JP2010212738A - 窒化物系共振器半導体構造の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】窒化物系共振器半導体構造の両側に分布型ブラッグ反射器（ＤＢＲ）を設ける。
【解決手段】第１の分布型ブラッグ反射器１２２を有する窒化物系共振器半導体構造１４０がサファイア基板上に設けられ、第１の分布型ブラッグ反射器１２２に第２の基板１２８が結合され、レーザアシスト・エピタキシャル・リフトオフによってサファイア基板が除去され、ＶＣＳＥＬ構造の、第１の分布型ブラッグ反射器１２２とは反対側に、第２のブラッグ反射器１４２が設けられる。
【選択図】図１

Description

本発明は、一般的には、窒化物系半導体構造に関し、詳細には、半導体構造を第１の基板から第２の基板へと移し、窒化物系共振器半導体構造の両側に分布型ブラッグ反射器（ＤＢＲ）を設けることを可能にするための、レーザアシスト・エピタキシャル・リフトオフによる、窒化物系共振器半導体構造の製造方法に関する。
平面多層半導体構造は、分布型ブラッグ反射器を構成する半導体層が両側に結合された、１つ以上の活性半導体層を有することが可能である。活性半導体層の両側の分布型ブラッグ反射器は、ミラーとして機能する、交互する高屈折率と低屈折率の１／４波長の厚さの半導体又は誘電層から構成される。両側の分布型ブラッグ反射器の間に活性半導体層を含む多層半導体層は、半導体構造内で光を放出及び吸収する共振器を構成する。共振器内の活性半導体層は、発光ダイオード（ＬＥＤ）若しくは垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）として光を放出、または光検出器（ＰＤ）として光を吸収する。
この構造において、活性層の一方の側の半導体層には、移動電子が過剰となるように不純物がドーピングされている。過剰な電子を有するこれらの層は、ｎ型（即ちネガティブ）と呼ばれる。この構造において、活性層の他方の側の半導体層には、移動電子が欠乏するように不純物がドーピングされており、正孔と呼ばれる、正に荷電された過剰なキャリアが生じる。過剰な正孔を有するこれらの層は、ｐ型（即ちポジティブ）と呼ばれる。
層構造のｐ側とｎ側との間に、順方向にバイアスされた電位が電極を介して与えられることにより、正孔または電子、または両方を、平面層に対して垂直な方向に駆動してｐ−ｎジャンクションを横断させることで、それらを活性層に"注入"し、そこで電子が正孔と再結合して発光する。発光ダイオードは、共振器から、ＤＢＲの１つを通り半導体構造の上面又は下面を通して光を放出する。レーザでは、両側のＤＢＲによって与えられる光学フィードバックにより、放出された光の一部を共振器内で共振させ、ＤＢＲの１つを通り半導体レーザ構造の上面又は下面を通して、コヒーレントな"レージング"の増幅された誘導放出を可能にする。
光検出器では、層構造のｐ側とｎ側との間に、逆方向にバイアスされた電位が電極を介して与えられる。光検出器は、共振器の活性層に光を吸収することにより、活性層からの電子/正孔の対が集められて光電流を構成する。
III族窒化物半導体、又はIII-V族半導体としても知られる窒化物系半導体は、周期表のIII族から選択されるＡｌ、Ｇａ及びＩｎ等の元素と、V族の元素Ｎとを有する。窒化物系半導体は、窒化ガリウム（ＧａＮ）等の二元性化合物であってもよく、窒化ガリウムアルミニウム（ＡｌＧａＮ）または窒化アルミニウムインジウム（ＩｎＧａＮ）の三元合金、及び窒化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌＧａＩｎＮ）等の四元合金であってもよい。これらの材料を基板上に付着させて、光電子デバイス用途の発光器として使用可能な積層半導体構造を製造する。窒化物系半導体は、緑−青−紫−紫外スペクトルの短波長の可視光の発光に必要な広いバンドギャップを有する。
多くの用途では、半導体構造に用いられる従来の基板材料は、シリコン又はガリウム砒素であろう。しかし、ＧａＮ結晶構造は、ＧａＮの成長温度が高いと、高品質の窒化物半導体材料をＳｉやＧａＡｓ等の半導体基板上に直接付着させるのが非常に困難になる。
現在のところ、窒化物系半導体構造は、サファイアや炭化ケイ素等の異種基板上に薄膜ＧａＮ層をヘテロエピタキシャル成長させることを要する。
最もよく用いられる成長基板であるサファイアは、ＧａＮとサファイアとの間の格子及び熱膨張係数の不整合により、ＧａＮ層の品質に依然として制約を課す。これらの２つの材料の特性が全く異なることにより、薄膜ＧａＮ層/サファイア基板の境界面に、転位や積層欠陥等の欠陥が高密度で広がる。
湿式ケミカルエッチング、化学的−機械的研磨、又はレーザアシスト・リフトオフを含む、多くの基板分離技術を使用できる。湿式ケミカルエッチング及び化学的−機械的研磨は、元来時間がかかるプロセスであり、元の成長基板を除去するためには、材料の選択性が高い必要がある。ＧａＮ薄膜/サファイア基板系では、レーザアシスト・リフトオフ処理は、薬品を用いる方法と比べて幾つかの長所がある。レーザ処理は光学的な選択が可能であり、空間的な制御を有すると共に、比較的迅速なリフトオフ技術である。
基体分離技術を良好に実施するためには、技術そのものが、処理されるＧａＮ層の品質を劣化させてはならない。レーザ処理は、パルス照射中の急激な加熱及び冷却により、ＧａＮ層に熱弾性応力を与え、それによってＧａＮ層を破壊することがある。薄膜の破壊は、二方向の応力がかかったＧａＮ内の微視亀裂から生じる場合もあれば、ＧａＮ層全体への微視亀裂の伝搬を開始させる熱衝撃から生じる場合もある。
ヘテロエピタキシによってサファイア又はＧａＡｓ上に厚膜ＧａＮ層を付着させる場合に特有の問題は、基板分離技術に関わらず、ＧａＮ膜と基板との間の熱係数の不整合によって、サファイアでは圧縮応力、ＧａＡｓでは引張応力が内在することである。
ＧａＮ基板を作るための成長基板の除去の成功は、部分的には、成長したＧａＮ層の品質に左右される。ヘテロエピタキシに関係する難点のため、基板に必要な類の厚膜ＧａＮ層は、一般的に、レーザ・リフトオフ処理中に伝搬して増える可能性がある微視亀裂を有する。固有の残留応力とレーザ処理の熱弾性応力が組合わさると、ＧａＮウェハ領域全体にわたる亀裂の伝搬を生じさせる。亀裂が伝搬すると、ＧａＮに無制御の壊滅的な機械的不具合を生じるか、又は、少なくとも、輪郭のはっきりしない低品質のＧａＮ基板を生じる。
ＧａＮのＶＣＳＥＬの製造に特有の別の問題は、ＶＣＳＥＬのコヒーレント光の誘導放出に必要な、反射率の高いＡｌＧａＮ系分布型ブラッグ反射器（ＤＢＲ）を成長させるのが困難なことであり、ＶＣＳＥＬでは、ＤＢＲにおけるＡｌＧａＮ層のアルミニウムの最小含有量が光の自己吸収によって制限され、アルミニウムの最大含有量が格子の整合の制約によって制限される。
同様の問題が、長波長リン化インジウムＶＣＳＥＬにも害を及ぼすが、リン化物系レーザ構造の問題は、エッチングによって基板を貫通する孔を設け、誘電材料を気化してＤＢＲを構成することで解決できる。残念ながら、窒化物系構造に通常用いられる基板、即ちサファイアは、ドライエッチングやウェットエッチングが困難であるので、窒化物系レーザ構造の製造にこのバックエッチングの手順を用いることはできない。
特開２０００−２２８５６３号公報 特開平７-２０２１６２号公報
本発明の目的は、窒化物系共振器半導体構造の両側に分布型ブラッグ反射器（ＤＢＲ）を設けることである。
本発明によれば、第１の分布型ブラッグ反射器を有する窒化物系共振器半導体構造がサファイア基板上に設けられ、第１の分布型ブラッグ反射器に第２の基板が結合され、レーザアシスト・エピタキシャル・リフトオフによってサファイア基板が除去され、ＶＣＳＥＬ構造の、第１の分布型ブラッグ反射器とは反対側に、第２のブラッグ反射器が設けられる。窒化物系共振器半導体構造は、ＶＣＳＥＬ、ＬＥＤ、若しくは光検出器、又はこれらのデバイスを組み合わせたものの、いずれであってもよい。
以下、図面を参照する。図面には、本発明による、活性層の両側に分布型ブラッグ反射器（ＤＢＲ）を有する窒化物系共振器半導体構造が示されている。この窒化物系共振器半導体構造は、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）、若しくは光検出器、又はこれらのデバイスを組み合わせたものの、いずれであってもよい。当該技術分野で周知の、有機金属気相エピタキシ（ＯＭＶＰＥ）や水酸化物気相エピタキシ（ＨＶＰＥ）等の技術により、サファイア基板上に窒化ガリウム半導体層を成長させる。
図１では、ＯＭＶＰＥ成長は、一般的にサファイア基板１００上で行われる。基板１００は、Ｃ−面（０００１）又はＡ−面（１１２０）配向のサファイア（Ａｌ2Ｏ3）基板であってもよい。サファイア基板１００は、片面又は両面のエピタキシャル研磨が施され、一般的に厚さが２００μｍ〜１０００μｍ程度の、標準的な仕様のものである。
まず、サファイア基板１００上に、窒化ガリウム核生成層１０２を成長させる。次に、核生成層１０２上に、窒化ガリウム層１０４を成長させる。
成長中の基板の温度は、一般的に、約２００Åの薄膜ＧａＮ核生成層１０２については５５０℃であり、ＧａＮ層１０４については１０００℃〜１２００℃である。付着速度は、一般的に１μｍ/時間〜２０μｍ/時間程度である。厚膜ＧａＮ層１０４の深さは、一般的に６０μｍ〜３００μｍの間である。更に、反応炉の圧力は、５０Ｔｏｒｒ〜１５００Ｔｏｒｒ（６６７〜１９９９８４Ｐａ）の間に制御されてもよい。有機金属の前駆物質としては、III族の元素にはＴＭＧａ（トリメチルガリウム）又はＴＥＧａ（トリエチルガリウム）を用いてもよく、窒素源としてはＮＨ3（アンモニア）を用いてもよい。有機金属源のキャリアガスとしては、水素及び/又は窒素が用いられる。
当該技術分野で周知の、厚膜ＧａＮ層を成長させるための別の付着技術は、ＨＶＰＥである。ＨＶＰＥ成長も、一般的にサファイア基板上で行われる。基板１００は、Ｃ−面（０００１）又はＡ−面（１１２０）配向のサファイア（Ａｌ2Ｏ3）基板であってもよい。しかし、他の配向の基板を用いてもよい。成長中の基板の温度は、一般的に、薄膜ＧａＮ核生成層１０２については５００℃〜６００℃であり、厚膜ＧａＮ層１０４については１０００℃〜１２００℃である。付着速度は、一般的に１０μｍ/時間〜数百μｍ/時間程度である。III族の元素源としてはＧａＣｌが用いられ、これは液体ガリウム上にＨＣｌガスを流すことによって生成される。窒素源としてはＮＨ3（アンモニア）が用いられる。キャリアガスとしては、水素及び/又は窒素が用いられる。
原理的には、分子ビームエピタキシ（ＭＢＥ）のような他の付着方法を用いることもできるが、ＭＢＥの付着速度が比較的低いため、厚膜ＧａＮ層を成長させるのは困難となろう。上述した付着技術を組み合わせて用いてもよい。例えば、約１〜２μｍの深さを有する高品質のＧａＮ核生成層１０２を成長させるのに、ＯＭＶＰＥを用い、次に、核生成層１０２上に非常に厚いＧａＮ層１０４を成長させるのに、ＨＶＰＥを用いてもよい。
次に、ＧａＮバッファ層１０４上に、ＩｎＧａＮレーザ吸収層１０６を成長させる。犠牲層１０６の厚さは、一般的に１５００Å〜４０００Åの間である。
レーザ吸収層１０６上に、III-V窒化物コンタクト層１０８が形成される。III-V窒化物層１０８は、横方向ｎ型コンタクト兼電流拡散層として作用するｎ型ＧａＮ：Ｓｉ層である。コンタクト兼電流拡散層１０８の厚さは、一般的に約１μｍ〜約２０μｍである。
コンタクト層１０８上には、III-V窒化物クラッド層１１０が形成される。III-V窒化物層１１０は、ｎ型ＡｌＧａＮ：Ｓｉクラッド層である。クラッド層１１０の厚さは、一般的に約０．２μｍ〜約２μｍである。
III-V窒化物クラッド層１１０上には、III-V窒化物導波層１１２が形成され、次に、III-V窒化物量子井戸活性領域１１４が形成される。ｎ型ＧａＮ：Ｓｉ導波層１１２の厚さは、一般的に約５０ｎｍ〜約２００ｎｍである。量子井戸活性領域１１４は、少なくとも１つのＩｎＧａＮ量子井戸を有する。多量子井戸活性領域の場合には、個々の量子井戸の厚さは一般的に約１０Å〜約１００Åであり、一般的に約１０Å〜約２００Åの厚さを有するＩｎＧａＮまたはＧａＮ障壁層によって隔てられている。
量子井戸活性領域１１４上には、III-V窒化物導波層１１６が形成される。ｐ型ＧａＮ：Ｍｇ層１１６は、導波層として作用し、約５０ｎｍ〜約２００ｎｍの厚さを有する。
導波層１１６上には、III-V窒化物クラッド層１１８が形成される。ｐ型ＡｌＧａＮ：Ｍｇ層１１８は、クラッド及び電流閉込め層として作用する。III-V窒化物クラッド層１１８の厚さは、一般的に約０．２μｍ〜約１μｍである。
クラッド層１１８上には、III-V窒化物コンタクト層１２０が形成される。ｐ型ＧａＮ：Ｍｇ層１２０は、レーザヘテロ構造１００のｐ側と接触する最小抵抗金属電極用のｐ型コンタクト層を構成する。III-V窒化物コンタクト層１２０の厚さは、一般的に約１０ｎｍ〜２００ｎｍである。
ｐ型コンタクト層１２０上には、第１の分布型ブラッグ反射器１２２が形成される。第１の分布型ブラッグ反射器１２２は、６対の厚さが１/４波長の交互する二酸化シリコン（ＳｉＯ2）及び五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の誘電層を有する。或いは、ＤＢＲは、ＳｉＯ2/ＴｉＯ2若しくはＧａＮ/ＡｌＧａＮの交互層、又はアルミニウム含有量が異なるＡｌＧａＮの交互層を有してもよい。より高い反射率が望まれる場合は、ＤＢＲは６対を超える又は６対未満の交互層を有してもよい。しかし、光検出器の場合には、光の抽出を高めるために、対の数が少ない方が望ましいことがある。
第１の分布型ブラッグ反射器１２２上には、金Ａｕ層１２４が形成される。金の上層１２４の厚さは、一般的に２０ｎｍ〜２００ｎｍである。
金の上層１２４の上面１２６は、接着ボンド１３０を用いてシリコン（Ｓｉ）基板１２８に接着される。接着剤１３０は、シアノアクリレート系接着剤であってもよい。或いは、支持基板は、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、銅、又は任意の硬質材料であってもよい。接着剤は、薄膜接着剤、スピン・オン・ガラス（spin-on glass）、又は任意の適切なはんだであってもよい。金層１２４に接着される支持基板１２８として銅又は他の金属を用いると、良好な熱伝導性が得られる。
光の散乱を最小限にするために、サファイア基板１００の下面１３２は、非常に滑らかな表面仕上げになるまで研磨される。研磨は、一続きのダイヤモンドパッド（図示せず）を用いて機械的に行われる。研磨手順の間、ダイヤモンドのグリットのサイズは、約３０μｍから０．１μｍまで徐々に小さくされる。研磨後の一般的な二乗平均（ｒｍｓ）粗さは、約２０〜５０Åである。研磨は、支持基板への接着前に行われてもよい。
次に、図２に示されるように、紫外線エキシマレーザ１３４がレーザビーム１３６を放出し、レーザビーム１３６はサファイア基板１００を透過して、ＧａＮバッファ層１０４とＩｎＧａＮレーザ吸収層１０６との境界面１３８に達する。サファイア及び窒化ガリウムは、レーザが発する光の波長に対して透明である。エキシマレーザを適切に調節することにより、ＧａＮバッファ層１０４とＩｎＧａＮ犠牲層１０６との境界面１３８で、薄膜ＩｎＧａＮレーザ吸収層１０６を分解させることができる。
ＩｎＧａＮ層１０６は、サファイア基板及び窒化ガリウム層を通ったレーザビームの放射エネルギーにより、インジウム及びガリウムの金属並びに気体窒素へと分解される。ＩｎＧａＮ層１０６はレーザ吸収層であり、光ビーム１３６の波長はインジウムの分解に一致する。
ホモジナイザー（図示せず）は、レーザによって放出されるガウス波形のビームを、平らなプラトー状のレーザビームに変換し、それにより、ビームの均一性が向上する。
静止したビームを照射するのではなく、境界面を横断するようにレーザビームを走査させることにより、ＩｎＧａＮレーザ吸収層のより大きな表面積を照射してもよい。エキシマレーザは、一般的に５〜１０Ｈｚのパルス状であり、ＧａＮ層の分解を達成するには、一般的には１パルスで十分である。サファイア基板１００の下面１３２は研磨されているので、エキシマレーザはＩｎＧａＮ層１０６を均一に照射できる。
サファイア基板１００並びに窒化ガリウム層１０２及び１０４を、窒化物系共振器半導体構造１４０から分離した後、ＧａＮコンタクト層１０８の表面１４２上に残存しているインジウム又はガリウムの金属を、塩酸（ＨＣＬ）及び水の溶液（ＨＣＬ：Ｈ2Ｏ＝１：１）に含浸することにより除去する。
サファイア基板１００は、次の窒化物系半導体構造の製造に再利用できる。基板１００はサファイアである必要はなく、レーザ１３４からの光ビーム１３６の波長を透過させ、表面でＧａＮ層を成長させるのに適した、光学的に透明な任意の材料であってよい。
次に、図３に示されるように、半導体構造１４０は、シリコン（Ｓｉ）基板１２８及びｐ型ドープ層が下になり、ｎ型コンタクト層１０８が上になるように裏返される。
Ａｒ/Ｃｌ2/ＢＣｌ3の混合気体中における、ＣＡＩＢＥ（chemical assistedion beam etching）又はＲＩＥ（reactive ion beam etching）を用いたドライエッチングにより、ｎ型コンタクト層１０８、ｎ型クラッド層１１０、ｎ型導波層１１２、ＩｎＧａＮ活性領域１１４、ｐ型導波層１１６、及びｐ型クラッド層１１８を貫通して、それらの下のＧａＮ：Ｍｇ電流拡散及びｐ型コンタクト層１２０が露出されるように、半導体構造１４０をエッチングする。
ｎ型コンタクト層１０８の中央部の上に、第２の分布型ブラッグ反射器１４２が形成される。第２の分布型ブラッグ反射器１４２は、６対の厚さが１/４波長の交互する二酸化シリコン（ＳｉＯ2）及び五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の誘電層を有する。或いは、ＤＢＲは、ＳｉＯ2/ＴｉＯ2若しくはＧａＮ/ＡｌＧａＮの交互層、又はアルミニウム含有量が異なるＡｌＧａＮの交互層を有してもよい。具体的なデバイスに応じて、ＤＢＲは６対を超える又は６対未満の交互層を有してもよい。
半導体構造１４０の、横方向コンタクト層として機能するエッチングされて露出されたｐ型電流拡散層１２０上に、ｐ型Ｎｉ/Ａｕ電極１４４が形成される。
半導体構造１４０の露出されたｎ型コンタクト層１１８上に、第２のＤＢＲ１４２を囲むｎ型Ｔｉ/Ａｌ電極１４６が形成される。
半導体構造１４０の、第１のＤＢＲ１２２と第２のＤＢＲ１４２との間の共振器１４８は、ｎ型コンタクト層１０８と、ｎ型クラッド層１１０と、ｎ型導波層１１２と、ＩｎＧａＮ活性領域１１４と、ｐ型導波層１１６と、ｐ型クラッド層１１８と、ｐ型コンタクト層１２０とで構成される。
窒化物系共振器半導体構造１４０は、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）、若しくは光検出器（ＰＤ）、又はこれらのデバイスを組み合わせたものの、いずれであってもよい。
窒化物系共振器半導体構造は、放出又は吸収される光の波長に対して基板が透明であり、下のＤＢＲの反射率が上のＤＢＲの反射率よりも低い場合には、ＶＣＳＥＬ若しくはＬＥＤとして光を放出、又は光検出として光を吸収することができる。
第１のサファイア基板のレーザアシスト・エピタキシャル・リフトオフを用いることで、窒化物系共振器半導体構造の両側に分布型ブラッグ反射器を設けるために、窒化物系半導体層の裏側にアクセスできる。
本発明の第１実施形態による、サファイア基板上の、第１の分布型ブラッグ反射器を有する窒化物系共振器半導体構造の側面図である。 図１の第１の分布型ブラッグ反射器を有する窒化物系共振器半導体構造から、サファイア基板を除去するための、レーザリフトオフ処理の側面図である。 第２の分布型ブラッグ反射器を有する、図１の窒化物系共振器半導体構造の上下を逆にした側面図である。
１００ サファイア基板
１０６ レーザ吸収層
１１４ 活性領域
１２２ 第１の分布型ブラッグ反射器
１２８ 支持基板
１３４ 紫外線エキシマレーザ
１３６ レーザビーム
１４０ 窒化物系共振器半導体構造
１４２ 第２の分布型ブラッグ反射器

Claims (8)

  1. 透明基板上に生成層を付着させる工程と、
    前記生成層上に比較的厚い窒化ガリウム層を付着させる工程と、
    前記比較的厚い窒化ガリウム層上にレーザ吸収層を付着させる工程と、
    前記レーザ吸収層上に第１のコンタクト層を付着させる工程と、
    前記第１のコンタクト層上に第１のクラッド層を付着させる工程と、
    前記第１のクラッド層上に第１の導波層を付着させる工程と、
    前記第１の導波層上にIII-V窒化物半導体活性領域を付着させる工程と、
    前記III-V窒化物半導体活性領域上に第２の導波層を付着させる工程と、
    前記第２の導波層上に第２のクラッド層を付着させる工程と、
    前記第２のクラッド層上に第２のコンタクト層を付着させる工程と、
    前記第２のコンタクト層上に第１の分布型ブラッグ反射器を付着させる工程と、
    前記第１の分布型ブラッグ反射器上に金層を付着させる工程と、
    前記金層上に支持基板を接着剤、はんだ、又はスピン・オン・グラスの何れかで接着させる工程と、
    前記透明基板を透過させ前記レーザ吸収層を分解させるようにレーザビームを照射し前記透明基板、前記生成層、前記比較的厚い窒化ガリウム層、前記レーザ吸収層を除去する工程と、
    前記第１のコンタクト層上に第２の分布型ブラッグ反射器を付着させる工程と、
    前記第１のコンタクト層及び前記第２のコンタクト層各々を露出させるためにエッチングする工程と、
    前記第１のコンタクト層及び前記第２のコンタクト層の露出された部分上に、前記III-V窒化物半導体活性領域をバイアスするための電極を形成する工程と、
    を有する、窒化物系共振器半導体構造の製造方法。
  2. 前記支持基板は、ガリウム砒素、銅、又は硬質材料の何れかで作られていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系共振器半導体構造の製造方法。
  3. 前記共振器から前記半導体レーザ構造の表面を通るレージングを生じさせるために十分な順方向バイアスが前記活性領域に与えられることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物系共振器半導体構造の製造方法。
  4. 前記窒化物系共振器半導体構造が発光ダイオードであることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物系共振器半導体構造の製造方法。
  5. 前記共振器から前記半導体レーザ構造の表面を通る発光を生じさせるために十分な順方向バイアスが前記活性領域に与えられることを特徴とする、請求項４に記載の窒化物系共振器半導体構造の製造方法。
  6. 前記窒化物系共振器半導体構造が光検出器であることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物系共振器半導体構造の製造方法。
  7. 前記共振器の光の吸収を生じさせるために十分な逆方向バイアスが前記活性領域に与えられることを特徴とする、請求項６に記載の窒化物系共振器半導体構造の製造方法。
  8. 複数の共振器が形成され、該複数の共振器が、垂直共振器型面発光レーザ、発光ダイオード及び光検出器のうち少なくとも２つであることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物系共振器半導体構造の製造方法。
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