JP2010266492A - 画素回路、表示装置、画素回路の駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画素回路を、発光素子1と、ドレイン・ソース間に駆動電圧が印加されることで発光素子1に対してゲート・ソース間に与えられた信号値に応じた電流印加を行う駆動トランジスタTdと、駆動トランジスタTdのゲート・ソース間に直列に接続された容量C1,C2と、駆動トランジスタTdのゲートと信号線DTLとの間に接続されたサンプリングトランジスタTspと、容量C1,C2の接続点Aに信号線DTLの電位を供給可能に接続されたスイッチングトランジスタTswと、駆動トランジスタTdのゲートと容量C1,C2の接続点Aとの間に接続され、発光素子1の発光光量に応じた電流量の電流を流す光検出素子D1を備えた構成とする。
【選択図】図2
Description
なお、ここでは1つの画素回路しか示していないが、実際の表示装置では、図示するような画素回路がm×nのマトリクス状に配列され、各画素回路が水平セレクタ101、ライトスキャナ102により選択されて駆動されるものである。
駆動トランジスタTd及び有機EL素子1は、電源電位Vccと接地電位の間で直列に接続されている。またサンプリングトランジスタTs及び保持容量Csは、駆動トランジスタTdのゲートに接続されている。駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧をVgsで表わしている。
書込制御線WSLを非選択状態とすると、信号線DTLと駆動トランジスタTdとは電気的に切り離されるが、駆動トランジスタTdのゲート電位は保持容量Csによって安定に保持される。そして電源電位Vccから接地電位に向かって駆動電流Idsが駆動トランジスタTd及び有機EL素子1に流れる。
このとき電流Idsは、駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧Vgsに応じた値となり、有機EL素子1はその電流値に応じた輝度で発光する。
つまりこの画素回路の場合、保持容量Csに信号線DTLからの信号値電位を書き込むことによって駆動トランジスタTdのゲート印加電圧を変化させ、これにより有機EL素子1に流れる電流値をコントロールして発色の階調を得る。
Ids=(1/2)・μ・(W/L)・Cox・(Vgs−Vth)2・・・(式1)
但し、Idsは飽和領域で動作するトランジスタのドレイン・ソース間に流れる電流、μは移動度、Wはチャネル幅、Lはチャネル長、Coxはゲート容量、Vthは駆動トランジスタTdの閾値電圧を表している。
この式1から明らかな様に、飽和領域ではトランジスタのドレイン電流Idsはゲート・ソース間電圧Vgsによって制御される。駆動トランジスタTdは、ゲート・ソース間電圧Vgsが一定に保持される為、定電流源として動作し、有機EL素子1を一定の輝度で発光させることができる。
光検出素子D1は、光を検出するとその電流が増加する。また、電流の増加量は光検出素子D1に入射する光量によって変化する。この場合、光検出素子D1は有機EL素子1の発光光量に応じた電流を流すものとされる。
白表示のまま、一定時間経過後に有機EL素子1の効率の低下等によって発光輝度が低下した場合を考える。この場合、図11(b)のように、発光輝度の低下によって光検出素子D1に入射する光量は低下し、固定電源から駆動トランジスタTdのゲートへ流入する電流値は小さくなる。このため、駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧は大きくなり、有機EL素子1に流れる電流は大きくなる。
その結果、発光輝度が劣化しても、光検出素子D1によって有機EL素子1に流れる電流量を調整する動作が行われることになり、有機EL素子1の効率変化に起因する焼き付きを軽減している。例えば図10(b)のように焼き付きが軽減される。
図12は、図11に示した画素回路のpチャネルTFTである駆動トランジスタTdをnチャネルTFTに置き換えた構成を示している。
これは、保持容量Csを駆動トランジスタTdのゲート・ソース間に接続している。また、ドライブスキャナ103により電源制御線DSLに、駆動電圧Vccと初期電圧Vssを交互に与える構成とされている。つまり、駆動トランジスタTdに所定タイミングで駆動電圧Vccと初期電圧Vssを与える構成である。
光検出素子D1は、駆動トランジスタTdと固定電源V1の間に接続されている。固定電源Vlは発光時の駆動トランジスタTdのゲート電位よりも低電位である必要があり、例えばカソード電位Vcatであることが望ましい。
図12の画素回路は、駆動トランジスタTdの閾値電圧Vthや移動度μのバラツキについても対策されている。
駆動タイミングとしては、書込制御線WSLを介してライトスキャナ102によってサンプリングトランジスタTsのゲートに与えられる走査パルスWSと、電源制御線DSLを介してドライブスキャナ103から供給される電源パルスDSを示している。
また、DTL入力信号として、水平セレクタ101によって信号線DTLに与えられる電位を示す。当該電位は信号値Vsig及び基準値Vofsとしての電位となる。
まず、図13のt10時点までは、前フレーム期間の発光が行われている。この発光状態は図14(a)のように電源制御線DSLの電源パルスDS=駆動電位Vccとされており、サンプリングトランジスタTsがオフした状態である。
この時駆動トランジスタTdは飽和領域で動作するように設定されているため、有機EL素子1に流れる電流Idsは、駆動トランジスタTdのゲートソース間電圧Vgsに応じて上記式1に示される値をとる。
また、光検出素子D1は有機EL素子1の発光に応じて駆動トランジスタTdのゲートから固定電源V1へ電流Ibを流し、駆動トランジスタTdのゲート電位を変化させている。
この時、駆動トランジスタTdのソース電位Vsが有機EL素子1の閾値Vthelとカソード電圧Vcatの和よりも小さい時、つまりVs<Vthel+Vcatであれば有機EL素子1は消光し、電源制御線DSLが駆動トランジスタTdのソースとなる。この時、有機EL素子1のアノードは初期電位Vssに充電される。
この時(時点t12〜t13)、駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧はVofs−Vssという値をとる。このVofs−VssがT2の閾値電圧Vthよりも大きくないと閾値補正動作を行うことができないために、Vofs−Vss>Vthとする必要がある。ここで光検出素子D1は駆動トランジスタTdのゲートと固定電源V1間に電流を流すが、有機EL素子1が発光しておらず、且つ光検出素子D1はオフ領域で動作していれば駆動トランジスタTdのゲートには殆ど影響を及ぼさない。
このとき、有機EL素子1のアノード電圧Vel(つまり駆動トランジスタTdのソース電圧)は、時間と共に図15(b)のように上昇してゆく。
一定時間経過後、駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧はVthという値をとる。この時、Vel=Vofs−Vth≦Vcat+Vthelとなっている。以上の動作が図13のt13〜t14の期間に行われ、t14時点でサンプリングトランジスタTsをオフして閾値補正動作を完了する(図15(c))。
駆動トランジスタTdのゲート電位は、サンプリングトランジスタTsをオンしているために信号値Vsigとなるが、電源制御線DSLに駆動電位Vccが与えられていることで電流が流れるため、ソース電位は時間とともに上昇してゆく。このとき駆動トランジスタTdのソース電圧が有機EL素子1の閾値電圧Vthelとカソード電圧Vcatの和を越えなければ(有機EL素子1のリーク電流が駆動トランジスタTdに流れる電流よりもかなり小さければ)、駆動トランジスタTdの電流は容量Cs、Celを充電するのに使用される。
ここでも光検出素子D1は駆動トランジスタTdのゲートと固定電源V1間に電流を流すが、有機EL素子1が発光しておらず、且つ光検出素子D1としてのダイオードはオフ領域で動作していれば、駆動トランジスタTdのゲートには殆ど影響を及ぼさない。
時点t17以降の発光期間では、光検出素子D1は、有機EL素子1の発光に応じて駆動トランジスタTdのゲートから固定電源間に電流Ibを流し、ゲート・ソース間電圧Vgsを変化させ、有機EL素子1に流れる電流Ids’を調整することになる。
このように駆動トランジスタTdの閾値電圧や移動度のバラツキによってゲート電位が変動することは、光検出素子D1の動作点が変化してしまうことを意味する。すると光検出素子D1による調整動作が画素毎にバラつき、結果として表示画像にムラやザラが表れるという問題が生じてしまう。
上記スイッチングトランジスタは、上記2つの容量の接続点と上記信号線との間に接続されている。
或いは上記スイッチングトランジスタは、上記2つの容量の接続点と上記駆動トランジスタのゲートとの間に接続されている。
或いは、上記駆動トランジスタのゲートと上記第1,第2の容量の接続点との間には、上記光検出素子と検出期間制御用トランジスタが直列接続されている。
また、駆動トランジスタのゲートと第1,第2の容量の接続点との間に、光検出素子と検出期間制御用トランジスタを直列接続することで、検出期間制御用のトランジスタのオン/オフにより、光検出期間を自由に設定することができる。例えば焼き付き補正が過剰にかかってしまうことを防ぐことなどが可能となる。
[1.表示装置の構成]
[2.第1の画素回路の構成]
[3.画素回路動作]
[4.第2の画素回路構成]
[5.第3の画素回路構成]
図1に実施の形態の有機EL表示装置の構成を示す。
この有機EL表示装置は、有機EL素子を発光素子とし、アクティブマトリクス方式で発光駆動を行う画素回路10を含むものである。
図示のように、有機EL表示装置は、多数の画素回路10が列方向と行方向(m行×n列)にマトリクス状に配列された画素アレイ20を有する。なお、画素回路10のそれぞれは、R(赤)、G(緑)、B(青)のいずれかの発光画素となり、各色の画素回路10が所定規則で配列されてカラー表示装置が構成される。
また水平セレクタ11により選択され、表示データとしての輝度信号の信号値(階調値)に応じた電圧を画素回路10に供給する信号線DTL1、DTL2・・・が、画素アレイ上で列方向に配されている。信号線DTL1、DTL2・・・は、画素アレイ20においてマトリクス配置された画素回路10の列数分だけ配される。
書込制御線WSLb(WSLb1,WSLb2・・・)はライトスキャナ14により駆動される。ライトスキャナ14は、設定された所定のタイミングで、行状に配設された各書込制御線WSLb1,WSLb2・・・に順次、走査パルスWSb(WSb1,WSb2・・・)を供給して、画素回路10の動作を制御する。
電源制御線DSL(DSL1,DSL2・・・)はドライブスキャナ12により駆動される。ドライブスキャナ12は、ライトスキャナ13による線順次走査に合わせて、行状に配設された各電源制御線DSL1,DSL2・・・に駆動電位(Vcc)、初期電位(Vss)の2値に切り替わる電源電圧としての電源パルスDS(DS1,DS2・・・)を供給する。
なおドライブスキャナ12,ライトスキャナ13、14は、クロックck及びスタートパルスspに基づいて、走査パルスWSa、WSb、電源パルスDSのタイミングを設定する。
図2に画素回路10の構成例を示している。この画素回路10が、図1の構成における画素回路10のようにマトリクス配置される。なお、図2では簡略化のため、信号線DTLと書込制御線WSLa、WSLb及び電源制御線DSLが交差する部分に配される1つの画素回路10のみを示している。
画素回路10の発光素子は例えばダイオード構造の有機EL素子1とされ、アノードとカソードを備えている。有機EL素子1のアノードは駆動トランジスタTdのソースに接続され、カソードは所定の配線(カソード電位Vcat)に接続されている。
サンプリングトランジスタTspは、そのドレインとソースの一端が信号線DTLに接続され、他端が駆動トランジスタTdのゲートに接続される。またサンプリングトランジスタTspのゲートは第1の書込制御線WSLaに接続されている。
駆動トランジスタTdのドレインとソースは、一端が電源制御線DSLに接続され、他端が有機EL素子1のアノードに接続されている。
スイッチングトランジスタTswは、そのドレインとソースの一端が信号線DTLに接続され、他端が容量C1,C2の接続点(A点)に接続されている。またスイッチングトランジスタTswのゲートは第2の書込制御線WSLbに接続されている。
この光検出素子D1は一般的にはPINダイオードやアモルファスシリコンを用いて作成されるが、光によってその電流量を変化させる素子であれば上記のものに限らず使用することができる。本例では例えばトランジスタのダイオード接続で構成されているものとする。
この光検出素子D1は、有機EL素子1で発光される光を検出するように配置されている。そして検出光量に応じて、その電流が増減する。具体的には有機EL素子1の発光光量が多ければ電流増加量は大きく、少なければ電流増加量は小さくなる。
信号線DTLに信号電位Vsigが印加されたタイミングで、サンプリングトランジスタTspが書込制御線WSLaを介してライトスキャナ13から与えられる走査パルスWSaによって導通される。これにより信号線DTLからの信号値電位Vsigが駆動トランジスタTdのゲートに印加される。この場合、容量C1,C2で保持されている駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧に信号値電位Vsigを加えることになる。
駆動トランジスタTdは、ドライブスキャナ12によって駆動電位Vccが与えられている電源制御線DSLからの電流供給により、ゲート・ソース間電圧に応じた電流を有機EL素子1に流し、有機EL素子1を発光させる。
駆動トランジスタTdは飽和領域で動作することで有機EL素子1に対して定電流源として機能し、ゲート・ソース間電圧Vgsに応じた電流を有機EL素子1に流す。これによって有機EL素子1では、階調値に応じた輝度の発光が行われる。
上記のように光検出素子D1は、有機EL素子1の発光光量により電流が増減する。
即ち有機EL素子1の発光光量に応じて、光検出素子D1は容量C1の一方の端子から他方の端子へ電流を流す。ここで有機EL素子1の効率の低下等によって発光輝度が低下すると、光検出素子D1に入射する光量は低下し、容量C1の一方の端子から他方の端子へ流す電流量が低下する。これによって駆動トランジスタTdのゲート電位を変化させる。具体的には、駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧が大きくなり、有機EL素子1に流れる電流は大きくなる。
ここで本実施の形態では、焼き付きの軽減とともに、駆動トランジスタTdの閾値電圧や移動度のバラツキによって光検出素子D1の動作点が変化してしまわないようにするものである。以下、画素回路10の動作を詳しく説明する。
図3では、第1の書込制御線WSLaを介してライトスキャナ13によってサンプリングトランジスタTspのゲートに与えられる走査パルスWSaを示している。
また第2の書込制御線WSLbを介してライトスキャナ14によってスイッチングトランジスタTswのゲートに与えられる走査パルスWSbを示している。
また電源制御線DSLを介してドライブスキャナ12から供給される電源パルスDSを示している。電源パルスDSとしては駆動電圧Vcc又は初期電圧Vssが与えられる。
また、DTL入力信号として、水平セレクタ11によって信号線DTLに与えられる電位を示している。当該電位は信号値Vsig及び基準値Vofsによる電位となる。
さらに点線によりA点(容量C1,C2の接続点)の電位変化も示している。
図4,図5における等価回路は、この図3の動作過程を示すものである。
また、光検出素子D1は有機EL素子1の発光に応じて容量C1の一方の端子から他方の端子へ電流Ibを流し、駆動トランジスタTdのゲート電位を変化させ、有機EL素子1の劣化に対する調整動作が行われている。
時点t0では、ドライブスキャナ12が電源制御線DSLを初期電圧Vssとする。
初期電圧Vssは、有機EL素子1の閾値Vthelとカソード電圧Vcatの和よりも小さく設定されている。つまりVss<Vthel+Vcatである。これにより有機EL素子1は消光し、図4(b)のように、電源制御線DSLが駆動トランジスタTdのソースとなる。この時、有機EL素子1のアノードは初期電圧Vssに充電される。図3でいえば、駆動トランジスタTdのソース電圧は初期電圧Vssまで低下する。
これによって図4(c)に示すように、駆動トランジスタTdのゲート電位、及びA点が基準値Vofsの電位とされる。
なお光検出素子D1は、有機EL素子1が発光しておらず、且つ光検出素子D1はオフ領域で動作していれば駆動トランジスタTdのゲートには殆ど影響を及ぼさない。
この場合、信号線電位が基準値Vofsの時に、サンプリングトランジスタTsp及びスイッチングトランジスタTswをオンした状態で、電源制御線DSLの電源パルスDSが駆動電圧Vccとされる。
これにより有機EL素子1のアノードが駆動トランジスタTdのソースとなり、図5(a)のように電流が流れ、駆動トランジスタTdのソース電位は上昇を開始する。
そして一定時間経過後、駆動トランジスタTdのソース電圧はVofs−Vthという電位となる。その後、時点t4で、走査パルスWSa,WSbが立ち下がり、サンプリングトランジスタTsp及びスイッチングトランジスタTswがオフとなる。
即ち時点t6では、走査パルスWSaが立ち上がり、サンプリングトランジスタTspがオンとされる。なお、走査パルスWSbは変化せず、スイッチングトランジスタTswはオフのままである。
このとき電源制御線DSLに駆動電位Vccが与えられているため、駆動トランジスタTdは、ゲート・ソース間電圧Vgsに応じた電流を流し、ソース電圧を増加させる。
このとき駆動トランジスタTdのソース電圧が有機EL素子1の閾値電圧Vthelとカソード電圧Vcatの和を越えなければ(有機EL素子1のリーク電流が駆動トランジスタTdに流れる電流よりもかなり小さければ)、駆動トランジスタTdの電流は容量C2、Cel(有機EL素子1の寄生容量)を充電するのに使用される。
なお、ここでも、有機EL素子1が発光しておらず、且つ光検出素子D1はオフ領域で動作していれば、駆動トランジスタTdのゲートには殆ど影響を及ぼさない。
ここでΔVは、容量C1を通じて入力される駆動トランジスタTdのゲート変動量と、移動度補正時に容量C2を通じて入力される駆動トランジスタTdのソース変動量の和となる。
またΔVsは容量C2を通じて入力されるA点の電位変動量と移動度補正時のソース電圧の変動量の和となっている(図5(b))。
駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧は一定であるので、駆動トランジスタTdは一定電流Ids’を有機EL素子1に流す。有機EL素子1のアノード電圧は電流Ids’を有機EL素子1に流す電位Vxまで上昇し、有機EL素子1が発光することになる。
このとき、光検出素子D1は、有機EL素子1の発光光量に応じて容量C1の一方の端子から他方の端子へ電流Ibを流し、駆動トランジスタTdのゲート電位を変化させ、有機EL素子1に流れる電流Ids’を調整している。
なお、図5(c)において駆動トランジスタTdのゲート電圧はVsig+Va、A点電位はVofs+ΔV+Vaとしているが、Va≒Vx−Vofs+Vth−ΔVsである。
この実施の形態の画素回路10では、光検出素子D1は、容量C1の両端に接続されている。発光時における容量C1の両端の電位差はVsig−Vofs−ΔVとなる。つまり、光検出素子D1の両端の電位差には駆動トランジスタTdの閾値電圧Vthを含まない。これは光検出素子D1の両端電圧に対して、駆動トランジスタTdの閾値電圧Vthは影響を与えないことを意味する。
またΔVには移動度補正時に容量C2を通じて入力される駆動トランジスタTdのソース変動量の値が含まれており、これはソース電圧の変動量に対して一定の比率となるために移動度バラツキの差分に対しても、光検出素子D1の両端電圧は殆ど影響を受けない。
その結果、画素毎の光検出素子D1の動作点のバラツキに起因する電流のバラツキを軽減することができる。
これによって、画素毎のバラツキのない発光調整動作が実現され、焼き付き補正をより正確に行うことができ、ムラやザラといった画質不良が発生するのを防ぎ、均一な品質の良い画像を得ることができる。
本発明の実施の形態としての第2の画素回路10の構成例を図6に示す。なお、上記第1の画素構成と同一部分については重複説明を避ける。
この図6の場合、第1の画素回路構成と異なるのは、スイッチングトランジスタTswのソース・ドレインが光検出素子D1の両端に接続されていることである。
つまりスイッチングトランジスタTswは、2つの容量C1,C2の接続点と駆動トランジスタTdのゲートとの間に接続されている。
他の構成及び回路動作は、図2〜図5で上述したものと同様である。
実施の形態としての第3の画素回路構成を図7,図8で説明する。
図7の画素回路10は、図2と同様の構成に加え、駆動トランジスタTdのゲートと光検出素子D1間に検出期間制御用トランジスタTksを挿入したものである。
即ち駆動トランジスタTdのゲートと容量C1,C2の接続点との間には、光検出素子D1と検出期間制御用トランジスタTksが直列接続されている。
そして画素アレイ20には検出期間制御線PPLが行方向に各画素ライン毎に配設されており、検出期間制御スキャナ15が、各検出期間制御線PPLに検出期間制御パルスPPを与える構成とされる。
検出期間制御用トランジスタTksのゲートは、検出期間制御線PPLに接続されている。
これに加え、検出期間制御パルスPPが検出期間制御スキャナ15によって検出期間制御線PPLに与えられる。
図のように検出期間制御パルスPPは、非発光期間はLレベルであり、発光期間におけるta−tb期間(光検出期間)においてHレベルとなる。
つまり本例では、この光検出期間(ta−tb期間)にのみ、光検出素子D1による有機EL素子1の発光光量の調整動作が行われるものである。
従って、検出期間制御スキャナ15による検出期間制御パルスPPをHレベルとする期間長を設定することで、調整動作期間を任意に設定できることになる。もちろん調整動作期間を可変することも可能である。
Claims (11)
- 発光素子と、
ドレイン・ソース間に駆動電圧が印加されることで上記発光素子に対してゲート・ソース間に与えられた信号値に応じた電流印加を行う駆動トランジスタと、
上記駆動トランジスタのゲート・ソース間に直列に接続された第1,第2の容量と、
上記駆動トランジスタのゲートと所定の信号線との間に接続されたサンプリングトランジスタと、
上記第1,第2の容量の接続点に上記信号線の電位を供給可能に接続されたスイッチングトランジスタと、
上記駆動トランジスタのゲートと上記第1,第2の容量の接続点との間に接続され、上記発光素子の発光光量に応じた電流量の電流を流す光検出素子と、
を備えた画素回路。 - 上記スイッチングトランジスタは、上記2つの容量の接続点と上記信号線との間に接続されている請求項1に記載の画素回路。
- 上記スイッチングトランジスタは、上記2つの容量の接続点と上記駆動トランジスタのゲートとの間に接続されている請求項1に記載の画素回路。
- 上記駆動トランジスタのゲートと上記第1,第2の容量の接続点との間には、上記光検出素子と検出期間制御用トランジスタが直列接続されている請求項1に記載の画素回路。
- 上記光検出素子は、トランジスタのダイオード接続で構成されている請求項1に記載の画素回路。
- 複数の画素回路がマトリクス状に配置される画素アレイ上で、列状に配設される信号線と、
上記画素アレイ上で、それぞれ行状に配設される電源制御線、第1の書込制御線、第2の書込制御線と、
上記電源制御線、第1の書込制御線、第2の書込制御線を駆動するとともに、上記画素アレイの各画素回路に、上記信号線を介して信号値を与えて、各画素回路で信号値に応じた輝度の発光を行わせる発光駆動部と、
を備えるとともに、
上記信号線と走査線群が交差する部分にそれぞれ配置される画素回路は、
発光素子と、
ドレイン・ソース間に駆動電圧が印加されることで上記発光素子に対してゲート・ソース間に与えられた信号値に応じた電流印加を行う駆動トランジスタと、
上記駆動トランジスタのゲート・ソース間に直列に接続された第1,第2の容量と、
上記駆動トランジスタのゲートと信号線間に接続され、上記第1の書込制御線の電位によって導通制御されるサンプリングトランジスタと、
上記第1,第2の容量の接続点に上記信号線の電位を供給可能に接続されるとともに、上記第2の書込制御線の電位によって導通制御されるスイッチングトランジスタと、
上記駆動トランジスタのゲートと、上記第1,第2の容量の接続点との間に接続され、上記発光素子の光量に応じた電流を流す光検出素子と、
を備えている表示装置。 - 上記発光駆動部は、
上記画素アレイ上で列状に配設される各信号線に、上記信号値及び基準値としての電位を供給する信号セレクタと、
上記画素アレイ上で行状に配設される各第1の書込制御線を駆動して、上記信号線の電位を上記画素回路に導入させる第1の書込スキャナと、
上記画素アレイ上で行状に配設される各第2の書込制御線を駆動して、上記信号線の電位を上記画素回路に導入させる第2の書込スキャナと、
上記画素アレイ上で行状に配設される各電源制御線を用いて、上記画素回路の上記駆動トランジスタへの駆動電圧の印加を行う駆動制御スキャナと、
を備え、
上記画素回路は、1サイクルの発光動作として、
上記信号セレクタにより上記信号線に上記基準値としての電位が与えられている期間に、上記第1,第2の書込スキャナの制御により上記サンプリングトランジスタと上記スイッチングトランジスタが導通することで、上記駆動トランジスタのゲート電位と、上記第1,第2の容量の接続点が上記基準値に固定され、その状態で上記駆動制御スキャナによって、上記駆動トランジスタへの駆動電圧の印加が行われることで、上記駆動トランジスタの閾値補正動作が行われ、
さらに上記信号セレクタにより上記信号線に上記信号値としての電位が与えられている期間に、上記第1,第2の書込スキャナの制御により上記サンプリングトランジスタが導通され、かつ上記スイッチングトランジスタが非導通とされることで、上記信号値の書込及び上記駆動トランジスタの移動度補正動作が行われ、
上記信号値の書込及び移動度補正後に、上記駆動トランジスタのゲート・ソース電圧に応じた電流が上記発光素子に流れることで、上記信号値に応じた輝度による上記発光素子の発光が行われる請求項6に記載の表示装置。 - 上記スイッチングトランジスタは、上記2つの容量の接続点と上記信号線との間に接続されている請求項6に記載の表示装置。
- 上記スイッチングトランジスタは、上記2つの容量の接続点と上記駆動トランジスタのゲートとの間に接続されている請求項6に記載の表示装置。
- 上記画素アレイ上で、検出期間制御線が行状に配設され、
上記駆動トランジスタのゲートと上記第1,第2の容量の接続点との間には、上記光検出素子と、上記検出期間制御線の電位によって導通制御される検出期間制御用トランジスタとが直列接続されており、
上記発光駆動部には、上記画素アレイ上で行状に配設される各検出期間制御線を駆動して、上記光検出素子の動作期間を制御する検出期間制御スキャナがさらに備えられている請求項6に記載の表示装置。 - 発光素子と、
ドレイン・ソース間に駆動電圧が印加されることで上記発光素子に対してゲート・ソース間に与えられた信号値に応じた電流印加を行う駆動トランジスタと、
上記駆動トランジスタのゲート・ソース間に直列に接続された第1,第2の容量と、
上記駆動トランジスタのゲートと所定の信号線との間に接続されたサンプリングトランジスタと、
上記第1,第2の容量の接続点に上記信号線の電位を供給可能に接続されたスイッチングトランジスタと、
上記駆動トランジスタのゲートと上記第1,第2の容量の接続点との間に接続され、上記発光素子の発光光量に応じた電流量の電流を流す光検出素子と、
を備えた画素回路の駆動方法として、
1サイクルの発光動作期間に、
上記信号線に上記基準値としての電位が与えるとともに上記サンプリングトランジスタと上記スイッチングトランジスタを導通させることで、上記駆動トランジスタのゲート電位と、上記第1,第2の容量の接続点を上記基準値に固定し、
次に上記駆動トランジスタへ駆動電圧を印加して、上記駆動トランジスタの閾値補正動作を実行させ、
次に上記信号線に上記信号値としての電位を与えるとともに、上記サンプリングトランジスタを導通し、かつ上記スイッチングトランジスタを非導通とすることで、上記信号値の書込及び上記駆動トランジスタの移動度補正動作を実行させ、その後上記駆動トランジスタのゲート・ソース電圧に応じた電流が上記発光素子に流れることで、上記信号値に応じた輝度による上記発光素子の発光が行われるようにする画素回路の駆動方法。
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