JP2010251580A - 半導体装置の製造方法及び露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウエハ7上のレジスト膜8に対し、第1のパターンと第1のパターンよりも寸法の大きい第2のパターンを1ショットの露光対象として、第1の露光パラメータを用いて複数回ショットする工程と、第1のパターンに基づいて形成されるレジストパターンが所望の寸法となるようにレジスト膜8の加工処理を行う工程と、第2のパターンに基づいて形成されるレジストパターンの寸法を測定してウエハ7面内の寸法分布情報512を作成する工程と、複数の被ショット領域において、第2のパターンに基づいて形成されるレジストパターンの寸法が所望の寸法となるように、露光量以外の露光パラメータを含む第2の露光パラメータを決定する工程と、レジスト膜8に、第2の露光パラメータを用いて複数回ショットする工程と、加工条件で第2のレジストパターンを形成する工程と、を含む。
【選択図】図1
Description
(基板処理システムの構成)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る基板処理システムの概略図であり、図2(a)及び(b)は、本発明の第1の実施の形態に係る開口絞りの概略図である。
図7は、本発明の第1の実施の形態に係る露光条件に関する概略図である。
本実施の形態における半導体装置の製造方法及び露光装置によれば、以下の効果が得られる。
1 露光ショット70毎に露光パラメータ510を変えて露光を行うので、微細パターン領域72に含まれる第1の投影パターン720だけでなく、周辺回路パターン領域73に含まれる第2の投影パターン730の仕上り寸法を、同一の加工条件で、ウエハ7の全域で均一な寸法にすることができる。
2 露光量を単独で調整することで寸法のばらつきを修正する方法に比べて、第2の投影パターン730の仕上り寸法のばらつきをより正確に修正することができる。
本発明の第2の実施の形態は、ロットの先頭のウエハで、露光パラメータを算出し、以降のウエハに対しては、先頭のウエハで算出した露光パラメータを用いて露光する点において第1の実施の形態と異なっている。なお、以下の各実施の形態について、第1の実施の形態と同様の構成及び機能を有する部分については、同じ符号を付し、その説明は省略するものとする。
本実施の形態における半導体装置の製造方法及び露光装置によれば、ロットの先頭のウエハから露光パラメータ510を算出し、以降のウエハに対しては、この露光パラメータ510に基づいて露光を行うので、ウエハ毎に露光パラメータ510を算出する場合に比べて、スループットの低下を抑えることができる。
本発明の第3の実施の形態は、全ての露光ショット毎に露光パラメータを変えるのではなく、周囲の露光ショットと比べてしきい値以上の仕上り寸法になる露光ショットのみに対して露光パラメータを変える点で、第1及び第2の実施の形態と異なっている。
本実施の形態における半導体装置の製造方法及び露光装置によれば、補正対象の露光ショットに対してのみ、露光パラメータ510を算出して露光を行うので、露光ショット毎に、露光パラメータを変更して露光を行う場合に比べて、スループットが向上する。
Claims (5)
- ウエハ上に形成されたレジスト膜に対し、第1のパターンと前記第1のパターンよりも寸法の大きい第2のパターンを1ショットの露光対象として、第1の露光パラメータを用いて複数回ショットする工程と、
前記レジスト膜を加工した際に前記第1のパターンに基づいて形成されるレジストパターンが所望の寸法となるような加工条件を用いて前記レジスト膜の加工処理を行って、第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンのうち前記第2のパターンに基づいて形成されるレジストパターンの寸法を測定して前記ウエハ面内の寸法分布情報を作成する工程と、
ウエハ面内の複数の被ショット領域において、前記第1のレジストパターンのうち前記第2のパターンに基づいて形成されるレジストパターンの寸法が所望の寸法となるように、前記寸法分布情報から、露光量以外の露光パラメータを含む第2の露光パラメータを決定する工程と、
ウエハ上に形成されたレジスト膜に、前記第1及び第2のパターンを1ショットの露光対象として、前記第2の露光パラメータを用いて複数回ショットする工程と、
前記加工条件で前記レジスト膜を加工して第2のレジストパターンを形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 第2の露光パラメータを決定する工程では、前記第1のレジストパターンのうち前記第2のパターンに基づいて形成されるレジストパターンの寸法と設計値の誤差が所望値以上となった前記被ショット領域にショットする場合にのみ、前記第2の露光パラメータを決定し、前記第2の露光パラメータを用いてショットする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1のパターンは、メモリセルを構成する微細パターンであり、
前記第2のパターンは、前記メモリセルの周辺に形成された周辺回路パターンである請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2の露光パラメータは、デフォーカス量、デフォーカス範囲、照明形状、照明輝度分布、照明偏光状態、レンズ開口数、レンズ収差、レンズ瞳面透過率分布、露光レーザ波長バンド幅のいずれかについて、前記第1の露光パラメータから変更したものである請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 第1のパターンと前記第1のパターンよりも寸法の大きい第2のパターンを1ショットの露光対象として、第1の露光パラメータを用いて複数回ショットされたウエハ上のレジスト膜を、前記第1のパターンに基づいて加工形成されるレジストパターンが所望の寸法となるような加工条件を用いて加工形成される前記第2のパターンに基づくレジストパターンの前記ウエハ面内での寸法分布情報に基づいて、ウエハ面内の複数の被ショット領域において、前記第2のパターンに基づき前記加工条件を用いて形成されるレジストパターンの寸法が所望の寸法となるように、露光量以外の露光パラメータを含む第2の露光パラメータを決定する露光パラメータ決定手段を備えた露光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009100545A JP2010251580A (ja) | 2009-04-17 | 2009-04-17 | 半導体装置の製造方法及び露光装置 |
US12/721,310 US20100266960A1 (en) | 2009-04-17 | 2010-03-10 | Method of manufacturing semiconductor device and exposure device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009100545A JP2010251580A (ja) | 2009-04-17 | 2009-04-17 | 半導体装置の製造方法及び露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010251580A true JP2010251580A (ja) | 2010-11-04 |
Family
ID=42981236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009100545A Abandoned JP2010251580A (ja) | 2009-04-17 | 2009-04-17 | 半導体装置の製造方法及び露光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100266960A1 (ja) |
JP (1) | JP2010251580A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015108015A1 (ja) * | 2014-01-20 | 2015-07-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 露光装置、レジストパターン形成方法及び記憶媒体 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI753865B (zh) * | 2015-11-03 | 2022-02-01 | 以色列商奧寶科技有限公司 | 用於高解析度電子圖案化的無針跡直接成像 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI252516B (en) * | 2002-03-12 | 2006-04-01 | Toshiba Corp | Determination method of process parameter and method for determining at least one of process parameter and design rule |
-
2009
- 2009-04-17 JP JP2009100545A patent/JP2010251580A/ja not_active Abandoned
-
2010
- 2010-03-10 US US12/721,310 patent/US20100266960A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015108015A1 (ja) * | 2014-01-20 | 2015-07-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 露光装置、レジストパターン形成方法及び記憶媒体 |
JP2015156472A (ja) * | 2014-01-20 | 2015-08-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 露光装置、レジストパターン形成方法及び記憶媒体 |
US10101669B2 (en) | 2014-01-20 | 2018-10-16 | Tokyo Electron Limited | Exposure apparatus, resist pattern forming method, and storage medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100266960A1 (en) | 2010-10-21 |
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