォトレジスト樹脂の濃度が、最大飽和濃度といえる。この時点で、リボイラー内のストリッパー廃液の水位を第１最低水位と定める。紫外吸収分光光度計１８により測定したフォトレジスト樹脂の濃度が最大飽和濃度を超えないとき、第１制御装置１８ａがシグナルを出力し、第１流量制御バルブ１６−１を開けて、移動ポンプ２−４を作動させる。これにより、リボイラーの内部に連続的に流量されて、フォトレジストの析出が防止される。
It can be said that the photoresist resin concentration measured by the
一方、紫外吸収分光光度計１８により測定したフォトレジスト樹脂の濃度が最大飽和濃度に達し、リボイラー７へのストリッパー廃液流量を増加させることにより、溶解フォトレジスト樹脂の濃度を減少しなければならないとき、第１制御装置１８ａがシグナルを出力し、第２流量制御バルブ１６−２を開けて、移送ポンプ２−１を作動させる。これにより、飽和した溶解フォトレジストを含む廃液の一部が回収タンクＴ−２に移送される。同時に、第１制御装置１８ａが別のシグナルを出力し、移送ポンプ１−２を作動させる。従って、リボイラーへのストリッパー廃液の流量が増加しながら、リボイラーの内部のストリッパー廃液の水位を第１最低水位以上に維持することができる。
On the other hand, when the concentration of the photoresist resin measured by the
次いで、廃液内に含まれるＮＭＰ含量を分析するために、リボイラー７内のストリッパー廃液（蒸留残留物）の一部を、気体クロマトグラフィ１７に流入させる。気体クロマトグラフィ１７により分析したＮＭＰ含量を基に、ＮＭＰ含量が３０重量％であるストリッパー廃液に対してリボイラーの第１最低水位よりＮＭＰ含量が少ないとき、第２制御装置１７ａによって、第３流量制御バルブ１６−３及び移送ポンプ２−５を通して、所望するリボイラー工業用グレードＮＭＰ含量をタンク１９からリボイラーに供給する。工業用グレードのＮＭＰの供給が負荷セル２０から検出されると、第２制御装置１７ａがシグナルを出力して、流量制御バルブ１６−３を閉じて、移送ポンプ２−５の作動を停止させる。
Next, in order to analyze the NMP content contained in the waste liquid, a part of the stripper waste liquid (distillation residue) in the reboiler 7 is caused to flow into the
その後、ＮＭＰ含量が所望する水位に達した後、溶媒フォトレジストの濃度を紫外吸収分光光度計１８により継続して観察する。ストリッパー廃液に溶解されたフォトレジスト樹脂を更に濃縮し、固体成分として析出し始めたときが、フォトレジストの最高飽和濃度である。その濃度でのリボイラー内のストリッパー廃液の水位を第２最低水位と定める。
Thereafter, after the NMP content reaches the desired water level, the concentration of the solvent photoresist is continuously observed by the
次いで、前述した通り、リボイラー内のストリッパー溶剤の水位を第２最低水位以上に維持することにより、フォトレジスト樹脂の固形化が防止され、再生回収率も高めることができる。 Next, as described above, by maintaining the water level of the stripper solvent in the reboiler at or above the second lowest water level, the solidification of the photoresist resin can be prevented and the regeneration recovery rate can be increased.
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明の技術的範囲が以下の実施例により限定されるものではない。
本発明による再生方法および再生回収率を改善する方法は、半導体装置の製造により回収される多様なフォトレジストストリッパー廃液に適用され、実施例に用いたストリッパー廃液の成分を表１に示した。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, the technical scope of this invention is not limited by a following example.
The regeneration method and the method for improving the recovery rate according to the present invention are applied to various photoresist stripper waste liquids recovered by manufacturing semiconductor devices. Table 1 shows the components of the stripper waste liquids used in the examples.
第１蒸留装置を用いて低沸点不純物を除去する工程での蒸留条件と、除去工程後の実施例１〜５のストリッパー廃液の水分含量を表２に示した。 Table 2 shows the distillation conditions in the step of removing low-boiling impurities using the first distillation apparatus and the water content of the stripper waste liquids of Examples 1 to 5 after the removal step.
第２蒸留装置を用いてストリッパー溶剤全体を回収する工程での蒸留条件を、表３に示した。 Table 3 shows the distillation conditions in the step of recovering the entire stripper solvent using the second distillation apparatus.
ストリッパー溶剤の各溶媒を回収する第２再生工程での蒸留条件を、表４に示した。 Table 4 shows the distillation conditions in the second regeneration step for recovering each of the stripper solvents.
回収された溶剤の最終分析結果を、表５に示した。 The final analysis results of the recovered solvent are shown in Table 5.
本発明による１次再生回収率の改善結果を表６に示した。 Table 6 shows the results of improving the primary regeneration recovery rate according to the present invention.
表６に示されるように、ＮＭＰ含量が１０〜３０重量％であるストリッパー廃液について、リボイラーの水位を、例えば、リボイラーの高さの５０％を基準に１２．９〜２５．３％の範囲に維持したり、溶解フォトレジスト樹脂の最高濃度を９．０〜２５．０重量％に維持したとき、ストリッパー廃液の再生回収率は７２〜８５％であった。ＮＭＰ含量が３０重量％であるとき、リボイラーの第１最低水位が最も低く、回収率は最も高かった。 As shown in Table 6, for stripper effluent having an NMP content of 10 to 30% by weight, the water level of the reboiler is, for example, in the range of 12.9 to 25.3% based on 50% of the height of the reboiler. When maintained or when the maximum concentration of the dissolved photoresist resin was maintained at 9.0 to 25.0% by weight, the recovery rate of stripper waste liquid was 72 to 85%. When the NMP content was 30% by weight, the first lowest water level of the reboiler was the lowest and the recovery was the highest.
実施例２、４及び５において、ＮＭＰを補充して再生回収率が更に改善された結果を、表７に示した。 Tables 7 and 7 show the results of further improving the recovery rate by supplementing NMP in Examples 2, 4 and 5.
表７に示されるように、ＮＭＰ含量が１０重量％であるとき、工業用グレードＮＭＰを補充することにより、再生回収率が２．３の濃度比で７２〜８１％更に改善された。ＮＭＰ含量が２０重量％であるとき、再生回収率が７９〜８３％更に改善された。そして、ＮＭＰが含まれなかったときには、再生回収率は６５〜７９％に高くなった。 As shown in Table 7, when the NMP content was 10% by weight, the regeneration recovery was further improved by 72 to 81% at a concentration ratio of 2.3 by supplementing with industrial grade NMP. When the NMP content was 20% by weight, the regeneration recovery rate was further improved by 79 to 83%. When NMP was not included, the regeneration recovery rate increased to 65-79%.
最後に、再生された電子産業グレード高純度の各溶剤について分析し、その結果を表８に示した。 Finally, the recycled electronics industry grade high purity solvents were analyzed and the results are shown in Table 8.
前述した通り、本発明によるフォトレジストストリッパーの再生方法および装置は、ストリッピング工程の下流工程として利用される従来の非連続的運転でのエネルギー効率と比較して向上し、ストリッパー溶剤を補充するような複雑な工程を行う必要がない。更に、高回収率で再生された電子産業グレードストリッパー溶剤は、電子部品を製造する様々な設備でのストリッピング工程に適用することができる。従って、本発明は費用削減及び環境保護において有効である。 As described above, the method and apparatus for regenerating a photoresist stripper according to the present invention is improved in comparison with the energy efficiency in the conventional discontinuous operation used as a downstream process of the stripping process, and replenishes the stripper solvent. There is no need to perform complicated and complicated processes. Furthermore, the electronic industry grade stripper solvent regenerated with a high recovery rate can be applied to the stripping process in various facilities for producing electronic components. Therefore, the present invention is effective in cost reduction and environmental protection.
そして、本発明による前処理工程を通して、様々なストリッパー廃液の混合物を容易に再生することができるようになる。また、ｐＨの調節で有機酸化合物をなくしたために再生装置の腐食を防ぎ、安定した再生を行うことができる。 And, through the pretreatment process according to the present invention, various stripper waste liquid mixtures can be easily regenerated. Further, since the organic acid compound is eliminated by adjusting the pH, corrosion of the regenerator can be prevented and stable regeneration can be performed.
本発明による統合再生工程は、大規模な装置がなく、ストリッパー溶剤から微量水分を効率的に除去することができることはもちろん、容易に分離することができ、沸点が近いストリッパー溶剤を精製することができる。従って、電子産業グレード純度の主溶媒が経済的に回収することができる。 The integrated regeneration process according to the present invention does not have a large-scale apparatus, and can remove trace moisture efficiently from the stripper solvent, as well as easily separate and purify a stripper solvent having a near boiling point. it can. Therefore, the main solvent of electronic industry grade purity can be recovered economically.
Ｔ−１；供給タンク
Ｔ−２、Ｔ−３；分離回収タンク
Ｔ−４、Ｔ−５、Ｔ−６、Ｔ−７、Ｔ−８、Ｔ−９；ストリッパー溶剤貯蔵タンク
Ｆ−１、１−１、１−２、２−１、２−２、２−３、２−４、２−５、３−１、３−２；移送ポンプ
Ｄ−１、Ｄ−２、Ｄ−３；蒸留塔
１、４、１０、１１；凝縮器
２、５、１２；貯蔵タンク
３、７、１４；リボイラー
７ａ；加熱媒体ライン
６；塔の下部
８、１５；減圧ポンプ
９；螺旋型攪拌カラム
１３；マイクロフィルター
１６−１、１６−２、１６−３；流量制御バルブ
１７；気体クロマトグラフィ
１８；紫外吸収分光光度計
１７ａ、１８ａ；制御装置
１９；ＮＭＰ供給タンク
２０；負荷セル
T-1; supply tank T-2, T-3; separation and recovery tank T-4, T-5, T-6, T-7, T-8, T-9; stripper solvent storage tank F-1, 1 -1, 1-2, 2-1, 2-2, 2-3, 2-4, 2-5, 3-1, 3-2; transfer pump D-1, D-2, D-3;
Claims (19)
前記１次蒸留塔の下部に連結されたパイプを通して移送された低沸点不純物が除去されたストリッパー溶剤を蒸発する２次蒸留塔、及び前記２次蒸留塔の上部に連結され、蒸発されたストリッパー溶剤を凝縮する凝縮器を備える２次蒸留装置と、
前記ストリッパー溶剤の成分を各沸点によって順次に蒸発する３次蒸留塔、及び前記３次蒸留塔の上部に連結され、前記ストリッパー溶剤の成分を凝縮する凝縮器とを備える３次蒸留装置と、
を含むことを特徴とするフォトレジストストリッパーの再生装置。 A primary distillation apparatus comprising: a photoresist stripper waste liquid supply apparatus; and a primary distillation column for removing low boiling point impurities by distilling the photoresist stripper waste liquid transferred from the supply apparatus through a pipe;
A secondary distillation column for evaporating a stripper solvent from which low-boiling impurities transferred through a pipe connected to the lower part of the primary distillation column is evaporated, and a stripper solvent connected to the upper part of the secondary distillation column and evaporated. A secondary distillation apparatus comprising a condenser for condensing
A tertiary distillation apparatus comprising a tertiary distillation column for sequentially evaporating the components of the stripper solvent at each boiling point, and a condenser connected to an upper portion of the tertiary distillation column and condensing the components of the stripper solvent;
An apparatus for reproducing a photoresist stripper, comprising:
高沸点不純物を除去するために、低沸点不純物が除去されたフォトレジストストリッパー廃液を２次蒸留し、ストリッパー溶剤に１次再生する段階と、
各ストリッパー溶剤に２次再生するために、ストリッパー溶剤成分を順次蒸留する段階と、
を含むことを特徴とするフォトレジストストリッパーの再生方法。 Primary distillation of photoresist stripper effluent to remove low boiling impurities;
In order to remove high-boiling impurities, the photoresist stripper waste liquid from which low-boiling impurities have been removed is subjected to secondary distillation and primary regeneration to a stripper solvent;
Sequentially distilling off the stripper solvent components for secondary regeneration to each stripper solvent;
A method for regenerating a photoresist stripper, comprising:
前記リボイラー、前記蒸留塔の下部または前記リボイラーに連結されたパイプに存在する蒸留残留物に溶解されたフォトレジスト樹脂が、固形成分で析出される飽和濃度を測定し、前記飽和濃度でリボイラーの水位を第１最低水位と定める段階と、
前記蒸留塔に前記フォトレジスト廃液を供給し、蒸留残留物の水位を前記第１最低水位以上に維持する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１４に記載のフォトレジストストリッパー再生回収率の改善方法。 In order to adjust the concentration of the photoresist resin,
The photoresist resin dissolved in the distillation residue existing in the reboiler, the lower part of the distillation column or the pipe connected to the reboiler measures the saturation concentration precipitated as a solid component, and the water level of the reboiler is measured at the saturation concentration. Determining the first minimum water level;
Supplying the photoresist waste liquid to the distillation column and maintaining the water level of the distillation residue at or above the first minimum water level;
The method for improving the recovery rate of photoresist stripper according to claim 14, comprising:
目的とする再生回収率を得られる特定のＮＭＰ濃度を含む標準フォトレジストストリッパー廃液と、前記特定濃度より低い濃度のＮＭＰを含むフォトレジストストリッパー廃液に対して、第１最低水位で蒸留残留物に含まれるＮＭＰ含量を分析し、ＮＭＰ含量に対するフォトレジストの重量比を比較する段階と、
再生された前記フォトレジストストリッパー廃液の重量比が標準フォトレジストストリッパー廃液の重量比と等しくなるように、リボイラーにＮＭＰを更に供給し、ＮＭＰが添加されるときのリボイラーの水位を第２最低水位と定める段階と、
前記リボイラー内の蒸留残留物の水位を、前記リボイラーにＮＭＰを供給することで第２最低水位以上に維持する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項１５に記載のフォトレジストストリッパー再生回収率の改善方法。 After supplying the photoresist stripper waste liquid to the distillation column and maintaining the water level of the distillation residue at the first lowest water level,
Included in the distillation residue at the first lowest water level for standard photoresist stripper effluent containing a specific NMP concentration that can achieve the desired recovery rate and for photoresist stripper effluent containing NMP at a concentration lower than the specified concentration Analyzing the NMP content and comparing the weight ratio of the photoresist to the NMP content;
NMP is further supplied to the reboiler so that the weight ratio of the regenerated photoresist stripper waste liquid becomes equal to the weight ratio of the standard photoresist stripper waste liquid, and the water level of the reboiler when NMP is added is set to the second lowest water level. A stage to determine,
Maintaining the water level of the distillation residue in the reboiler at or above a second minimum water level by supplying NMP to the reboiler;
The method for improving the recovery rate of photoresist stripper according to claim 15, further comprising:
前記リボイラー、前記蒸留塔の下部または前記再沸騰に連結されたパイプに存在する蒸留残留物に溶解されたフォトレジスト樹脂が固形成分として析出される飽和濃度を測定し、前記飽和濃度でのリボイラーの水位を第１最低水位と定める段階と、
前記フォトレジストストリッパー廃液を前記蒸留塔に供給して、蒸留残留物の水位を第１最低水位に維持する段階を行った後に、目的とする再生回収率を得られる特定のＮＭＰ濃度を含む標準フォトレジストストリッパー廃液と、前記特定濃度より低い濃度のＮＭＰを含むフォトレジストストリッパー廃液に対して、第１最低水位で蒸留残留物に含まれるＮＭＰ含量を分析し、ＮＭＰ含量に対するフォトレジストの重量比を比較する段階と、
再生された前記フォトレジストストリッパー廃液の重量比が標準フォトレジストストリッパー廃液の重量比と等しくなるように、リボイラーにＮＭＰを更に供給し、ＮＭＰが添加されるときのリボイラーの水位を第２最低水位と定める段階と、
前記リボイラー内の蒸留残留物の水位を、前記リボイラーにＮＭＰを供給することで第２最低水位以上に維持する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項１４に記載のフォトレジストストリッパー再生回収率の改善方法。 In order to adjust the concentration of the photoresist resin,
The saturation concentration at which the photoresist resin dissolved in the distillation residue existing in the reboiler, the lower part of the distillation column or the pipe connected to the reboiling is precipitated as a solid component is measured, and the reboiler at the saturation concentration is measured. Determining the water level as the first minimum water level;
After supplying the photoresist stripper waste liquid to the distillation column and maintaining the water level of the distillation residue at the first lowest water level, a standard photo including a specific NMP concentration capable of obtaining a target regeneration recovery rate. The resist stripper waste solution and the photoresist stripper waste solution containing NMP at a concentration lower than the specified concentration are analyzed for the NMP content in the distillation residue at the first lowest water level, and the weight ratio of the photoresist to the NMP content is compared. And the stage of
NMP is further supplied to the reboiler so that the weight ratio of the regenerated photoresist stripper waste liquid becomes equal to the weight ratio of the standard photoresist stripper waste liquid, and the water level of the reboiler when NMP is added is set to the second lowest water level. A stage to determine,
Maintaining the level of distillation residue in the reboiler at or above a second minimum water level by supplying NMP to the reboiler;
The method for improving the recovery rate of photoresist stripper recovery according to claim 14, further comprising:
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