JP2010279246A - 昇圧回路とレベルシフター - Google Patents
昇圧回路とレベルシフター Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010279246A JP2010279246A JP2010165853A JP2010165853A JP2010279246A JP 2010279246 A JP2010279246 A JP 2010279246A JP 2010165853 A JP2010165853 A JP 2010165853A JP 2010165853 A JP2010165853 A JP 2010165853A JP 2010279246 A JP2010279246 A JP 2010279246A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drain
- source
- gate
- input signal
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 30
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 102100036285 25-hydroxyvitamin D-1 alpha hydroxylase, mitochondrial Human genes 0.000 description 2
- 101000875403 Homo sapiens 25-hydroxyvitamin D-1 alpha hydroxylase, mitochondrial Proteins 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/01—Modifications for accelerating switching
- H03K19/017—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
- H03K19/01707—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/01—Modifications for accelerating switching
- H03K19/017—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
- H03K19/01707—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits
- H03K19/01714—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits by bootstrapping, i.e. by positive feed-back
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0175—Coupling arrangements; Interface arrangements
- H03K19/0185—Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
- H03K19/018507—Interface arrangements
- H03K19/018521—Interface arrangements of complementary type, e.g. CMOS
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明のレベルシフターは第一昇圧回路、インバーター、第二昇圧回路及びレベルシフターを含む。第一昇圧回路は入力シグナルを受け取り、且つ制御シグナルに基づいて入力シグナルの増幅定数を決定する。インバーターは前記入力シグナルを受け取り、反転された入力シグナルを生じる。第二昇圧回路はインバーターの出力端子に接続され、前記反転された入力シグナルを受け取り、且つ前記制御シグナルに基づいて前記入力シグナルの増幅率を決定する。レベルシフターは前記第一昇圧回路と前記第二昇圧回路の出力端子にそれぞれ接続される第一入力端子と第二入力端子を有し、前記入力シグナルの電圧レベルを第一電圧レベルにシフトするのに用いられる。
【選択図】 図1
Description
T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T11、T12、T13、T14、T15、T16、T17、T18、T19、T20 トランジスタ
21、33 インバーター
22 伝送ゲート
31 第一昇圧回路
32 第二昇圧回路
34 ダイオード
Claims (5)
- 第一電源に接続され、入力シグナルを受け取り、且つ制御シグナルに基づいて前記入力シグナルの第一増幅定数を決定する第一昇圧回路、
前記入力シグナルを受け取り、反転された入力シグナルを生じるインバーター、
前記第一電源に接続され、前記インバーターの出力端子に接続され、前記反転された入力シグナルを受け取り、且つ前記制御シグナルに基づいて前記入力シグナルの第二増幅率を決定する第二昇圧回路、及び
前記第一電源よりレベルが高い第二電源に接続され、前記第一昇圧回路と前記第二昇圧回路の出力端子にそれぞれ接続される第一入力端子と第二入力端子を有し、前記第一昇圧回路と前記第二昇圧回路の出力シグナルに基づいてレベルシフトシグナルを出力するのに用いられるレベルシフト回路を含み、
前記入力シグナルの前記第一増幅定数が前記第一電源に依存し、前記入力シグナルの前記第二増幅定数が前記第一電源に依存し、前記レベルシフトシグナルが前記第一電源と前記第二電源とに依存する、レベルシフター。 - 前記第一昇圧回路及び前記第二昇圧回路はいずれも、
第一ソース、第一ゲート及び第一ドレインを有し、前記第一ソースは電源に接続される第一トランジスタ、
第二ソース、第二ゲート及び第二ドレインを有し、前記第二ドレインは前記第一ドレインに接続され、前記第二ソースは接地され、前記第二ゲートと前記第一ゲートは入力シグナルを受け取る第二トランジスタ、
第一端子と第二端子を有し、制御シグナルに制御されそのキャパシタンスを変えることにより、その放電時間を変え、前記第一端子は前記第二ドレインと前記第一ドレインに接続されるコンデンサ、
第三ソース、第三ゲート及び第三ドレインを有し、前記第三ソースは前記電源に接続され、前記第三ゲートはシグナル出力端子に接続される第三トランジスタ、
第四ソース、第四ゲート及び第四ドレインを有し、前記第四ゲートは前記入力シグナルを受け取り、前記第四ソースと前記第三ドレインは前記コンデンサの前記第二端子に接続され、前記第四ドレインは前記シグナル出力端子に接続される第四トランジスタ、及び
第五ソース、第五ゲート及び第五ドレインを有し、前記第五ゲートは前記入力シグナルを受け取り、前記第五ドレインは前記シグナル出力端子に接続され、前記第五ソースは接地される第五トランジスタを含む昇圧回路である、請求項1に記載のレベルシフター。 - 前記コンデンサは第一コンデンサと第二コンデンサの並列接続を含み、前記第一コンデンサはスイッチ装置に接続され、且つ前記制御シグナルに基づいて、前記第一コンデンサを前記第二コンデンサと並列接続させるかどうかを決定する請求項2に記載のレベルシフター。
- 前記第一コンデンサと前記第二コンデンサはいずれもトランジスタより形成される請求項3に記載のレベルシフター。
- 前記スイッチはCMOS伝送ゲートである請求項3に記載のレベルシフター。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW095145330A TWI330922B (en) | 2006-12-06 | 2006-12-06 | Boost circuit and level shifter |
TW095145330 | 2006-12-06 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007187086A Division JP2008148544A (ja) | 2006-12-06 | 2007-07-18 | 昇圧回路とレベルシフター |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010279246A true JP2010279246A (ja) | 2010-12-09 |
JP5236699B2 JP5236699B2 (ja) | 2013-07-17 |
Family
ID=39497240
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007187086A Pending JP2008148544A (ja) | 2006-12-06 | 2007-07-18 | 昇圧回路とレベルシフター |
JP2010165853A Active JP5236699B2 (ja) | 2006-12-06 | 2010-07-23 | レベルシフター |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007187086A Pending JP2008148544A (ja) | 2006-12-06 | 2007-07-18 | 昇圧回路とレベルシフター |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20080136487A1 (ja) |
JP (2) | JP2008148544A (ja) |
TW (1) | TWI330922B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200525869A (en) * | 2004-01-28 | 2005-08-01 | Renesas Tech Corp | Switching power supply and semiconductor IC |
KR100815177B1 (ko) * | 2006-07-20 | 2008-03-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치 |
US20080297224A1 (en) * | 2007-06-01 | 2008-12-04 | Texas Instruments Incorporated | Minimizing Static Current Consumption While Providing Higher-Swing Output Signals when Components of an Integrated Circuit are Fabricated using a Lower-Voltage Process |
TWI433439B (zh) * | 2011-03-07 | 2014-04-01 | Au Optronics Corp | 直流/直流升壓轉換器 |
US8816748B2 (en) | 2012-06-12 | 2014-08-26 | Lsi Corporation | Jitter reduction in high speed low core voltage level shifter |
US8873270B2 (en) * | 2012-12-14 | 2014-10-28 | Palo Alto Research Center Incorporated | Pulse generator and ferroelectric memory circuit |
KR102048254B1 (ko) * | 2013-04-11 | 2020-01-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 데이터 출력 회로 및 그의 구동 방법 |
US9800246B2 (en) * | 2015-09-18 | 2017-10-24 | Qualcomm Incorporated | Level shifter applicable to low voltage domain to high voltage domain conversion |
CN108736878B (zh) | 2017-04-13 | 2022-01-25 | 华邦电子股份有限公司 | 电压电平移位器 |
CN112286276B (zh) * | 2020-11-05 | 2022-04-05 | 中国电子科技集团公司第十四研究所 | 一种基于mos管的正负压控制电路 |
CN115240597B (zh) * | 2022-09-20 | 2023-01-10 | 惠科股份有限公司 | 像素电路、显示面板及显示装置 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH044609A (ja) * | 1990-04-23 | 1992-01-09 | Nec Corp | 出力バッファ回路 |
JPH08330938A (ja) * | 1995-06-02 | 1996-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レベルシフト回路 |
JP2000324805A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-11-24 | Silicon Storage Technology Inc | チャージポンプ回路 |
JP2001273784A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | 昇圧回路および半導体記憶装置 |
JP2002051538A (ja) * | 2000-05-24 | 2002-02-15 | Toshiba Corp | 電位検出回路及び半導体集積回路 |
US6356137B1 (en) * | 2000-06-26 | 2002-03-12 | Fairchild Semiconductor Corporation | Voltage boost circuit with low power supply voltage |
JP2002100193A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Toshiba Microelectronics Corp | 昇圧回路 |
US20020153934A1 (en) * | 2001-04-18 | 2002-10-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | On-chip system with voltage level converting device for preventing leakage current due to voltage level difference |
JP2003249076A (ja) * | 2002-02-21 | 2003-09-05 | Elpida Memory Inc | 昇圧電位発生回路及び制御方法 |
WO2004030191A1 (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-08 | Hitachi, Ltd. | 半導体集積回路装置 |
JP2006005826A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | レベルシフタ回路、表示装置の駆動回路、表示装置、及び階調選択回路のストレステスト方法 |
US20060186948A1 (en) * | 2004-12-16 | 2006-08-24 | Kelly Daniel F | Programmable clock booster system |
JP2006295322A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Nec Electronics Corp | レベルシフタ回路 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3457435A (en) * | 1965-12-21 | 1969-07-22 | Rca Corp | Complementary field-effect transistor transmission gate |
JPH07105447B2 (ja) * | 1988-12-15 | 1995-11-13 | 株式会社東芝 | 伝送ゲート |
JP4480968B2 (ja) * | 2003-07-18 | 2010-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
TWI268662B (en) * | 2005-06-29 | 2006-12-11 | Sunplus Technology Co Ltd | Level shifter circuit |
US7218165B1 (en) * | 2005-12-27 | 2007-05-15 | Ememory Technology Inc. | Boost circuit |
JP2008271389A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 出力回路及び多出力回路 |
-
2006
- 2006-12-06 TW TW095145330A patent/TWI330922B/zh active
-
2007
- 2007-03-27 US US11/727,556 patent/US20080136487A1/en not_active Abandoned
- 2007-07-18 JP JP2007187086A patent/JP2008148544A/ja active Pending
-
2008
- 2008-08-19 US US12/194,348 patent/US7659767B2/en active Active
-
2010
- 2010-07-23 JP JP2010165853A patent/JP5236699B2/ja active Active
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH044609A (ja) * | 1990-04-23 | 1992-01-09 | Nec Corp | 出力バッファ回路 |
JPH08330938A (ja) * | 1995-06-02 | 1996-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レベルシフト回路 |
JP2000324805A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-11-24 | Silicon Storage Technology Inc | チャージポンプ回路 |
JP2001273784A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | 昇圧回路および半導体記憶装置 |
JP2002051538A (ja) * | 2000-05-24 | 2002-02-15 | Toshiba Corp | 電位検出回路及び半導体集積回路 |
US6356137B1 (en) * | 2000-06-26 | 2002-03-12 | Fairchild Semiconductor Corporation | Voltage boost circuit with low power supply voltage |
JP2002100193A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Toshiba Microelectronics Corp | 昇圧回路 |
US20020153934A1 (en) * | 2001-04-18 | 2002-10-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | On-chip system with voltage level converting device for preventing leakage current due to voltage level difference |
JP2003249076A (ja) * | 2002-02-21 | 2003-09-05 | Elpida Memory Inc | 昇圧電位発生回路及び制御方法 |
WO2004030191A1 (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-08 | Hitachi, Ltd. | 半導体集積回路装置 |
JP2006005826A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | レベルシフタ回路、表示装置の駆動回路、表示装置、及び階調選択回路のストレステスト方法 |
US20060186948A1 (en) * | 2004-12-16 | 2006-08-24 | Kelly Daniel F | Programmable clock booster system |
JP2006295322A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Nec Electronics Corp | レベルシフタ回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7659767B2 (en) | 2010-02-09 |
US20080136487A1 (en) | 2008-06-12 |
US20080303578A1 (en) | 2008-12-11 |
JP2008148544A (ja) | 2008-06-26 |
TW200826445A (en) | 2008-06-16 |
JP5236699B2 (ja) | 2013-07-17 |
TWI330922B (en) | 2010-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5236699B2 (ja) | レベルシフター | |
TWI693774B (zh) | 電源切換電路 | |
US7795946B2 (en) | Level shifter capable of improving current drivability | |
US7449933B2 (en) | Voltage level translator | |
US7439792B2 (en) | High voltage generation circuit and semiconductor device having the same | |
US6850090B2 (en) | Level shifter | |
CN100536303C (zh) | 升压电路与电压电平移位器 | |
US20180069552A1 (en) | Low power general purpose input/output level shifting driver | |
CN112416043A (zh) | 负压产生电路以及芯片 | |
US8742829B2 (en) | Low leakage digital buffer using bootstrap inter-stage | |
US8143939B2 (en) | Charge pump driving circuit and charge pump system | |
CN108880233B (zh) | 一种电荷泵电路 | |
JP2019213449A (ja) | 基本セル及びこのような基本セルを備えるチャージポンプ | |
US20080018375A1 (en) | Level shifter | |
US7821329B2 (en) | Pumping voltage generating circuit and semiconductor memory apparatus using the same | |
CN107317578B (zh) | 电压准位移位电路 | |
CN114420175A (zh) | 供电电路及非挥发存储器芯片 | |
JP6666105B2 (ja) | 半導体装置および選択回路 | |
US8963583B2 (en) | Voltage level converter and RF switching driver apparatus using the same | |
JP4707485B2 (ja) | チャージポンプ回路 | |
CN111654070B (zh) | 切换光传感器单元控制电压的方法、切换电路和光传感器 | |
CN219372408U (zh) | 一种上电复位电路和集成电路 | |
CN221151348U (zh) | 高压电平位移电路以及dc-dc芯片 | |
CN110620578B (zh) | 电压电平移位电路 | |
JP2020025231A (ja) | クロック波高値ブースト回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120626 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120926 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130312 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130327 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5236699 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160405 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |