JP5289343B2 - 露光量決定方法、半導体装置の製造方法、露光量決定プログラムおよび露光量決定装置 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、マスク(フォトマスク)のマスクパターンの平面形状(寸法、大きさ、面積など)を実験または計算よって取得し、取得結果に基づいてウェハなどの基板上に形成されるパターンのパターン形状を予測する。そして、ウェハ上に形成されるであろうと予測されたパターンのパターン形状と、目標形状との間のずれ量を補正するための露光量マップ(露光量を補正するためのショット内の露光量補正量分布)を作成する。この後、作成した露光量マップを用いてウェハへの露光を行なうことにより、ウェハ上に所望のパターン形状(2次元形状パラメータ)を有したパターンを形成する。
つぎに、図5〜図8を用いてこの発明の第2の実施の形態について説明する。第2の実施の形態では、マスクパターン形状の誤差(マスクパターンマップm1)に基づいて、露光量補正量を設定する。なお、以下ではマスクパターン形状の誤差と最適露光量補正量との相関関係を用いて露光量マップm3を導出する場合について説明するが、マスクパターン形状の誤差と最適露光量との相関関係を用いて露光量マップm3を導出してもよい。
Claims (7)
- マスク上に形成されるマスクパターンと所望のマスクパターンとの間の二次元形状パラメータのずれ量分布を、マスクパターンマップとして取得するマスクパターンマップ取得ステップと、
前記マスクを露光ショットして基板上にパターンを形成した場合に形成される基板上パターンと所望の基板上パターンとの間の二次元形状パラメータのずれ量が所定の範囲内に収まるよう、前記マスクパターンマップに基づいて、前記露光ショット内での位置毎に露光量を決定する露光量決定ステップと、
を含むことを特徴とする露光量決定方法。 - マスクパターンを有するマスクを所定の露光量で露光ショットして基板上にパターンを形成した場合に形成される基板上パターンと所望の基板上パターンとの間の二次元形状パラメータのずれ量分布を、基板上パターンマップとして取得する基板上パターンマップ取得ステップと、
前記基板上パターンと所望の基板上パターンとの間の二次元形状パラメータのずれ量が所定の範囲内に収まるよう、前記基板上パターンマップを用いて、前記基板上パターンを形成する際の前記ショット内での位置毎に露光量を補正する補正ステップと、
を含むことを特徴とする露光量決定方法。 - 前記二次元形状パラメータは、パターンの面積、周囲長、縦方向と横方向の寸法及び縦横寸法比のいずれか一つを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の露光量決定方法。
- 前記マスクパターンマップは、前記マスク上に形成されるマスクパターンの形状を前記マスクのマスクデータを用いて算出するプロセスシミュレーションによって算出され、
前記プロセスシミュレーションは、前記マスクパターンを形成する際に生じる前記ショット内での系統的なマスクパターンの寸法分布および前記ショット内での前記マスクパターンの疎密に依存するマスクパターンの寸法差の少なくとも一方を考慮したシミュレーションであることを特徴とする請求項1に記載の露光量決定方法。 - 請求項1または2記載の露光量決定方法により決定された露光量に基づき、前記マスクを露光して基板上にパターンを形成する半導体装置の製造方法。
- マスク上に形成されるマスクパターンと所望のマスクパターンとの間の二次元形状パラメータのずれ量分布に基づいて、前記マスクを露光ショットして基板上にパターン形成した場合に形成される基板上パターンと所望の基板上パターンとの間の二次元形状パラメータのずれ量が所定の範囲内に収まるよう、前記ショット内での位置毎に露光量を決定する露光量決定ステップを、コンピュータに実行させることを特徴とする露光量決定プログラム。
- マスク上に形成されるマスクパターンと所望のマスクパターンとの間の二次元形状パラメータのずれ量分布に基づいて、前記マスクを露光ショットして基板上にパターン形成した場合に形成される基板上パターンと所望の基板上パターンとの間の二次元形状パラメータのずれ量が所定の範囲内に収まるよう、前記ショット内での位置毎に露光量を決定する露光量決定装置。
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