JP2010288007A - 可変ゲイン回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】可変ゲイン回路において、トランジスタ102、103、105と、トランジスタ102、103、105の負荷として接続された抵抗101、104と、トランジスタ102、103、105のゲートのそれぞれにバイアス電圧として印可される電圧源106と、ゲイン設定に応じて、トランジスタ103、105のゲートに、電圧源106またはグランド電位を選択して接続するスイッチ108、109と、共通の入力に接続される電流源107とを備え、トランジスタ102、103のドレインを次段の回路の入力に接続する。
【選択図】図1
Description
図1により、本発明の実施の形態1に係る可変ゲイン回路の構成および動作について説明する。図1は本発明の実施の形態1に係る可変ゲイン回路の構成を示す回路図である。
図2により、本発明の実施の形態2に係る可変ゲイン回路の構成および動作について説明する。図2は本発明の実施の形態2に係る可変ゲイン回路の構成を示す回路図である。
図3により、本発明の実施の形態3に係る可変ゲイン回路の構成および動作について説明する。図3は本発明の実施の形態3に係る可変ゲイン回路の構成を示す回路図である。
図4により、本発明の実施の形態4に係る可変ゲイン回路の構成および動作について説明する。図4は本発明の実施の形態4に係る可変ゲイン回路の構成を示す回路図である。
実施の形態5は、実施の形態1の可変ゲイン回路112を適用したLSI間伝送システムの一例である。
実施の形態6は、実施の形態1の可変ゲイン回路112を適用したSerDesの一例である。
実施の形態7は、実施の形態1の可変ゲイン回路112を適用した光モジュールの一例である。
実施の形態8は、実施の形態1の可変ゲイン回路112を入力回路に持つSerDesを搭載したルータの一例である。
Claims (10)
- ソースが共通の入力に接続された2個以上のゲート接地型トランジスタと、
前記ゲート接地型トランジスタのそれぞれに負荷として接続された抵抗またはPMOSで構成されたアクティブ負荷と、
前記ゲート接地型トランジスタのゲートのそれぞれにバイアス電圧として印可される電圧源と、
ゲイン設定に応じて、前記ゲート接地型トランジスタのゲートのそれぞれに、前記電圧源またはグランド電位を選択して接続するスイッチと、
前記共通の入力に接続される電流源とを備え、
2個以上の前記ゲート接地型トランジスタの内、一部の前記ゲート接地型トランジスタのドレインを次段の回路の入力に接続することを特徴とする可変ゲイン回路。 - ソースが共通の入力に接続された2個以上のゲート接地型トランジスタと、
前記ゲート接地型トランジスタのそれぞれに負荷として接続された抵抗またはPMOSで構成されたアクティブ負荷と、
ゲイン設定に応じて、前記ゲート接地型トランジスタのゲートのそれぞれに接続され、バイアス電圧を可変して印加する可変電圧源と、
前記共通の入力に接続される電流源とを備え、
2個以上の前記ゲート接地型トランジスタの内、一部の前記ゲート接地型トランジスタのドレインを次段の回路の入力に接続することを特徴とする可変ゲイン回路。 - 請求項2記載の可変ゲイン回路において、
2個以上の前記ゲート接地型トランジスタの内、一部の前記ゲート接地型トランジスタのゲートに接続された可変電圧源の電圧を上げた場合、他のゲート接地型トランジスタのゲートに接続された可変電圧源の電圧を下げることを特徴とする可変ゲイン回路。 - ソースが共通の入力に接続された2個以上のゲート接地型トランジスタと、
前記ゲート接地型トランジスタのそれぞれに負荷として接続された抵抗またはPMOSで構成されたアクティブ負荷と、
前記ゲート接地型トランジスタのゲートのそれぞれに入力信号を増幅した信号を印加するアンプと、
ゲイン設定に応じて、前記ゲート接地型トランジスタのゲートのそれぞれに、前述アンプまたはグランド電位を選択して接続するスイッチと、
前記共通の入力に接続される電流源とを備え、
2個以上の前記ゲート接地型トランジスタの内、一部の前記ゲート接地型トランジスタのドレインを次段の回路の入力に接続することを特徴とする可変ゲイン回路。 - 請求項1記載の可変ゲイン回路において、
前記電圧源が接続された前記ゲート接地型トランジスタの数を足し合わせると常に同数となるように前記スイッチを制御することを特徴とする可変ゲイン回路。 - 請求項4記載の可変ゲイン回路において、
前記アンプが接続された前記ゲート接地型トランジスタの数を足し合わせると常に同数となるように前記スイッチを制御することを特徴とする可変ゲイン回路。 - 請求項1記載の可変ゲイン回路において、
前記電流源の電流量を可変させて入力抵抗を可変させることを特徴とする可変ゲイン回路。 - 請求項4記載の可変ゲイン回路において、
前記電流源の電流量を可変させて入力抵抗を可変させる、前記アンプのゲインを可変させて入力抵抗を可変させる、または前記電流源の電流量と前記アンプのゲインの両方を可変させて入力抵抗を可変させることを特徴とする可変ゲイン回路。 - ソースが共通の入力に接続された2個以上のゲート接地型トランジスタと、
前記ゲート接地型トランジスタのそれぞれに負荷として接続された抵抗またはPMOSで構成されたアクティブ負荷と、
前記ゲート接地型トランジスタのゲートのそれぞれに入力信号を増幅した信号を印加するアンプと、
前記ゲート接地型トランジスタのゲートのそれぞれにバイアス電圧として印可される電圧源と、
ゲイン設定に応じて、前記ゲート接地型トランジスタのゲートのそれぞれに、前記電圧源、前記アンプ、またはグランド電位を選択して接続するスイッチと、
前記共通の入力に接続される可変電流源とを備え、
2個以上の前記ゲート接地型トランジスタの内、一部の前記ゲート接地型トランジスタのドレインを次段の回路の入力に接続することを特徴とする可変ゲイン回路。 - 請求項9記載の可変ゲイン回路において、
前記グランド電位に接続されていない前記ゲート接地型トランジスタを足し合わせた数、前記ゲート接地型トランジスタのゲートに接続された前記アンプのゲイン、および前記可変電流源の電流量を制御し、入力抵抗を一定に制御することを特徴とする可変ゲイン回路。
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